JPH0310257A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関するものであり、特にプリ
ンタ、複写機等に有効に用いることができ、半導体レー
ザ光及ＬＥＤに対して高感度を示す電子写真感光体に関
するものである。

〔従来技術〕

電子写真感光体としては、古くからセレン、酸化亜鉛、
硫化カドミウム等の無機光導電物質を主成分とする感光
層を設けた無機感光体か広く使用されてきたが、このよ
うな無機感光体は例えは、セレンは熱や指紋の汚れ等に
よって結晶化するために特性が劣化しやすく、硫化カド
ミウムは耐湿性、耐久性に劣り、酸化亜鉛も又耐久性に
劣る等の問題があって、近年は種々の利点を有する有機
光導電性物質が広く電子写真感光体に用いられるように
なってきた。なかでもフタロシアニン化合物は光電変換
の量子効率が高く、又近赤外線領域まで高い分光感度を
示すため、特に半導体レーザ光源に適応する電子写真感
光体用として注目されてきた。

そのような目的に対して、銅フタロンアニン、無金属フ
タロシアニン、クロルインジウム７タロシアニン、クロ
ルガリウムフタロシアニンなどを用いた電子写真感光体
か報告されているが、近年特にチクニルフタロンアニン
が注目されるようになり、例えば特開昭６１−２３９２
４８号、同６２−６７０９４３号、同６２−２７２２７
２号、同６３−１１６１５８号のようにチタニルフタロ
シアニンを用いた電子写真感光体が多く技術開示されて
いる。

般に、フタロンアニン化合物は、フタロジニ［・リルや
１．３−ジイミノイソインドリンなとと金属化合物を反
応させて製造されるが、電子写真感光体用のチタニル７
タロンアニンの製造においては、反応性の点で専ら四塩
化チタンが原料どして用いられてきた。例えば、チタニ
ルフタロシアニンに構造の類似したバナジルフタロシア
ニンの製造においては塩化バナジルや、バナジルアセチ
ルアセト不イトなどが原料として使用可能であるか、チ
クニルフタロシアニンの製造においてはチタニルアセチ
ルアセトネイトを原料として用いると収率が著しく低下
し、純度もまた低下する。このため、電子写真感光体用
のチタニルフタロシアニンの製造法としては、上述の特
開昭６１−２３９２４８号、同６２６７０９４３号、同
６２−２７２２７２号、同６３−１１６１５８号の他に
も、特開昭６１−１７１７７１号、同６１−１０９０５
６号、同５９１６６９５９号、同６２−２５６８６８号
、同６２−２５６８６６号、同６２２５６８６７号、同
６３−８０２６３号、同６２−２８６０５９号、同６３
３６６号、同６３−３７１６３号、同６２−１３４６５
１号に開示されているがこれらの全ての場合において四
塩化チタンを用いた方法かとられている。

〔発明か解決しよとする問題点〕

前記のようなチタン塩化物を原料に用いた場合には、フ
タロシアニン核の塩素反応が伴われる。

その上従来の製造法においては１８０°Ｃ以上の高温度
条件を必要とするために塩素化の副反応を促進する原因
ともなっている。このため従来のチタニルフタロシアニ
ンには、かなりの量の塩素化チタニル７０シアニンの含
有は避けられず、又−旦混入した塩素化チタニルフタロ
シアニンは無置換のチタニルフタロシアニンと物理的、
化学的な特性が類似しているため、再結晶や昇華精製に
よってさえ殆と除去不能であり、従来、電子写真感光体
に用いられていたチタニルフタロシアニンは塩素化合物
を含んだものであった。例えば上述の公開公報に開示さ
れたチクニルフタロシアニンの製造例における塩素含有
量の実測値を挙げると表１の（注）Ｍ＋＝６１０は一塩
素化チタニルフタロシアニンに対応する。

このように従来のチクニルフタロシアニンにおいては０
．４ｗｔ％程度の塩素の含有は避けられないものであっ
た。塩素原子としての０．４ｗｔ％という値は、塩素化
ヂタニルフタロシアニン濃度に換算すると７．０ｗｔ％
（６，６モル％）の含有量に相当するものであり、不純
物濃度としては非常に高い値である。

