JPH03124033A - ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタInfo
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- JPH03124033A JPH03124033A JP26204789A JP26204789A JPH03124033A JP H03124033 A JPH03124033 A JP H03124033A JP 26204789 A JP26204789 A JP 26204789A JP 26204789 A JP26204789 A JP 26204789A JP H03124033 A JPH03124033 A JP H03124033A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
キャリヤかベースを走行する時間の短縮を可能にしたヘ
テロ接合バイポーラ・トランジスタに関し、 ベース層へのドーピング物質であるＢｅがエミッタ層や
コレクタ層に拡散されないように成長温度を低くしても
、ベース層の結晶品質を良好に維持できるようにするこ
とを目的とし、 コレクタ層とエミッタ層との間に介在してエネルギ・バ
ンド・ギャップがコレクタ層からエミッタ層に向かうに
つれて広くなるようＩｎの値を低減させて傾斜組成をも
たせたＩ ｎＧａＡｓからなるベース層を備えるか、或
いは、それ加えて該ベース層に含有されている不純物で
あるベリリウムの濃度がコレクタ層からエミッタ層に向
かって漸減するよう構成する。
テロ接合バイポーラ・トランジスタに関し、 ベース層へのドーピング物質であるＢｅがエミッタ層や
コレクタ層に拡散されないように成長温度を低くしても
、ベース層の結晶品質を良好に維持できるようにするこ
とを目的とし、 コレクタ層とエミッタ層との間に介在してエネルギ・バ
ンド・ギャップがコレクタ層からエミッタ層に向かうに
つれて広くなるようＩｎの値を低減させて傾斜組成をも
たせたＩ ｎＧａＡｓからなるベース層を備えるか、或
いは、それ加えて該ベース層に含有されている不純物で
あるベリリウムの濃度がコレクタ層からエミッタ層に向
かって漸減するよう構成する。
本発明は、キャリヤがベースを走行する時間の短縮を可
能にしたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ｈｅｔ
ｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＢＴ）に関する。
能にしたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ｈｅｔ
ｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＢＴ）に関する。
現在、情報処理システム或いは通信システムの更なる高
速化が要求されていることから、その実現の基礎をなし
ている半導体素子も一層の高速化を図らなければならな
い。
速化が要求されていることから、その実現の基礎をなし
ている半導体素子も一層の高速化を図らなければならな
い。
そのような半導体素子としてを望視されているものの一
つとしてＨＢＴを挙げることができる。
つとしてＨＢＴを挙げることができる。
然しなから、ＨＢＴの高速化について、理論的には可能
性を内包しているものの、その実現には多くの困難が介
在している。
性を内包しているものの、その実現には多くの困難が介
在している。
（従来の技術）
従来、ＨＢＴの高速化を図る試みの一つとして、ベース
層に注入されたキャリヤを加速する内部電界を発生させ
る為、コレクタ層に近づくにつれてエネルギ・バンド・
ギャップが小さくなるようなＡ ｉ ｘ ｃ ａ ｌ−
Ｘ Ａ Ｓ （１斜組成層（例えば、ｘ値が０．１から
Ｏまで連続的に変化する）をベース層として用いること
が行なわれている。
層に注入されたキャリヤを加速する内部電界を発生させ
る為、コレクタ層に近づくにつれてエネルギ・バンド・
ギャップが小さくなるようなＡ ｉ ｘ ｃ ａ ｌ−
Ｘ Ａ Ｓ （１斜組成層（例えば、ｘ値が０．１から
Ｏまで連続的に変化する）をベース層として用いること
が行なわれている。
また、同じく高速化を図る為には、ベース層の抵抗を小
さくすることも極めて重要であり、それに必要なベース
