JPH03112174A - 受光ｉｃ - Google Patents
受光ｉｃInfo
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- JPH03112174A JPH03112174A JP1251521A JP25152189A JPH03112174A JP H03112174 A JPH03112174 A JP H03112174A JP 1251521 A JP1251521 A JP 1251521A JP 25152189 A JP25152189 A JP 25152189A JP H03112174 A JPH03112174 A JP H03112174A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光素子と受光素子を含む集積回路からなる
光結合装置、すなわちホトカプラに使用される受光ＩＣ
に関し、とくに受光素子にポリシリ層によるシールド対
策を施した受光素子の構造に関する。
光結合装置、すなわちホトカプラに使用される受光ＩＣ
に関し、とくに受光素子にポリシリ層によるシールド対
策を施した受光素子の構造に関する。
従来、ホトカプラにおいては発光素子と受光素子を対向
させている構造をとっており、通常、異なる電位を持つ
２つの回路を電位的に絶縁しつつ信号を光によって伝達
する機能を有するが、このホトカプラを電子部品的な見
方をすればコンデンサと等価的となり、この入出力間の
結合容量Ｃが大きい場合には、入力出力間にｄｖ／ｄｔ
なるノイズが入った場合、例えば発光側のＬＥＤが点灯
していなくとも、結合容量Ｃ及び急峻なノイズｄｖ／ｄ
ｔによりＣ−なる電流が流れ、これが受光側に伝ｉ 達され、出力側が誤動作を起こすという問題がある。な
お従来の技術としては、例えば、特公昭５９−１２５６
７４号公報がある。
させている構造をとっており、通常、異なる電位を持つ
２つの回路を電位的に絶縁しつつ信号を光によって伝達
する機能を有するが、このホトカプラを電子部品的な見
方をすればコンデンサと等価的となり、この入出力間の
結合容量Ｃが大きい場合には、入力出力間にｄｖ／ｄｔ
なるノイズが入った場合、例えば発光側のＬＥＤが点灯
していなくとも、結合容量Ｃ及び急峻なノイズｄｖ／ｄ
ｔによりＣ−なる電流が流れ、これが受光側に伝ｉ 達され、出力側が誤動作を起こすという問題がある。な
お従来の技術としては、例えば、特公昭５９−１２５６
７４号公報がある。
上述した従来の構造図である第３図においてベース領域
（受光部）３．７に５ｉＯｚ膜３．４を介してポリシリ
層３．６を形成しポリシリ層３．６の電位をグランド電
位とするシールド対策においては、ベース領域３．７．
エピ領域３．８からなるフォトダイオードの７ノードす
なわちベース領域３．７とグランド電位であるポリシリ
層３，６との間で形成される寄生容量に対し対策が施さ
れていない。ところで、フォトダイオードとそれに接続
されるアンプ等の集積回路を一体化した受光ＩＣにおい
て、第５図よりベース・エピフォトダイオード５．２の
７ノードはアンプ入力に接続される為、上述した７ノー
ド、グランド間に形成される寄生容量５．１は高速スイ
ッチングが要求される受光ＩＣにおいては致命的となる
。
（受光部）３．７に５ｉＯｚ膜３．４を介してポリシリ
層３．６を形成しポリシリ層３．６の電位をグランド電
位とするシールド対策においては、ベース領域３．７．
エピ領域３．８からなるフォトダイオードの７ノードす
なわちベース領域３．７とグランド電位であるポリシリ
層３，６との間で形成される寄生容量に対し対策が施さ
れていない。ところで、フォトダイオードとそれに接続
されるアンプ等の集積回路を一体化した受光ＩＣにおい
て、第５図よりベース・エピフォトダイオード５．２の
７ノードはアンプ入力に接続される為、上述した７ノー
ド、グランド間に形成される寄生容量５．１は高速スイ
ッチングが要求される受光ＩＣにおいては致命的となる
。
本発明のポリシリ層によるＣＭＲＲ対策及びそれによる
アンプ入力とグランド間に形成された寄生容量の影響を
なくした受光ＩＣは、ベース（Ｐ）。
アンプ入力とグランド間に形成された寄生容量の影響を
なくした受光ＩＣは、ベース（Ｐ）。
エピ（Ｎ）により形成されるフォトダイオードのベース
領域中にエミッタ領域を形成しその電位をエピの電位と
することにより実現する。
領域中にエミッタ領域を形成しその電位をエピの電位と
することにより実現する。
すなわち、アンプ入力とグランド間に形成された寄生容
量をフォトダイオードのカソードグランド間に形成する
ことにより、アンプ入力とグランド間には寄生容量は形
成されないので、寄生容量によりスイッチングスピード
が遅くなることばない。
量をフォトダイオードのカソードグランド間に形成する
ことにより、アンプ入力とグランド間には寄生容量は形
成されないので、寄生容量によりスイッチングスピード
が遅くなることばない。
第１図に本発明の受光ＩＣのポリシリ層によるＣＭＲＲ
対策を施したことによってフォトダイオードのアノード
（アンプ入力）グランド間に形成された寄生容量をカソ
ードグランド間に発生させる為のフォトダイオード部の
断面図である。
対策を施したことによってフォトダイオードのアノード
（アンプ入力）グランド間に形成された寄生容量をカソ
ードグランド間に発生させる為のフォトダイオード部の
断面図である。
すなわち、第１図においてベース領域１．７゜５ｉＯ２
１，４，ポリシリ層１．６によって形成された容量は、
第５図における寄生容３５．１となる。
１，４，ポリシリ層１．６によって形成された容量は、
第５図における寄生容３５．１となる。
従ってｍ１図においてベース領域１，７にエミッタ領域
１．８を形成し、電位をエピの電位と接続することによ
り、第３図に示す様に寄生容量３，１は、カソードとグ
ランド間に挿入されアンプ入力とグランド間には、寄生
容量は形成されない。
１．８を形成し、電位をエピの電位と接続することによ
り、第３図に示す様に寄生容量３，１は、カソードとグ
ランド間に挿入されアンプ入力とグランド間には、寄生
容量は形成されない。
第２図は本発明の実施例２の縦断面である。第２図にお
いてはベース領域２．７にエミッタ領域２．８を形成し
電位をエピ領域の電位する際、１層アルミ配線により接
続するのではなくエミッタ領域を拡散によりベース領域
２．７及びエピ領域のコンタクト形成領域まで形成する
ことによりエミッタ領域にコンタクト形成個所を設ける
必要はない。
いてはベース領域２．７にエミッタ領域２．８を形成し