方、フタロシアニン化合物の電子写真特性は、その結晶
状態によって著しく異なり、チタニルフタロンアニンに
おいても特定の結晶型を有するときに優れた特性か得ら
れることが知られている。

このうよに構造敏感な性質を持つ電子写真特性において
、不純物の存在は構造的な欠陥部位を導入することにな
り、特定の結晶型の持つ優れた電子写真特性を損わせる
原因となるものである。

そのような点に関して、我々は高純度のチタニルフタロ
シアニンを得るへく鋭意検討を行った結果、塩素化反応
を伴わない製造法を適用することに成功し、そうして得
られた塩素含有量の少ないチタニルフタロシアニンを特
定の結晶構造にすることによって、優れた電子写真感光
体を作成することがてきたものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、高感度にしてかつ残留電位が小さく、
又繰返し使用においても電位特性が安定し、特に電位保
持能に優れ、帯電電位の安定した電子写真感光体を提供
することにある。

〔発明の構成及び作用効果〕

本発明の上記の目的は、Ｃｕ−にα線に対するＸ線回折
スペクトルがブラッグ角２θの６．９゜±０．２゜、１
５．５゜±０，２゜、　２３．４゜±０．２°にピーク
を示す結晶型を有し、かつ塩素の含有量が０．２ｗｔ％
以下、好ましくは０．１ｗｔ％以下のチタニルフタロシ
アニンを感光層中に含有させることによって達成するこ
とができる。

Ｘ線回折スペクトルは次の条件で測定され、前記ピーク
とは、ノイズと明瞭に異なった鋭角の突出部のことであ
る。

Ｘ線管球　　　　　Ｃｕ 電　　圧　　　　　　　　　　４０．ＯＫＶ電　　流　
　　　　　　　　１００　　　　　　　　　　　　ｍＡ
スタート角度　　　６．Ｏｄｅｇ。

ストップ角度　　　３５．Ｏｄｅｇ。

ステップ角度　　　　０．０２　　　　　　ｄｅｇ。

測定時間　　　　　　０．５０ 塩素含有量は通常の元素分析測定によっても決定される
が、三菱化成社製塩素・硫黄分析装置ｒＴＳＸ−１０Ｊ
を用いた元素分析によって決定することもできる。

本発明において、最も望ましい塩素含有ｌ２しては、こ
れらの測定方法において、検出限界以下となるものであ
る。

本発明のチタニルフタロシアニンは下記−形式〔Ｉ〕で
表されるチタン化合物を用いることによって、塩素化を
伴わずに、高純度で製造することが形式〔Ｉ〕 １ Ｘｚ　　Ｔｉ　　Ｘｚ（Ｙ）ｎ ３ 式中、Ｘ、、Ｘ２、Ｘ、、Ｘ４バーＯＲ，、−５Ｒ２、
−０Ｓ０２Ｒｊここで、Ｒ１−Ｒ６は水素原子、アルキ
ル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシ
ール基、アリロイル基、複素環基を表し、これらの基は
任意の置換基を有してもよい。又Ｘ１〜Ｘ、は任意の組
合せによって結合し、環を形成してもよい。

Ｙは、配位子を表し、ｎは０，１．２を表ず。なかでも
特にｘ１〜Ｘ４が−ＯＲ，であるものは、反応性や、取
扱い易さ、価格などの点で、望ましいものとして挙げる
ことができる。

製造方法きしては種々の反応形式が可能であるが、代表
的な方法として、次の反応式で表される方法か用いられ
る。

式中Ｒ＋−Ｒ＋６は、水素原子もしくは置換基を表す。

本発明におけるこのような製造方法においては活性な塩
素の攻撃を受けることかないので、フタロシアニン核の
塩素化を完全に回避することができる。又従来の四塩化
チタンを用いる方法に比べて反応性が高く、より穏やか
な環境下で反応を進行させることかでるため製造条件に
とって有利であるばかりでなく、副反応を防止し不純物
を最小に抑えることができるもである。

