JPH0377519U - - Google Patents

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JPH0377519U
JPH0377519U JP13926489U JP13926489U JPH0377519U JP H0377519 U JPH0377519 U JP H0377519U JP 13926489 U JP13926489 U JP 13926489U JP 13926489 U JP13926489 U JP 13926489U JP H0377519 U JPH0377519 U JP H0377519U
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resistance element
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す回路図、第2
図は従来の電界効果トランジスタを用いた増幅回
路を示す回路図、第3図aは従来の増幅回路にお
ける入力電力と出力電力との関係および入力電力
とゲートリーク電流との関係を示す図、第3図b
は従来の増幅回路における入力電力とAM/PM
との関係を示す図、第4図aは飽和領域での温度
とゲートリーク電流との関係を示す図、第4図b
は飽和領域での温度とAM/PMとの関係を示す
図である。 FET……電界効果トランジスタ、C1,C2
……コンデンサ、L……インダクタンス、R1,
R2,R3……抵抗器、R……感温抵抗器、11
……負電圧源、12……バイアス回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ソース・ドレイン端子間に流れる多数キヤリア
    による電流がゲート端子に印加されるバイアス電
    圧によつて制御される電界効果トランジスタを増
    幅素子とする増幅回路において、前記電界効果ト
    ランジスタのゲート端子と前記バイアス電圧を生
    成するバイアス回路との間に少なくとも1つの感
    温抵抗素子が接続してあり、該感温抵抗素子は周
    囲温度に応じて抵抗値を変え、該抵抗値の変化は
    前記電界効果トランジスタの飽和領域での動作中
    に前記ゲート端子と前記バイアス回路との間に流
    れるゲートリーク電流が周囲温度の変化に供い増
    加するのを防ぐことを特徴とする増幅回路。
JP1989139264U 1989-11-30 1989-11-30 増幅回路 Expired - Lifetime JP2505028Y2 (ja)

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JP2505028Y2 JP2505028Y2 (ja) 1996-07-24

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133855A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Nec Microsystems Ltd 温度補償型入力回路及び温度補償型発振回路
JP2010501737A (ja) * 2006-08-22 2010-01-21 モレロ,ルーシー アクセサリー
JPWO2018154659A1 (ja) * 2017-02-22 2019-12-12 住友電気工業株式会社 バイアス回路

Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63512U (ja) * 1986-06-18 1988-01-05
JPS63104672A (ja) * 1986-10-21 1988-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超音波式霧化装置の回路

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