JPH03111953A - メモリアドレスの障害検出方法 - Google Patents

メモリアドレスの障害検出方法

Info

Publication number
JPH03111953A
JPH03111953A JP1249170A JP24917089A JPH03111953A JP H03111953 A JPH03111953 A JP H03111953A JP 1249170 A JP1249170 A JP 1249170A JP 24917089 A JP24917089 A JP 24917089A JP H03111953 A JPH03111953 A JP H03111953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
data
memory
register
written
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1249170A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro No
野 義博
Seiichi Kuriyama
栗山 誠一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Computer Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Computer Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Computer Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Computer Electronics Co Ltd
Priority to JP1249170A priority Critical patent/JPH03111953A/ja
Publication of JPH03111953A publication Critical patent/JPH03111953A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特に記憶装置におけるメモリアドレスの障害
検出方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、記憶装置におけるメモリアドレスに関する部分の
障害チエツクには、例えば特開昭55−8617号公報
に記載されているように、エラー訂正コード(FCC)
もしくはパリティピットを使用する方法がとられていた
ゆその場合、メモリ上へ格納しようとするデータおよび
アドレスを合わせてFCCもしくはパリティを作成し、
これをデータに付加してメモリへ格納する。メモリから
データを読み出す場合、メモリに書き込んだデータに付
いているFCCもしくはパリティ部分により、データお
よびアドレスの障害の有無をチエツクする。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来技術では、格納するデータと一緒にメモリアドレス
がチエツクされる。しがし、ECCやパリティピットは
一般に1ビツトエラーに効果があるもので、アドレス部
に2ビツト障害が存在していた場合や、データ部、アド
レス部それぞれに障害が存在していた場合などでは、チ
エツクをすりぬけてしまう可能性があり、チエツクの確
実性については少なからず疑問がある。また、ECCも
しくはパリティの作成回路、チエツク回路など、い(つ
もの複雑な回路が必要である。
さらに、従来技術では、メモリへのライト動作時のアド
レスエラーは検出できない為、アドレス障害が存在した
ままライト動作を行ってしまい、間違えたアドレスへデ
ータを書き込んでしまう可能性がある。この障害が検出
できるのは、該当アドレスへリード動作を行った時で、
しかもデータの比較を行わなければ検出できない。
本発明の目的は、記憶装置におけるメモリアドレス関係
部分のチエツクにおいて、チエツクの確実性と簡単化を
はかるとともに、メモリライト動作時にもアドレスチエ
ツクを行うことで、アドレスエラーの検出、報告を早期
に行い、間違えたアドレスへの書き込みを防止するメモ
リアドレスの障害検出方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明は、データにアドレ
スを付加して、これをメモリに格納するようにし、メモ
リのアクセス場所を示すアドレスレジスタの値と、メモ
リへの書込みデータ又は読出しデータに組み込まれてい
るアドレスの値とを比較して、アドレスエラーの検出を
行うようにしたものである。
〔作 用〕
アドレスバスおよびアドレスレジスタなどのメモリアド
レスに関する部分の障害は、メモリライト動作、メモリ
リード動作に関係なく、アドレスレジスタのアクセスア
ドレスと書込み/読出しデータ内アドレスの比較によっ
て、アドレスエラーとして確実に検出できるので、アド
レス障害によるプログラム暴走のような重大障害は発生
しない。
また、メモリライト動作時のアドレスエラー検出では、
間違えたアドレスへデータを書き込むことを禁止するこ
とにより、メモリの内容を破壊することがなくなる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例について図直により詳細に説明
する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
本実施例では、記憶装置はマイクロプログラムを格納す
るコントロールストレージ(C5)を対象としている。
C86へ転送されるデータをCSデータと呼んでいる。
このCSデータの実体は、マイクロプログラム自身であ
る。CSデータのフォーマットを第2図に示す。CSデ
ータは1例えば6バイトで1ワードを構成し、上2バイ
トには対語;するOSアドレスを組み入れ、下4バイト
を実データ(マイクロプログラムのオブジェクト)とし
て使用している。
まず、電源投入時など、マイクロプログラムがハードデ
ィスクおよびフロッピーディスクなどの外部記憶装置(
図示せず)から読み出され、C86に書き込まれる動作
(CSライト動作)について説明する。ハードディスク
およびフロッピーディスク等の外部記憶装置に書かれて
いるCSデータをC86のどこのアドレスに書くかをア
ドレスレジスタ4に、書こうとしているCSデータ (
6バイト)をライト動作制御回路7を介してライトデー
タレジスタ1にセットする。このときのアドレスレジス
タ4に示されるアクセスアドレスと、選択回路3で選択
したライトデータレジスタ1の上2バイト(アドレス部
)の値をアドレス比較回路5で比較し、一致していれば
、CSアドレスチエツクを完了し、そのままCSライト
動作を続けて、アドレスレジスタ4の値をデコーダでデ
コードして得られるC56の番地へ、ライトデータレジ
スタ1のCSデータ(6バイト)を書き込む。
一方、不一致であれば、OSアドレスエラー検出という
ことで、それ以上のCSライト動作をライト動作制御回
路7によって停止し、CSアドレスエラー報告を行う。
これらの手順をC56の最終アドレスまで繰り返すこと
でCSライト動作が行われる。
このようにして、従来は検出が困難であったメモリライ
ト動作中のアドレスエラーを検出することができ、間違
えたアドレスへのライト動作が防止できる。このため、
従来のようにC86の内容を破壊することがない。
次に、ハードディスクおよびフロッピーディスクなどの
外部記憶装置(図示せず)へCSデータを読み出す動作
(CSリード動作)について説明する。読み出そうとす
るCSアドレスをアドレスレジスタ4にセットし、その
値をデコーダ8でデコードして得られるC36の番地か
らCSデータ(6バイト)を読み出し、リードデータレ
ジスタ2にセットする。このときのアドレスレジスタ4
に示されるアクセスアドレスと、選択回路3で選択した
リードデータレジスタ3の上2バイト(アドレス部)の
値をアドレス比較回路5で比較し。
一致していれば、OSアドレスチエツクを完了し、リー
ドデータレジスタ2のCSデータを外部へ送出する。ま
た、不一致であれば、CSアドレスエラー検出というこ
とで、それ以上のCSリード動作を停止し、アドレスエ
ラー報告を行う。これらの手順をC86の最終アドレス
まで繰り返すことでCSリード動作が行われる。
以上、実施例ではC8を対象としたが、本発明はこれに
限定されるものでないことは云うまでもない。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかな如く、本発明によれば、メモリ
のアドレスチエツクが従来に比べ確実に行え、記憶シス
テム全体の信頼性向上がはかれる。
また、EC’Cやパリティピットを用いないので、チエ
ツク回路の論理が簡単になる。そのため、ゲート数が少
なくてすみ、メモリアクセス時間が縮少できる。さらに
、メモリラスト動作時もアドレスチエツクが行え、間違
ったアトIノスへ書き込むことを防止することが出来、
メモリを破壊することを防ぐという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は転送
データ(CSデータ)のフォーマットを示す図である。 1・・・ライトデータレジスタ、  2・・・リードデ
ータレジスタ、  3・・・アドレス選択回路、4・・
・アクセスアドレスレジスタ、  5・・・アドレス比
較回路、  6・・・コントロールストレージ(CS)
、 7・・・ライト動作制御回路、8・・・デコーダ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)データ及びアドレスを格納するメモリと、前記メ
    モリのアクセスアドレスを格納するアドレスレジスタを
    有する記憶装置において、前記アドレスレジスタのアク
    セスアドレスと前記メモリへの書込みデータ又は読出し
    データに組み込まれているアドレスとを比較してアドレ
    スエラーの検出を行うことを特徴とするメモリアドレス
    の障害検出方法。
JP1249170A 1989-09-27 1989-09-27 メモリアドレスの障害検出方法 Pending JPH03111953A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1249170A JPH03111953A (ja) 1989-09-27 1989-09-27 メモリアドレスの障害検出方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1249170A JPH03111953A (ja) 1989-09-27 1989-09-27 メモリアドレスの障害検出方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03111953A true JPH03111953A (ja) 1991-05-13