電位をエピ領域の電位する際、１層アルミ配線により接
続するのではなくエミッタ領域を拡散によりベース領域
２．７及びエピ領域のコンタクト形成領域まで形成する
ことによりエミッタ領域にコンタクト形成個所を設ける
必要はない。
以上説明したように本発明は、ベース（Ｐ）、エピ（Ｎ
）、フォトダイオードにおいて、ポリシリ層によるＣＭ
ＲＲ対策を施すことによってアノード（アンプ入力）と
グランド間に形成される寄生容量を、フォトダイオード
のベース領域にエミッタを拡散し電位をエピの電位とし
、カソードとグランド間に形成させることによって受光
ＩＣのアンプ入力、グランド間の寄生容量の効果による
スイッチスピードの劣化を防ぐことが出来る。
）、フォトダイオードにおいて、ポリシリ層によるＣＭ
ＲＲ対策を施すことによってアノード（アンプ入力）と
グランド間に形成される寄生容量を、フォトダイオード
のベース領域にエミッタを拡散し電位をエピの電位とし
、カソードとグランド間に形成させることによって受光
ＩＣのアンプ入力、グランド間の寄生容量の効果による
スイッチスピードの劣化を防ぐことが出来る。
第１図および第２図は本発明の寄生容量を考慮したＣＭ
ＲＲ対策の施されているフォトダイオードを示す第１実
施例および第２実施例の断面図であり、第３図は従来の
寄生容量の影響を考慮していない場合の断面図である。 また、第４図は本発明におけるアンプ入力とグランド間
に発生する寄生容量を回避した場合の等価回路図であり
、ｔ５図は従来の等価回路図である。 １．１．２．１．３．１・・・・・・パッシベーション
膜、■、２゜２．２，３．２・・・・・・遮光用２層ア
ルミ、１．３，２．３゜３．３・・・・・・層間膜、１
．４．２．４． ３．４・・・・・・５ｉｎ２膜、１．
５．２．５．３．５・・・・・・１層アルミ、Ｌ、Ｓ、
２．６゜３．６・・・・・・ポリシリ層、１．７．２．
７．３．７・・・・・・ベース領域、 １．８．２．
８・・・・・・エミッタ領域、３．８・・・・・・エピ
領域、４．１，５．１・・・・・・寄生容量、４．２，
５．２・・・・・・ベース・エピフォトダイオード、４
．３・・・・・・ベース・エミッタフォトダイオード。
ＲＲ対策の施されているフォトダイオードを示す第１実
施例および第２実施例の断面図であり、第３図は従来の
寄生容量の影響を考慮していない場合の断面図である。 また、第４図は本発明におけるアンプ入力とグランド間
に発生する寄生容量を回避した場合の等価回路図であり
、ｔ５図は従来の等価回路図である。 １．１．２．１．３．１・・・・・・パッシベーション
膜、■、２゜２．２，３．２・・・・・・遮光用２層ア
ルミ、１．３，２．３゜３．３・・・・・・層間膜、１
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２．６゜３．６・・・・・・ポリシリ層、１．７．２．
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８・・・・・・エミッタ領域、３．８・・・・・・エピ
領域、４．１，５．１・・・・・・寄生容量、４．２，
５．２・・・・・・ベース・エピフォトダイオード、４
．３・・・・・・ベース・エミッタフォトダイオード。
Claims (1)
- 受光ＩＣの受光部にベース領域とエピ領域によって形成
されるフォトダイオードの該ベース領域にエミッタ領域
を形成し、その電位をエピ領域の電位にすることを特徴
とする受光ＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01251521A JP3074685B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 受光ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01251521A JP3074685B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 受光ｉｃ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112174A true JPH03112174A (ja) | 1991-05-13 |
| JP3074685B2 JP3074685B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=17224051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01251521A Expired - Fee Related JP3074685B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 受光ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3074685B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015056590A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 受光素子および光結合型信号絶縁装置 |
| KR20160087501A (ko) * | 2015-01-14 | 2016-07-22 | 근로복지공단 | 휠체어용 접이식 테이블 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP01251521A patent/JP3074685B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015056590A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 受光素子および光結合型信号絶縁装置 |
| KR20160087501A (ko) * | 2015-01-14 | 2016-07-22 | 근로복지공단 | 휠체어용 접이식 테이블 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3074685B2 (ja) | 2000-08-07 |
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Legal Events
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