層高不純物濃度化技術が種々と開発されている。
さくすることも極めて重要であり、それに必要なベース
層高不純物濃度化技術が種々と開発されている。
現在、ＨＢＴ用結晶を成長するのに好適な結晶成長技術
である分子線エピタキシャル成長（ｍ。
である分子線エピタキシャル成長（ｍ。
Ｉｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢ
Ｅ）法に於いては、ベース層に対するｐ型不純物として
ベリリウム（Ｂｅ）が用いられている。
Ｅ）法に於いては、ベース層に対するｐ型不純物として
ベリリウム（Ｂｅ）が用いられている。
前記したＡ Ｉ！、Ｍ Ｇ ａ ｌ−Ｘ Ａ ｓ傾斜組
成ベース層に於いても、Ｂｅを約Ｉ Ｘ １０ ′９（
ｃｍ−ｆｆ）程度ドーピングすることが行なわれている
。
成ベース層に於いても、Ｂｅを約Ｉ Ｘ １０ ′９（
ｃｍ−ｆｆ）程度ドーピングすることが行なわれている
。
［発明が解決しようとする課題］
前記したように、）ＩＢＴを更に高速化するには、ベー
ス層に於けるｐ型不純物濃度を高（する必要がある。然
しなから、ｐ型不純物であるＢｅを例えばｌ Ｘ Ｉ
Ｏ２０（ｃｒ３］程度にまでドーピングするとエミッタ
層やコレクタ層へのＢｅの拡散が著しくなり、素子特性
が大きく劣化する。また、このような不所望の拡散を抑
止する為にベース層の成長温度を低（するとＡ Ｑ Ｘ
Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ Ｓ （ｍ斜組成結晶の品質が低
下し、素子特性が悪くなる旨の問題がある。
ス層に於けるｐ型不純物濃度を高（する必要がある。然
しなから、ｐ型不純物であるＢｅを例えばｌ Ｘ Ｉ
Ｏ２０（ｃｒ３］程度にまでドーピングするとエミッタ
層やコレクタ層へのＢｅの拡散が著しくなり、素子特性
が大きく劣化する。また、このような不所望の拡散を抑
止する為にベース層の成長温度を低（するとＡ Ｑ Ｘ
Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ Ｓ （ｍ斜組成結晶の品質が低
下し、素子特性が悪くなる旨の問題がある。
本発明は、ベース層へのドーピング物質であるＢｅがエ
ミッタ層やコレクタ層に拡散されないように成長温度を
低くしても、ベース層の結晶品質を良好に維持できるよ
うにする。
ミッタ層やコレクタ層に拡散されないように成長温度を
低くしても、ベース層の結晶品質を良好に維持できるよ
うにする。
前記ベース層の構成材料であるＡｌＸＧａＡｓ （ｘ値
は例えば０．１）の結晶品質は成長温度依存性が大きく
、低い成長温度では、深い準位などの結晶欠陥が多発す
る。
は例えば０．１）の結晶品質は成長温度依存性が大きく
、低い成長温度では、深い準位などの結晶欠陥が多発す
る。
このような結晶欠陥はＡＰを含まない材料を用いれば低
減することができる。
減することができる。
今までに、低い成長温度でＧａＡｓ或いはＩｎＧａＡｓ
などを成長させた例はあるが、組成が一定である為、内
部電界を発生させることができず、ＡｆｆｉＸ Ｇａ＋
−ｘ Ａｓ傾斜組成ベース層の場合に比較すると特性が
劣っている。
などを成長させた例はあるが、組成が一定である為、内
部電界を発生させることができず、ＡｆｆｉＸ Ｇａ＋
−ｘ Ａｓ傾斜組成ベース層の場合に比較すると特性が
劣っている。
前記したようなことから、ＡＰを含まない材料を用い、
且つ、傾斜組成をもたせたベース層が必要と考えられる
。
且つ、傾斜組成をもたせたベース層が必要と考えられる
。
そこで、本発明の高速半導体装置では、コレクタ層（例
えばｎ型ＧａＡｓコレクタ層３）とエミッタ層（例えば
ｎ型Ａ ｆ２ ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ ｓエミ、夕
層６）との間に介在してエネルギ・バンド・ギャップが
コレクタ層からエミッタ層に向かうにつれて広くなるよ
うＩｎの値を低減させて傾斜組成をもたせたｒｎＧａＡ
ｓからなるベース層（例えばｐ゛型１ｎ、Ｇａ＋−ｙ
Ａｓ１ｔＪＪ斜組成ベース層４）を備えてなるよう構成
するか、或いは、それに加えて該ベース層に含有されて
いる不純物であるベリリウムの濃度がコレクタ層からエ
ミッタ層に向かって漸減するよう構成する。
えばｎ型ＧａＡｓコレクタ層３）とエミッタ層（例えば
ｎ型Ａ ｆ２ ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ ｓエミ、夕
