JPH03108199A - ディレイ回路 - Google Patents

ディレイ回路

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Publication number
JPH03108199A
JPH03108199A JP1243531A JP24353189A JPH03108199A JP H03108199 A JPH03108199 A JP H03108199A JP 1243531 A JP1243531 A JP 1243531A JP 24353189 A JP24353189 A JP 24353189A JP H03108199 A JPH03108199 A JP H03108199A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
read
write
address
counter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1243531A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Murakami
哲哉 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1243531A priority Critical patent/JPH03108199A/ja
Publication of JPH03108199A publication Critical patent/JPH03108199A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はディレィ回路に係り、特にディレィ時間をメモ
リを用いて高精度にかつプログラマブルに設定できるよ
うにしたディレィ回路に関する。
〈従来の技術) 従来、ディレィ回路としては、アナログ信号の場合は遅
延線を用いたもの、fイジタル信号の場合はシフトレジ
スタを用いたもの等がある。これらのディレィ回路で、
そのディレィタイミングを変更するには、遅延線の組み
合わせの変更や、シフトレジスタの段数の変更或いはシ
フトクロックの変更等が必要である。
ところで、ディジタル信号に対づるシフトレジスタ等を
用いた従来のディレィ回路では、ディレィ時間をプログ
ラマブルにすることは困難であり、またそのディレィ時
間を長くするほどディレィ時間の精度が低下づるという
問題があった。
(発明が解決しようとする課題) 上記の如く、従来は、ディレィ時間をプログラマブルに
することは困難であり、またディレィ時間の時間長と精
度は相反するものであった。
そこで、本発明は上記の問題を解決するためのものぐ、
高精瓜でかつプログラマブルにディレィ時間を設定でき
るディレィ回路を提供することを[]的とづるものであ
る。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明のディレィ回路は、入力されるデータを記t11
−!J’るメモリと、このメモリへデータを古き込む際
のメモリアドレスをクロック入ノコに基づいて順次に発
生する書込みアドレス発生手段と、前記メモリからデー
タを読み出す際のメモリアドレスをクロック入力に基づ
いて順次に発生ずる読出しアドレス発生手段と、前記書
込みアドレス発生手段に対して書込みアドレスの初期値
を設定するための第1の初期値設定手段と、前記読出し
アドレス発生手段に対して前記−1込みアドレスの初期
値とは異なった初期値を設定するための第2の初111
1111’(設定手段と、YN記メモリに対しC書込み
と読み出しのタイミングを与えると共に、前記店込みア
ドレス発生手段と前記読出しアドレス発生手段に対して
前記クロックを供給する制御手段とを具備して構成され
ている。
(作用) 本発明においては、入力データは出込みアドレス発生手
段で示されるメモリ中のアドレスにクロック入力に基づ
いて順次に書き込まれていく。
また、読出しアドレス発生手段で示されるメモリ中のア
ドレスのデータはクロック入力に基づいて順次に読み出
されていくので、書込みアドレス発生手段の書込みアド
レスの初期値と読出しアドレス発生手段の読出しアドレ
スの初期値どの間に予めアドレス差Nを設【ノておくと
、入力データを書き込んでから読み出すのに要16時間
(即ら、ディレィ時間)は、アドレス差Nとアドレスア
ップする周期(即ち、クロック周期)王を11)げた時
間NXTとなる。
(実施例) 以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を説明づる
第1図は本発明の一実施例のディレィ回路を示すブロッ
ク図である。
第1図において、符号1はディジタル信号の入力端子で
、入力信号はラッチ回路2に入力され、カウンタクロッ
クの立上りでラッチされ、同じカウンタクロックでゲー
トされるバッファ3を通り、メモリ4の入出力端子(I
lo>からライトカウンタ9によって指示されたメモリ
アドレスに書き込まれる。上記メモリ4にはスタテック
メモリが使用されている。また、リードカウンタ10で
指示されたメモリアドレスのデータはメモリ4から入出
力端子(110)を通り、更に出力側のラップ回路5を
通して出力端子6に読み出される。このメモリ4に対す
るデータの占込み、読出しはタイミング発生回路13か
らの読出し、書込みタイミング信号(R/w信号)によ
って交互に行われる。メモリ4のメモリアドレス人力G
Q(Al〜八〇へにはライトカウンタ9からバッフ77
を通してデータ書込み用のアドレスが与えられ、またリ
ードカウンタ10からバッファ8を通してデータ読出し
用のアドレスが与えられるようになっている。しかも、
ライトカウンタ9に対してはプリセット回路11によっ
て初期値Nがプリセットされ、またリードカウンタ10
に対してはブリヒツト回路12によって初期値0がプリ
セットされるようになっている。上記タイミング発生回
路13は、ハイレベルHとローレベルLを交互に繰り返
り周期Tのカウンタクロックをラッチ回路2.バッファ
3、バッフ77、ライトカウンタ9.及びり一ドカウン
タ10に供給すると共に、同じカウンタクロックをイン
バータ14を通してラッチ回路5及びバッファ8に供給
する。また、タイミング発生回路13は、メモリ4に対
して読出し、占込みタイミング信号(R/w信号)を供
給リ−るど共に、ライトカウンタ9及びリードカウンタ
10に対して初期値を設定するためのカウンタロードパ
ルス(LD)を供給づる。
次に、第1図の回路動作を第2図のタイミング発生回路
を参照して説明する。
ライトカウンタ9.リードカウンタ10は、リセット時
に、まずタイミング発生回路13からのカウンタロード
パルスにより、それぞれのプリセット値N、Oがプリセ
ット回路11.12にて設定される。その後、ライトカ
ウンタ9.リードカウンタ10は、タイミング発生回路
13からの第2図(a)に示すカウンタクロックにより
周期Tで順次カウントアツプされる。同時に、第2図(
a)のカウンタクロックはそのままバッファ7にライト
アドレスイネーブル信号(第2図(C)参照)として加
えられる。従って、まず、メモリ4には、カウンタクロ
ックがローレベルLの期間(即ら、ライトアドレスイネ
ーブル信号がローレベルLの期間)にライトカウンタ9
から初期値Nのメモリアドレス(第2図(d)参照)が
バッファ7を通して与えられ、そのとき第2図(f)に
示すようなサンプリングされたデータ入力がメモリ4に
書き込まれる。そし01次の周期のカウンタクロックの
Lレベルの期間にライトカウンタ9からNト1のメモリ
アドレスが、メモリ4に与えられ次のサンプリングデー
タがメモリ4に青き込まれる。このJ:うにして、カウ
ンタクロックが入力される毎にライトカウンタ9をカウ
ントアツプしていき、ライトカウンタ9の示J゛メモリ
アドレスにデータをド(き込んでいく。但し、メモリ4
への−2込みは第2図(C)に示すR/w信号のローレ
ベルLの期間に行われる。
一方、第2図(a)のカウンタクロックは反転してバッ
フ78にリードアドレスイネーブル信シ)(第2図(b
)参照)として加えられる。従って、まず、メモリ4に
は、カランタフ1]ツクがハイレベルHの期間(即ら、
リードアドレスイネーブル信号がローレベル[の期間)
にリードカウンタ10から初期fr10のメモリアドレ
ス(第2図(d) 参照)がバッファ8を通して与えら
れ、そのときのデータ出力がメモリ4から読み出され、
更にカークンタフロックが入力する毎にリードカウンタ
10もカウントアツプしていくわけであるが、リードカ
ウンタ10の示すメモリアドレスがO〜N−1に変化す
る範囲ではこれらのアドレスにまだデータが書き込まれ
ていないのでデータ出力は得られない。
ぞして、ライトカウンタ9の示すメモリアドレスが2N
に達した時、リードカウンタ10の示1メモリアドレス
がNに達し、この時初めてメモリアト・レスNに書き込
まれているデータをメモリ4から読み出す。次に、ライ
トカウンタ9の示すメモリアドレスが2N÷1に達し、
リードカウンタ10の示すメモリアドレスがN +1に
達した時、メモリアドレスN −1−1のデータがメモ
リ4から読み出される。このように、最初に書き込まれ
たデータはリードカウンタ10の示すメモリアドレスが
O−Nに変化するまでの期間、即ちカウンタクロックの
N個分の期間だけ遅延して読み出されることになる。
従って、一般に、ライトカウンタ9のプリセット値をN
、リードカウンタ10のプリセット値を0とし、カウン
タクロックの周期を王とすると、ディレィ時間はTXN
となる。本実施例の回路で実現できるディレィ時間の最
長値はメ[す4の容量で決まることになる。
尚、上記実施例では、シリアルデータをメモリに対して
出し入れづる場合について説明しているが、本発明はシ
リアルデータを扱う場合に限らず、ワード構成のメモリ
を使用づればパラレルデータに対しても応用づることが
できる。
[発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、ディレィ時間をプロ
グラマブルにしかし高精瓜に設定することが可能となる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のディレィ回路を示すブロッ
ク図、第2図は第1図の回路動作を説明するタイミノグ
チ11−トである。 1・・・入力端子、4・・・メ七り、 6・・・出力端子、7.8・・・バッファ、9・・・ラ
イトカウンタ、10・・・リードカウンタ、11.12
・・・プリセット回路、 13・・・タイミング発生回路。 代1111人 同

