JPH0298206A - 表面弾性波フィルタの形成方法 - Google Patents
表面弾性波フィルタの形成方法Info
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- JPH0298206A JPH0298206A JP25108288A JP25108288A JPH0298206A JP H0298206 A JPH0298206 A JP H0298206A JP 25108288 A JP25108288 A JP 25108288A JP 25108288 A JP25108288 A JP 25108288A JP H0298206 A JPH0298206 A JP H0298206A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、表面弾性波（以下、ＳＡＷと略称する）フ
ィルタの形成方法に関し、特に、リフトオフを用いて基
板上に直接金属膜を形成するようなＳＡＷフィルタの形
成方法に関する。
ィルタの形成方法に関し、特に、リフトオフを用いて基
板上に直接金属膜を形成するようなＳＡＷフィルタの形
成方法に関する。
［従来の技術］
第２八図ないし第２Ｄ図はたとえば日本工業技術センタ
ー発行の工業技術セミナーＴ−１１２８゜ＳＡＷデバイ
ス開発の現状と応用（昭和６０年１月３１日〜２月１日
）のｒＳＡＷデバイス開発の現状と問題点」 （山之内
和彦、東北大学）に示されたＳＡＷフィルタの製造プロ
セスを示す断面図である。次に、第２八図ないし第２ｐ
図を参照して、従来のＳＡＷフィルタのパターン形成方
法について説明する。
ー発行の工業技術セミナーＴ−１１２８゜ＳＡＷデバイ
ス開発の現状と応用（昭和６０年１月３１日〜２月１日
）のｒＳＡＷデバイス開発の現状と問題点」 （山之内
和彦、東北大学）に示されたＳＡＷフィルタの製造プロ
セスを示す断面図である。次に、第２八図ないし第２ｐ
図を参照して、従来のＳＡＷフィルタのパターン形成方
法について説明する。
第２Ａ図を参照して、ＺｎＯやＬｉＮｂ０．等の圧電性
基板１上に、後に蒸着するＡＱとの密む性を向上させる
ために、Ｃ「膜２を５０Ａの厚みにつける。その上にレ
ジストを塗布し、所定のパターンを電子ビームにより露
光し、現像処理してレジストパターン３を形成する。次
に、第２８図を参照して、レジストパターン３上と下地
のＣ「ｌ１ｉ２の露出している部分に電子ビーム蒸着法
によりＡｌｌ膜４を形成する。次に、第２Ｃ図を参照し
て、トリクレン中に試料を挿入すると、レジスト膜３は
トリクレンに溶解するので、レジスト膜３とその上のＡ
ｌ膜４がともに除去される。次に、第２Ｄ図を参照して
、Ａ悲膜４のパターンをマスクにしてＣｒ１ｌ１２をエ
ツチングすると、ＳＡＷフィルタのパターンが完成する
。
基板１上に、後に蒸着するＡＱとの密む性を向上させる
ために、Ｃ「膜２を５０Ａの厚みにつける。その上にレ
ジストを塗布し、所定のパターンを電子ビームにより露
光し、現像処理してレジストパターン３を形成する。次
に、第２８図を参照して、レジストパターン３上と下地
のＣ「ｌ１ｉ２の露出している部分に電子ビーム蒸着法
によりＡｌｌ膜４を形成する。次に、第２Ｃ図を参照し
て、トリクレン中に試料を挿入すると、レジスト膜３は
トリクレンに溶解するので、レジスト膜３とその上のＡ
ｌ膜４がともに除去される。次に、第２Ｄ図を参照して
、Ａ悲膜４のパターンをマスクにしてＣｒ１ｌ１２をエ
ツチングすると、ＳＡＷフィルタのパターンが完成する
。
［発明が解決しようとする課題］
従来のＳＡＷフィルタにおけるＡ悲パターンの形成方法
は電子ビーム蒸着法によっているので、Ａ［膜と基板と
の密着性が劣り、そのために基板とＡｌ膜との間にＣ「
膜を形成しなければならず、その界面で弾性波の伝搬に
不連続性が生じ、デバイス特性に影響を与えるなどの問
題点があった。
は電子ビーム蒸着法によっているので、Ａ［膜と基板と
の密着性が劣り、そのために基板とＡｌ膜との間にＣ「
膜を形成しなければならず、その界面で弾性波の伝搬に
不連続性が生じ、デバイス特性に影響を与えるなどの問
題点があった。
それゆえに、この発明は上述のような問題点を解消する
ためになされたもので、Ａｌ膜と基板との間の弾性波動
の不連続性を除去し、信頼性の高いＳＡＶ／フィルタを
形成する形成方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、Ａｌ膜と基板との間の弾性波動
の不連続性を除去し、信頼性の高いＳＡＶ／フィルタを
形成する形成方法を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るＳＡＷフィルタの形成方法は、基板上に
レジストパターンを形成し、次に、レジストパターンの
上および基板の露出部上に第１の金属膜を形成し、次に
、レジストパターンをその上の第１の金属膜とともに除
去して、基板上に直接形成された第１の金属膜を残し、
次に、第１の金属膜上および基板の露出部上に第２の金
属膜を形成し、次に、第１の金属膜をその上の第２の金
