JPH0311083B2 - - Google Patents
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- JPH0311083B2 JPH0311083B2 JP22443784A JP22443784A JPH0311083B2 JP H0311083 B2 JPH0311083 B2 JP H0311083B2 JP 22443784 A JP22443784 A JP 22443784A JP 22443784 A JP22443784 A JP 22443784A JP H0311083 B2 JPH0311083 B2 JP H0311083B2
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- film
- composite film
- wound
- sides
- capacitor
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、両面金属化フイルムを用い、かつプ
ラスチツク材料により外装を施したコンデンサに
関するものである。 従来例の構成とその問題点 近年、電子機器の小形化、回路基板の生産性の
向上などのため、電子部品のチツプ化が急速に進
行してきている。チツプ部品の実装時には、電子
部品自体も高温となるため、プラスチツクフイル
ムコンデンサのチツプ化に際しては、大幅な耐熱
性の向上が必要である。 プラスチツクフイルムコンデンサは、温度特性
や部品の信頼性においてすぐれた特性を示すこと
から広く使用されているが、誘電体材料として、
主としてポリエチレンテレフタレートフイルムや
ポリプロピレンフイルム等が用いられており、こ
れらの誘電体フイルムの耐熱性が十分でないた
め、チツプ工法での実装時の高温に耐えられない
のが現状である。 発明の目的 本発明は、こうした現状に鑑み、チツプ工法で
の実装時の高温に耐えうる耐熱性を有するととも
に、フイルムコンデンサの特徴をも兼ね備えたコ
ンデンサを得ることを目的とするものである。 発明の構成 この目的を達成するために本発明は、誘電体と
してポリフエニレンサルフアイドフイルムを用
い、その両面に真空蒸着等により電極を形成して
両面金属化フイルムとし、その片面または両面に
誘電体として優れた特性を示すとともに、良好な
耐熱性を有するポリフエニレンオキサイドを主成
分とする薄膜をグラビアコート法またはリバース
コート法等により形成して構成した複合フイルム
を巻回または積層し、この両端面に金属溶射法等
により電極引出し部を形成することにより、チツ
プ工法での実装時の高温に耐えうるとともに、フ
イルムコンデンサの特長である良好な温度特性、
周波数特性を有し、かつ高信頼性を示すコンデン
サを開発したものである。 すなわち、従来のフイルムコンデンサでは、チ
ツプ工法での実装時の高温雰囲気中では、誘電体
フイルムの収縮によりコンデンサ素子が変形し、
外装の破損をもたらすとともに、その特性の大幅
な劣化も確認された。 これに対し、本発明のコンデンサでは、誘電体
として耐熱性の良好なポリフエニレンサルフアイ
ドおよびポリフエニレンオキサイドを用いること
により、チツプ工法での実装時の高温による複合
フイルムの収縮に伴う素子変形を大幅に減少させ
ることができ、また200℃における曲げ弾性率300
Kg／mm2以上の機械特性を有する外装材料を用いて
外装を施すことにより、外装の保持力を確保して
素子変形を抑制することにより、チツプ工法での
実装時の耐えうるものとしたものである。外装材
料としては、無機充填剤を配合したエポキシ樹脂
等の使用が可能である。また、外装工法として
は、流動侵漬法、モールド工法などが用いられう
るが、外装材料、外装工法ともに特に制約される
ものではない。 実施例の説明 以下、本発明の実施例について、その比較例と
対比させて説明する。 第１図に本発明の実施例によるコンデンサの構
造を示す。同図Ａは巻回型素子モールドタイプ、
同図Ｂは積層型素子モールドタイプである。 図において、１は複合フイルムを巻回または積
層した素子、２は素子１の両端面に金属材料を溶