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 入力されるデータを記憶するメモリと、 このメモリへデータを書き込む際のメモリアドレスをク
    ロック入力に基づいて順次に発生する書込みアドレス発
    生手段と、 前記メモリからデータを読み出す際のメモリアドレスを
    クロック入力に基づいて順次に発生する読出しアドレス
    発生手段と、 前記書込みアドレス発生手段に対して書込みアドレスの
    初期値を設定するための第1の初期値設定手段と、 前記読出しアドレス発生手段に対して前記書込みアドレ
    スの初期値とは異なつた初期値を設定するための第2の
    初期値設定手段と、 前記メモリに対して書込みと読み出しのタイミングを与
    えると共に、前記書込みアドレス発生手段と前記読出し
    アドレス発生手段に対して前記クロックを供給する制御
    手段と を具備したことをディレィ回路。
JP1243531A 1989-09-21 1989-09-21 ディレイ回路 Pending JPH03108199A (ja)

Priority Applications (1)

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JP1243531A JPH03108199A (ja) 1989-09-21 1989-09-21 ディレイ回路

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JP1243531A JPH03108199A (ja) 1989-09-21 1989-09-21 ディレイ回路

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JPH03108199A true JPH03108199A (ja) 1991-05-08

Family

ID=17105284

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JP1243531A Pending JPH03108199A (ja) 1989-09-21 1989-09-21 ディレイ回路

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JP (1) JPH03108199A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008198298A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008198298A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置

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