JPS63512U - - Google Patents

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JPS63512U
JPS63512U JP9304786U JP9304786U JPS63512U JP S63512 U JPS63512 U JP S63512U JP 9304786 U JP9304786 U JP 9304786U JP 9304786 U JP9304786 U JP 9304786U JP S63512 U JPS63512 U JP S63512U
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JP
Japan
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fet
power supply
series
pnp transistor
bias circuit
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JP9304786U
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例によるFETのバ
イアス回路を示す回路図、第2図は従来のFET
のバイアス回路を示す回路図である。 図において、1はFET、2はドレイン端子、
3はソース端子、4はゲート端子、5は保護抵抗
、6はダイオード、7,8,9,10はバイアス
抵抗、11はバイアス用トランジスタ、12は負
定電圧電源、13は正定電圧電源である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) FETにバイアスを供給するバイアス回路
    において、 上記FETのドレイン端子と正電源端子間に抵
    抗と温度特性を有する素子とを直列に挿入したこ
    とを特徴とするFETのバイアス回路。 (2) 上記温度特性を有する素子は直列に接続さ
    れた複数のダイオードであり、上記FETはその
    ソースが接地され、そのゲートが保護抵抗を介し
    てPNPトランジスタのコレクタに、そのドレイ
    ンが該PNPトランジスタのエミツタに接続され
    たものであり、上記コレクタは第2の抵抗を介し
    て負電源に接続され、上記正電源と接地間には第
    3、第4の抵抗が直列に挿入され、該両抵抗の接
    続点が上記PNPトランジスタのベースに接続さ
    れていることを特徴とする実用新案登録請求の範
    囲第1項記載のFETのバイアス回路。
JP9304786U 1986-06-18 1986-06-18 Pending JPS63512U (ja)

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JP9304786U JPS63512U (ja) 1986-06-18 1986-06-18

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JP9304786U JPS63512U (ja) 1986-06-18 1986-06-18

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Publication Number Publication Date
JPS63512U true JPS63512U (ja) 1988-01-05

Family

ID=30955289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9304786U Pending JPS63512U (ja) 1986-06-18 1986-06-18

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63512U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0377519U (ja) * 1989-11-30 1991-08-05

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0377519U (ja) * 1989-11-30 1991-08-05

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