層６）との間に介在してエネルギ・バンド・ギャップが
コレクタ層からエミッタ層に向かうにつれて広くなるよ
うＩｎの値を低減させて傾斜組成をもたせたｒｎＧａＡ
ｓからなるベース層（例えばｐ゛型１ｎ、Ｇａ＋−ｙ
Ａｓ１ｔＪＪ斜組成ベース層４）を備えてなるよう構成
するか、或いは、それに加えて該ベース層に含有されて
いる不純物であるベリリウムの濃度がコレクタ層からエ
ミッタ層に向かって漸減するよう構成する。
［作用］
前記手段を採ることに依り、従来の技術に比較して低温
でベース層を成長させることができるので、Ｂｅなど不
純物がエミッタ層やコレクタ層に拡散するのを抑止する
ことができ、従って、ベース層は高い不純物濃度を維持
することが可能であって高速性が向上する。
でベース層を成長させることができるので、Ｂｅなど不
純物がエミッタ層やコレクタ層に拡散するのを抑止する
ことができ、従って、ベース層は高い不純物濃度を維持
することが可能であって高速性が向上する。
〔実施例］
第１図は本発明に於ける一実施例を説明する為の要部切
断側面図を表している。
断側面図を表している。
図に於いて、
１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、
２はｎ゛型ＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、３はｎ型
ＧａＡｓコレクタ層、 ３′はｎ型１ ｎｚ Ｇ ａ ｌ−Ｚ Ａ ｓ傾斜組成
コレクタ層、４はｐ３型１ ｎ、 Ｇ ａ ＋−ｙ Ａ
Ｓ ｔ’Ｉ斜組成ベース層、５はｎ型Ａｆｆｉ、 Ｇ
ａ ｌ−Ｘ Ａ ５（ｔＯ斜組成層、６はｎ型Ａ Ｉ
Ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ ｓエミッタ層、７はｎ°型
ＧａＡｓエミッタ・コンタクト層、８はエミッタ電極、
９はベース電極、ｌＯはコレクタ電極をそれぞれ示して
いる。
ＧａＡｓコレクタ層、 ３′はｎ型１ ｎｚ Ｇ ａ ｌ−Ｚ Ａ ｓ傾斜組成
コレクタ層、４はｐ３型１ ｎ、 Ｇ ａ ＋−ｙ Ａ
Ｓ ｔ’Ｉ斜組成ベース層、５はｎ型Ａｆｆｉ、 Ｇ
ａ ｌ−Ｘ Ａ ５（ｔＯ斜組成層、６はｎ型Ａ Ｉ
Ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ ｓエミッタ層、７はｎ°型
ＧａＡｓエミッタ・コンタクト層、８はエミッタ電極、
９はベース電極、ｌＯはコレクタ電極をそれぞれ示して
いる。
前記諸部分に関する主要データを例示すると次の通りで
ある。
ある。
（１） コレクタ・コンタクト層２について厚さ−５
０００〔入〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ′８（ｃｍ−３３（２）
コレクタ層３について 厚さ：５０００ （人〕 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ Ｏｌｂ（ｃｍ−３）（３）
傾斜組成コレクタ層３′についてＺ値：表面側に向かっ
て０→０．１５ 厚さ：３００ （人］ 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ′６（ａｍ−’）（４）
傾斜組成ベース層４について ｙ値：表面側に向かって０．１５→Ｏ 厚さ： １０００ （人〕 不純物濃度： ７ Ｘ Ｌ Ｏ” （ａｍ−’）（５）
傾斜組成Ｉｉ！５について Ｘ値：表面側に向かって０→０．３ 厚さ：３００（人〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” （ｃｍ−３）（６）
エミッタ層６について Ｘ値：０．３ 厚さ：１５００（人］ 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ Ｏ１７（ｃｍ”３）（７）
エミッタ・コンタクト層７について厚さ： １０００
（人〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’）本実施
例を製造する際、先ず、ＭＢＥ法を通用し、成長温度を
５３０（’Ｃ）、ｐ型ドーパントをＢｅ、ｎ型ドーパン
トをＳｔとして前記各半導体層を成長させる。次いで、
通常のフォト・リソグラフィ技術に於けるレジスト・プ
ロセス及び反応性イオン・エツチング（ｒｅａｃｔｉｖ
