JPH03116498A - 記憶装置 - Google Patents
記憶装置Info
- Publication number
- JPH03116498A JPH03116498A JP1254167A JP25416789A JPH03116498A JP H03116498 A JPH03116498 A JP H03116498A JP 1254167 A JP1254167 A JP 1254167A JP 25416789 A JP25416789 A JP 25416789A JP H03116498 A JPH03116498 A JP H03116498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- identification code
- circuit
- high voltage
- output
- kind identification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は記憶装置に係シ、特に冗長セルと品種識別コー
ド読み出し回路とを内蔵したＥＰＲＯＭ（ｅｒａｓａｂ
ｌｅ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｒｅａｄｏｎｌｙ
ｍｅｍｏｒｙ）に関する。
ド読み出し回路とを内蔵したＥＰＲＯＭ（ｅｒａｓａｂ
ｌｅ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｒｅａｄｏｎｌｙ
ｍｅｍｏｒｙ）に関する。
最近ＥＦＲＯＭでは、メモリ容量の様々な品種が製品化
され、それぞれ異なった書込みモードを持っているのが
現状である。この多様化に対応するために、品種識別コ
ードと呼ばれる機能が導入されている。これは、製品内
部に、その製品に割シ当てられた社名コードや製品コー
ドをＲＯＭとして内蔵し、外部から人、端子に高電圧（
１２Ｖ）を加えることで、そのコードを読出すことがで
きるようにしたものである。最近のＦＲＯＭライターに
は、書込みを行なう前に、Ａ、端子に高電圧を加えて製
品コードを読み出し、それによって製品に適した書込み
条件を自動的に設定して、書込み動作に入るといった機
能を有する。
され、それぞれ異なった書込みモードを持っているのが
現状である。この多様化に対応するために、品種識別コ
ードと呼ばれる機能が導入されている。これは、製品内
部に、その製品に割シ当てられた社名コードや製品コー
ドをＲＯＭとして内蔵し、外部から人、端子に高電圧（
１２Ｖ）を加えることで、そのコードを読出すことがで
きるようにしたものである。最近のＦＲＯＭライターに
は、書込みを行なう前に、Ａ、端子に高電圧を加えて製
品コードを読み出し、それによって製品に適した書込み
条件を自動的に設定して、書込み動作に入るといった機
能を有する。
従来、製品に品種識別コード機能を持たせるためには、
第２図に示す通ｆｉ、ＥＰＲＯＭとしての動作を果たす
ための内部回路１とＡ９端子に高電圧が印加されたこと
を検知するための高電圧検出回路２と、この高電圧検出
回路２の出力信号に従つて動作状態になるが通常は非選
択になっている品種識別コード読み出し回路３とから成
っている。
第２図に示す通ｆｉ、ＥＰＲＯＭとしての動作を果たす
ための内部回路１とＡ９端子に高電圧が印加されたこと
を検知するための高電圧検出回路２と、この高電圧検出
回路２の出力信号に従つて動作状態になるが通常は非選
択になっている品種識別コード読み出し回路３とから成
っている。
品種識別コード読み出し回路３は、コードを記憶させた
ＲＯＭ部と、そのＲＯＭ部を選択するためのデコード回
路、通常のＥＰＲＯＭ部を非選択にする回路とを含んで
いる。
ＲＯＭ部と、そのＲＯＭ部を選択するためのデコード回
路、通常のＥＰＲＯＭ部を非選択にする回路とを含んで
いる。
前述した従来の回路構成では、冗長セルを内蔵した大容
量ＥＦＲＯＭにおいて、品種別コードをＲＯＭとして内
蔵していても、冗長セルと不良セルとを置き換え救済す
ると、品種識別コードのＲＯＭも置き換わ、９、Ａ、端
子に高電圧を入力しても、品種識別コードを読み出せな
いという欠点がある。
量ＥＦＲＯＭにおいて、品種別コードをＲＯＭとして内
蔵していても、冗長セルと不良セルとを置き換え救済す
ると、品種識別コードのＲＯＭも置き換わ、９、Ａ、端
子に高電圧を入力しても、品種識別コードを読み出せな
いという欠点がある。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、冗長セルに不良
セルを置き換えても、品種識別コードを読み出せるよう
にした記憶装置を提供することにある。
セルを置き換えても、品種識別コードを読み出せるよう
にした記憶装置を提供することにある。
本発明の構成は、品種識別コードの読み出し回路と冗長
セルとを備えた記憶回路において、アドレス入力兼高電
圧印加端子と、前記端子に印加される電源電圧を越える
高電圧を検出する高電圧検出回路と、前記高電圧検出回
路の出力で制御される選択回路と、前記選択回路の出力
信号で前記品種識別コードの出力と、内部回路の出力と
を切換える切換トランスファとを備えたことを特徴とす
る。
セルとを備えた記憶回路において、アドレス入力兼高電
圧印加端子と、前記端子に印加される電源電圧を越える
高電圧を検出する高電圧検出回路と、前記高電圧検出回
路の出力で制御される選択回路と、前記選択回路の出力
信号で前記品種識別コードの出力と、内部回路の出力と
を切換える切換トランスファとを備えたことを特徴とす
