JPH03109770A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
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- JPH03109770A JPH03109770A JP1248900A JP24890089A JPH03109770A JP H03109770 A JPH03109770 A JP H03109770A JP 1248900 A JP1248900 A JP 1248900A JP 24890089 A JP24890089 A JP 24890089A JP H03109770 A JPH03109770 A JP H03109770A
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- Japan
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- film
- silicon nitride
- nitride film
- silicon
- interlayer insulation
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ファクシミリなどに使用されるイメージセン
サに関する。
サに関する。
（従来技術〕
絶縁性基板または絶縁膜上に多結晶シリコンを基体とす
るＭＯＳ型電界効果トランジスタを集積した走査回路と
アモルファスシリコンを基体とした光電変換素子を同一
の絶縁性基板または絶縁膜上に形成してなるイメージセ
ンサにおいて、該走査回路と該光電変換素子の間に絶縁
膜としてポリイミド等の有機物層や低温プラズマ窒化シ
リコン膜が用いられている。
るＭＯＳ型電界効果トランジスタを集積した走査回路と
アモルファスシリコンを基体とした光電変換素子を同一
の絶縁性基板または絶縁膜上に形成してなるイメージセ
ンサにおいて、該走査回路と該光電変換素子の間に絶縁
膜としてポリイミド等の有機物層や低温プラズマ窒化シ
リコン膜が用いられている。
しかし、ポリイミド膜では信頼性に乏しく、特に耐湿性
が不十分である。また、プラズマ窒化シリコン膜は成膜
条件により電界効果トランジスタ特性に悪影響を及ぼす
という欠点が存在する。
が不十分である。また、プラズマ窒化シリコン膜は成膜
条件により電界効果トランジスタ特性に悪影響を及ぼす
という欠点が存在する。
本発明の目的は、耐湿性で信頼性が高く、窒化シリコン
膜の成膜条件により電界効果トランジスタ特性に悪影響
をおよぼさないような保護膜を有するイメージセンサを
提供する点にある。
膜の成膜条件により電界効果トランジスタ特性に悪影響
をおよぼさないような保護膜を有するイメージセンサを
提供する点にある。
本発明は、絶縁性基板または絶縁膜上に多結晶シリコン
やアモルファスシリコンのようなシリコンを基体とする
ＭＯＳ型電界効果トランジスタを集積した走査回路と多
結晶シリコンやアモルファスシリコンのようなシリコン
を基体とした光電変換素子を同一の絶縁性基板または絶
縁膜上に形成してなるイメージセンサにおいて、該走査
回路と該光電変換素子の間に少くとも２暦の絶縁膜を介
在させ、そのうちの少くとも１層は酸化シリコン膜であ
り、少くとも他の１層は窒化シリコン膜であることを特
徴とするものである。
やアモルファスシリコンのようなシリコンを基体とする
ＭＯＳ型電界効果トランジスタを集積した走査回路と多
結晶シリコンやアモルファスシリコンのようなシリコン
を基体とした光電変換素子を同一の絶縁性基板または絶
縁膜上に形成してなるイメージセンサにおいて、該走査
回路と該光電変換素子の間に少くとも２暦の絶縁膜を介
在させ、そのうちの少くとも１層は酸化シリコン膜であ
り、少くとも他の１層は窒化シリコン膜であることを特
徴とするものである。
以下に従来例との対比において本発明の詳細な説明する
。
。
従来型のイメージセンサを第１図に示す、その製法はつ
ぎのとおりである。
ぎのとおりである。
（１） 石英等の絶縁性基板１の上に低圧熱ＣＶＤ法
によってポリシリコン２を堆積 し、これをフォトリソ形成したのち熱 酸化工程によりＳｉＯ□膜３を形成する。
によってポリシリコン２を堆積 し、これをフォトリソ形成したのち熱 酸化工程によりＳｉＯ□膜３を形成する。
（２） この上にゲート電極となるポリシリコン層４
を堆積し、フォトリソによりポ リゲート電極４を形成する。ポリシリ コン２中にソース及びドレイン部を形 成するためイオン注入を行う。
を堆積し、フォトリソによりポ リゲート電極４を形成する。ポリシリ コン２中にソース及びドレイン部を形 成するためイオン注入を行う。
（３）層５の形成
（４）層間絶縁膜６として低圧熱ＣＶＤ法によってＳ
ｉ Ｏ，を堆積する。
ｉ Ｏ，を堆積する。
（５） さらに、金属電極８を堆積した後、光電変換
素子層９、透明導電層１０、上部電極１１を堆積し、フ
ォトリソ形成したのち、層間絶縁膜としてプラズマシリ コン酸化膜５を堆積する。これをフォ トリソして、上部に金属電極７を配線 形成する。
素子層９、透明導電層１０、上部電極１１を堆積し、フ
ォトリソ形成したのち、層間絶縁膜としてプラズマシリ コン酸化膜５を堆積する。これをフォ トリソして、上部に金属電極７を配線 形成する。
（６） こののち、プラズマ窒化シリコン膜１２を堆
積し、フォトリソする。
積し、フォトリソする。
このようにして、第１図に示す従来型のイメージセンサ
を得る。これに対して、本発明のイメージセンサの構造
例は第２図に示すとおりである。
を得る。これに対して、本発明のイメージセンサの構造
例は第２図に示すとおりである。
本発明が従来例の場合と較べて製造上相違する点は、層
間絶縁膜６を堆積した後、もう１つの眉間絶縁膜１３を
形成する点である。
間絶縁膜６を堆積した後、もう１つの眉間絶縁膜１３を
形成する点である。
本発明において層間絶縁膜６と１３は、酸化シリコン膜
と窒化シリコン膜の組合せであり、眉間絶縁膜６が酸化