射して成る電極引出し部、３はリード端子、４は
外装部である。 第２図に巻回前または積層前の複合フイルムの
断面の示す。同図Ａはポリフエニレンオキサイド
塗工薄膜装を両面に形成したもの、同図Ｂはポリ
フエニレンオキサイド塗工薄膜装を片面に形成し
たものである。 図において、５はポリフエニレンサルフアイド
フイルム、６は蒸着金属電極層、７はポリフエニ
レンオキサイド塗工薄膜層である。 第１表に、実施例および比較例のコンデンサの
誘電体材料、複合フイルムの構造、素子の構造、
外装材料および外装工法、外装材料の曲げ弾性
率、外装の最薄部の厚みを示している。なお、外
装材料の曲げ弾性率については、硬質プラスチツ
クの曲げ試験方法（JIS K7203）により求めた。
また、その値については、樹脂の主剤、硬化剤、
充填剤の配合比を選ぶことにより変化させること
ができる。外装の最薄部を厚みは、Ｘ線透視装置
により計測した。 第２表には、第１表に示した実施例および比較
例のコンデンサのチツプ工法での実装時の特性変
化（静電容量変化率）とコンデンサの外観変化に
ついての試験結果を示す。コンデンサの静電容量
は、LCRメーター（YHP製：4274A）にて測定
した。外観変化については、割れおよび素子の変
形を目視にて確認、評価した。なお、第２表に示
した試験における供試コンデンサの印刷配線基板
への実装の条件は半田槽デイツプ方式で、半田温
度は260℃、デイツプ時間は５秒、デイツプ回数
は１回、プリヒートは100℃で50秒間であつた。
ラスチツク材料により外装を施したコンデンサに
関するものである。 従来例の構成とその問題点 近年、電子機器の小形化、回路基板の生産性の
向上などのため、電子部品のチツプ化が急速に進
行してきている。チツプ部品の実装時には、電子
部品自体も高温となるため、プラスチツクフイル
ムコンデンサのチツプ化に際しては、大幅な耐熱
性の向上が必要である。 プラスチツクフイルムコンデンサは、温度特性
や部品の信頼性においてすぐれた特性を示すこと
から広く使用されているが、誘電体材料として、
主としてポリエチレンテレフタレートフイルムや
ポリプロピレンフイルム等が用いられており、こ
れらの誘電体フイルムの耐熱性が十分でないた
め、チツプ工法での実装時の高温に耐えられない
のが現状である。 発明の目的 本発明は、こうした現状に鑑み、チツプ工法で
の実装時の高温に耐えうる耐熱性を有するととも
に、フイルムコンデンサの特徴をも兼ね備えたコ
ンデンサを得ることを目的とするものである。 発明の構成 この目的を達成するために本発明は、誘電体と
してポリフエニレンサルフアイドフイルムを用
い、その両面に真空蒸着等により電極を形成して
両面金属化フイルムとし、その片面または両面に
誘電体として優れた特性を示すとともに、良好な
耐熱性を有するポリフエニレンオキサイドを主成
分とする薄膜をグラビアコート法またはリバース
コート法等により形成して構成した複合フイルム
を巻回または積層し、この両端面に金属溶射法等
により電極引出し部を形成することにより、チツ
プ工法での実装時の高温に耐えうるとともに、フ
イルムコンデンサの特長である良好な温度特性、
周波数特性を有し、かつ高信頼性を示すコンデン
サを開発したものである。 すなわち、従来のフイルムコンデンサでは、チ
ツプ工法での実装時の高温雰囲気中では、誘電体
フイルムの収縮によりコンデンサ素子が変形し、
外装の破損をもたらすとともに、その特性の大幅
な劣化も確認された。 これに対し、本発明のコンデンサでは、誘電体
として耐熱性の良好なポリフエニレンサルフアイ
ドおよびポリフエニレンオキサイドを用いること
により、チツプ工法での実装時の高温による複合
フイルムの収縮に伴う素子変形を大幅に減少させ
ることができ、また200℃における曲げ弾性率300
Kg／mm2以上の機械特性を有する外装材料を用いて
外装を施すことにより、外装の保持力を確保して
素子変形を抑制することにより、チツプ工法での
実装時の耐えうるものとしたものである。外装材
料としては、無機充填剤を配合したエポキシ樹脂
等の使用が可能である。また、外装工法として
は、流動侵漬法、モールド工法などが用いられう
るが、外装材料、外装工法ともに特に制約される
