JPH03102843A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH03102843A JPH03102843A JP24002789A JP24002789A JPH03102843A JP H03102843 A JPH03102843 A JP H03102843A JP 24002789 A JP24002789 A JP 24002789A JP 24002789 A JP24002789 A JP 24002789A JP H03102843 A JPH03102843 A JP H03102843A
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- lead wire
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuit device
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- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特にＴＡ Ｂ（
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）に適
用して有効な技術に関するものである。
Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）に適
用して有効な技術に関するものである。
半導体集積回路装置の多ビン化に好適な実装方式として
ＴＡＢ （フィルムキャリャ）が注目されている。ＴＡ
Ｂは、第８図に示すように、ポリイミド樹脂のような耐
熱プラスチック材料からなるフィルム２０の一面にＣｕ
などの導電材料からなるリード配線２１をパターン形成
した構或になっている。リード配線２１の一端（インナ
リード部〉ハ、フィルム２０の一部に開口されたデバイ
スホール２２内に突出し、このデバイスホール２２内に
配置された半導体チップ２３と電気的に接続されている
。半導体チップ２３は、水分などの浸入による電気特性
の劣化を防止するため、その表面がエポキシ樹脂などの
ポッティング樹脂２４で被覆されている。
ＴＡＢ （フィルムキャリャ）が注目されている。ＴＡ
Ｂは、第８図に示すように、ポリイミド樹脂のような耐
熱プラスチック材料からなるフィルム２０の一面にＣｕ
などの導電材料からなるリード配線２１をパターン形成
した構或になっている。リード配線２１の一端（インナ
リード部〉ハ、フィルム２０の一部に開口されたデバイ
スホール２２内に突出し、このデバイスホール２２内に
配置された半導体チップ２３と電気的に接続されている
。半導体チップ２３は、水分などの浸入による電気特性
の劣化を防止するため、その表面がエポキシ樹脂などの
ポッティング樹脂２４で被覆されている。
ところでＴＡＢは、その基板が可撓性のフイルムで構或
されているという利点を活かし、フイルムを折り曲げた
状態で電子機器に実装する場合がある。このような場合
には、フィルムを折り曲げ易くするため、前記第８図に
示すように、フィルム２０の一部（折り曲げ箇所〉にス
リット２５が設けられる。なお、このようなＴＡＢの実
装方式については、例えば工業調査会、平戊ｌ年７月１
日発行の「電子材料」に記載されている。
されているという利点を活かし、フイルムを折り曲げた
状態で電子機器に実装する場合がある。このような場合
には、フィルムを折り曲げ易くするため、前記第８図に
示すように、フィルム２０の一部（折り曲げ箇所〉にス
リット２５が設けられる。なお、このようなＴＡＢの実
装方式については、例えば工業調査会、平戊ｌ年７月１
日発行の「電子材料」に記載されている。
ところが近年のＴＡＢのリード配線は、その厚さが３０
〜４０μｍ程度と薄く、またその幅も８０μｍ以下と狭
くなっているため、強度が極めて弱い。そのため、フィ
ルムを折り曲げた際にリード配線に引張り応力が集中し
、折り曲げ箇所（スリット内）でリード配線が断線する
という問題があった。
〜４０μｍ程度と薄く、またその幅も８０μｍ以下と狭
くなっているため、強度が極めて弱い。そのため、フィ
ルムを折り曲げた際にリード配線に引張り応力が集中し
、折り曲げ箇所（スリット内）でリード配線が断線する
という問題があった。
本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、ＴＡＢのフィルムを折り曲げ易くする
とともに、リード配線の断線を有効に防止することので
きる技術を提供することにある。
り、その目的は、ＴＡＢのフィルムを折り曲げ易くする
とともに、リード配線の断線を有効に防止することので
きる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本願の一発明は、フィルムの一面にリード配線を形成し
、このリード配線の一端に半導体チップを接続するとと
もに、前記フィルムのリード配線が形成されていない領
域に所定の方向に沿って複数の開孔を設けた半導体集積
回路装置である。
、このリード配線の一端に半導体チップを接続するとと