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の記憶装置のブロック図であ
る。
る。
第１図において、本実施例の記憶装置は、データを出力
する為の出力回路４と、内部回路１と品種識別コード７
とをスイッチとして切シ換える切換トランスファ５，６
と、ＥＰＲＯＭとしての機能を果たす為の内部回路１と
、製品特有のコードが格納されている品種識別コード７
と、切換トランスファ５を選択するか切換トランスファ
６を選択するかを決める選択回路８と、Ａ、端子を入力
とする高電圧検出回路２とを含み、構成される。
する為の出力回路４と、内部回路１と品種識別コード７
とをスイッチとして切シ換える切換トランスファ５，６
と、ＥＰＲＯＭとしての機能を果たす為の内部回路１と
、製品特有のコードが格納されている品種識別コード７
と、切換トランスファ５を選択するか切換トランスファ
６を選択するかを決める選択回路８と、Ａ、端子を入力
とする高電圧検出回路２とを含み、構成される。
通常のＥＦＲＯＭとしての動作は、Ａｇ端子に高電圧が
加わっていない為、高電圧検出回路２は動作せず、選択
回路８は切換トランスファ５を選択し、この切換トラン
ス７ア６は選択されない。そのため、冗長セルと不良セ
ルを救済し入れ変えても、内部回路ｌからの出力は、切
換トランスファ５を通シ、出力回路４からデータが出力
される。
加わっていない為、高電圧検出回路２は動作せず、選択
回路８は切換トランスファ５を選択し、この切換トラン
ス７ア６は選択されない。そのため、冗長セルと不良セ
ルを救済し入れ変えても、内部回路ｌからの出力は、切
換トランスファ５を通シ、出力回路４からデータが出力
される。
品種識別コードを読み出す場合、Ａ９端子に高電圧を印
加し、高電圧検出回路２が高電圧が印加されたことを検
出し、出力が変化し、選択回路８の選択が変化し、切換
トランスファ５が切れ、内部回路１の出力が切シ離され
、逆に切換トランスファ６が選択され、品種識別コード
７のデータが、切換トランスファ６を通シ、出力回路４
からデータが出力される。
加し、高電圧検出回路２が高電圧が印加されたことを検
出し、出力が変化し、選択回路８の選択が変化し、切換
トランスファ５が切れ、内部回路１の出力が切シ離され
、逆に切換トランスファ６が選択され、品種識別コード
７のデータが、切換トランスファ６を通シ、出力回路４
からデータが出力される。
以上本実施例の品種識別コード内蔵ＥＰＲＯＭは、内部
回路１と高電圧検出回路２とに加え、品種識別コード７
をＲＯＭ部以外に持ち、内部回路１と品種識別コード７
をそれぞれ切換えるトランスファゲート５，６と、高電
圧検出回路２の信号によりトランスファゲート５，６を
選択する選択回路８とを備えている。
回路１と高電圧検出回路２とに加え、品種識別コード７
をＲＯＭ部以外に持ち、内部回路１と品種識別コード７
をそれぞれ切換えるトランスファゲート５，６と、高電
圧検出回路２の信号によりトランスファゲート５，６を
選択する選択回路８とを備えている。
以上説明したように、本発明は、冗長セルを内蔵し、不
良セルを救済するため、冗長セルと不良セルとを置き換
えると、品種識別コードとしてＲＯＭに書き込まれてい
たセルを置き換えてしまう欠点を、品種識別コードを別
に持ち、ＥＰＲＯＭとのデータの切り換えのトランスフ
ァと、選択回路を内蔵することによシ、特に冗長セルを
内蔵し九ＥＦＲＯＭでも、品種識別コードを読み出すこ
とができる効果がある。
良セルを救済するため、冗長セルと不良セルとを置き換
えると、品種識別コードとしてＲＯＭに書き込まれてい
たセルを置き換えてしまう欠点を、品種識別コードを別
に持ち、ＥＰＲＯＭとのデータの切り換えのトランスフ
ァと、選択回路を内蔵することによシ、特に冗長セルを
内蔵し九ＥＦＲＯＭでも、品種識別コードを読み出すこ
とができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の記憶装置の品種識別コード
内蔵ＥＰＲＯＭのブロック図、第２図は従来の半導体装
置のブロック図である。 １・・・内部回路、２・・・高電圧検出回路、３・・・
品種識別コード読み出し回路、４・・・出力回路、５・
・・切換トランスファ、 ６・・・切換トランスファ、 ７・・・品 種識別コード、 ８・・・選択回路。
内蔵ＥＰＲＯＭのブロック図、第２図は従来の半導体装
置のブロック図である。 １・・・内部回路、２・・・高電圧検出回路、３・・・
品種識別コード読み出し回路、４・・・出力回路、５・
・・切換トランスファ、 ６・・・切換トランスファ、 ７・・・品 種識別コード、 ８・・・選択回路。
Claims (1)
- 品種識別コードの読み出し回路と冗長セルとを備えた
記憶装置において、アドレス入力兼高電圧印加端子と、
前記端子に印加される電源電圧を越える高電圧を検出す
る高電圧検出回路と、前記高電圧検出回路の出力で制御
される選択回路と、前記選択回路の出力信号で前記品種
識別コードの出力と、内部回路の出力とを切換える切換
