JPH0310258A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関するものであり、特にプリ
ンタ、複写機等にを効に用いることかでき、半導体レー
ザ光及ＬＥＤに対して高感度を示す電子写真感光体に関
するものである。

〔従来技術〕

電子写真感光体としては、古くからセレン、酸化亜鉛、
硫化カドミウム等の無機光導電物質を主成分とする感光
層を設けた無機感光体か広く使用されてきたか、このよ
うな無機感光体は例え１：Ｉ、セレンは熱や指紋の汚れ
等によって結晶化するために特性が劣化しやすく、硫化
カドミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛も又耐久
性に劣る等の問題があって、近年は種々の利点を有する
有機光導電性物質が広く電子写真感光体に用いられるよ
うになってきた。なかでもフタロシアニン化合物は光電
変換の量子効率が高く、又近赤外線領域まで高い分光感
度を示すため、特に半導体レーザ光源に適応する電子写
真感光体用として注目されてきた。

そのような目的に対して、銅フタロシアニン、無金属フ
タロシアニン、クロルインジウムフタロシアニン、クロ
ルガリウムフタロシアニンなどを用いた電子写真感光体
が報告されているが、近年特にチタニルフタロシアニン
が注目されるようになり、例えば特開昭６１−２３９２
４８号、同６２−６７０９４３号、同６２−２７２２７
２号、同６３−１１６１５８号のようにチタニルフタロ
シアニンを用いた電子写真感光体が多く技術開示されて
いる。

一般に、フタロシアニン化合物は、フタロジニトリルや
１，３−ジイミノイソインドリンなとと金属化合物を反
応させて製造されるか、電子写真感光体用のチタニルフ
タロシアニンの製造においては、反応性の点で専ら四塩
化チタンが原料として用いられてきた。例えば、チタニ
ルフタロシアニンに構造の類似したバナジルフタロシア
ニンの製造においては塩化バナジルや、バナジルアセチ
ルアセト不イトなどが原料として使用可能であるが、チ
タニル７りロシアニンの製造においてはチタニルアセチ
ルアセトネイトを原料として用いると収率が著しく低下
し、純度もまた低下する。このため、電子写真感光体用
のチタニルフタロシアニンの製造法としては、上述の特
開昭６１−２３９２４８号、同６２６７０９４３号、同
６２−２７２２７２号、同６３−１１６１５８号の他に
も、特開昭６１−１７１７７１号、同６１−１０９０５
６号、同５９１６６９５９号、同６２−２５６８６８号
、同６２−２５６８６６号、同６２２５６８６７号、同
６３−８０２６３号、同６２−２８６０５９号、同６３
３６６号、同６３−３７１．６３号、同６２−１３４６
５１号に開示されているがこれらの全ての場合において
四塩化チタンを用いた方法がとられている。

〔発明が解決しよとする問題点〕

前記のようなチタン塩化物を原料に用いた場合には、フ
タロシアニン核の塩素反応が伴われる。

その上従来の製造法においては１８０°Ｃ以上の高温度
条件を必要とするために塩素化の副反応を促進する原因
ともなっている。このため従来のチタニルフタロシアニ
ンには、かなりの量の塩素化チタニルフロシアニンの含
有は避けられず、又−旦混入した塩素化チタニルフタロ
シアニンは無置換のチタニルフタロシアニンと物理的、
化学的な特性が類似しているため、再結晶や昇華精製に
よってさえ殆ど除去不能であり、従来、電子写真感光体
に用いられていたチタニルフタロシアニンは塩素化合物
を含んだものであった。例えば上述の公開公報に開示さ
れたチタニルフタロシアニンの製造例における塩素含有
量の実測値を挙げると表１の（注）Ｍ”−６１０は一塩
素化チタニルフタロシアニンに対応する。

このように従来のチタニルフタロシアニンにおいてはＱ
、４ｗｔ％程度の塩素の含有は避けられないものであっ
た。塩素原子としてのＱ、４ｗｔ％という値は、−塩素
化チタニルフタロシアニン濃度に換算すると７．（ｈｔ
％（６，６モル％）の含有量に相当するものであり、不
純物濃度としては非常に高い値である。