属膜とともに除去し、基板上に直接形成されたフィルタ
のパターンとしての第２の金属膜を残すようにしたもの
である。
レジストパターンを形成し、次に、レジストパターンの
上および基板の露出部上に第１の金属膜を形成し、次に
、レジストパターンをその上の第１の金属膜とともに除
去して、基板上に直接形成された第１の金属膜を残し、
次に、第１の金属膜上および基板の露出部上に第２の金
属膜を形成し、次に、第１の金属膜をその上の第２の金
属膜とともに除去し、基板上に直接形成されたフィルタ
のパターンとしての第２の金属膜を残すようにしたもの
である。
［作用］
この発明におけるＳＡＷフィルタの形成方法は、Ｃ「膜
を介することなく、フィルタのパターンとしての第２の
金属膜を基板上に直接形成するようにしたので、弾性波
動の不連続性がなく、信頼性の高いＳＡＷフィルタが得
られる。
を介することなく、フィルタのパターンとしての第２の
金属膜を基板上に直接形成するようにしたので、弾性波
動の不連続性がなく、信頼性の高いＳＡＷフィルタが得
られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。図中
、同一番号は同一部分を示している。この実施例では、
リフトオフ法を利用して第１の金属膜であるＣｒ膜のパ
ターンおよび第２の金属膜であるＡｌ膜のパターンを形
成する。以下、これについて説明する。
、同一番号は同一部分を示している。この実施例では、
リフトオフ法を利用して第１の金属膜であるＣｒ膜のパ
ターンおよび第２の金属膜であるＡｌ膜のパターンを形
成する。以下、これについて説明する。
第１Ａ図を参照して、基板１上にＡＺ−１３５０等のレ
ジストを塗布し、該レジストに予め定めルパターンの露
光および現像処理を施してレジストパターン３を形成す
る。次に、第１Ｂ図を参照して、ＤＣマグネトロンのス
パッタ装置を用い、真空中でレジストの軟化点近傍の温
度で熱処理した後、Ａ「ガス圧１５ｍトール〜２５ ｍ
）−ルの範囲でＣｒ膜２を形成する。Ｃｒ膜形成の際
、バイアス電圧を印加しないようにすると、Ｃ「膜の被
覆性は良くないので、図示するように段差部のＣｒＨ同
士は両会することはない。次に、第１ｃ図を参照して、
アセトン中でレジストＰＡ３を溶解して、レジスト膜３
とその上のＣｒ膜２を除去する。
ジストを塗布し、該レジストに予め定めルパターンの露
光および現像処理を施してレジストパターン３を形成す
る。次に、第１Ｂ図を参照して、ＤＣマグネトロンのス
パッタ装置を用い、真空中でレジストの軟化点近傍の温
度で熱処理した後、Ａ「ガス圧１５ｍトール〜２５ ｍ
）−ルの範囲でＣｒ膜２を形成する。Ｃｒ膜形成の際
、バイアス電圧を印加しないようにすると、Ｃ「膜の被
覆性は良くないので、図示するように段差部のＣｒＨ同
士は両会することはない。次に、第１ｃ図を参照して、
アセトン中でレジストＰＡ３を溶解して、レジスト膜３
とその上のＣｒ膜２を除去する。
一般的に、スパッタ法によって形成したＣ「膜のリフト
オフは困難であり、逆台形状をしたレジストパターンを
用いなければＣｒ膜のリフトオフを行なうことはできな
いとされていたが、この実施例のようにレジストにＡＺ
−１３５０を用いれば、パターンの形状が台形であって
もＣ「についてリフトオフを行なうことができる。
オフは困難であり、逆台形状をしたレジストパターンを
用いなければＣｒ膜のリフトオフを行なうことはできな
いとされていたが、この実施例のようにレジストにＡＺ
−１３５０を用いれば、パターンの形状が台形であって
もＣ「についてリフトオフを行なうことができる。
次に、第１Ｄ図を参照して、ＤＣマグネトロンのスパッ
タ装置を用い、Ｃｒ膜２のパターン上と基板の露出面上
にスパッタ法によりＡＱＪｆｉ４を形成する。従来のよ
うに下地膜としてのＣｒ膜を形成する必要はない。これ
は、スパッタ法によって形成されたＡＱ、膜は電子ビー
ム蒸着によるよりもＵ板との密着力が高いからである。
タ装置を用い、Ｃｒ膜２のパターン上と基板の露出面上
にスパッタ法によりＡＱＪｆｉ４を形成する。従来のよ
うに下地膜としてのＣｒ膜を形成する必要はない。これ
は、スパッタ法によって形成されたＡＱ、膜は電子ビー
ム蒸着によるよりもＵ板との密着力が高いからである。
Ａ（膜４をＣｒ膜２よりも薄（成膜すれば、パターンの
側壁部５にはＣ「が露出する。次に、第１Ｅ図を参照し
て、試料をＣｒのエツチング液に挿入することにより、
上記のＣｒの露出部からＣ「が溶は始め、最終的に基板
と直接密若しているＡｌ膜４のみがフィルタのパターン
として残る。
側壁部５にはＣ「が露出する。次に、第１Ｅ図を参照し
て、試料をＣｒのエツチング液に挿入することにより、
上記のＣｒの露出部からＣ「が溶は始め、最終的に基板
と直接密若しているＡｌ膜４のみがフィルタのパターン
として残る。
以上のように、この実施例ではＡＱ膜をスパッタリング
により形成しているので、ＡＱ、膜と基板との密着力は
大きい。したがって、下地膜としてＣ「膜を用いる必要
がないので、弾性波の不連続性が生じることはない。上