ｅ ｉ。
０００〔入〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ′８（ｃｍ−３３（２）
コレクタ層３について 厚さ：５０００ （人〕 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ Ｏｌｂ（ｃｍ−３）（３）
傾斜組成コレクタ層３′についてＺ値：表面側に向かっ
て０→０．１５ 厚さ：３００ （人］ 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ′６（ａｍ−’）（４）
傾斜組成ベース層４について ｙ値：表面側に向かって０．１５→Ｏ 厚さ： １０００ （人〕 不純物濃度： ７ Ｘ Ｌ Ｏ” （ａｍ−’）（５）
傾斜組成Ｉｉ！５について Ｘ値：表面側に向かって０→０．３ 厚さ：３００（人〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” （ｃｍ−３）（６）
エミッタ層６について Ｘ値：０．３ 厚さ：１５００（人］ 不純物濃度： ５ Ｘ Ｉ Ｏ１７（ｃｍ”３）（７）
エミッタ・コンタクト層７について厚さ： １０００
（人〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” （ｃｍ−’）本実施
例を製造する際、先ず、ＭＢＥ法を通用し、成長温度を
５３０（’Ｃ）、ｐ型ドーパントをＢｅ、ｎ型ドーパン
トをＳｔとして前記各半導体層を成長させる。次いで、
通常のフォト・リソグラフィ技術に於けるレジスト・プ
ロセス及び反応性イオン・エツチング（ｒｅａｃｔｉｖ
ｅ ｉ。
ｎ ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法を通用することに依
り、選択的にエツチングを行なって階段状メサを形成し
ながら、真空蒸着法及びリフト・オフ法を適用すること
に依って各電極を形成する。
り、選択的にエツチングを行なって階段状メサを形成し
ながら、真空蒸着法及びリフト・オフ法を適用すること
に依って各電極を形成する。
第２図は第１図に見られる実施例に関するエネルギ・バ
ンド・ダイヤグラムを表し、第１図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものと
する。
ンド・ダイヤグラムを表し、第１図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものと
する。
図に於いて、Ｅ、はフェルミ・レベル、ＥＣは伝導帯の
底、Ｅｖは価電子帯の頂をそれぞれしめしている。
底、Ｅｖは価電子帯の頂をそれぞれしめしている。
第３図は本発明に於ける他の実施例を説明する為の要部
切断側面図を表している。
切断側面図を表している。
図に於いて、
１１は半ｔＱ縁性１ｎＰ基板、
１２はノン・ドープＩ ｎＡｆｆｉＡｓバッファ層、１
３はｎ゛型１ｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、 １４はｎ型１ｎＧａＡｓエミンタ層、 １５はＰ°型１ ｎＸ Ｇ ａ ｌ−Ｘ Ａ ｓ （’
］’４斜組成ヘースベー １６はｎ型１ ｎＡｆＡｓエミッタ層、１７はｎ”型１
ｎＧａＡｓエミンタ・コンタクト層、 １８はエミッタ電極、１９はベース電極、２０はコレク
タ電極をそれぞれ示している。尚、図示されていないが
、コレクタ層１４と傾斜組成ベース層１５との間、また
、傾斜組成ベース層１５とエミッタ層１６との間のそれ
ぞれには、組成が連続的に変化し、ペテロ界面でのエネ
ルギ・バンドが滑らかに連続することができるような厚
さ例えば３００〔入〕程度の傾斜組成層を介挿しである
ものとし、また、この場合、（頃斜組成ベース層１５と
エミッタ層１６との間に介挿された傾斜組成層は一部が
四元層になることは云うまでもない。
３はｎ゛型１ｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、 １４はｎ型１ｎＧａＡｓエミンタ層、 １５はＰ°型１ ｎＸ Ｇ ａ ｌ−Ｘ Ａ ｓ （’
］’４斜組成ヘースベー １６はｎ型１ ｎＡｆＡｓエミッタ層、１７はｎ”型１
ｎＧａＡｓエミンタ・コンタクト層、 １８はエミッタ電極、１９はベース電極、２０はコレク
タ電極をそれぞれ示している。尚、図示されていないが