本反応において有用なチタン化合物の具体例を次に示す
。

（１）　　　（ｃ、Ｈ３ｏ）、Ｔｉ （２）　　　（ｉ−Ｃ３Ｈ，Ｏ）、Ｔｉ（３）　　　Ｃ
ＣｚＨ５Ｃ））＊　Ｔ＋（４）　　　（ｉ　　Ｃ＋Ｈ０
Ｏ）ｔＴｉ（５）　　　（Ｃ＋ａＨ３ｙＯ）ｔＴｉ（６
）　　　（０３Ｈｙｏ）＋Ｔ＋ （７）　　　（ｉ−Ｃ３■、０）２Ｔｉ（ＣＨ，Ｃ０Ｃ
ＨＣＯＣＨ３）２（１０）　（ＣａＨ＋　７０）ｔＴｉ
　［Ｐ（ＯＣ３Ｈ□）２］２Ｈ １１ ２ １） （１２）　　ＩＣ３Ｈ７０ＴＩ　［ＯＰ　　０１ Ｐ（ＯＣＢＨＩ　７）２］　３ Ｒ （１３）　　ｉ　　ＣＡｆ（７０Ｔｉ（ＯＣＪｔＮＨＣ
２ＨｆＮＨ２）３（１４）　　（Ｃ８ｔ（＋７０）ｔＴ
ｉ［Ｐ（ＯＣ＋３８２７）２］２ミ Ｈ （１５）　　［（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２０ＣＨ２）２ＣＣ
Ｈ２０］４ＴＩ２Ｈ５ ［Ｐ（ＯＣ１３Ｈ２７）２］２ Ｈ １ （１９）　　ｉ　　Ｃ３Ｈ７０Ｔ１（ＯＣＣ１７Ｈ３５
）３反応の溶媒としては種々のものを用いることか可能
である。例えばジオキサン、シクロヘキサン、スルホラ
ン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、メチルペンタノン等の脂肪族溶媒
、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン、ブロムベンゼン
、ニトロベンゼン、クロルナフタレン、テトラリン、ピ
リジン、キノリン等の芳香族溶媒などが代表的なものと
して挙げられるが、高純度の生成物を得るためには、チ
タニルフタロシアニンに対しである程度の溶解性を持つ
ものが望ましい。

反応温度は、チタンカップリング剤の種類によって異な
るが、だいたい１００〜１８０°Ｃで行うことができる
。この点でも従来の反応か１８０〜２４０°Ｃという３ 高温を必要どしていたのに対して、副反応防止という観
点から有利である。

こうして得られた高純度のチタニルフタロシアニンは適
当な溶媒で処理することによって、目的の結晶型を得る
ことかできか、処理に用いられる装置としては一般的な
撹拌装置の他に、ホモミキザー　ディスバイザ、アジタ
ー、或いはボールミル、ザンドミル、アトライタ等を用
いることができる。

本発明の電子写真感光体において、上記のチタニルフタ
ロシアニンはキャリア発生物質として用いられるか、そ
の他に、他の゛キャリア発生物質を併用してもよい。そ
のようなキャリア発生物質としては本発明とは結晶型に
おいて異なるチタニルフタロシアニンをはしめ、他のフ
タロシアニン顔料、アゾ顔料、アントラキノン顔料、ペ
リレン顔料、多環キノン顔料、スクェアリウム顔料等が
挙げられる。

本発明の感光体におけるキャリア輸送物質としては、種
々のものが使用できるが、代表的゛なものとしでは例え
は、オキサソール、オキサシアソール、チタノール、チ
アシアソール、イミダゾール等に代表される含窒素複素
環核及びその縮合環核を有する化合物、ポリアリールア
ルカン系の化合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、トリアリールアミン系化合物、スチリル系化合
物、スチリル１−リフェニルアミン系化合物、β−フェ
ニルスチリルトリフェニルアミン系化合物、ブタジェン
系化合物、ヘキザトリエン系化合物、カルバゾール系化
合物、縮合多環系化合物等が挙げられる。これらのキャ
リア輸送物質の具体例としては、例えば特開昭６１−１
０７３５６号に記載のキャリア輸送物質を挙げることが
できるが、特に代表的なものの構造を次に示す。

