JPS60211966A - リ−ドフレ−ム素材の製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ム素材の製造方法Info
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- JPS60211966A JPS60211966A JP6885184A JP6885184A JPS60211966A JP S60211966 A JPS60211966 A JP S60211966A JP 6885184 A JP6885184 A JP 6885184A JP 6885184 A JP6885184 A JP 6885184A JP S60211966 A JPS60211966 A JP S60211966A
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- JP
- Japan
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- tension
- tape material
- clad
- tensile strength
- clad tape
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
半導体装置、半導体集積回路に用いるクラツド材からな
る工Ｃリードフレーム素材を製造する方法の一種で、圧
接及び圧延においてクラッドテープ材に残留した応力（
残留応力と呼ぶ）を矯正する方法に関する。
る工Ｃリードフレーム素材を製造する方法の一種で、圧
接及び圧延においてクラッドテープ材に残留した応力（
残留応力と呼ぶ）を矯正する方法に関する。
、リードフレーム素材として用いるクラツド材は帯状母
材ｌと帯状の良電導体金属２を、圧接及び圧延加工し、
第１図のような部分クラツド材として製造される。この
際外観上縁伸び、中伸び、等の形状不良が生じないよう
に圧延加工を施しても、第２図に示すような残留応力が
発生する。
材ｌと帯状の良電導体金属２を、圧接及び圧延加工し、
第１図のような部分クラツド材として製造される。この
際外観上縁伸び、中伸び、等の形状不良が生じないよう
に圧延加工を施しても、第２図に示すような残留応力が
発生する。
本明細書でクラツド比を第１図に示すｔ ＋／ｌ ｏ
Ｘｌｏｏｆ％）で表わす。残留応力の断面分布における
最大差は２Ｙｐ（クラッドテープ材の降伏応力（ｋｙ、
４２）の２倍）に相当する。
Ｘｌｏｏｆ％）で表わす。残留応力の断面分布における
最大差は２Ｙｐ（クラッドテープ材の降伏応力（ｋｙ、
４２）の２倍）に相当する。
この残留応力を矯正する為、一般的には、テンションレ
ベルやローラーレベルを施していたが、残留応力は第３
図に示すような残留応力分布にしかならない。つまり断
面分布における最大差は２ＹＰ１５〜４ Ｙｐ１５にし
か小さくならない。
ベルやローラーレベルを施していたが、残留応力は第３
図に示すような残留応力分布にしかならない。つまり断
面分布における最大差は２ＹＰ１５〜４ Ｙｐ１５にし
か小さくならない。
この残留応力の為、第４図に示すようなリードフレーム
の形状に打抜かれた場合、各リードピン４・の先端の良
電導体金属部分３垂直方向（Ｙ方向）の位置ばらつき（
ピン段差ばらつきと呼ぶ）や水平方向（Ｘ方向）のばら
つき（ビン間隔ばらつきと呼ぶ）等の寸法異常を起こし
ている。この寸法異常の為１リードビン４先端の良電導
体部分３と、工Ｃチップを、アルミ線もしくは金線でボ
ンディングする際、リードピン４・の良電導体部分３の
ばらつきにより、ボンディング不良を起している。
の形状に打抜かれた場合、各リードピン４・の先端の良
電導体金属部分３垂直方向（Ｙ方向）の位置ばらつき（
ピン段差ばらつきと呼ぶ）や水平方向（Ｘ方向）のばら
つき（ビン間隔ばらつきと呼ぶ）等の寸法異常を起こし
ている。この寸法異常の為１リードビン４先端の良電導
体部分３と、工Ｃチップを、アルミ線もしくは金線でボ
ンディングする際、リードピン４・の良電導体部分３の
ばらつきにより、ボンディング不良を起している。
更ニ今後の工Ｃの集積度向上に伴なうリードフレームの
多ビン化に対し、クラツド材が対応しにくくなっている
。
多ビン化に対し、クラツド材が対応しにくくなっている
。
クラッド比０．５〜３０％で、加工率１０〜６０％のク
ラッドテープ材８を、サプライ側テンションブライドロ
ール６と巻取側テンションブライドＯ−ルアとその間に
配置した加熱炉５とからなる第５図のような、テンショ