、コレクタ層１４と傾斜組成ベース層１５との間、また
、傾斜組成ベース層１５とエミッタ層１６との間のそれ
ぞれには、組成が連続的に変化し、ペテロ界面でのエネ
ルギ・バンドが滑らかに連続することができるような厚
さ例えば３００〔入〕程度の傾斜組成層を介挿しである
ものとし、また、この場合、（頃斜組成ベース層１５と
エミッタ層１６との間に介挿された傾斜組成層は一部が
四元層になることは云うまでもない。
前記諸部分に関する主要データを例示すると次の通りで
ある。
ある。
（１） バ′ツファ層１２について
厚さ：５０００ （人］
（２） コレクタ・コンタクト層１３について厚さ：
５０００ （人〕 不純物濃度： ２ Ｘ １０１９（ｃｍ−３）（３）
コレクタ層１４について 厚さ：５０００（入〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” （ｃｍ−”）（４）
傾斜組成ベース層１５について ｘ（Ｊ：表面側に向かって０．６０→０．５３厚さ：
１０００ ［人］ 不純物濃度： ７ Ｘ １０１９（ｃｍ−３）（５）
エミッタ層１６について 厚さ：２ｏｏｏ （人〕 不純物濃度： ３ Ｘ １ （］ ” （ｃｍ−３）（
６）エミフタ・コンタクト層１７について厚さ： １０
００ （人〕 不純物濃度： ２ Ｘ １０１９（ｃｍ−３）本実施例
を製造する際の条件としては、成長温度が４７０（’Ｃ
）であることを除けば、さきに説明した実施例と同じで
あり、また、Ｉ ｎＧａＡｓとｌ ｎＡｆｆＡｓとは、
何れもＩｎＰに格子整合する組成に選択されている。
５０００ （人〕 不純物濃度： ２ Ｘ １０１９（ｃｍ−３）（３）
コレクタ層１４について 厚さ：５０００（入〕 不純物濃度： ５ Ｘ １０ ” （ｃｍ−”）（４）
傾斜組成ベース層１５について ｘ（Ｊ：表面側に向かって０．６０→０．５３厚さ：
１０００ ［人］ 不純物濃度： ７ Ｘ １０１９（ｃｍ−３）（５）
エミッタ層１６について 厚さ：２ｏｏｏ （人〕 不純物濃度： ３ Ｘ １ （］ ” （ｃｍ−３）（
６）エミフタ・コンタクト層１７について厚さ： １０
００ （人〕 不純物濃度： ２ Ｘ １０１９（ｃｍ−３）本実施例
を製造する際の条件としては、成長温度が４７０（’Ｃ
）であることを除けば、さきに説明した実施例と同じで
あり、また、Ｉ ｎＧａＡｓとｌ ｎＡｆｆＡｓとは、
何れもＩｎＰに格子整合する組成に選択されている。
第４図は第３図に見られる実施例に関するエネルギ・バ
ンド・ダイヤグラムを表し、第２図及び第３図に於いて
用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を
持つものとする。
ンド・ダイヤグラムを表し、第２図及び第３図に於いて
用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を
持つものとする。
第５図は本発明に於ける更に他の実施例を説明する為の
要部切断側面図を表し、第１図に於いて用いた記号と同
記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする
。
要部切断側面図を表し、第１図に於いて用いた記号と同
記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする
。
図に於いて、
４′はｐ゛型１ｎｙＧａ、−、ＡＳ（、Ｑ斜組成及び傾
斜不純物濃度ベース層 を示している。
斜不純物濃度ベース層 を示している。
前記部分に関する主要データを例示すると次の通りであ
る。
る。
ｙ値：表面側に向かって０．０８→０
厚さ： １ｏｏｏ （入］
不純物濃度二表面側に向かって９ Ｘ １０１９（ｃｍ
−’）から５ Ｘ １０ ” ［ｃｍ−Ｊ 本実施例を製造する際の条件としては、ベース層４′に
於けるｙ値の最大値が小さいこと、そして、同じ（ベー
ス層４′に於けるＢｅ濃度がｙ（直に随伴して（頃斜す
ることを除けば、第１図及び第２図について説明した実
施例と同じである。
−’）から５ Ｘ １０ ” ［ｃｍ−Ｊ 本実施例を製造する際の条件としては、ベース層４′に
於けるｙ値の最大値が小さいこと、そして、同じ（ベー
ス層４′に於けるＢｅ濃度がｙ（直に随伴して（頃斜す
ることを除けば、第１図及び第２図について説明した実
施例と同じである。
本実施例の構成を採ると、Ｂｅを均一にドーピングした
第１図に見られる実施例のような場合に比較し、エミッ
