JPH03123062A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JPH03123062A JPH03123062A JP26046989A JP26046989A JPH03123062A JP H03123062 A JPH03123062 A JP H03123062A JP 26046989 A JP26046989 A JP 26046989A JP 26046989 A JP26046989 A JP 26046989A JP H03123062 A JPH03123062 A JP H03123062A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレーム(以下リードフレ
ームと呼ぶ)の製造方法に関する。
ームと呼ぶ)の製造方法に関する。
従来この種のリードフレームの製造方法は第3図に示す
ようにコイル状リードフレーム材1をレベーラ−2に通
し内部応力を減少させ、プレス機3ですべての形状を一
度にプレス加工して製造していた。なお、5は整列機で
ある。そして、リードフレーム材の焼鈍加工はプレス加
工前に行われるのみであり、プレス加工途中もしくはプ
レス加工終了後に焼鈍加工を行ってはいない。
ようにコイル状リードフレーム材1をレベーラ−2に通
し内部応力を減少させ、プレス機3ですべての形状を一
度にプレス加工して製造していた。なお、5は整列機で
ある。そして、リードフレーム材の焼鈍加工はプレス加
工前に行われるのみであり、プレス加工途中もしくはプ
レス加工終了後に焼鈍加工を行ってはいない。
上述した従来のリードフレームの製造方法では、インナ
ーリード先端にプレス時の打ち抜き歪みが残る為、アイ
ランドとの接続部分からインナーリードを切り離した時
に下記の様な欠点が生じる。
ーリード先端にプレス時の打ち抜き歪みが残る為、アイ
ランドとの接続部分からインナーリードを切り離した時
に下記の様な欠点が生じる。
(1)インナーリードは図面上の正規の位置より左右に
寄っている。
寄っている。
(2)インナーリードは図面上の正規の位置より板厚方
向に段差を生じる。
向に段差を生じる。
(3) インナーリードはネジレな生じる。
これらの欠点の発生により、リードフレームの品質は著
しく、ばらつき、またリードフレーム生産の効率も低下
するという欠点がある。
しく、ばらつき、またリードフレーム生産の効率も低下
するという欠点がある。
本発明の目的は、プレス加工により形成したリードフレ
ームのインナーリードの位置精度が向」ニし、またイン
ナーリードの段差のバラツキを少なくでき、かつインナ
ーリードのネジレ量を小さくできリードフレームの品質
の向上と生産効率を高めることができる半導体装置用リ
ードフレームの製造方法を提供することにある。
ームのインナーリードの位置精度が向」ニし、またイン
ナーリードの段差のバラツキを少なくでき、かつインナ
ーリードのネジレ量を小さくできリードフレームの品質
の向上と生産効率を高めることができる半導体装置用リ
ードフレームの製造方法を提供することにある。
本発明のリードフレームの製造方法は、プレス加工で行
う半導体装置用リードフレームの製造方法において、イ
ンナーリード部先端とアイランド′部の接続部以外の部
分をプレス加工し一部未加工のリードフレームを形成す
る工程と、前記一部未加工のリードフレームを600℃
以上800℃以下で窒素ガスもしくは不活性ガス雰囲気
中の加熱炉で10秒以上60秒以下の焼鈍加工を行う工
程と、焼鈍加工された前記一部未加工のリードフレーム
のインナーリード部先端をアイランド部から切り離す工
程とを含むことを特徴として構成される。
う半導体装置用リードフレームの製造方法において、イ
ンナーリード部先端とアイランド′部の接続部以外の部
分をプレス加工し一部未加工のリードフレームを形成す
る工程と、前記一部未加工のリードフレームを600℃
以上800℃以下で窒素ガスもしくは不活性ガス雰囲気
中の加熱炉で10秒以上60秒以下の焼鈍加工を行う工
程と、焼鈍加工された前記一部未加工のリードフレーム
のインナーリード部先端をアイランド部から切り離す工
程とを含むことを特徴として構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のリードフレーム製造工程を
示した各装置の側面図である。コイル状になったリード
フレームの材料1をレベラー2に通し、内部応力を減少
させ、プレス機3でリードフレームの形状を加工する。
示した各装置の側面図である。コイル状になったリード
フレームの材料1をレベラー2に通し、内部応力を減少
させ、プレス機3でリードフレームの形状を加工する。
加工後のリードフレーム6の形状は第4図に示した様に
インナーリード部7の先端とアイランド部8の接続部9
以外はプレス加工済みである。プレス加工後焼鈍炉4に
投入し、プレス時の打ち抜き歪みを取り除いた後に再度
プレス機3に投入し、インナーリード部7の先端をアイ