シリコン膜であり、Ｎ開維縁膜１３が窒化シリコン膜で
あるという組合せでもよいが、ＭＭ絶縁膜６が窒化シリ
コン膜であり層間絶縁膜１３が酸化シリコン膜であると
いう組合せでもよい。
と窒化シリコン膜の組合せであり、眉間絶縁膜６が酸化
シリコン膜であり、Ｎ開維縁膜１３が窒化シリコン膜で
あるという組合せでもよいが、ＭＭ絶縁膜６が窒化シリ
コン膜であり層間絶縁膜１３が酸化シリコン膜であると
いう組合せでもよい。
これらの層間絶縁膜６および１３においては。
どちらか少くとも一方の膜中の電子スピン濃度が２Ｘ１
０”ａｍ’″３以上であることが好ましい。
０”ａｍ’″３以上であることが好ましい。
前述のような電子スピン濃度をもつ眉間絶縁膜の形成方
法としては、 （１）酸化シリコン膜中にＡ ｒ ”イオンを注入する
。
法としては、 （１）酸化シリコン膜中にＡ ｒ ”イオンを注入する
。
（２）プラズＶＣＶＤ法、低圧ＣＶＤ法、スパッタ法等
により窒化シリコン膜を形 成するさい、基板温度を４００℃（通常３５０〜４５０
℃）とし、ＮＨ，／ＳｉＨ，の流量比を低減させる。す
なわち１通常の 流量比Ｎ Ｈ２／ Ｓ Ｉ Ｈ４〜３であるのに対し１
本発明の場合はＮＨ，／ＳｉＨ４〜（１〜２）が好適範
囲となる。
により窒化シリコン膜を形 成するさい、基板温度を４００℃（通常３５０〜４５０
℃）とし、ＮＨ，／ＳｉＨ，の流量比を低減させる。す
なわち１通常の 流量比Ｎ Ｈ２／ Ｓ Ｉ Ｈ４〜３であるのに対し１
本発明の場合はＮＨ，／ＳｉＨ４〜（１〜２）が好適範
囲となる。
（３）ブラズｖｃＶＤ法、低圧ＣＶＤ法、スパッタ法等
により形成された窒化シリ コン膜にＡｒ”イオンを注入する。
により形成された窒化シリ コン膜にＡｒ”イオンを注入する。
等の方法がある。
本発明の構成により窒化シリコン膜の成膜条件により電
界効果トランジスタ特性に悪影響をおよぼさないで保護
膜を形成することができ、耐湿性、高信頼性のイメージ
センサを得ることができた。
界効果トランジスタ特性に悪影響をおよぼさないで保護
膜を形成することができ、耐湿性、高信頼性のイメージ
センサを得ることができた。
第１図は、従来型イメージセンサの断面図を示し、第２
図は本発明イメージセンサの１例を示す断面図である。 １・・・絶縁性基板 ２・・・シリコン ３・・・ＳｉＯ２膜（ゲート酸化膜） ４・・・シリコン層（ゲート電極） ５・・・層間絶縁膜 ６・・・層間絶縁膜（Ｓｉｎ、） ７・・・配線 ８・・・金属電極 ９・・・光電変換素子層 １０・・・透明導電層 １１・・・上部電極 １２・・・窒化シリコン膜 １３・・・層間絶縁膜 第 図 第２ 図
図は本発明イメージセンサの１例を示す断面図である。 １・・・絶縁性基板 ２・・・シリコン ３・・・ＳｉＯ２膜（ゲート酸化膜） ４・・・シリコン層（ゲート電極） ５・・・層間絶縁膜 ６・・・層間絶縁膜（Ｓｉｎ、） ７・・・配線 ８・・・金属電極 ９・・・光電変換素子層 １０・・・透明導電層 １１・・・上部電極 １２・・・窒化シリコン膜 １３・・・層間絶縁膜 第 図 第２ 図
Claims (1)
- １、絶縁性基板または絶縁膜上にシリコンを基体とする
ＭＯＳ型電界効果トランジスタを集積した走査回路とシ
リコンを基体とした光電変換素子を同一の絶縁性基板ま
たは絶縁膜上に形成してなるイメージセンサにおいて、
該走査回路と該光電変換素子の間に少くとも２層の絶縁
膜を介在させ、そのうちの少くとも１層は酸化シリコン
膜であり、少くとも他の１層は窒化シリコン膜であるこ
とを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248900A JPH03109770A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248900A JPH03109770A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03109770A true JPH03109770A (ja) | 1991-05-09 |
Family
ID=17185107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1248900A Pending JPH03109770A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03109770A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399884A (en) * | 1993-11-10 | 1995-03-21 | General Electric Company | Radiation imager with single passivation dielectric for transistor and diode |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1248900A patent/JPH03109770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399884A (en) * | 1993-11-10 | 1995-03-21 | General Electric Company | Radiation imager with single passivation dielectric for transistor and diode |
| US5516712A (en) * | 1993-11-10 | 1996-05-14 | General Electric Company | Method of fabricating radiation imager with single passivation dielectric for transistor and diode |
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