方、フタロシアニン化合物の電子写真特性は、その結晶
状態によって著しく異なり、チタニルフタロシアニンに
おいても特定の結晶型を有するときに優れた特性が得ら
れることが知られている。

このうよに構造敏感な性質を持つ電子写真材料において
、不純物の存在は構造的な欠陥部位を導入することにな
り、特定の結晶型の持つ優れた電子写真特性を損わせる
原因となるものである。

そのような点に関して、我々は高純度のチタニルフタロ
シアニンを得るべく鋭意検討を行った結果、塩素化反応
を伴わない製造法を適用することに成功し、そうして得
られた塩素含有量の少ないチタニル７りロシアニンを特
定の結晶構造にすることによって、優れた電子写真感光
体を作成することができたものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、高感度にしてかつ残留電位が小さく、
電位特性が安定しているような優れた電子写真感光体を
提供することにある。

本発明の他の目的は、特に電位保持能に優れ、帯電電位
の安定した電子写真感光体を提供することにある。

〔発明の構成及び作用効果〕

本発明の上記の目的は、Ｃｕ−にα線に対するＸ線回折
スペクトルがブラッグ角２θの７．５゜±０．２゜、ｌ
０１３゜±０．２゜、２２．５゜±０，２゜、２５．４
゜±０．２゜、２８．６゜±０．２°にピークを示す結
晶型を有し、かつ塩素の含有量が０．２ｗｔ％以下、好
ましくは０．１ｗｔ％以下のチタニルフタロシアニンを
感光層中に含有させることによって達成することができ
る。

Ｘ線回折スペクトルは次の条件で測定され、前記ピーク
とは、ノイズと明瞭に異なった鋭角の突出部のことであ
る。

Ｘ線管球　　　　　Ｃｕ 電　　圧　　　　　　　　　　４０．ＯＫＶ電　　流　
　　　　　　　　１００　　　　　　　　　　　　ｍＡ
スタート角度　　　６．Ｏｄｅｇ。

ストップ角度　　　３５．Ｏｄｅｇ。

ステップ角度　　　　０．０２　　　　　　　ｄｅｇ。

測定時間　　　　　０．５０ 塩素含有量は通常の元素分析測定によっても決定される
が、三菱化成社製塩素・硫黄分析装置ｒＴＳＸ−１Ｏ」
を用いた元素分析によって決定することもできる。

本発明において最も望ましい塩素含有量としては、これ
らの測定方法において、検出限界以下となるものである
。

本発明のチタニルフタロシアニンは下記−一般式〔工〕
で表されるチタン化合物を用いることによって、塩素化
を伴わずに、高純度で製造することが一般式〔工〕 １ Ｘａ　　Ｔｉ　　Ｘ２　’　（Ｙ）ｎ ３ 式中、Ｘ、、Ｘ２、Ｘ３、島は−ＯＲ，、−３Ｒ２、−
０ＳＯｚＲ３１ 一肘ＯＲ，を表す。

Ｒ５ ココテ、Ｒ１−Ｒ５は水素原子、アルキル基、アルケニ
ル基、アリール基、アラルキル基、アリール基、アリロ
イル基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基を
有してもよい。又Ｘ１〜Ｘ、は任意の組合せによって結
合し、環を形成してもよい。

Ｙは、配位子を表し、ｎは０．１，２を表す。なかでも
特にＸ１〜ｘ４が−ＯＲ，であるものは、反応性や、取
扱い易さ、価格などの点で、望ましいものとして挙げる
ことができる。

製造方法としては種々の反応一般式が可能であるが、代
表的な方法として、次の反応式で表される方法が用いら
れる。

式中Ｒ１〜Ｒ１６は１、水素原子もしくは置換基を表す
。

本発明におけるこのような製造方法においては活性な塩
素の攻撃を受けることがないので、フタロシアニン核の
塩素化を回避することができる。

又従来の四塩化チタンを用いる方法に比べて反応性が高
く、より穏やかな環境下で反応を進行させることがでる
ため製造条件にとって有利であるはｊ かつてなく、副反応を防止し不純物を最小に抑えること
ができるもである。

