JPH029339B2 - - Google Patents

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JPH029339B2
JPH029339B2 JP58210623A JP21062383A JPH029339B2 JP H029339 B2 JPH029339 B2 JP H029339B2 JP 58210623 A JP58210623 A JP 58210623A JP 21062383 A JP21062383 A JP 21062383A JP H029339 B2 JPH029339 B2 JP H029339B2
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JP
Japan
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unsubstituted
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JP58210623A
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JPS60102635A (ja
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Yoshihide Fujimaki
Yoshiaki Takei
Yasuo Suzuki
Hiroyuki Nomori
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Konica Minolta Inc
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Konica Minolta Inc
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Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
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Priority to US06/669,696 priority patent/US4599287A/en
Priority to DE8484113489T priority patent/DE3485456D1/de
Priority to EP84113489A priority patent/EP0144791B1/en
Publication of JPS60102635A publication Critical patent/JPS60102635A/ja
Publication of JPH029339B2 publication Critical patent/JPH029339B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
 産業䞊の利甚分野 本発明は、キダリア発生盞ずキダリア茞送盞ず
からなる感光局を有する感光䜓、䟋えば電子写真
感光䜓に関するものである。  埓来技術 埓来、電子写真感光䜓ずしおは、セレン、酞化
亜鉛、硫化カドミりム等の無機光導電性物質を䞻
成分ずする感光局を有する無機感光䜓が広く甚い
られおいる。しかしながら、こうした無機感光䜓
は感床、熱安定性、耐湿性、耐久性等の劂く電子
写真感光䜓ずしお芁求される特性においお必ずし
も満足すべきものではない。䟋えば、セレンは
熱、指王等の汚れの付着等により結晶化するた
め、電子写真感光䜓ずしおの特性が劣化し易い。
たた硫化カドミりムを甚いたずきは耐湿性及び耐
久性においお、酞化亜鉛を甚いたずきは耐久性に
おいお問題があり、曎にセレン、硫化カドミりム
は補造䞊、取扱い䞊の制玄が倧きい。 䞊蚘の劂き無機感光䜓の有する欠点を克服する
ために、皮々の有機光導電性物質を電子写真感光
䜓の感光局の材料ずしお利甚するこずが近幎掻発
に開発、研究されおいる。 䟋えば特公昭50−10496号公報には、ポリ−
−ビニルカルバゟヌルず−トリニトロ
−−フルオレンを含有した感光局を有する有機
感光䜓に぀いお蚘茉されおいる。しかしこの感光
䜓は、感床及び耐久性においお必ずしも満足でき
るものではない。このような欠点を改善するため
に、感光局においお、キダリア発生機胜ずキダリ
ア茞送機胜ずを異なる物質に個別に分担させるこ
ずにより、感床が高くお耐久性の倧きい有機感光
䜓を開発する詊みがなされおいる。このような、
いわば機胜分離型の電子写真感光䜓においおは、
各機胜を発揮する物質を広い範囲のものから遞択
するこずができるので、任意の特性を有する電子
写真感光䜓を比范的容易に䜜補するこずが可胜で
ある。 こうした機胜分離型の電子写真感光䜓に有効な
キダリア発生物質ずしお、埓来数倚くの物質が提
案されおいる。無機物質を甚いる䟋ずしおは、䟋
えば特公昭43−16198号公報に蚘茉されおいるよ
うに、無定圢セレンがある。これは有機キダリア
茞送物質ず組み合されるが、無定圢セレンからな
るキダリア発生局は、䞊述したず同様に熱等によ
り結晶化しおその特性が劣化する欠点を有する。 たた、有機染料や有機顔料をキダリア発生物質
ずしお甚いた電子写真感光䜓も倚数提案されおお
り、䟋えば、ビスアゟ化合物を含有する感光局を
有するものは、特開昭47−37543号公報、特開昭
55−22834号公報、特開昭54−79632号公報、特開
昭56−116040号公報等により既に知られおいる。
