JPS58176936A - 基板冷却方法 - Google Patents
基板冷却方法Info
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- JPS58176936A JPS58176936A JP57059236A JP5923682A JPS58176936A JP S58176936 A JPS58176936 A JP S58176936A JP 57059236 A JP57059236 A JP 57059236A JP 5923682 A JP5923682 A JP 5923682A JP S58176936 A JPS58176936 A JP S58176936A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は加熱されたフェノ・又はマスク基板の温度を所
望の温度まで短時間で下げることが可能な基板冷却方法
に関する０ （２）技術の背景 通常、レジストがコーティングされたウニｊ１又はマス
ク基板は乾燥ベーキングされた後、熱歪による位置合わ
せｎ度の低下を防ぐため、その温度を一定−ＷＩＬまで
降温してから露光が行われる。
望の温度まで短時間で下げることが可能な基板冷却方法
に関する０ （２）技術の背景 通常、レジストがコーティングされたウニｊ１又はマス
ク基板は乾燥ベーキングされた後、熱歪による位置合わ
せｎ度の低下を防ぐため、その温度を一定−ＷＩＬまで
降温してから露光が行われる。
（３） 従来技術と問題点
従来、上記の様な基板の冷却は、加熱され膨張した基板
をクリーンベンチに放置して行われていた０しかしなが
ら、この様な方法では、乾燥ベーキングで１００℃程度
に加熱された基板の温度を室温（約２２〜１２４℃）ｔ
で降温するため３０分程度を要し、生産効率の低下の原
因となりでいる〇またこの様な方法では、基板を一旦ク
リーンベンチへ移すためレジストコート工程からエツチ
ング、洗浄工程までをインライン化することが困難であ
った０ （４）発明の目的 本発明は上述の問題を解消し、短時間で加熱されたウェ
ハ又１３Ｙスク基板の温度を下げることが可能でかつ、
インライン化の容易な基板冷却方法を提供することを目
的とするものである〇（５）発明の構成 すなわち本発明は、流体によって温度制御卓れた固体ブ
ロック上に、加熱されたウェハ又はマスク基板を密着載
置してその温度を所望の温度に低下せしめることを４Ｉ
徽とするものである。
をクリーンベンチに放置して行われていた０しかしなが
ら、この様な方法では、乾燥ベーキングで１００℃程度
に加熱された基板の温度を室温（約２２〜１２４℃）ｔ
で降温するため３０分程度を要し、生産効率の低下の原
因となりでいる〇またこの様な方法では、基板を一旦ク
リーンベンチへ移すためレジストコート工程からエツチ
ング、洗浄工程までをインライン化することが困難であ
った０ （４）発明の目的 本発明は上述の問題を解消し、短時間で加熱されたウェ
ハ又１３Ｙスク基板の温度を下げることが可能でかつ、
インライン化の容易な基板冷却方法を提供することを目
的とするものである〇（５）発明の構成 すなわち本発明は、流体によって温度制御卓れた固体ブ
ロック上に、加熱されたウェハ又はマスク基板を密着載
置してその温度を所望の温度に低下せしめることを４Ｉ
徽とするものである。
（６）発明の実施例
以下、図を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る０第１図は本発明を実施し九露光システムの一例を示
すブロック図、１８２図は降温プレート部の要部断面図
である。図中１はレジストコート部、２Ｆｉ搬送部、３
．６ｔｉホツトプレ一ト部、４．７ｔｉ降温プレ一ト部
、８は現像エツチング処理部、９はフィードバックルー
プ、１０は基板、１ｉｔｉ固体ブロック、１２は恒温装
置、１３は温度センサ、１４は真空吸引路、１５＃：を
流路、１６はポンプである。
る０第１図は本発明を実施し九露光システムの一例を示
すブロック図、１８２図は降温プレート部の要部断面図
である。図中１はレジストコート部、２Ｆｉ搬送部、３
．６ｔｉホツトプレ一ト部、４．７ｔｉ降温プレ一ト部
、８は現像エツチング処理部、９はフィードバックルー
プ、１０は基板、１ｉｔｉ固体ブロック、１２は恒温装
置、１３は温度センサ、１４は真空吸引路、１５＃：を
流路、１６はポンプである。
本実施例においては、レジストコート部１でレジストが
塗布されホットプレート部３で乾燥ベーキングされた基
板１０は、従来の様に一旦、クリーンペンチ等に放置さ
れることなく、搬送部２を介して降温プレート部４へ搬
送される・降温プレート部４Ｆｉ、第２図の様な構成を
有し、搬送されてきた基板１０は、一定の温度制御され
た固体ブロックＩＩＫ真空吸引され密着載置される・固
体ブロック１ｉＦｉ、内容に一定温度の水、油等が循環
し、かつアルミニウム、銅等の熱伝導性の良いされる０
例えば、フォトマスク基板を従来の冷却方法で１００℃
から２２〜２４℃に冷却するためには３０分程度必要で
あったのに対し、本発明によれば１公租度で十分である
口 尚、固体ブロック１１の温［は、基板ｌＯとコンタクト
プリント用のマスターマるりの温度が等しくなる様に制
御することがパターン精度向上のうえで望ましい。その
ため本実施例では、コンタクトプリンタ部５の温度を検
出し、フィードバックループ９を介して恒温装置１２に
フィードバックすると共にセンサ１３で固定ブロック１
１の温度を検知して、両者が一致する様に液温を制御し
ている〇 この様にして冷却された基板１０はコンタクトプリンタ
部へ搬送されてコンタクト露光される。
塗布されホットプレート部３で乾燥ベーキングされた基
板１０は、従来の様に一旦、クリーンペンチ等に放置さ
れることなく、搬送部２を介して降温プレート部４へ搬
送される・降温プレート部４Ｆｉ、第２図の様な構成を
有し、搬送されてきた基板１０は、一定の温度制御され
た固体ブロックＩＩＫ真空吸引され密着載置される・固
体ブロック１ｉＦｉ、内容に一定温度の水、油等が循環
し、かつアルミニウム、銅等の熱伝導性の良いされる０
例えば、フォトマスク基板を従来の冷却方法で１００℃
から２２〜２４℃に冷却するためには３０分程度必要で
あったのに対し、本発明によれば１公租度で十分である
口 尚、固体ブロック１１の温［は、基板ｌＯとコンタクト
プリント用のマスターマるりの温度が等しくなる様に制
御することがパターン精度向上のうえで望ましい。その
ため本実施例では、コンタクトプリンタ部５の温度を検
出し、フィードバックループ９を介して恒温装置１２に
フィードバックすると共にセンサ１３で固定ブロック１
１の温度を検知して、両者が一致する様に液温を制御し
ている〇 この様にして冷却された基板１０はコンタクトプリンタ
部へ搬送されてコンタクト露光される。
露光された基板１０ ｒｉ−、３１党の際にレジストに
発生した定在波の影響を少なくするため、再びホットプ
レート部６でベーキングされる。次いで基板１０は降温
プレート部７で、現像、エツチング処理時に基板１０が
薬品と異常反応しない様に冷却される。この時も本発明
によれば前述と同様に短時間で基板１０の温度を下げる
ことが可能である。
発生した定在波の影響を少なくするため、再びホットプ
レート部６でベーキングされる。次いで基板１０は降温
プレート部７で、現像、エツチング処理時に基板１０が
薬品と異常反応しない様に冷却される。この時も本発明
によれば前述と同様に短時間で基板１０の温度を下げる
ことが可能である。
次いで基板１（ｌ現像、エツチングされ、所望Ｏパター
ンが形成される。
ンが形成される。
この様に本発明によれば短時間で基板の温度を下げるこ
とが可能であるため、第１図の如くレジストコートの工
程から洗浄工程までを容易にインライン化することが可
能である◎尚、本発明は第１図に示したシステムの他に
も、フェノ・マスク基板等の冷却のために適用できるこ
とは言うまでもない０ （７）発明の詳細 な説明し食様に本発明によれば、短時間で加熱された基
板を冷却できるので、生産効率は大−に向上する。また
露光システムのインライン化にも非常に有効である０
とが可能であるため、第１図の如くレジストコートの工
程から洗浄工程までを容易にインライン化することが可
能である◎尚、本発明は第１図に示したシステムの他に