タ層或いはコレクタ層へのＢｅの拡散を抑止する効果が
大きくなり、電流利得など素子特性の改善度合いが大き
くなる。
第１図に見られる実施例のような場合に比較し、エミッ
タ層或いはコレクタ層へのＢｅの拡散を抑止する効果が
大きくなり、電流利得など素子特性の改善度合いが大き
くなる。
第６図は第５図に見られる実施例に関するエネルギ・ハ
ンド・ダイヤグラムを表し、第２図及び第４図及び第５
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。
ンド・ダイヤグラムを表し、第２図及び第４図及び第５
図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは
同じ意味を持つものとする。
［発明の効果］
本発明に依る高速半導体装置に於いては、コレクタ層と
エミッタ層との間に介在してエネルギ・バンド・ギャッ
プがコレクタ層からエミッタ層に向かうにつれて広くな
るようＩｎの値を低減させて傾斜組成をもたせたＩ ｎ
ＧａＡｓからなるへ一ス層を備えてなるか、或いは、そ
れ加えて該ベース層に含有されている不純物であるヘリ
リウムの濃度がコレクタ層からエミッタ層に向かって瀬
城するよう構成する。
エミッタ層との間に介在してエネルギ・バンド・ギャッ
プがコレクタ層からエミッタ層に向かうにつれて広くな
るようＩｎの値を低減させて傾斜組成をもたせたＩ ｎ
ＧａＡｓからなるへ一ス層を備えてなるか、或いは、そ
れ加えて該ベース層に含有されている不純物であるヘリ
リウムの濃度がコレクタ層からエミッタ層に向かって瀬
城するよう構成する。
前記構成を採ることに依り、従来の技術に比較して低温
でベース層を成長させることができるので、Ｂｅなど不
純物がエミッタ層やコレクタ層に拡散するのを抑止する
ことができ、従って、ベース層は高い不純物濃度を維持
することが可能であって高速性が向上する。
でベース層を成長させることができるので、Ｂｅなど不
純物がエミッタ層やコレクタ層に拡散するのを抑止する
ことができ、従って、ベース層は高い不純物濃度を維持
することが可能であって高速性が向上する。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図は第
１図に見られる実施例のエネルギ・ハンド・ダイヤグラ
ム、第３同は本発明一実施例の要部切断側面図、第４図
は第３図に見られる実施例のエネルギ・バンド・ダイヤ
グラム、第５図は本発明一実施例の要部切断側面図、第
６１は第５図に見られる実施例のエネルギ・ハンド・ダ
イヤグラムをそれぞれ表している。 図に於いて、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はｎ°型ＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、３はｎ型
ＣａＡｓコレクタ層、 ４はｐ゛型１ｎ、Ｇａ、−、Ａｓ（ｌ＋１斜組成ベース
層、５はｎ型Ａｆｆｉ、 Ｃａ１−ｘ Ａｓ顛斜組成層
、６はｎ型ＡｎＸＧａ、−ｘ Ａｓエミッタ層、７はｎ
゛型ＧａＡｓエミンタ・コンタクト層、８はエミッタ電
極、９はベース電極、ｌＯはコレクタ電極をそれぞれ示
している。
１図に見られる実施例のエネルギ・ハンド・ダイヤグラ
ム、第３同は本発明一実施例の要部切断側面図、第４図
は第３図に見られる実施例のエネルギ・バンド・ダイヤ
グラム、第５図は本発明一実施例の要部切断側面図、第
６１は第５図に見られる実施例のエネルギ・ハンド・ダ
イヤグラムをそれぞれ表している。 図に於いて、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はｎ°型ＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、３はｎ型
ＣａＡｓコレクタ層、 ４はｐ゛型１ｎ、Ｇａ、−、Ａｓ（ｌ＋１斜組成ベース
層、５はｎ型Ａｆｆｉ、 Ｃａ１−ｘ Ａｓ顛斜組成層
、６はｎ型ＡｎＸＧａ、−ｘ Ａｓエミッタ層、７はｎ
゛型ＧａＡｓエミンタ・コンタクト層、８はエミッタ電
極、９はベース電極、ｌＯはコレクタ電極をそれぞれ示
している。
Claims (2)
- （１）コレクタ層とエミッタ層の間に介在してエネルギ
・バンド・ギャップがコレクタ層からエミッタ層に向か
うにつれて広くなるようＩｎの値を低減させて傾斜組成