本反応において有用なチタン化合物の具体例を次に示す
。

（１）　　　（Ｃ４Ｈ９０）４ＴＩ （２）　　　（ｉ　　ＣＪ７０）ａＴｉ（３）　　　（
Ｃ２ＨｓＯ）ａＴｉ （４）　　　（Ｉ　　Ｃ４８９０）４Ｔ１（５）　　　
（ｃ＋　ＩＩＨ３７０）＜Ｔｊ（６）　　　（Ｃ３Ｈｙ
Ｏ）４ｉ （７）　　　（Ｉ　　Ｃ３Ｈ７０）２ＴＩ（ＣＨ３ＣＯ
ＣＨＣＯＣＨ３）２（８）　　　（ＨＯＣＯＣＨＯ）２
Ｔ１（ＯＨ）２Ｈ３ （１０）　　　　（ＣｇＨ＋　７０）４Ｔ１　［Ｐ（Ｏ
Ｃ３ｔｂ）２１２Ｈ ＣＨ３ ２ （１２） Ｉ ｉ　　Ｃ３Ｈ７０Ｔ１［ＯＰ　　０ Ｉ Ｐ（ＯＣｓＨ＋　７）２］　ｓ ０■ （１３） ｉ　　Ｃ３Ｈ７０Ｔｉ（ＯＣ２Ｈ４ＮＨＣ２Ｈ＋ＮＨｚ
）ａ（１４） （ｃｓｕ１７ｏ）４Ｔｉ［ｐ（ｏｃｌｓｕ２７）２］２
Ｈ （１５） ［（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２０ＣＨ２）２ＣＣＨ２Ｏ］　Ｊ
ｉ　［Ｐ（ＯＣ＋　３Ｈ２７）２］　ｘＣ２Ｈ５０Ｈ 反応の溶媒としては種々のものを用いることが可能であ
る。例えばジオキサン、シクロヘキサン、スルホラン、
ジメチルスルホキシド、ジメチルポルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、メチルペンタノン等の脂肪族溶媒、ク
ロルベンゼン、ジクロルベンゼン、ブロムベンゼン、ニ
トロベンゼン、クロルナフタレン、テトラリン、ピリジ
ン、キノリン等の芳香族溶媒などが代表的なものとして
挙げられるが、高純度の生成物を得るためには、チタニ
ルフタロシアニンに対しである程度の溶解性を持つもの
が望ましい。

反応温度は、チタンカップリング剤の種類によって異な
るが、だいたい１００〜１８０　’Ｏで行うことができ
る。この点でも従来の反応が１８０〜２４０　’Ｏとい
う高温を必要としていたのに対して、副反応防止という
観点から有利である。

こうして得られた高純度のチタニルフタロシアニンは適
当な溶媒で処理することによって、目的の結晶型を得る
ことができが、処理に用いられる装置としては一般的な
撹拌装置の他に、ホモミキザー　ディスバイザ、アジタ
ー、或いはボールミル、サンドミル、アトライタ等を用
いることができる。

本発明の電子写真感光体において、上記のチタニルフタ
ロシアニンはキャリア発生物質として用いられるが、そ
の他に、他のキャリア発生物質を併用してもよい。その
ようなキャリア発生物質としては本発明とは結晶型にお
いて異なるチタニルフタロシアニンをはしめ、他のフタ
ロシアニン顔料、アゾ顔料、アントラキノン顔料、ペリ
レン顔料、多環キノン顔料、スクェアリウム顔料等が挙
げられる。

本発明の感光体におけるキャリア輸送物質としては、種
々のものが使用できるが、代表的なものとしては例えば
、オキサゾール、オキサジアゾール、チタノール、チア
ジアゾール、イミダゾール等に代表される含窒素複素環
核及びその縮合環核を有する化合物、ポリアリールアル
カン系の化合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化
合物、１−リアリールアミン系化合物、スチリル系化合
物、スチリルトリフェニルアミン系化合物、β−フェニ
ルスチリルトリフェニルアミン系化合物、ブタジェン系
化合物、ヘキサトリエン系化合物、カルバゾール系化合
物、縮合多環系化合物等が挙げられる。これらのキャリ
ア輸送物質の具体例としては、例えば特開昭６１−１０
７３５６号に記載のキャリア輸送物質を挙げることがで
きるが、特に代表的なものの構造を次に示す。