Family

ID=17188949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1249170A Pending JPH03111953A (ja) 1989-09-27 1989-09-27 メモリアドレスの障害検出方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03111953A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007229796A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Sumitomo Metal Ind Ltd 連続鋳造方法
JP2016071910A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007229796A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Sumitomo Metal Ind Ltd 連続鋳造方法
JP4706507B2 (ja) * 2006-03-03 2011-06-22 住友金属工業株式会社 連続鋳造方法
JP2016071910A (ja) * 2014-09-29 2016-05-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US10120741B2 (en) 2014-09-29 2018-11-06 Renesas Electronics Corporation Semiconductor memory device
US10360091B2 (en) 2014-09-29 2019-07-23 Renesas Electronics Corporation Semiconductor memory device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4531213A (en) Memory through checking system with comparison of data word parity before and after ECC processing
KR920005297B1 (ko) 고장 방지 컴퓨터 메모리 시스템
US9065481B2 (en) Bad wordline/array detection in memory
JPS6151241A (ja) 制御記憶装置の誤り回復方式
JPH0417535B2 (ja)
US4926426A (en) Error correction check during write cycles
US6842867B2 (en) System and method for identifying memory modules having a failing or defective address
JPH0425580B2 (ja)
KR920010972B1 (ko) 고장 방지 컴퓨터 메모리 시스템
JPH03111953A (ja) メモリアドレスの障害検出方法
JP2513615B2 (ja) Ecc回路付記憶装置
JPH01286060A (ja) 記憶装置におけるeccエラー処理方式
JPH01309421A (ja) 誤り訂正方式
JPH01140356A (ja) Ecc回路チェック方式
JPH11161560A (ja) 記憶装置のアドレス正否判定装置およびアドレス正否判定方法
JPS61166654A (ja) メモリパトロ−ル診断方式
JPS6327940A (ja) 記憶制御装置
JPS61161563A (ja) 記憶装置
JPS598061A (ja) エラ−訂正・検出回路の診断方法
JPH038039A (ja) メモリ固定障害の検出回路
JPS5990149A (ja) 障害処理方式
JPS6232822B2 (ja)
JPH0793171A (ja) メモリアクセスにおける障害処理方法
JPS58201142A (ja) マイクロプログラム制御方式
JPS6010661B2 (ja) 誤り検査方式