JPH03117930U - - Google Patents

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JPH03117930U
JPH03117930U JP2705890U JP2705890U JPH03117930U JP H03117930 U JPH03117930 U JP H03117930U JP 2705890 U JP2705890 U JP 2705890U JP 2705890 U JP2705890 U JP 2705890U JP H03117930 U JPH03117930 U JP H03117930U
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drain current
voltage
gate voltage
transistor
field effect
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JP2705890U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の第１実施例に係る電界効果ト
ランジスタ用バイアス自動設定回路をマイクロ回
路に適用した場合の構成を示す回路図、第２図は
第１図のバイアス自動設定回路部分の詳細な構成
を示す回路図、第３図は第２実施例のバイアス自
動設定回路の構成を示す回路図、第４図は従来に
おける電界効果トランジスタを用いたマイクロ回
路の構成を示す回路図である。 １……マイクロ回路、２……ＦＥＴ、３……カ
ツプリングキヤパシタ、４……５０Ω線路、５…
…チヨークコイル、１０……半固定抵抗、１２…
…バイアス自動設定回路、１４……ドレイン電流
検出部、１５……差動増幅器、１６……基準電圧
源、１７……ゲート電圧設定部、Ｑ１〜Ｑ７……
トランジスタ、Ｒ１〜Ｒ５……抵抗、Ｄ１〜Ｄｎ
……ダイオード。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電界効果トランジスタのドレイン電流を検出す
    るドレイン電流検出部と、このドレイン電流検出
    部で検出された電流に基づいて決定された変動電
    圧を入力電圧とする一方のトランジスタ及び所定
    の基準電圧を入力電圧とする他方のトランジスタ
    により構成され、ドレイン電流の変化を差動増幅
    値として出力する差動増幅器と、この差動増幅器
    の出力を入力し、ドレイン電流が高くなるのに応
    じて低いゲート電圧を設定し、ドレイン電流が低
    くなるのに応じて高いゲート電圧を設定するゲー
    ト電圧設定部と、を含んでＩＣ回路を構成し、ド
    レイン電流の変化に応じてゲート電圧を制御する
    ことによりバイアスを自動的に設定する電界効果
    トランジスタ用バイアス自動設定回路。
JP2705890U 1990-03-16 1990-03-16 Pending JPH03117930U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008303901A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Suiken:Kk ノンボルト継手構造およびノンボルト継手構造を形成する方法
WO2011104933A1 (ja) * 2010-02-25 2011-09-01 シャープ株式会社 バイアス回路、ｌｎａ、ｌｎｂ、通信用受信機、通信用送信機、およびセンサーシステム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008303901A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Suiken:Kk ノンボルト継手構造およびノンボルト継手構造を形成する方法
WO2011104933A1 (ja) * 2010-02-25 2011-09-01 シャープ株式会社 バイアス回路、ｌｎａ、ｌｎｂ、通信用受信機、通信用送信機、およびセンサーシステム

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