ンアニール装置を用いて、還元性雰囲気中で材料温度を
２００ ｉＣ以上７００ｒ以下の一定の温度にし、その
一定の温度におけるクラッドテープ材８の引張り強さく
σ）の７０〜９５％の張力を付加してテンションアニー
リングすることにある。このときの材料温度と引張り応
力の関係を第６図の斜線部分９に示す。
ラッドテープ材８を、サプライ側テンションブライドロ
ール６と巻取側テンションブライドＯ−ルアとその間に
配置した加熱炉５とからなる第５図のような、テンショ
ンアニール装置を用いて、還元性雰囲気中で材料温度を
２００ ｉＣ以上７００ｒ以下の一定の温度にし、その
一定の温度におけるクラッドテープ材８の引張り強さく
σ）の７０〜９５％の張力を付加してテンションアニー
リングすることにある。このときの材料温度と引張り応
力の関係を第６図の斜線部分９に示す。
クラッド比０．５％以下ではクラッド製造時帯状良電導
体金属２の破断等の問題で製造困難であり不適当である
。
体金属２の破断等の問題で製造困難であり不適当である
。
またクラツド比３０％以上では一定の加熱温度において
帯状の良電導体金Ｒ２の熱膨張が帯状母材１に強く影響
し、帯状母材ｌの残留応力の矯正が不充分になってしま
う。
帯状の良電導体金Ｒ２の熱膨張が帯状母材１に強く影響
し、帯状母材ｌの残留応力の矯正が不充分になってしま
う。
クラッド製造時の加工率が１０％以下であると帯状の良
電導体金属２と帯状母材Ｉとが充分な接着を行なわず密
着不良になる。又、６０％以上では帯状母材１の加工硬
化の影響が大きく、本発明による方法を用いても、充分
な矯正が得られなかった０ 以上の理由により本発明−ではクラッドテープ材８とし
て、クラッド比０．５〜３０％、加工率１０〜６０％と
するものである。
電導体金属２と帯状母材Ｉとが充分な接着を行なわず密
着不良になる。又、６０％以上では帯状母材１の加工硬
化の影響が大きく、本発明による方法を用いても、充分
な矯正が得られなかった０ 以上の理由により本発明−ではクラッドテープ材８とし
て、クラッド比０．５〜３０％、加工率１０〜６０％と
するものである。
テンションアニーリングの際の加熱温度が２００Ｃ以下
では、その温度のクランドテープ材８の引張り強さσの
７０〜９５％の張力を加えても、残留応力の矯正は不充
分であり、又、７００ ｃ以上では帯状の良電導体金属
２が溶けたり、帯状母材］の機械的性質つまり引張り強
さ、硬度が著しく変化する為にＸａ装置として使用でき
なくなる。
では、その温度のクランドテープ材８の引張り強さσの
７０〜９５％の張力を加えても、残留応力の矯正は不充
分であり、又、７００ ｃ以上では帯状の良電導体金属
２が溶けたり、帯状母材］の機械的性質つまり引張り強
さ、硬度が著しく変化する為にＸａ装置として使用でき
なくなる。
このように材料を２００ Ｃ以上７ｏｏｃ以下の一定の
温度に加熱し、この一定の加熱温度におけるクラッドテ
ープ材８の引張り強さの７０〜９５％の引張り応力を付
加することにより第２図に示した残留応力は、第７図に
示すような残留応力分布まで小さく矯正される。つまり
断面分布における残留応力の最大差が２ Ｙｐ１５〜４
Ｙｐ１５がらＩＹｐ／１０以下になり、第４・図のリ
ードフレーム形状に打抜かれた際の寸法ばらつきが著し
く改善される。
温度に加熱し、この一定の加熱温度におけるクラッドテ
ープ材８の引張り強さの７０〜９５％の引張り応力を付
加することにより第２図に示した残留応力は、第７図に
示すような残留応力分布まで小さく矯正される。つまり
断面分布における残留応力の最大差が２ Ｙｐ１５〜４
Ｙｐ１５がらＩＹｐ／１０以下になり、第４・図のリ
ードフレーム形状に打抜かれた際の寸法ばらつきが著し
く改善される。
帯状母材１として厚さ０．８４ ｍｍ ％幅３１ｍｍの
４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金条を用い、帯状の良電導体金属２
として厚さ０．０１（ｌｌ１ｍ、幅１０．１６ｒｎｍの
Ａ１条箔を用イタ。
４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金条を用い、帯状の良電導体金属２
として厚さ０．０１（ｌｌ１ｍ、幅１０．１６ｒｎｍの
Ａ１条箔を用イタ。
この帯状母材１と帯状の良電導体金属２を圧接後０．２
５問厚さまで圧延加工を行なった加工率２６％のクラッ
ドテープ材８と、このクラッドテープ材８をテンション
レベルによる機械的矯正を行なった材料、そしてクラッ
ドテープ材８を第５図の装置により材料温度５００ＣＸ
