KR970013390A - 씨씨디(ccd) 고체촬상소자 및 그의 신호처리방법 - Google Patents
씨씨디(ccd) 고체촬상소자 및 그의 신호처리방법 Download PDFInfo
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract 15
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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Abstract
본 발명은 전자와 홀의 쌍전하를 이용하여 신호를 검출함으로써 감도를 향상시키고 조도에 대한 동적영역을 증가시킨 CCD 고체촬상소자 및 그의 신호처리방법에 관한 것으로서, 입사광에 대하여 신호전하들을 발생하는 감지영역과; 감지영역으로부터의 신호전하들을 일정시간동안 축적하는 축적영역과; 축적영역에 축적된 신호전하들을 1라인씩 추출하는 HCCD와; HCCD으로부터 출력되는 신호전하들 중 전자에 대한 신호전하들을 검출하고 증폭하는 고감도용 신호전하검출 및 증폭회로와; HCCD으로부터 출력되는 신호전하들 중 홀에 대한 신호전하들을 검출하고 증폭하는 저감도용 신호전하검출 및 증폭회로를 포함한다. 또한, 본 발명의 CCD 고체촬상소자의 신호처리방법은 입사광에 대하여 전자와 홀의 신호전하들을 발생하는 단계와, 상기 발생된 신호전하들을 일정시간동안 축적하는 단계와, 상기 축적된 신호전하들을 1라인씩 추출하는 단계와, 1라인씩 추출되는 신호전하들 중 전자에 대한 신호전하들을 검출하는 단계와, 1라인씩 추출되는 신호전하들 중 홀에 대한 신호전하들을 검출하는 단계와, 전자에 대한 검출신호와 홀에 대한 검출신호를 합성처리하는 단계를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 프레임 전송방식의 CCD 고체촬상소자의 구성도,
제6도 (A)는 발명의 실시예에 따른 프레임 전송방식의 CCD 고체촬상소자의 단면 구조도.
Claims (11)
- 입사광에 대하여 신호전하들을 발생하는 감지영역과, 감지영역으로부터의 신호전하들을 일정시간동안 축적하는 축적영역과, 축적영역에 축적된 신호전하들을 1라인씩 추출하는 HCCD와, HCCD으로부터 출력되는 신호전하들 중 전자에 대한 신호전하들을 검출하고 증폭하는 고감도용 신호전하검출 및 증폭회로와, HCCD으로부터 출력되는 신호전하들 중 홀에 대한 신호전하들을 검출하고 증폭하는 저감도용 신호전하검출 및 증폭회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자
- 제1항에 있어서, 상기 감지영역은 제1도전형의 저농도 기판과, 기판상에 형성된 제2도전형의 웰과, 상기 웰에 형성된 제1도전형을 갖는 제1불순물 영역과, 상기 제1불순물 영역의 표면에 형성된 제2도전형을 갖는 제2불순물 영역과, 제1 및 제2불순물 영역과 접하여 상기 웰에 형성된 제1도전형을 갖는 제3불순물 영역과, 상기 제3불순물 영역과 접하여 상기 웰에 형성된 고농도의 제2도전형의 제4불순물 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
- 제2항에 있어서, 상기 감지영역은 기판전면에 형성된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
- 제1항에 있어서, 상기 축적영역은 제1도전형의 저농도 기판과, 기판상에 형성된 제2도전형의 웰과, 상기 웰에 형성된 제1도전형을 갖는 제1불순물 영역과, 상기 제1불순물 영역의 표면에 형성된 제2도전형을 갖는 제2불순물 영역과, 제1 및 제2불순물 영역과 접하여 상기 웰에 형성된 제1도전형을 갖는 제3불순물 영역과, 상기 제3불순물 영역과 접하여 상기 웰에 형성된 고농도의 제2도전형의 제4불순물 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
- 제4항에 있어서, 상기 감지영역은 기판전면에 형성된 절연막과, 절연막상에 형성된 전송전극과, 전송전극상에 형성된 차광막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
- 제4항에 있어서, 제1불순물 영역은 전자매립채널영역으로 작용하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
- 제4항에 있어서, 제2불순물 영역은 홀매립채널영역으로 작용하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
- 제4항에 있어서, 제3불순물 영역은 홀채널스톱영역과 전자매립채널영역으로 작용하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
- 제4항에 있어서, 제4불순물 영역은 전자채널스톱영역과 홀드레인 영역으로 작용하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
- 입사광에 대하여 전자와 홀의 신호전하들을 발생하는 단계와, 상기 발생된 신호전하들을 일정시간동안 축적하는 단계와, 상기 축적된 신호전하들을 1라인씩 추출하는 단계와, 1라인씩 추출되는 신호전하들 중 전자에 대한 신호전하들을 검출하는 단계와, 1라인씩 추출되는 신호전하검출 중 홀에 대한 신호전하들을 검출하는 단계와 전자에 대한 검출신호와 홀에 대한 검출신호를 합성처리하여 출력하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자의 신호 처리방법.
