JPH03135175A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH03135175A JPH03135175A JP1271781A JP27178189A JPH03135175A JP H03135175 A JPH03135175 A JP H03135175A JP 1271781 A JP1271781 A JP 1271781A JP 27178189 A JP27178189 A JP 27178189A JP H03135175 A JPH03135175 A JP H03135175A
- Authority
- JP
- Japan
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- charge
- amplification
- control electrode
- trc
- amplification means
- Prior art date
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- Granted
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、センサーノイズの低減を目的とした光電変換
装置に関する。
装置に関する。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]固体撮
像装置等に用いられるセンサには、出力信号レベルを上
げる等のために、増幅型センサが好適に用いられる。
像装置等に用いられるセンサには、出力信号レベルを上
げる等のために、増幅型センサが好適に用いられる。
増幅型センサーは、MOS型、 SIT型、 FET型
。
。
バイポーラ型などのトランジスタから構成されていて、
それらの制御電極に蓄積した電荷を電荷増幅あるいは電
流増幅して、主電極から出力するものである。゛例えば
特公昭55−28456号公報に増幅型センサーの一例
が開示されている。このような増幅型センサーの問題点
の1つにセンサーノイズが大きいことがあげられる。
それらの制御電極に蓄積した電荷を電荷増幅あるいは電
流増幅して、主電極から出力するものである。゛例えば
特公昭55−28456号公報に増幅型センサーの一例
が開示されている。このような増幅型センサーの問題点
の1つにセンサーノイズが大きいことがあげられる。
センサーノイズは、一般に固定的に現われる固定パター
ンノイズ(以後FPNと呼ぶ)と、制御電極をリセット
した時に制御電極にとりこまれるランダムノイズ(リセ
ット毎に振幅が変化するノイズ)がある。
ンノイズ(以後FPNと呼ぶ)と、制御電極をリセット
した時に制御電極にとりこまれるランダムノイズ(リセ
ット毎に振幅が変化するノイズ)がある。
センサーノイズのなかで、FPNは固定的に現われるの
でセンサーの光信号出力からセンサーの暗時出力を減算
すれば、完全に除去することができる。なお、暗時出力
は蓄積時間をほとんどゼロ、即ちセンサーをリセットし
た直後に読み出す事によって得ることができる。
でセンサーの光信号出力からセンサーの暗時出力を減算
すれば、完全に除去することができる。なお、暗時出力
は蓄積時間をほとんどゼロ、即ちセンサーをリセットし
た直後に読み出す事によって得ることができる。
これに対し制御電極にとりこまれたランダムノイズをも
除去するためには、蓄積開始直後のセンサー出力(セン
サーノイズ)から蓄積後のセンサー出力(光信号)を減
算すればよい。このような減算処理が可能な光電変換装
置としては、本出願人が先に出願した特願昭63−47
492号に開示したものがある。この光電変換装置は光
信号を格納する手段とセンサーノイズを格納する格納手
段とを設け、両格納手段に格納された光信号とセンサー
ノイズとの差を取るものである。
除去するためには、蓄積開始直後のセンサー出力(セン
サーノイズ)から蓄積後のセンサー出力(光信号)を減
算すればよい。このような減算処理が可能な光電変換装
置としては、本出願人が先に出願した特願昭63−47
492号に開示したものがある。この光電変換装置は光
信号を格納する手段とセンサーノイズを格納する格納手
段とを設け、両格納手段に格納された光信号とセンサー
ノイズとの差を取るものである。
かかる光電変換装置は、ラインセンサーに用いる場合に
は非常に実用的であるが、エリアセンサーに用いる場合
には、センサーノイズを格納する格納手段のチップ面積
が大きくなってしまう。
は非常に実用的であるが、エリアセンサーに用いる場合
には、センサーノイズを格納する格納手段のチップ面積
が大きくなってしまう。
格納手段を、撮像素子の外部に設けた場合においても、
フィールドメモリあるいはフレームメモリが必要となり
、コスト的に問題であって、実用化は困難である。
フィールドメモリあるいはフレームメモリが必要となり
、コスト的に問題であって、実用化は困難である。
Claims (2)
- (1)光励起された電荷を蓄積する蓄積手段と、制御電
極の電荷を増幅する増幅手段と、前記蓄積手段と前記制
御電極とを接続する転送素子を有し、前記蓄積手段の電
荷を前記増幅手段に転送する前に前記制御電極をリセッ
トするリセット手段と、リセット後、前記増幅手段の出
力を第1の信号として読み出す第1の読み出し手段と、
前記転送素子を導通させ、前記蓄積手段の電荷を前記制
御電極に転送する転送手段と、電荷の転送後に前記増幅
手段の出力を第2の信号として読み出す第2読み出し手
段と、前記第1の信号と前記第2の信号との減算処理を
行う減算処理手段と、 を備えたことを特徴とする光電変換装置。 - (2)基体上に前記蓄積手段となる蓄積領域及び前記増
幅手段となる増幅領域を形成し、その上に光電変換領域
を積層し、この光電変換領域と前記増幅領域とを電気的
に接続させたことを特徴とする請求項1記載の光電変換
装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1271781A JP2545469B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 光電変換装置 |
EP90305874A EP0400985B1 (en) | 1989-05-31 | 1990-05-30 | Photoelectric converting apparatus |
DE69033613T DE69033613T2 (de) | 1989-05-31 | 1990-05-30 | Fotoelektrischer Umwandler |
US07/530,801 US5172249A (en) | 1989-05-31 | 1990-05-30 | Photoelectric converting apparatus with improved switching to reduce sensor noises |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1271781A JP2545469B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03135175A true JPH03135175A (ja) | 1991-06-10 |
JP2545469B2 JP2545469B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=17504765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1271781A Expired - Fee Related JP2545469B2 (ja) | 1989-05-31 | 1989-10-20 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2545469B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268477A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
US7113213B2 (en) | 1995-08-11 | 2006-09-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image system, solid-state imaging semiconductor integrated circuit device used in the image system, and difference output method used for the image system |
US7369169B2 (en) | 1995-08-11 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS-type solid-state imaging apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6310087A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Hitachi Seiko Ltd | 電子ビ−ム溶接装置 |
JPS63100879A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JPH01154678A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JPH01222582A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-05 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPH01243675A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1271781A patent/JP2545469B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6310087A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Hitachi Seiko Ltd | 電子ビ−ム溶接装置 |
JPS63100879A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JPH01154678A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
JPH01222582A (ja) * | 1988-03-02 | 1989-09-05 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPH01243675A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7113213B2 (en) | 1995-08-11 | 2006-09-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image system, solid-state imaging semiconductor integrated circuit device used in the image system, and difference output method used for the image system |
US7369169B2 (en) | 1995-08-11 | 2008-05-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS-type solid-state imaging apparatus |
JP2005268477A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2545469B2 (ja) | 1996-10-16 |
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