もに、前記フィルムのリード配線が形成されていない領
域に所定の方向に沿って複数の開孔を設けた半導体集積
回路装置である。
フィルムの一部に所定の方向に沿って複数の開札を設け
ることにより、この間孔に沿ってフィルムを容易に折り
曲げることが可能となる。他方、リード配線の下面には
フィルムが存在しているため、フイルムを折り曲げた際
にリード配線に引張り応力が集中することはないので、
折り曲げ箇所でリード配線が断線するのを防止すること
ができる。
ることにより、この間孔に沿ってフィルムを容易に折り
曲げることが可能となる。他方、リード配線の下面には
フィルムが存在しているため、フイルムを折り曲げた際
にリード配線に引張り応力が集中することはないので、
折り曲げ箇所でリード配線が断線するのを防止すること
ができる。
〔実施例１〕
本発明の一実施例であるＴＡＢは、第３図に示すように
、例えばポリイミド樹脂からなるフイノレム１の一面に
、例えばＣｕからなるリード配線２をパターン形成した
構戊になっている。リード配線２の一端（インナリード
部〉は、フィルム１の一部に開口されたデバイスホール
３内に突出し、このデバイスホール３内に配置された半
導体チツブ４の第３図では図示しないバンブ電極５と電
気的に接続されている。半導体チツプ４は、水分などの
浸入による電気特性の劣化を防止するため、その表面が
エポキシ樹脂などのポツテイング樹脂６で被覆されてい
る。
、例えばポリイミド樹脂からなるフイノレム１の一面に
、例えばＣｕからなるリード配線２をパターン形成した
構戊になっている。リード配線２の一端（インナリード
部〉は、フィルム１の一部に開口されたデバイスホール
３内に突出し、このデバイスホール３内に配置された半
導体チツブ４の第３図では図示しないバンブ電極５と電
気的に接続されている。半導体チツプ４は、水分などの
浸入による電気特性の劣化を防止するため、その表面が
エポキシ樹脂などのポツテイング樹脂６で被覆されてい
る。
上記ＴＡＢは、フイルム１を折り曲げた状態で電子機器
に実装される場合がある。そこで本実施例１のＴＡＢは
、フィルム１を折り曲げ易くするためにフィルム１の一
部に所定の方向に沿って複数の開孔７を設けている。第
ｌ図、第２図（ａ），（ｂ）に示すように、これらの開
孔７は、リード配線２が形成されていない領域、すなわ
ち互いに隣接するリード配線２，２間に設けられている
。開孔７は、例えばフィルム１上にレーザビームを照射
することにより形成することができる。開孔７は、また
エッチング法によっても形成することができる。
に実装される場合がある。そこで本実施例１のＴＡＢは
、フィルム１を折り曲げ易くするためにフィルム１の一
部に所定の方向に沿って複数の開孔７を設けている。第
ｌ図、第２図（ａ），（ｂ）に示すように、これらの開
孔７は、リード配線２が形成されていない領域、すなわ
ち互いに隣接するリード配線２，２間に設けられている
。開孔７は、例えばフィルム１上にレーザビームを照射
することにより形成することができる。開孔７は、また
エッチング法によっても形成することができる。
このように本実施例１では、フィルム１の一部に所定の
方向に沿って複数の開孔７を設けたので、この開孔７に
沿ってフィルム１を容易に折り曲げることができる。ま
た開孔７は、リード配線２が形成されていない領域にの
み設けられているため、リード配線２の下面にはフィル
ム１が常に存在している。従って、フィルム１を折り曲
げた際、折り曲げ箇所のリード配線２に引張り応力が集
中することはないので、リード配線２の断線を確実に防
止することができる。
方向に沿って複数の開孔７を設けたので、この開孔７に
沿ってフィルム１を容易に折り曲げることができる。ま
た開孔７は、リード配線２が形成されていない領域にの
み設けられているため、リード配線２の下面にはフィル
ム１が常に存在している。従って、フィルム１を折り曲
げた際、折り曲げ箇所のリード配線２に引張り応力が集
中することはないので、リード配線２の断線を確実に防
止することができる。
〔実施例２〕
本実施例２のＴＡＢは、フィルムｌを折り曲げ易くする
ための手段として、第４図、第５図（ａ）・（ｂｌ ＋
．：示すように・フイルムｌの裏面側に所定の方向に沿
って延在する長溝８を設けている。この長ａ８は、その
深さがフィルム１の膜厚よりも小さいので、長溝８の内
部でリード配線２の下面が露出することはない。すなわ
ち、長ａ８とリード配線２の下面との間には、他の領域
に比べて膜厚が薄いフィルム１が存在している。この長
構８は、例えばレーザビームや赤外線をフィルム１の裏
面側に照射してフィルム１を軟化、溶融させることによ
り形成することができる。長溝８は、またエッチング法
によっても形成することができる。
ための手段として、第４図、第５図（ａ）・（ｂｌ ＋
．：示すように・フイルムｌの裏面側に所定の方向に沿
って延在する長溝８を設けている。この長ａ８は、その
深さがフィルム１の膜厚よりも小さいので、長溝８の内
部でリード配線２の下面が露出することはない。すなわ
ち、長ａ８とリード配線２の下面との間には、他の領域
に比べて膜厚が薄いフィルム１が存在している。この長
構８は、例えばレーザビームや赤外線をフィルム１の裏