も、フェノ・マスク基板等の冷却のために適用できるこ
とは言うまでもない０ （７）発明の詳細 な説明し食様に本発明によれば、短時間で加熱された基
板を冷却できるので、生産効率は大−に向上する。また
露光システムのインライン化にも非常に有効である０
第１図は本発明を実施した露光システムの一例、１！２
図は降温プレート部の要部断面図である０１Ｆｉレジス
トコ一ト部、２Ｆｉ搬送部、３はホットプレート部、４
．７は降温プレート部、８は現儂拳エツチング処理部、
９はフィードバックループ、１（ｌ基板、１１は固体ブ
ロック、１２は恒温装置、１ａｔｉ温度センサ、１４は
真空吸引路、１５は流路、１６Ｆｉポンプ。
図は降温プレート部の要部断面図である０１Ｆｉレジス
トコ一ト部、２Ｆｉ搬送部、３はホットプレート部、４
．７は降温プレート部、８は現儂拳エツチング処理部、
９はフィードバックループ、１（ｌ基板、１１は固体ブ
ロック、１２は恒温装置、１ａｔｉ温度センサ、１４は
真空吸引路、１５は流路、１６Ｆｉポンプ。
Claims (1)
- 流体によって温度制御された固体ブロック上に、加熱さ
れたフェノ・又はマスク基板を密着載置してその温度を
所望の温度に低下せしめることを特徴とする基板冷却方
法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57059236A JPS58176936A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 基板冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57059236A JPS58176936A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 基板冷却方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176936A true JPS58176936A (ja) | 1983-10-17 |
| JPH0313734B2 JPH0313734B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=13107542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57059236A Granted JPS58176936A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 基板冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58176936A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117625A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS60117627A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS60117626A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS60178626A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS62172150U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-31 | ||
| JPS6346840U (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-30 | ||
| AU2019305815B2 (en) * | 2018-07-18 | 2023-07-27 | Max Co., Ltd. | Binding tape, binding method, tape winding body and reel |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52142972A (en) * | 1976-05-25 | 1977-11-29 | Toshiba Corp | Semiconductor production device |
| JPS5425671A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-26 | Nec Corp | Burning and tightening unit for photo resist |
| JPS5473578A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-12 | Toshiba Corp | Pattern exposure method of semiconductor substrate and pattern exposure apparatus |
| JPS54125978A (en) * | 1978-03-24 | 1979-09-29 | Toshiba Corp | Drying device of photo resist film |
| JPS5532022A (en) * | 1978-08-26 | 1980-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correcting method of elongation or contraction quantity of wafer |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP57059236A patent/JPS58176936A/ja active Granted
Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5532022A (en) * | 1978-08-26 | 1980-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correcting method of elongation or contraction quantity of wafer |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS60117625A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS60117627A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS60117626A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-25 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPH0586642B2 (ja) * | 1983-11-30 | 1993-12-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS60178626A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法及びレジスト処理装置 |
| JPS62172150U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-31 | ||
| JPS6346840U (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-30 | ||
| AU2019305815B2 (en) * | 2018-07-18 | 2023-07-27 | Max Co., Ltd. | Binding tape, binding method, tape winding body and reel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0313734B2 (ja) | 1991-02-25 |
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