−１ ５ ６− −６− −７− −８ −５ −９ Ｔ−１０ Ｔ−１４ Ｔ　−１１ −１５ −１２ −１６ −１３ −１７ Ｃ２Ｈ。

９ ０ −１８ −１９ 感光体の構成は種々の形態が知られている。本発明の感
光体はそれらのいずれの形態をもとりうるが、積層型も
しくは分散型の機能分離型感光体とするのが望ましい。

この場合、通常は第１図から第６図のような構成となる
。第１図に示す層構成は、導電性支持体１上にキャリア
発生層２を形成し、これにキャリア輸送層３を積層して
感光層４を形成したものであり、第２図はこれらのキャ
リア発生層２とキャリア輸送層３を逆にした感光層４′
を形成したものである。第３図は第】図の層構成の感光
層４と導電性支持体１の間に中間層５を設け、第４図は
第２図の層構成の感光層４′と導電性支持体１との間に
中間層５を設けたものである。第５図の層構成はキャリ
ア発生物質６とキャリア輸送物質７を含有する感光層４
″を形成したものであり、第６図はこのような感光層４
″と導電性支持体１との間に中間層５を設けたものであ
る。

第１図〜第６図の構成において、最表層には、更に、保
護層を設けることかできる。

感光層の形成においては、ギヤリア発生物質或はキャリ
ア輸送物質を単独で、もしくはバインダや添加剤ととも
に溶解させた溶液を塗布する方法が有効である。しかし
又、一般にキャリア発生物質の溶解度は低いため、その
ような場合キャリア発生物質を超音波分散機、ボールミ
ル、サンドミル、ホモミキサー等の分散装置を用いて適
当な分散媒中に微粒子分散させた液を塗布する方法か有
効となる。この場合、バインダや添加剤は分散液中に添
加して用いられるのが通常である。

感光層の形成に使用される溶剤或は分散媒としては広く
任意のものを用いることができる。例えは、ブチルアミ
ン、エチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキザノン、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、メヂルセルソルブ、エチルセルソルブ、エチレン
グリコールジメチルエーテル、トルエン、キシレン、ア
セトフェノン、クロロホルム、ジクロルメタン、ジクロ
ルエタン、トリクロルエタン、メタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール等が挙げられる。

キャリア発生層もしくはキャリア輸送層の形成にバイン
ダを用いる場合に、バインダとして任意のものを選ぶこ
とかできるか、特に疎水性でかつフィルム形成能を有す
る高分子重合体が望ましい。

このような重合体としては例えば次のものを挙げること
かできるが、これらに限定されるものではない。

ボリノＪ−ボネート　　ポリカーボネー１−　Ｚ樹脂ア
クリル樹脂　　　　メタクリル樹脂 ポリ塩化上ニル　　　ポリ塩化ビニリデンポリスチレン
　スチレン−ブタジェン共重合体ポリ酢酸上ニル　　　
ポリビニルホルマールポリビニルブチラール　ポリビニ
ルアセクールポリビニル力ルバゾール　スチレン−アル
キッド樹脂 シリコーン樹脂　シリコーン−アルキッド樹脂ポリエス
テル　　　　フェノール樹脂 ポリウレタン　　　　エポキシ樹脂 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体 塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体バイ
ンダに対するキャリア発生物質の割合は１０〜６００ｗ
ｔ％が望ましく、更には５０〜４００ｗｔ％が好ましい
。バインダに対するキャリア輸送物質の割合は１０〜５
００ｗｔ％とするのが望ましい。キャリア発生層の厚さ
は、０．０１〜２０μｍとされるが、更には３ ０．０５〜５μｍか好ましい。キャリア輸送層の厚みは
１〜１００μｍであるが、更には５〜３０μｍが好まし
い。

上記感光層には感度の向上や残留電位の減少、或いは反
復使用時の疲労の低減を目的として、電子受容性物質を
含有させることができる。このような電子受容性物質と
しては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム
無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸
、テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸
、４−ニトロ無水７タル酸、無水ピロメリット酸、無水
メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン、０−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼ
ン、１，３．５−トリニトロベンゼン、ｐ−ニトロベン
ゾニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド
、クロラニル、クロラニル、ジクロルジシアノ−ｐ−ベ
ンゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン
、９−フルオレニリデンマロノジニトリル、ポリニトロ
−９−フルオレニリデンマロノジニトリル、ピクリン酸
、０−ニトロ安息香酸、４ ｐ−ニトロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、ペン
。タフルオロ安息香酸、５−二トロサリチル酸、３，５
ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット酸、その他の
電子親和力の大きい化合物を挙げることかできる。電子
受容性物質の添加割合はキャリア発生物質の重量１００
に対して０．Ｏ１〜２００ｗｔ／ｗｔが望ましく、更に
は０．１〜１００ｗｔ／ｗｔが好ましい。