ものではない。 実施例の説明 以下、本発明の実施例について、その比較例と
対比させて説明する。 第１図に本発明の実施例によるコンデンサの構
造を示す。同図Ａは巻回型素子モールドタイプ、
同図Ｂは積層型素子モールドタイプである。 図において、１は複合フイルムを巻回または積
層した素子、２は素子１の両端面に金属材料を溶
射して成る電極引出し部、３はリード端子、４は
外装部である。 第２図に巻回前または積層前の複合フイルムの
断面の示す。同図Ａはポリフエニレンオキサイド
塗工薄膜装を両面に形成したもの、同図Ｂはポリ
フエニレンオキサイド塗工薄膜装を片面に形成し
たものである。 図において、５はポリフエニレンサルフアイド
フイルム、６は蒸着金属電極層、７はポリフエニ
レンオキサイド塗工薄膜層である。 第１表に、実施例および比較例のコンデンサの
誘電体材料、複合フイルムの構造、素子の構造、
外装材料および外装工法、外装材料の曲げ弾性
率、外装の最薄部の厚みを示している。なお、外
装材料の曲げ弾性率については、硬質プラスチツ
クの曲げ試験方法（JIS K7203）により求めた。
また、その値については、樹脂の主剤、硬化剤、
充填剤の配合比を選ぶことにより変化させること
ができる。外装の最薄部を厚みは、Ｘ線透視装置
により計測した。 第２表には、第１表に示した実施例および比較
例のコンデンサのチツプ工法での実装時の特性変
化（静電容量変化率）とコンデンサの外観変化に
ついての試験結果を示す。コンデンサの静電容量
は、LCRメーター（YHP製：4274A）にて測定
した。外観変化については、割れおよび素子の変
形を目視にて確認、評価した。なお、第２表に示
した試験における供試コンデンサの印刷配線基板
への実装の条件は半田槽デイツプ方式で、半田温
度は260℃、デイツプ時間は５秒、デイツプ回数
は１回、プリヒートは100℃で50秒間であつた。
【表】
【表】
【表】
【表】
上表から明らかなように、誘電体材料として、
従来使用されているポリエチレンテレフタレート
やポリプロピレンの薄膜誘電体では、耐熱性が不
十分なため、チツプ工法での実装時の高温に耐え
られないのに対して、耐熱性に優れたポリフエニ
レンサルフアイドフイルムおよびポリフエニレン
オキサイド薄膜を誘電体材料として用いることに
より、コンデンサのチツプ工法での実装時の特性
変化（静電容量変化率）およびコンデンサの外観
変化について、大幅に改善され、良好な結果が得
られる。 また、上記ポリフエニレンサルフアイドおよび
ポリフエニレンオキサイドを誘電体とするコンデ
ンサ素子に、200℃における曲げ弾性率が300Kg／
mm2以上のプラスチツク材料を用いて外装を施すこ
とにより、外装の最薄部の厚みが0.3mm以上であ
れば、コンデンサのチツプ工法での実装時の特性
変化（静電容量変化率）およびコンデンサの外観
変化については、いずれも良好な結果が得られ
る。なお、外装の最薄部の厚みについては、製造
上の問題から0.5mm以上とするのが好ましい。 発明の効果 以上の結果から明らかなように、本発明のコン
デンサは、チツプ工法での実装時における高温に
耐えるとともに、フイルムコンデンサの優れた特
性をも具備するものであり、これにより、電子機
器の小形化、回路基板の生産性の向上に大きく寄
与するものである。
従来使用されているポリエチレンテレフタレート
やポリプロピレンの薄膜誘電体では、耐熱性が不
十分なため、チツプ工法での実装時の高温に耐え
られないのに対して、耐熱性に優れたポリフエニ
レンサルフアイドフイルムおよびポリフエニレン
オキサイド薄膜を誘電体材料として用いることに
より、コンデンサのチツプ工法での実装時の特性
変化（静電容量変化率）およびコンデンサの外観
変化について、大幅に改善され、良好な結果が得
られる。 また、上記ポリフエニレンサルフアイドおよび
ポリフエニレンオキサイドを誘電体とするコンデ
ンサ素子に、200℃における曲げ弾性率が300Kg／
mm2以上のプラスチツク材料を用いて外装を施すこ
とにより、外装の最薄部の厚みが0.3mm以上であ
れば、コンデンサのチツプ工法での実装時の特性
変化（静電容量変化率）およびコンデンサの外観