−１ ５ ６− −６− −７− −８ −５ −９ Ｔ−１０ Ｔ−１４ −１１ −１５ −１３ −１７ ２Ｈ５ ９ −１８ −１９ 感光体の構成は種々の形態が知られている。本発明の感
光体はそれらのいずれの形態をもとりうるが、積層型も
しくは分散型の機能分離型感光体とするのが望ましい。

この場合、通常は第１図から第６図のような構成となる
。第１図に示ず層構成は、導電性支持体■上にキャリア
発生層２を形成し、これにキャリア輸送層３を積層して
感光層４を形成したものであり、第２図はこれらのキャ
リア発生層２とキャリア輸送層３を逆にした感光層４′
を形成したものである。第３図は第１図の０ 層構成の感光層４と導電性支持体１の間に中間層５を設
け、第４図は第２図の層構成の感光層４′と導電性支持
体ｌとの間に中間層５を設けたものである。第５図の層
構成はキャリア発生物質６とキャリア輸送物質７を含有
する感光層４″を形成したものであり、第６図はこのよ
うな感光層４″と導電性支持体ｌとの間に中間層５を設
けたものである。

第１図〜第６図の構成において、最表層には、更に、保
護層を設けることができる。

感光層の形成においては、キャリア発生物質或はキャリ
ア輸送物質を単独で、もしくはバインダや添加剤ととも
に溶解させた溶液を塗布する方法が有効である。しかし
又、一般にキャリア発生物質の溶解度は低いため、その
ような場合キャリア発生物質を超音波分散機、ボールミ
ル、サンドミル、ホモミキサー等の分散装置を用いて適
当な分散媒中に微粒子分散させた液を塗布する方法が有
効となる。この場合、バインダや添加剤は分散液中に添
加して用いられるのが通常である。

感光層の形成に使用される溶剤或は分散媒としては広く
任意のものを用いることができる。例えば、ブチルアミ
ン、エチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、
テ１−ラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、酢酸
ブチル、メチルセルソルフ、エチルセルソルブ、エチレ
ングリコールジメチルエーテル、トルエン、キシレン、
アセトフェノン、クロロホルム、ジクロルメタン、ジク
ロルエタン、トリクロルエタン、メタノール、エタノー
ル、プロパツール、ブタノール等が挙ケられる。

キャリア発生層もしくはキャリア輸送層の形成にバイン
ダを用いる場合に、バインダとして任意のものを選ぶこ
とができるが、特に疎水性でかつフィルム形成能を有す
る高分子重合体が望ましい。

このような重合体どしては例えば次のものを挙げること
ができるが、これらに限定されるものではない。

ポリカーボネート、ポリカーボネートＺ樹脂、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリスチレン、スチレンブタジェン共重合体、
ポリ酢酸ビニル、ポリビニルホルマール、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルアセクール、ポリビニルカルバゾ
ール、スチレン−アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、シ
リコーンアルキッド樹脂、ポリエステル、フェノール樹
脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、塩化ビニリデン−ア
クリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体。

バインダに対するキャリア発生物質の割合は１０〜６０
０ｗｔ％が望ましく、更には５０〜４００ｗｔ％が好ま
しい。バインダに対するキャリア輸送物質の割合は１０
〜５００ｗｔ％とするのが望ましい。キャリア発生層の
厚さは、０．０１〜２０μｍとされるが、更には０．０
５〜５μｍが好ましい。キャリア輸送層の厚みは１〜１
００μｍであるが、更には５〜３０μｍが好ましい。

