JPH0344915U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案によるバイアス回路の実施例
を示す接続図、第２図〜第５図はこの考案を説明
するための図、第６図は従来のバイアス回路を示
す接続図である。 図中、Ｄ_１……ゼナーダイオード、Ｅ_１からＥ
_９……端子、Ｒ_１からＲ_８……抵抗、ＲＴ_１……
サーミスタ、ＴＲ_１とＴＲ_２……電界効果トラン
ジスタである。なお、図中同一符号は同一又は相
当部分を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 第１の電界効果トランジスタ、前記電界効果ト
   ランジスタのゲート端子に接続したゲートバイア
   ス用端子、前記ゲートバイアス用端子に一方を接
   続するとともに、他方をグランドに接地した第１
   の抵抗、前記ゲードバイアス用端子に一方を接続
   した第２の抵抗、前記第１の電界効果トランジス
   タのドレイン端子に接続したドレインバイアス用
   端子、前記ドレインバイアス用端子に一方を接続
   した第３の抵抗、前記第１の電界効果トランジス
   タのソース端子に接続するとともにグランドに接
   地したソースバイアス用端子とからなる第１の基
   本バイアス回路と、前記第１の基本バイアス回路
   と同様な構成で、第２の電界効果トランジスタ、
   ゲートバイアス用端子、第４の抵抗、第５の抵抗
   、ドレイン用バイアス端子、第６の抵抗、ソース
   バイアス用端子とからなる第２の基本バイアス回
   路と、前記第１の基本バイアス回路の第２の抵抗
   の他方および、前記第２の基本バイアス回路の第
   ６の抵抗の他方に一方を接続するとともに、一方
   をグランドに接地した第１のゼナーダイオードの
   他方に、他方を接続する第７の抵抗と、前記第１
   のゼナーダイオードの他方に一方を接続するとと
   もに、他方をマイナス電源用端子に接続した第８
   の抵抗と、前記第１の基本バイアス回路の第３の
   抵抗の他方および、第２の基本バイアス回路の第
   ６の抵抗他方と接続したプラス電源用端子と、グ
   ランド用端子とを備えたバイアス回路。