ランド部8との接続部9から切り離す加工とコイル1か
ら個々のリードフレーム6の長さへと切断加工後に整列
機5に収納する事を特徴とする。
インナーリード部7の先端とアイランド部8の接続部9
以外はプレス加工済みである。プレス加工後焼鈍炉4に
投入し、プレス時の打ち抜き歪みを取り除いた後に再度
プレス機3に投入し、インナーリード部7の先端をアイ
ランド部8との接続部9から切り離す加工とコイル1か
ら個々のリードフレーム6の長さへと切断加工後に整列
機5に収納する事を特徴とする。
本実施例のリードフレーム製造方法で作成したリードフ
レームと従来のリードフレーム製造方法で作成したリー
ドフレームのリード寄り、リートネジレ、リード段差、
リード間スキマについて測定した結果を第1表に示す。
レームと従来のリードフレーム製造方法で作成したリー
ドフレームのリード寄り、リートネジレ、リード段差、
リード間スキマについて測定した結果を第1表に示す。
この表はマは平均値、西は標準偏差、MAXは最大値、
MINは最小値、nは測定点数を示している。また本発
明の実施例での焼鈍加工条件は加熱温度600℃以上7
00℃以下2時間10秒以上60秒以下である。なお、
焼鈍条件として加熱温度は600℃〜800℃1時間は
10秒〜60秒が好ましく、より、高温になると硬度が
低く規格割れとなり、又600℃以下では鈍効果が十分
得られなかった。
MINは最小値、nは測定点数を示している。また本発
明の実施例での焼鈍加工条件は加熱温度600℃以上7
00℃以下2時間10秒以上60秒以下である。なお、
焼鈍条件として加熱温度は600℃〜800℃1時間は
10秒〜60秒が好ましく、より、高温になると硬度が
低く規格割れとなり、又600℃以下では鈍効果が十分
得られなかった。
本評価はリードフレーム2種類で行い、4方向にリード
を有する100ピンフラツトIC(表中はQFP 10
0pinと表示)及び2方向にリードを有する64ビン
IC(表中はDIP64pinと表示)のリードフレー
ムを使用した。
を有する100ピンフラツトIC(表中はQFP 10
0pinと表示)及び2方向にリードを有する64ビン
IC(表中はDIP64pinと表示)のリードフレー
ムを使用した。
=5=
−〇
この表から本実施例のリードフレーム製造方法で製造し
たリードフレームの方が従来のリードフレーム製造方法
で製造したリードフレームより、リード寄り、リードネ
ジレ、リード段差、リード間スキマについて全てばらつ
きが低減する事が明らかである。
たリードフレームの方が従来のリードフレーム製造方法
で製造したリードフレームより、リード寄り、リードネ
ジレ、リード段差、リード間スキマについて全てばらつ
きが低減する事が明らかである。
第2図は本発明の他の実施例のリードフレーム製造工程
の要部について示した各装置の側面図である。実施例1
と比較するとレベラー2後のプレス機3ですでにコイル
1からリードフレーム個々の長さに切断加工を行う点が
異なっている。よって、焼鈍炉4には個々の長さに切断
されたリードフレーム6が投入される。効果としては上
述した実施例1の効果の他に、焼鈍炉4に異なった品種
のリードフレーム6を同時に投入可能な事より、少量多
品種の生産に効果がある。なお図面には焼鈍後のインナ
ーリード部先端をアイランド部から切り離すプレス加工
工程を省略しであるが実施例としてこの工程が当然実施
され、リードフレームのプレス加工が完了する。
の要部について示した各装置の側面図である。実施例1
と比較するとレベラー2後のプレス機3ですでにコイル
1からリードフレーム個々の長さに切断加工を行う点が
異なっている。よって、焼鈍炉4には個々の長さに切断
されたリードフレーム6が投入される。効果としては上
述した実施例1の効果の他に、焼鈍炉4に異なった品種
のリードフレーム6を同時に投入可能な事より、少量多
品種の生産に効果がある。なお図面には焼鈍後のインナ
ーリード部先端をアイランド部から切り離すプレス加工
工程を省略しであるが実施例としてこの工程が当然実施
され、リードフレームのプレス加工が完了する。
以上説明したように本発明はインナーリード部先端とア
ラインド部の接続部以外の部分はプレス加工を行った状
態で600℃以上800℃以下で窒素ガスもしくは不活
性ガス雰囲気中の加熱炉で10秒以上60秒以下の焼鈍
加工を行い、焼鈍加工によってプレス時の打ち抜き歪み
を取り除いた後に、インナーリード部先端をアイランド
部から切り離す事により、下記の効果がある。
ラインド部の接続部以外の部分はプレス加工を行った状
態で600℃以上800℃以下で窒素ガスもしくは不活
性ガス雰囲気中の加熱炉で10秒以上60秒以下の焼鈍
加工を行い、焼鈍加工によってプレス時の打ち抜き歪み
を取り除いた後に、インナーリード部先端をアイランド
部から切り離す事により、下記の効果がある。
(1) インナーリードの位置精度向上。
(2)インナーリードの段差のバラツキが少なくなる。
(3)インナーリードのネジレ量が小さくなる。