上記感光層には感度の向上や残留電位の減少、３ ４ 或いは反復使用時の疲労の低減を目的として、電子受容
性物質を含有させることができる。このような電子受容
性物質としては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、
ジブロム無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水
フタル酸、テトラブロム無水７タル酸、３−ニトロ無水
７タル酸、４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット
酸、無水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニト
ロベンゼン、１，３．５−１−ジニトロベンゼン、ｐ−
ニトロベンゾニトリル、ピクリルクロライド、キノンク
ロルイミド、クロラニル、ブロマニル、ジクロルジシア
ノ−ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロアン
トラキノン、９−フルオレニリデンマロノジニトリル、
ポリニトロ−９−フルオレニリデンマロノジニトリル、
ピクリン酸、Ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸
、３．５−ジニトロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸
、５−ニトロサリチル酸、３，５ジニトロサリチル酸、
７タル酸、メリット酸、その他の電子親和力の大きい化
合物を挙げることができる。電子受容性物質の添加割合
はキャリア発生物質の重量１００に対して０．０１−２
００ｗｔ／ｗｔが望ましく、更には０，１〜１００ｗｔ
／ｗｔが好ましい。

又、上記感光層中には保存性、耐久性、耐環境依存性を
向上させる目的で酸化防止剤や光安定剤等の劣化防止剤
を含有させることができる。そのような目的に用いられ
る化合物としては例えば、トコロフエロール等のクロマ
ノール誘導体及びそのエーテル化化合物もしくはエステ
ル化化合物、ボリアリールアルカン化合物、ハイドロキ
ノン誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化合物、ベン
ゾフェノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、チオエ
ーテル化合物、ホスホン酸エステル、亜燐酸エステル、
フェニレンジアミン誘導体、フェノール化合物、ヒンダ
ードフェノール化合物、直鎖アミン化合物、環状アミン
化合物、ヒンダードアミン化合物、などが有効である。

特に有効な化合物ノ具体例トシテハ、ｒｌＲＧＡＮＯＸ
　１０１０ｊ、　ｒｌＲＧＡＮＯＸ５６５Ｊ　（チバ・
ガイギー社製）、［スミライザーＢＨＴＪ　。

「スミライザー＋１１ＤＰＪ　（住人化学工業社製）等
のヒンダートフェノール化合物、［ザノールＬＳ−２６
２６Ｊ「サノールＬＳ−６２２ＬＤＪ　（三基社製）等
のヒンダードアミン化合物が挙げられる。

中間層、保護層等に用いられるバインダとしては、上記
のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に挙げたものを
用いることができるが、その他にポリアミド樹脂、エヂ
レンー酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル−無
水マレイン酸共重合体、エチレン−酢酸ビニル−メタク
リル酸共重合体等のエチレン系樹ｆｌＬホリヒニルアル
コール、セルロース誘導体等が有効である。又、メラミ
ン、エポキシ、インシアネート等の熱硬化或いは化学的
硬化を利用した硬化型のバインダを用いることができる
。

導電性支持体としては、金属板、金属ドラムが用いられ
る他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の導電性化合
物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の金属の薄層
を塗布、蒸着、ラミネート等の手段により紙やプラスチ
ックフィルムなどの基体の上に設けたものを用いること
ができる。

本発明の感光体は以上のような構成であって、以下の実
施例からも明らかなように、帯電特性、感度特性、繰返
し特性に優れたものである。

（実施例〕 次に本発明における具体的な実施例を示す。

合成例１ １．３−ジイミノイソインドリン；２９．２ｇとスルホ
ラン；２００ｍｆｆを混合し、チタニウムトライソプロ
ポキシド；　１７．Ｏｇを加え、窒素雰囲気下に１４０
°Ｃで２時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、
クロロホルムで洗浄、２％−塩酸水溶液で洗浄、水洗、
メタノール洗浄して、乾燥の後２５．５ｇ（８８，８％
）のチタニルフタロシアニンを得た。元素分析法におい
て塩素は検出限界以下であった。

生成物は２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取した後ウェットケーキを０−ジ
クロルベンゼンで処理して第７図に示すＸ線回折スペク
トルをもつ結晶をとした。

合成例２ １．３−ジイミノイソインドリン；２９．２ｇとび一ク
ロア ルナフタレン；２００ｍｆ２を混合し、チタニウムテト
ラブトキシド；２０．４ｇを加えて窒素雰囲気下に１４
０〜１５０°Ｃで２時間加熱し、続いて１８０°Ｃで３
時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、スルホラ
ンで洗浄、次いでクロロホルムで洗浄し、更に２％塩酸
水溶液で洗浄、水洗、最後にメタノール洗浄して、乾燥
の後２６．２ｇ（９１．０％）のチタニルフタロシアニ
ンを得た。元素分析における塩素含有量の値は０．０８
ｗｔ％であった。