記実施例ではレジストとしてＡＺ−１３５０を使用した
が、レジストを溶かす薬液があればＡＺ−１３５０以外
のレジストでもよい。また、上記Ａｌｌ膜はＣｕあるい
はＳｉおよびＣｕ等を含むものであってもよ（、上述と
同様の効果を奏する。
により形成しているので、ＡＱ、膜と基板との密着力は
大きい。したがって、下地膜としてＣ「膜を用いる必要
がないので、弾性波の不連続性が生じることはない。上
記実施例ではレジストとしてＡＺ−１３５０を使用した
が、レジストを溶かす薬液があればＡＺ−１３５０以外
のレジストでもよい。また、上記Ａｌｌ膜はＣｕあるい
はＳｉおよびＣｕ等を含むものであってもよ（、上述と
同様の効果を奏する。
上記実施例ではＳＡＷフィルタのパターン形成について
説明したが、Ｓｉウェハやフォトマスクのパターン形成
に適用してもよく、上述と同様の効果を奏する。
説明したが、Ｓｉウェハやフォトマスクのパターン形成
に適用してもよく、上述と同様の効果を奏する。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、フィルタのパターン
としての第２の金属膜を基板上に直接形成するようにし
たので、弾性波の不連続性が生じないため、信頼性の高
いＳＡＷフィルタが得られる。
としての第２の金属膜を基板上に直接形成するようにし
たので、弾性波の不連続性が生じないため、信頼性の高
いＳＡＷフィルタが得られる。
第１Ａ図ないし第１Ｅ図はこの発明の一実施例のＳＡＷ
フィルタのパターン形成の工程を示す断面図である。第
２Ａ図ないし第２Ｄ図は従来のＳＡＷフィルタのパター
ン形成の工程を示す断面図である。 図において、１は基板、２はＣ「膜、３はレジストパタ
ーン、４はＡ（膜、５はＣ「の露出部を示す。
フィルタのパターン形成の工程を示す断面図である。第
２Ａ図ないし第２Ｄ図は従来のＳＡＷフィルタのパター
ン形成の工程を示す断面図である。 図において、１は基板、２はＣ「膜、３はレジストパタ
ーン、４はＡ（膜、５はＣ「の露出部を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面弾性波フィルタの形成方法であって、基板上にレ
ジストパターンを形成した後、該レジストパターンの上
および基板の露出部上に第１の金属膜を形成する第１の
ステップと、 前記レジストパターンをその上の前記第１の金属膜とと
もに除去し、前記基板上に直接形成された前記第１の金
属膜を残す第２のステップと、前記第１の金属膜上およ
び前記基板の露出部上に第２の金属膜を形成する第３の
ステップと、前記第１の金属膜をその上の前記第２の金
属膜とともに除去し、前記基板上に直接形成された前記
表面弾性波フィルタのパターンとしての前記第２の金属
膜を残す第４のステップとを備えた、表面弾性波フィル
タの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25108288A JPH0298206A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 表面弾性波フィルタの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25108288A JPH0298206A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 表面弾性波フィルタの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298206A true JPH0298206A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17217372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25108288A Pending JPH0298206A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 表面弾性波フィルタの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298206A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004512475A (ja) * | 2000-10-17 | 2004-04-22 | ジョルダーノ，ジュゼッペ | 固定及び／又は組立具 |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25108288A patent/JPH0298206A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004512475A (ja) * | 2000-10-17 | 2004-04-22 | ジョルダーノ，ジュゼッペ | 固定及び／又は組立具 |
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