変化については、いずれも良好な結果が得られ
る。なお、外装の最薄部の厚みについては、製造
上の問題から0.5mm以上とするのが好ましい。 発明の効果 以上の結果から明らかなように、本発明のコン
デンサは、チツプ工法での実装時における高温に
耐えるとともに、フイルムコンデンサの優れた特
性をも具備するものであり、これにより、電子機
器の小形化、回路基板の生産性の向上に大きく寄
与するものである。
第１図Ａ，Ｂはそれぞれ本発明の実施例のコン
デンサを示す斜視図、第２図Ａ，Ｂはそれぞれ同
コンデンサに用いられる複合フイルム断面図ので
ある。 １……素子、２……電極引出し部、４……外装
部、５……ポリフエニレンサルフアイドフイル
ム、６……蒸着金属電極層、７……ポリフエニレ
ンオキサイド塗工薄膜層。
デンサを示す斜視図、第２図Ａ，Ｂはそれぞれ同
コンデンサに用いられる複合フイルム断面図ので
ある。 １……素子、２……電極引出し部、４……外装
部、５……ポリフエニレンサルフアイドフイル
ム、６……蒸着金属電極層、７……ポリフエニレ
ンオキサイド塗工薄膜層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリフエニレンサルフアイドフイルムの両面
に電極を形成した両面金属化フイルムの片面また
は両面に、ポリフエニレンオキサイドを主成分と
する薄膜を形成して複合フイルムを構成するとと
もに、その複合フイルムを巻回または積層し、か
つ巻回または積層した複合フイルムの両端面に電
極引出し部を形成し、かつ200℃における曲げ弾
性率が300Kg／mm2以上のプラスチツク材料からな
る外装体で被覆したことを特徴とするコンデン
サ。 ２ ポリフエニレンサルフアイドフイルムの両面
に電極を形成した両面金属化フイルムの片面また
は両面に、ポリフエニレンオキサイドを主成分と
する薄膜を形成して複合フイルムを構成するとと
もに、その複合フイルムを巻回または積層し、か
つ巻回または積層した複合フイルムの両端面に電
極引出し部を形成し、かつ200℃における曲げ弾
性率が300Kg／mm2以上のプラスチツク材料からな
る最薄部の厚み0.5mm以上の外装体で被覆したこ
とを特徴とするコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22443784A JPS61102021A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22443784A JPS61102021A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102021A JPS61102021A (ja) | 1986-05-20 |
| JPH0311083B2 true JPH0311083B2 (ja) | 1991-02-15 |
Family
ID=16813755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22443784A Granted JPS61102021A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102021A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770413B2 (ja) * | 1987-09-18 | 1995-07-31 | 松下電器産業株式会社 | フィルムコンデンサの製造方法 |
| JPH0770419B2 (ja) * | 1987-09-18 | 1995-07-31 | 松下電器産業株式会社 | フィルムコンデンサの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22443784A patent/JPS61102021A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61102021A (ja) | 1986-05-20 |
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