帆５分還元雰囲気中で・引張り応力をｌｏｌｙｂｍ 、
１８に９．Ａｎｍ２．３１ ｋｇ、１ｍｍ２．４０ ｋ
ｇ／ｍｍ 。
５問厚さまで圧延加工を行なった加工率２６％のクラッ
ドテープ材８と、このクラッドテープ材８をテンション
レベルによる機械的矯正を行なった材料、そしてクラッ
ドテープ材８を第５図の装置により材料温度５００ＣＸ
帆５分還元雰囲気中で・引張り応力をｌｏｌｙｂｍ 、
１８に９．Ａｎｍ２．３１ ｋｇ、１ｍｍ２．４０ ｋ
ｇ／ｍｍ 。
七加えた材料について、それぞれ残留応力の断面分布に
おける最大差、及び第４図のようなリードフレームに打
抜いた際のリードピン４の良電導体金属部分３の垂直方
向（Ｙ方向）の段差ばらつきの最大値を測定し、打法き
性評価を行なった。
おける最大差、及び第４図のようなリードフレームに打
抜いた際のリードピン４の良電導体金属部分３の垂直方
向（Ｙ方向）の段差ばらつきの最大値を測定し、打法き
性評価を行なった。
なお、５００ＣＸ０．５分におけるこのクラツド材のσ
］張り強さは４３ψｍ２であった。
］張り強さは４３ψｍ２であった。
この結果を第１表に示す。
各供試材の圧延方向の残留応力の断面分布における最大
差は本発明品において著しく減少している。また打抜き
後のリードフレームのピン段差についても本発明品にお
いて著しく小さくなっている。
差は本発明品において著しく減少している。また打抜き
後のリードフレームのピン段差についても本発明品にお
いて著しく小さくなっている。
以上の結果より本発明方法を用いたものでは打抜き性は
著しく改善されている。
著しく改善されている。
更に、今後の工Ｃの集積度向上によりリードフレームの
多ピン化が進んでも、本発明方法により打抜き性の良い
リードフレーム素材を供給することができ、リードフレ
ーム素材を広範囲に利用出来るものである。
多ピン化が進んでも、本発明方法により打抜き性の良い
リードフレーム素材を供給することができ、リードフレ
ーム素材を広範囲に利用出来るものである。
又、低融点ガラスとリードフレーム素材をガラス付けし
、真空中にてその封止部のリーク発生率を第１表に示し
ているが、本発明方法によるものではこのリーク発生率
が著しく減少しており、工Ｃ組立て時におけるガラス封
止性の改善に利用できるものである。これは、熱処理を
還元性雰囲気中で施す際、クラッド加工時の圧延油等の
汚れ付着物が除去される為に起きる現象である。
、真空中にてその封止部のリーク発生率を第１表に示し
ているが、本発明方法によるものではこのリーク発生率
が著しく減少しており、工Ｃ組立て時におけるガラス封
止性の改善に利用できるものである。これは、熱処理を
還元性雰囲気中で施す際、クラッド加工時の圧延油等の
汚れ付着物が除去される為に起きる現象である。
第１図は本発明を行なうリードフレーム素材の概略図を
示す。第２図は第１図の圧接、圧延加工を施したま＼の
クラッドテープ材の圧延方向の残留応力を断面分布で表
わしたもので、Ｙｐはクラッドテープ材の降伏点を示す
。 第３図は第２図で表わしたクラッドテープ材に機械的矯
正を施した後の残留応力を断面分布で表わしたものであ
る。 第４・図は第１図のようなクラッドテープ材を打抜いて
リードフレームにした概略図である。 第５図は本発明の方法に用いるテンションアニール装置
の概略図である。 第６図は本発明において充分な残留応力矯正能力をもつ
クラッドテープ材のアニールのための加熱温度と引張り
応力の関係を示す。こ＼でσは加熱温度における引張り
強さを示す。 第７図は第２図のクラッドテープ材に本発明の矯正方法
を施した後の残留応力を断面分布で示したものである。 各図において、 １・・帯状母材、２・帯状の良電導体金属、３・・良電
導体金属部分、′４・・・リードピン、５・・加熱炉、
６・・サプライ側テンションプライドルロール、７・・
巻取側テンションプライドルロール、８ クラッド金属
テープ、９・・各温度における残留応力矯正に必要な引
張り応力の範囲。 出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理土中村勝成り、・ １、、！、、’ 、−４ 児５図 第６図 オオ料温月３ ｃｃ）
示す。第２図は第１図の圧接、圧延加工を施したま＼の
クラッドテープ材の圧延方向の残留応力を断面分布で表
わしたもので、Ｙｐはクラッドテープ材の降伏点を示す
。 第３図は第２図で表わしたクラッドテープ材に機械的矯
正を施した後の残留応力を断面分布で表わしたものであ
る。 第４・図は第１図のようなクラッドテープ材を打抜いて