をもたせたＩｎＧａＡｓからなるベース層 を備えてなることを特徴とするヘテロ接合バイポーラ・
トランジスタ。 - （２）前記ベース層に含有されている不純物であるベリ
リウムの濃度がコレクタ層からエミッタ層に向かって漸
減していること を特徴とする請求項１記載のヘテロ接合バイポーラ・ト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26204789A JPH03124033A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26204789A JPH03124033A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124033A true JPH03124033A (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=17370294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26204789A Pending JPH03124033A (ja) | 1989-10-09 | 1989-10-09 | ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03124033A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077016A (ja) * | 1993-01-22 | 1995-01-10 | Hughes Aircraft Co | 低温度ベース成長によるヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
| DE19547966A1 (de) * | 1994-12-26 | 1996-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Heteroübergangs-Bipolartransistor |
| US5903018A (en) * | 1993-05-20 | 1999-05-11 | Nec Corporation | Bipolar transistor including a compound semiconductor |
| US6037616A (en) * | 1996-12-12 | 2000-03-14 | Nec Corporation | Bipolar transistor having base contact layer in contact with lower surface of base layer |
| WO2002075814A1 (fr) * | 2001-03-13 | 2002-09-26 | Nec Corporation | Transistor bipolaire |
| TWI580037B (zh) * | 2015-09-04 | 2017-04-21 | 穩懋半導體股份有限公司 | 異質接面雙極電晶體 |
| US9865715B2 (en) | 2014-05-26 | 2018-01-09 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381977A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
-
1989
- 1989-10-09 JP JP26204789A patent/JPH03124033A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381977A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
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| FR2728729A1 (fr) * | 1994-12-26 | 1996-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor bipolaire a heterojonction |
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