JPS61131141U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61131141U JPS61131141U JP1450885U JP1450885U JPS61131141U JP S61131141 U JPS61131141 U JP S61131141U JP 1450885 U JP1450885 U JP 1450885U JP 1450885 U JP1450885 U JP 1450885U JP S61131141 U JPS61131141 U JP S61131141U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- mos
- mos field
- switch element
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
第1図はこの考案に係るMOS型電界効果トラ
ンジスタの過電圧保護回路の一実施例を示す回路
構成図、第2図はこの考案の他の実施例を示す回
路構成図、第3図は従来の過電圧保護回路の構成
を示す回路図である。 Q1〜Q5……MOS型FET、D1,D5,
D6……ツエナーダイオード、D2〜D4,D6
……ダイオード、R1〜R10……抵抗、C1…
…コンデンサ、Vcc……電源電圧、GND……
アース、Vcont……制御電圧。
ンジスタの過電圧保護回路の一実施例を示す回路
構成図、第2図はこの考案の他の実施例を示す回
路構成図、第3図は従来の過電圧保護回路の構成
を示す回路図である。 Q1〜Q5……MOS型FET、D1,D5,
D6……ツエナーダイオード、D2〜D4,D6
……ダイオード、R1〜R10……抵抗、C1…
…コンデンサ、Vcc……電源電圧、GND……
アース、Vcont……制御電圧。
Claims (1)
- MOS型電界効果トランジスタのゲートにその
ドレイン―ソース間電圧のブレークダウン以下で
導通するスイツチ素子を接続して該スイツチ素子
が導通したとき前記MOS型電界効果トランジス
タが導通するようにしたことを特徴とするMOS
型電界効果トランジスタの過電圧保護回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1450885U JPS61131141U (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1450885U JPS61131141U (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61131141U true JPS61131141U (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=30499497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1450885U Pending JPS61131141U (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61131141U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS648718A (en) * | 1987-06-08 | 1989-01-12 | Philips Nv | Semiconductor element driving circuit arrangement |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5338267A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-08 | Nippon Precision Circuits | Input*output protecting circuit of mos ic |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP1450885U patent/JPS61131141U/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5338267A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-08 | Nippon Precision Circuits | Input*output protecting circuit of mos ic |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS648718A (en) * | 1987-06-08 | 1989-01-12 | Philips Nv | Semiconductor element driving circuit arrangement |