リードフレームにした概略図である。 第５図は本発明の方法に用いるテンションアニール装置
の概略図である。 第６図は本発明において充分な残留応力矯正能力をもつ
クラッドテープ材のアニールのための加熱温度と引張り
応力の関係を示す。こ＼でσは加熱温度における引張り
強さを示す。 第７図は第２図のクラッドテープ材に本発明の矯正方法
を施した後の残留応力を断面分布で示したものである。 各図において、 １・・帯状母材、２・帯状の良電導体金属、３・・良電
導体金属部分、′４・・・リードピン、５・・加熱炉、
６・・サプライ側テンションプライドルロール、７・・
巻取側テンションプライドルロール、８ クラッド金属
テープ、９・・各温度における残留応力矯正に必要な引
張り応力の範囲。 出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理土中村勝成り、・ １、、！、、’ 、−４ 児５図 第６図 オオ料温月３ ｃｃ）
Claims (1)
- ｆｌ） Ｐｅ−Ｎｉ合金もしくはＦｅＮ１−（！ｏ金合
金らなる帯状母材の片側表面もしくは両側表面に帯状の
良電導体金属を部分的にクラッド比０．５〜３０％、加
工率１０〜６０％でクラッドしてなるクラッドテープ材
を、還元性雰囲気中にて２００〜７００Ｃ内の一定の温
度で、このクラッドテープ材のこの加熱温度における引
張り強さの７０〜９５％内の一定の引張り応力を付加し
てテンションアニールすることを特徴とするリードフレ
ーム素材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6885184A JPS60211966A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | リ−ドフレ−ム素材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6885184A JPS60211966A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | リ−ドフレ−ム素材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211966A true JPS60211966A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13385583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6885184A Pending JPS60211966A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | リ−ドフレ−ム素材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211966A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4750262A (en) * | 1986-05-01 | 1988-06-14 | International Business Machines Corp. | Method of fabricating a printed circuitry substrate |
| JPH08227958A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Daido Steel Co Ltd | Ｉｃリードフレームの製造方法 |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6885184A patent/JPS60211966A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4750262A (en) * | 1986-05-01 | 1988-06-14 | International Business Machines Corp. | Method of fabricating a printed circuitry substrate |
| JPH08227958A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Daido Steel Co Ltd | Ｉｃリードフレームの製造方法 |
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