トランスファとを備えたことを特徴とする記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1254167A JPH03116498A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1254167A JPH03116498A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116498A true JPH03116498A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17261166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1254167A Pending JPH03116498A (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | 記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116498A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424982A (en) * | 1992-07-28 | 1995-06-13 | Nec Corporation | Semiconductor memory device having two different output buffers for one output terminal |
| US11812837B2 (en) | 2018-04-10 | 2023-11-14 | Lg Chem, Ltd. | Decorative member for cosmetics container, and method for producing same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59144098A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-17 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1254167A patent/JPH03116498A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59144098A (ja) * | 1983-02-08 | 1984-08-17 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424982A (en) * | 1992-07-28 | 1995-06-13 | Nec Corporation | Semiconductor memory device having two different output buffers for one output terminal |
| US11812837B2 (en) | 2018-04-10 | 2023-11-14 | Lg Chem, Ltd. | Decorative member for cosmetics container, and method for producing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940022845A (ko) | 반도체 메모리 및 용장 어드레스 기입방법 | |
| US5157634A (en) | Dram having extended refresh time | |
| US6216248B1 (en) | Integrated memory | |
| JPH04141794A (ja) | Ｉｃカード | |
| US7447853B2 (en) | Data copy device | |
| US6532529B1 (en) | Microcomputer including flash memory overwritable during operation and operating method thereof | |
| JPH03116498A (ja) | 記憶装置 | |
| US5953268A (en) | Memory block replacement system and replacement method for a semiconductor memory | |
| JPH05166391A (ja) | メモリ装置 | |
| JPH0512883A (ja) | シーケンシヤルメモリ | |
| KR940020221A (ko) | 프로그래머블 로직 콘트롤러의 어드레스변경장치 | |
| JPH06231598A (ja) | Ｐｒｏｍ回路 | |
| JPH05128016A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
| JPH0652010A (ja) | テスト回路 | |
| JPS59113600A (ja) | 高信頼記憶回路装置 | |
| JPH04368699A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS60263398A (ja) | 消去可能なプログラマブル読出し専用メモリ | |
| JPS607825B2 (ja) | メモリ−システム | |
| JPH0684365A (ja) | 記憶回路 | |
| JPH04347786A (ja) | Ｉｃメモリ内蔵記憶媒体 | |
| JPH06348589A (ja) | メモリ制御装置 | |
| JPS60117353A (ja) | 記憶装置における交代メモリ制御方法 | |
| JPH01273299A (ja) | 半導体記憶回路装置 | |
| JPS6180342A (ja) | メモリ制御装置 | |
| JPH0232440A (ja) | 記憶装置 |