これらの結果リードフレームの品質は向」ニし、リード
フレームの効率も向上する。
フレームの効率も向上する。
第1図は本発明の一実施例を説明するために右側から工
程順に示した各装置の側面図、第2図は本発明の他の実
施例を説明するために右側から工程順に示した主要工程
の各装置の側面図、第3図は従来のリードフレーム製造
方法の一例を説明するために、右側から工程順に示した
各装置の側面図、第4図は本発明の第1の実施例におい
て焼鈍ftの投入前のリードフレームの平面図、第5図
は本発明の実施例により製造完了したリードフレームi
の平面図である。 1・・・・・・コイル状のリードフレーム利、2・・・
・・・レベラー、3・・・・・・プレス機、4・・・・
・焼鈍炉、5・・・・・整列機、6・・・・・・リード
フレーム、7・・・・・・インナーリード、8・・・・
・・アイランド、9・・・・・・インナーリードとアイ
ランドの接続部。
程順に示した各装置の側面図、第2図は本発明の他の実
施例を説明するために右側から工程順に示した主要工程
の各装置の側面図、第3図は従来のリードフレーム製造
方法の一例を説明するために、右側から工程順に示した
各装置の側面図、第4図は本発明の第1の実施例におい
て焼鈍ftの投入前のリードフレームの平面図、第5図
は本発明の実施例により製造完了したリードフレームi
の平面図である。 1・・・・・・コイル状のリードフレーム利、2・・・
・・・レベラー、3・・・・・・プレス機、4・・・・
・焼鈍炉、5・・・・・整列機、6・・・・・・リード
フレーム、7・・・・・・インナーリード、8・・・・
・・アイランド、9・・・・・・インナーリードとアイ
ランドの接続部。
Claims (1)
- プレス加工で行う半導体装置用リードフレームの製造方
法において、インナーリード部先端とアイランド部の接
続部以外の部分をプレス加工し一部未加工のリードフレ
ームを形成する工程と、前記一部未加工のリードフレー
ムを600℃以上800℃以下で窒素ガスもしくは不活
性ガス雰囲気中の加熱炉で10秒以上60秒以下の焼鈍
加工を行う工程と、焼鈍された前記一部未加工のリード
フレームのインナーリード部先端をアイランド部から切
り離す工程とを含むことを特徴とする半導体装置用リー
ドフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26046989A JPH03123062A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26046989A JPH03123062A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03123062A true JPH03123062A (ja) | 1991-05-24 |
Family
ID=17348383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26046989A Pending JPH03123062A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03123062A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05179367A (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-20 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの熱処理装置 |
JPH0677375A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
JPH08227958A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Daido Steel Co Ltd | Icリードフレームの製造方法 |
-
1989
- 1989-10-04 JP JP26046989A patent/JPH03123062A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05179367A (ja) * | 1991-12-28 | 1993-07-20 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの熱処理装置 |
JPH0677375A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
JPH08227958A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Daido Steel Co Ltd | Icリードフレームの製造方法 |
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