面側に照射してフィルム１を軟化、溶融させることによ
り形成することができる。長溝８は、またエッチング法
によっても形成することができる。
このように本実施例２では、フィルムｌの裏面の一部に
所定の方向に沿って長ａ８を設けたので、この長溝８に
沿ってフィルム１を容易に折り曲げることができる。ま
た長溝８は、その深さがフィルム１の膜厚よりも小さい
ので、リード配線２の下面には膜厚の薄いフィルムｌが
存在している。
所定の方向に沿って長ａ８を設けたので、この長溝８に
沿ってフィルム１を容易に折り曲げることができる。ま
た長溝８は、その深さがフィルム１の膜厚よりも小さい
ので、リード配線２の下面には膜厚の薄いフィルムｌが
存在している。
従って、フィルム１を折り曲げた際、折り曲げ箇所のリ
ード配線２に引張り応力が集中することはないので、リ
ード配線２の断線を確実に防止することができる。
ード配線２に引張り応力が集中することはないので、リ
ード配線２の断線を確実に防止することができる。
〔実施例３〕
ＴＡＢは、フィルム強度の補強やリード配線の保護を目
的として、フィルムの表面に合或樹脂からなる絶縁膜を
積層する場合がある。この絶縁膜は、例えばスクリーン
印刷法を用いてフィルムの表面に被着される。このよう
な場合には、第６図、第７図（ａ），（ｂ）に示すよう
に、フィルム１の表面に絶縁膜９を被着する際にフィル
ム１の一部をマスキングして長溝１０を形成することが
できる。この長溝ｌＯは、前記実施例２の長ａ８と異な
り、その内部でリード配線２が露出していても支障はな
い。
的として、フィルムの表面に合或樹脂からなる絶縁膜を
積層する場合がある。この絶縁膜は、例えばスクリーン
印刷法を用いてフィルムの表面に被着される。このよう
な場合には、第６図、第７図（ａ），（ｂ）に示すよう
に、フィルム１の表面に絶縁膜９を被着する際にフィル
ム１の一部をマスキングして長溝１０を形成することが
できる。この長溝ｌＯは、前記実施例２の長ａ８と異な
り、その内部でリード配線２が露出していても支障はな
い。
上記長溝１０を設けることにより、この長溝１０に沿っ
てフィルム１を容易に折り曲げることが可能となる。ま
た、この場合もリード配線２の下面にはフィルム１が存
在しているので、フィルム１を折り曲げた際、折り曲げ
箇所でリード配線２が断線するのを確実に防止すること
ができる。
てフィルム１を容易に折り曲げることが可能となる。ま
た、この場合もリード配線２の下面にはフィルム１が存
在しているので、フィルム１を折り曲げた際、折り曲げ
箇所でリード配線２が断線するのを確実に防止すること
ができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例ニ限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しナイ範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例ニ限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しナイ範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説咽すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説咽すれば、下記のとおりで
ある。
（１）．フィルムの一面にリード配線を形成し、このリ
ード配線の一端に半導体チップを接続するとともに、前
記フィルムのリード配線が形成されていない領域に所定
の方向に沿って複数の開孔を設けた本発明の半導体集積
回路装置によれば、前記開孔に沿ってフィルムを容易に
折り曲げることが可能となるとともに、折り曲げ箇所で
リード配線が断線するのを防止することができる。
ード配線の一端に半導体チップを接続するとともに、前
記フィルムのリード配線が形成されていない領域に所定
の方向に沿って複数の開孔を設けた本発明の半導体集積
回路装置によれば、前記開孔に沿ってフィルムを容易に
折り曲げることが可能となるとともに、折り曲げ箇所で
リード配線が断線するのを防止することができる。
（２）．フィルムの一面にリード配線を形成し、このリ
ード配線の一端に半導体チップを接続するとともに、前
記フィルムの裏面側に所定の方向に沿ってフィルムの膜
厚が薄くなるように長溝を設けた本発明の半導体集積回
路装置によれば、前記長溝に沿ってフィルムを容易に折
り曲げることが可能となるとともに、折り曲げ箇所でリ
ード配線が断線するのを防止することができる。
ード配線の一端に半導体チップを接続するとともに、前
記フィルムの裏面側に所定の方向に沿ってフィルムの膜
厚が薄くなるように長溝を設けた本発明の半導体集積回
路装置によれば、前記長溝に沿ってフィルムを容易に折
り曲げることが可能となるとともに、折り曲げ箇所でリ
ード配線が断線するのを防止することができる。
（３）．フィルムの一面にリード配線を形成し、このリ
ード配線の一端に半導体チップを接続するとともに、前
記リード配線を被覆する絶縁膜に所定の方向に沿って長
溝を設けた本発明の半導体集積回路装置によれば、前記