生成物は２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取した後にウェットケーキを１，
２−ジクロルエタンで処理して第８図に示すＸ線回折ス
ペクトルをもつ結晶型とした。

合成例３ 合成例Ｉで得たチタニルフタロシアニン；１．２ｇと後
述の比較合成例１で得たチタニルフタロシアニン；０．
８ｇを４０ｇの濃硫酸に溶かし、４００ｇの水にあけて
析出させて濾取し、ウェットケーキを１，２−ジクロル
エタンで処理して、塩素含有量０．１．９ｗｔ％の本発
明のチタニルフタロンアニンを得た。

比較合成例（１） フタロジニトリル；２５．６ｇとび一クロルナフタレン
；１５０ｍｆｆの混合物中に窒素気流下で６．５ｍ（２
の四塩化チタンを滴下し、２００〜２２０°Ｃの温度で
５時間反応させた。析出物を濾取し、α−クロルナフタ
レンで洗浄した後、クロロホルムで洗浄し、続いてメタ
ノールで洗浄した。次いでアンモニア水中で還流して加
水分解を完結させた後、水洗、メタノール洗浄し乾燥の
後、チタニルフタロシアニン；２１．８ｇ（７５．６％
）を得た。元素分析による塩素の含有量は０、４６ｔｖ
ｔ％であった。

生成物は１０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取した後にウェットケーキを１．
２−ジクロルエタンで処理して第９図に示すＸ線回折ス
ペクトルをもつ結晶型とした。

比較合成例（２） 合成例１で得たチタニルフタロシアニン；０．６ｇと比
較合成例（１）で得たチタニルフタロシアニン；１．４
ｇを４０ｇの濃硫酸に溶かし、４００ｇの水にあけて析
出させて濾取し、ウエツ）・ケーキを１．２−ジクロエ
タンで処理して、第１０図に示すＸ線回折スペクトルを
もつ結晶型とした。この場合の元素分析による塩素含有
量は０−３１ｗｔ％であった。

比較合成例（３） フタロジニトリル；２５．６ｇに代えて、フタロジニト
リル；２４．７ｇと４−クロル７タロジニトリルｉ１．
Ｏｇの混合物を用いた他は比較合成例１と同様にして、
塩素含有量１．１４ｗｔ％の比較用のチタニルフタロシ
アニンを得た。

実施例１ 合成例１において得られた第７図のＸ線回折パターンを
有するチタニルフタロシアニン；１部、バインダ樹脂と
してシリコーン変性樹脂、「Ｋ１３００Ｊ（信越化学社
製）；０．５部、分散媒としてイソプロパツール；１０
０部をサンドミルを用いて分散し、これをアルミニウム
を蒸着したポリエステルベース上にワイヤバーを用いて
塗布して、膜厚０．２μｍのキャリア発生層を形成した
、次いで、キャリア輸送物質Ｔ−１；１部とポリカーボ
ネート樹脂「ニーピロン　Ｚ２００Ｊ（三菱瓦斯化学社
製）ｉｌ、３部、及び添加剤として、「サノールＬＳ−
２６２６Ｊ（三基社製）０．０３部、微量のシリコーン
オイルｒＫＦ−５４Ｊ　（信越化学社製）を、１，２−
ジクロルエタン；１０部に溶解した液をブレード塗布機
を用いて塗布し乾燥した後、膜厚２０μｍのキャリア輸
送層を形成した。このようにして得られた感光体をサン
プル１とする。