又、上記感光層中には保存性、耐久性、耐環境依存性を
向上させる目的で酸化防止剤や光安定剤等の劣化防止剤
を含有させることができる。そのような目的に用いられ
る化合物としては例えば、トコロフエロール等のクロマ
ノール誘導体及ｒＪソのエーテル化化合物もしくはエス
テル化化合物、ポリアリールアルカン化合物、ハイドロ
キノン誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化合物、ベ
ンゾフェノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、チオ
エーテル化合物、ホスホン酸エステル、亜燐酸エステル
、フェニレンジアミン誘ｉ体、７−％／ル化合物、ヒン
ダードフェノール化合物、直鎖アミン化合物、環状アミ
ン化合物、ヒンダ−ドアミン化合物、なとか有効である
。特に有効な化合物の具体例としては、ｒｌＲＧＡＮＯ
Ｘ　ｌ０ＩＯＪ、ｒｌＲＧＡＮＯＸ５６５Ｊ（チバ・カ
イギー社製）、「スミライザーＢＨＴＪ　。

「スミライザーＭＤＰＪ　（細大化学工業社製）等のヒ
ンダードフェノール化合物、「→ノ”ノールＬＳ−２６
２６Ｊ　、　ｒサノールＬｓ−６２２ＬＤ」（三共社製
）等のヒンダードアミン化合物か挙げられる。

中間層、保護層等に用いられる／＜インタとしては、上
記のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に挙げたもの
を用いることかできるが、その他にポリアミド樹脂、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ヒニルー
無水マレイン酸共重合体、エチレン−酢酸ヒニルーメタ
クリル酸共重合体等のエチレン系樹脂、ボリヒニルアル
コール、セルロース誘導体等が有効である。又、メラミ
ン、エポキシ、インシアネート等の熱硬化或いは化学的
硬化を利用した硬化をのバインダを用いることかできる
。

導電性支持体としては、金属層、金属ドラムか用いられ
る他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の導電性化合
物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の金属の薄層
を塗布、蒸着、ラミイ、−１・等の手段により紙やプラ
スチックフィルムなとの基体の上に設けたものを用いる
ことができる。

本発明の感光体は以上のような構成であって、以下の実
施例からも明らかなように、帯電特性、感度特性、繰返
し特性に優れたものである。

〔実施例〕

次に本発明における具体的な実施例を示す。

合成例１ １．３−ジイミノイソインドリン；２９．２ｇとスルホ
ラン；２００ｍ＋２を混合し、チタニウムトライソプロ
ポキシド；１７．Ｏｇを加え、窒素雰囲気下に１４０°
Ｃで２時間反応させた。放冷した後析出物を濾取し、ク
ロロホルムで洗浄、２％−塩酸水溶液で洗浄、水洗、メ
タノール洗浄して、乾燥の後２５．５ｇ（８８，８％）
のチタニルフタロシアニンを得た。元素分析法において
塩素は検出限界以下であった。

生成物は２０倍量の濃硫酸に溶解し、１（ｌｆ）倍量の
水にあけて析出させて、濾取した後ウェットケアキを０
〜ジクロルベンセンで処理して第７図に示すＸ線回折ス
ペクＩ−ルをもつ結晶型とした。

比較合成例（１） フタロジニトリル；２５．６ｇとα−クロルナフタレン
；１５０ｍαの混合物中に窒素気流下で６．５ｍαの四
塩化チタンを滴下し、２００〜２２０°Ｃの温度で５時
間反応させた。析出物を濾取し、α−クロルナフタレン
で洗浄した後、クロロホルムで洗浄し、続いてメタノー
ルで洗浄した。次いでアンモニア水中で還流して加水分
解を完結させた後、水洗、メタツル洗浄し乾燥の後、チ
タニルフタロシアニン；２１、８ｇ（７５．６％）を得
た。元素分析による塩素の含有量は０．４６ｗｔ％であ
った。