（２）と同様の効果を得ることができる。
ード配線の一端に半導体チップを接続するとともに、前
記リード配線を被覆する絶縁膜に所定の方向に沿って長
溝を設けた本発明の半導体集積回路装置によれば、前記
（２）と同様の効果を得ることができる。
第１図は、本発明の一実施例である半導体集積回路装置
の要部拡大平面図、 第２図（ａ）は、第１図の［ａ−ｌａ線断面図、第２図
（ｂ）は、第１図の■ｂ−■ｂ線断面図、第３図は、こ
の半導体集積回路装置の平面図、第４図は、本発明の他
の実施例である半導体集積回路装置の要部拡大平面図、 第５図（，ａ）は、第４図のｖａ−Ｖａ線断面図、第５
図（ｌ））は、第４図のｖｂ−ｖｂ線断面図、第６図は
、本発明のさらに他の実施例である半導体集積回路装置
の要部拡大平面図、 第７図（ａ）は、第６図の■ａ−■ａ線断面図、第７図
（８）は、第６図の■ｂ−■ｂ線断面図、第８図は、従
来の半導体集積回路装置の平面図である。 １．２０・・・フィルム、２．２１・・・リード配線、
３．２２・・・デバイスホール、４，２３・・・半導体
チップ、５・・・バンブ電極、６，２４・・・ボッティ
ング樹脂、７・・・開孔、８，ｌＯ・・．・長溝、２５
・・・スリット。 第 ３ 図 第 ６ 図 第 ８ 図 ２０
の要部拡大平面図、 第２図（ａ）は、第１図の［ａ−ｌａ線断面図、第２図
（ｂ）は、第１図の■ｂ−■ｂ線断面図、第３図は、こ
の半導体集積回路装置の平面図、第４図は、本発明の他
の実施例である半導体集積回路装置の要部拡大平面図、 第５図（，ａ）は、第４図のｖａ−Ｖａ線断面図、第５
図（ｌ））は、第４図のｖｂ−ｖｂ線断面図、第６図は
、本発明のさらに他の実施例である半導体集積回路装置
の要部拡大平面図、 第７図（ａ）は、第６図の■ａ−■ａ線断面図、第７図
（８）は、第６図の■ｂ−■ｂ線断面図、第８図は、従
来の半導体集積回路装置の平面図である。 １．２０・・・フィルム、２．２１・・・リード配線、
３．２２・・・デバイスホール、４，２３・・・半導体
チップ、５・・・バンブ電極、６，２４・・・ボッティ
ング樹脂、７・・・開孔、８，ｌＯ・・．・長溝、２５
・・・スリット。 第 ３ 図 第 ６ 図 第 ８ 図 ２０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フィルムの一面に形成されたリード配線の一端を半
導体チップに接続してなる半導体集積回路装置であって
、前記フィルムのリード配線が形成されていない領域に
所定の方向に沿って複数の開孔を設けたことを特徴とす
る半導体集積回路装置。 ２、フィルムの一面に形成されたリード配線の一端を半
導体チップに接続してなる半導体集積回路装置であって
、前記フィルムの裏面側に所定の方向に沿ってフィルム
の膜厚が薄くなるように長講を設けたことを特徴とする
半導体集積回路装置。 ３、フィルムの一面に形成されたリード配線の一端を半
導体チップに接続してなる半導体集積回路装置であって
、前記リード配線を被覆する絶縁膜に所定の方向に沿っ
て長溝を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24002789A JPH03102843A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24002789A JPH03102843A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102843A true JPH03102843A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17053379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24002789A Pending JPH03102843A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0499835U (ja) * | 1991-02-04 | 1992-08-28 | ||
| US7797016B2 (en) | 2002-08-07 | 2010-09-14 | Extricom Ltd. | Wireless LAN with central management of access points |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP24002789A patent/JPH03102843A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0499835U (ja) * | 1991-02-04 | 1992-08-28 | ||
| US7797016B2 (en) | 2002-08-07 | 2010-09-14 | Extricom Ltd. | Wireless LAN with central management of access points |
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