実施例２ 合成例２で得た第８図のチタニルフタロシアニン；１部
、バインダ樹脂としてポリビニルブチラールｒＸＹＨＬ
Ｊ　（ユニオン・カーバイド社製）；１部、分散媒とし
てメチルエチルケトン；１００部を超音波分散装置を用
いて分散した。一方、アルミニウムを蒸着したポリエス
テルベース上にポリアミド樹脂ｒｃＭ８０００Ｊ　（東
し社製）からなる厚さ０．２μｍの中間層を設け、その
上に、先に得られた分散液を浸漬塗布法によって塗布し
て、膜厚０．３μｍのキャリア発生層を形成した。次い
でキャリア輸送物質Ｔ−２：１部とポリカーボネート樹
脂「パンライト　Ｋ１３００Ｊ（音大化成社製）；１．
３部及び微量のシリコンオイルｒｘｐ−５４）（信越化
学社製）を１．２−ジクロエ１ ２ タン１１０部に溶解した液を浸漬塗布法によって塗布し
て、乾燥の後、膜厚２２μｍのキャリア輸送層を形成し
た。

このようにして得られた感光体をサンプル２とする。

実施例３ 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
合成例３で得たチタニルフタロシアニンに代えた他は実
施例２と同様にして感光体を作成した。これをサンプル
３とする。

比較例（１） 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（１）で得た、第９図のＸ線回折ハターンヲ
持つ比較のチタニルフタロシアニンに代えた他は実施例
１と同様にして比較用の感光体を得た。これを比較サン
プル（１）とする。

比較例（２） 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（２）で得た、第１Ｏ図のＸ線回折パターン
を持つ比較のチタニルフタロシアニンに代えた他は実施
例２と同様にして比較用の感光体を得た。これを比較サ
ンプル（２）とする。

比較例（３） 実施例２における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（３）で得た、比較用のチタニルフタロシア
ニンに代えた他は実施例２と同様にして比較用の感光体
を得た。これを比較サンプル（３）とする。

（評価１） 以上のようにして得られたサンプルは、ペーパアナライ
ザ・ＥＰＡ−８１００（川口電気社製）を用いて、以下
のような評価を行った。まず、−８０μＡの条件で５秒
間のコロナ帯電を行い、帯電直後の表面電位Ｖａ及び５
秒間放置後の表面電位Ｖｉを求め、統いて表面照度が２
　（ｌ　ｕｘ）となるような露光を行い、表面電位を１
／２Ｖｉとするのに必要な露光量Ｅ１７２を求めた。又
Ｄ　−１００（Ｖａ−Ｖｉ）／　Ｖａ（％）の式より暗
減衰率りを求めた。結果は表１に示した。塩素含有量の
低下により特に電位保持能に優れた特性が得られる。

表１

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は本発明の感光体の層構成の具体例を示
した各断面である。 第７図及び第８図は本発明に係るチタニルフタロシアニ
ンのＸ線回折図、第９図及び第１Ｏ図比較合成例におい
て得られるチタニルフタロシアニンのＸ線回折図である
。 ■・・・導電性支持体　　２・・・キャリア発生層３・
・・キャリア輸送層　４．４’４″・・・感光層５・・
・中間層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｃｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルが、ブ
   ラッグ角２θの７．５゜±０．２゜、２２．５゜±０．
   ２゜、２５．４゜±０．２゜、２８．６゜±０．２゜に
   ピークを示す結晶型において、塩素含有量が０．２重量
   ％以下のチタニルフタロシアニンを含有してなる電子写
   真感光体。
2. （２）前記チタニルフタロシアニンが、下記一般式〔
   I 〕で表されるチタン化合物を用いる方法によって製造
   された請求項１に記載の電子写真感光体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘ＿１、Ｘ＿２、Ｘ＿３、Ｘ＿４は−ＯＲ＿１
   、−ＳＲ＿２、−ＯＳＯ＿２Ｒ＿３▲数式、化学式、表
   等があります▼を表す。 ここでＲ＿１〜Ｒ＿５は、水素原子、アルキル基、アル
   ケニル基、アリール基、アラキル基、アシール基、アリ
   ロイル基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基
   を有していてもよい。又、Ｘ＿１〜Ｘ＿４は任意の組合
   せによって結合し、環を結成していてももよい。 Ｙは、配位子を表し、ｎは０、１、２を表す。〕
3. （３）前記チタニルフタロシアニンがキャリア発生物質
   として用いられる請求項１又は２のいづれかに記載の電
   子写真感光体。