生成物は１０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の水に
あけて析出させて、濾取、乾燥後にジメチルスルホキシ
ドで処理して第８図に示すＸ線回折スペク１−ルをもつ
結晶型とした。

実施例１ 合成例１において得られた第７図のＸ線回折パターンを
有するチタニルフタロシアニン：１部、バインダ樹脂と
してポリヒドロキシスチレン［しンンＭｌ（丸首石油化
学社製）；１部、分散媒としてエタノール：１００部を
サンドミルを用いて分散し、これをアルミニウムを蒸着
したポリエステルベス上にワイヤバーを用いて塗布して
、膜厚０．４μｍのキャリア発生層を形成した、次いで
、キャリア輸送物質Ｔー６；１部とポリカーボネート樹
脂［ニーピロン　Ｚ２００Ｊ（三菱瓦斯化学社製）；１
．：（部、及び添加剤として、「ザノールＬＳ−２６２
６Ｊ（三共社製）０、０３部、微量のシリコーンオイル
ｒＫｐ−５４ｒ（信越化学社製）を、■，２ージクロル
エタン；１０部に溶解した液をブレード塗布機を用いて
塗布し乾燥した後、膜厚２０μｍのキャリア輸送層を形
成した。このようにして得られた感光体をサンプルｌと
する。

比較例（１） 実施例１における、第７図のチタニルフタロシアニンを
比較合成例（１）で得た、塩素含有量か０、４６ｗｔ％
のチタニルフタロシアニンに代えた他は実施例１と同様
にして比較用の感光体を得た。これを比較サンプル（１
）とする。

（評価） 以」二のようにして得られたザンプルは、ペーパアナラ
イザＥＰＡ−８１００（川口電気社製）を用いて、以下
のような評価を行った。まず、−８０μＡの条件て５秒
間のコロナ帯電を行い、帯電直後の表面電位Ｖａ及び５
秒間放置後の表面電位Ｖｉを求め、続いて表面照度か２
　（ｌ　ｕｘ）となるような露光を行い、表面電位を１
　／２　Ｖｉとするのに必要な露光量Ｅｌ／□を求めた
。又Ｄ＝　１００（Ｖａ−Ｖｉ）／　Ｖａ（％）の式よ
り暗減衰率りを求めた。結果は表１に示した。

表１ ０ンアニンのＸ線回折図、第８図は比較合成例において
得られるチタニルフタロシアニンのＸ線回折図である。

■・・・導電性支持体　　２・・・キャリア発生層３・
・・キャリア輸送層　４．４’４″・・・感光層５・・
・中間層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｃｕ−Ｋα線に対するＸ線回折スペクトルが、ブ
   ラッグ角２θの６．９゜±０．２゜、１５．５゜±０．
   ２゜、２３．４゜±０．２゜にピークを持つ結晶型にお
   いて、塩素含有量が０．２重量％以下のチタニルフタロ
   シアニンを含有してなる電子写真感光体。
2. （２）前記チタニルフタロシアニンが、下記一般式〔
   I 〕で表されるチタン化合物を用いる方法によって製造
   された請求項１に記載の電子写真感光体。 一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘ＿１、Ｘ＿２、Ｘ＿３、Ｘ＿４は−ＯＲ＿１
   、−ＳＲ＿２、−ＯＳＯ＿２Ｒ＿３▲数式、化学式、表
   等があります▼を表す。 ここでＲ＿１〜Ｒ＿５は、水素原子、アルキル基、アル
   ケニル基、アリール基、アラキル基、アシール基、アリ
   ロイル基、複素環基を表し、これらの基は任意の置換基
   を有していてもよい。又、Ｘ＿１〜Ｘ＿４は任意の組合
   わせによって結合し、環を結成してもよい。Ｙは配位子
   を表し、ｎは０、１、２を表す。〕
3. （３）前記チタニルフタロシアニンがキャリア発生物質
   として用いられる請求項１又は２のいづれかに記載の電
   子写真感光体。