- 제10항에 있어서, 전자에 대한 검출신호와 홀에 대한 검출신호를 합성처리시 고감도영역에서는 저조도영역에서는 전자에 대한 검출신호와 홀에 대한 검출신호를 더한 값을 출력하고, 고조도영역에서는 홀에 대한 검출신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자의 신호처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950023853A KR0172854B1 (ko) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 씨씨디 고체촬상소자 및 그의 신호처리방법 |
DE19531034A DE19531034B4 (de) | 1995-08-02 | 1995-08-23 | Verfahren zum Betrieb eines CCD-Festkörper-Bildsensors |
US08/599,969 US5627388A (en) | 1995-08-02 | 1996-02-14 | CCD-solid state image sensor using electron and hole signal charges and method for processing signal thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950023853A KR0172854B1 (ko) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 씨씨디 고체촬상소자 및 그의 신호처리방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970013390A true KR970013390A (ko) | 1997-03-29 |
KR0172854B1 KR0172854B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19422679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950023853A KR0172854B1 (ko) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 씨씨디 고체촬상소자 및 그의 신호처리방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5627388A (ko) |
KR (1) | KR0172854B1 (ko) |
DE (1) | DE19531034B4 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100370123B1 (ko) * | 1999-08-17 | 2003-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하 결합 소자 |
JP2001156284A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006186261A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5356726B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-12-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 距離センサ及び距離画像センサ |
US8529526B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-09-10 | Kci Licensing, Inc. | Dressing reduced-pressure indicators, systems, and methods |
US8847285B2 (en) | 2011-09-26 | 2014-09-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Depleted charge-multiplying CCD image sensor |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3896484A (en) * | 1970-10-06 | 1975-07-22 | Nishizawa Junichi | Intrinsic semiconductor charge transfer device using alternate transfer of electrons and holes |
SU535604A1 (ru) * | 1974-08-09 | 1976-11-15 | Предприятие П/Я В-2892 | Регистр сдвига на приборах с зар довой св зью |
US3996599A (en) * | 1975-03-19 | 1976-12-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Image detector with background suppression |
JPS53127276A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Fujitsu Ltd | Complementary charge transfer device |
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NL8101883A (nl) * | 1981-04-16 | 1982-11-16 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde inrichting. |
DE3418778A1 (de) * | 1984-05-19 | 1985-11-21 | Josef Dr. 8048 Haimhausen Kemmer | Ccd-halbleiterbauelement |
GB8517081D0 (en) * | 1985-07-05 | 1985-08-14 | Gen Electric Co Plc | Image sensors |
US5309004A (en) * | 1990-06-27 | 1994-05-03 | United Technologies Corporation | Heterostructure acoustic charge transport device having electron and hole transport |
KR960002645B1 (ko) * | 1992-04-03 | 1996-02-24 | 엘지반도체주식회사 | 전하 전송장치 및 고체 촬상장치 |
-
1995
- 1995-08-02 KR KR1019950023853A patent/KR0172854B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-08-23 DE DE19531034A patent/DE19531034B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-14 US US08/599,969 patent/US5627388A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0172854B1 (ko) | 1999-02-01 |
DE19531034B4 (de) | 2006-02-23 |
DE19531034A1 (de) | 1997-02-06 |
US5627388A (en) | 1997-05-06 |
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130927 Year of fee payment: 16 |
|
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|
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