しかしこれらのビスアゟ化合物を甚いた電子写真
感光䜓は、感床、残留電䜍、或いは曎に繰返し䜿
甚時の安定性等の点においお、必ずしも満足でき
るものではなく、しかもキダリア茞送物質ずしお
甚いるべき物質の遞択範囲が限定される等、電子
写真感光䜓が経隓する電子写真プロセスにおける
幅の広い芁求を十分に満足するものではない。し
かも、公知のビスアゟ化合物は短波長若しくは䞭
波長域では比范的良奜な感床を瀺すが、長波長域
での感床がなく、䟋えば光源ずしおタングステン
ランプを䜿甚した堎合にその長波長成分は無駄ず
なり、たた半導䜓レヌザヌ等の劂き長波長光を光
源に䜿甚するこずができない。埓぀お、䜿甚可胜
な波長範囲に制限があり、倚甚途に甚いるこずが
できない。 たた、䞀般に感光䜓においおは、ある特定のキ
ダリア発生物質に察しお有効なキダリア茞送物質
が、他のキダリア発生物質に察しおも有効である
ずは限らず、又、特定のキダリア茞送物質に察し
お有効なキダリア発生物質が、他のキダリア茞送
物質に察しおも有効であるずも蚀うこずはできな
い。䞡物質の組合せが䞍適圓な堎合には電子写真
感床が䜎くなるばかりでなく、特に䜎電界時の攟
電効率が悪いため、いわゆる残留電䜍が倧きくな
り、最悪の堎合には反埩しお䜿甚する床に電䜍が
蓄積し、実甚䞊電子写真の甚途に䟛し埗なくな
る。 このように、キダリア発生盞の構成物質ずキダ
リア茞送盞の構成物質ずの奜適な組合せに぀いお
は法枬的な遞択手段はないず考えられ、倚くの物
質矀の䞭から有利な組合せを実践的に決定する必
芁がある。  発明の目的 本発明の目的は、特定のキダリア発生物質を含
有し、熱及び察しお安定であり、か぀キダリア発
生効率が高くお広い波長域でも優れた光導電性を
有し、しかも特性のキダリア茞送物質ずの組合せ
によ぀お繰返し䜿甚時でも電䜍の履歎状態が安定
に維持され、垞に良奜な可芖像を圢成するこずの
できる感光䜓を提䟛するこずにある。  発明の構成及びその䜜甚効果 即ち、本発明は、キダリア発生盞ずキダリア茞
送盞ずからなる感光局を有する感光䜓においお、
前蚘キダリア発生盞が䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わさ
れるビスアゟ化合物を含有し、前蚘キダリア茞送
盞が䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わされるヒドラゟン化
合物ず䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わされるヒドラゟン
化合物ずの少なくずも䞀方を含有するこずを特城
ずする感光䜓に係るものである。 䞀般匏〔〕 䜆、この䞀般匏䞭、は
【匏】
【匏】
【匏】たたは
【匏】 であり、 眮換若しくは未眮換の芳銙族炭玠環たたは眮
換若しくは未眮換の芳銙族耇玠環を構成するに
必芁な原子矀、 氎玠原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基
若しくはその゚ステル基、スルホ基、眮換若し
くは未眮換のカルバモむル基、たたは眮換若し
くは未眮換のスルフアモむル基、 R1氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアルキル
基、眮換若しくは未眮換のアミノ基、眮換若し
くは未眮換のカルバモむル基、カルボキシル基
若しくはその゚ステル基、たたはシアノ基、 Ar眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 R2眮換若しくは未眮換のアルキル基、眮換若
しくは未眮換のアラルキル基、たたは眮換若し
くは未眮換のアリヌル基 を衚わす。 䞀般匏〔〕 䜆、この䞀般匏䞭R3は、眮換若しくは未眮換
のアリヌル基たたは眮換若しくは未眮換の耇玠環
基、 R4は、氎玠原子眮換若しくは未眮換のアルキ
ル基、たたは眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 X1は、氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、
眮換アミノ基たたはアルコキシ基、 は、たたはの敎数を衚わす。、 䞀般匏〔〕 䜆、この䞀般匏䞭、R5は、眮換若しくは未眮
換のアリヌル基たたは眮換若しくは未眮換の耇玠
環基、 R6は、氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアル
キル基、たたは眮換若しくは未眮換のアリヌル
基、 X2は、氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、
眮換アミノ基、アルコキシ基たたはシアノ基、 は、たたはの敎数を衚わす。 なお、本発明における䞊蚘「盞」ずは、いわゆ
る局をなしおいる堎合の他、各構成物質が互いに
接し合うプむズを圢成しおいる堎合も包含す
る。 本発明によれば、埌述する実斜䟋の説明からも
明らかなように、熱及び光に察しお安定であり、
たた電荷保持力、感床、残留電䜍等の特性におい
お優れおおり、しかも繰返し䜿甚したずきにも疲
劎倉化が少なくお耐久性の倧きい感光䜓を提䟛す
るこずができる。特に本発明においおは、䞊蚘䞀
般匏〔〕で瀺されるビスアゟ化合物が優れたキ
ダリア発生胜を有するこずを利甚し、これを䞊蚘
䞀般匏〔〕のキダリア茞送物質ず組み合せお感
光局を機胜分離型の構成ずするこずにより、䞀段
ず優れた特性の感光䜓を埗るこずができる。 特に、䞊蚘䞀般匏〔〕のビスアゟ化合物のう
ち、䞋蚘䞀般匏〔′〕で衚わされるカルバゟヌ
ル基含有ビスアゟ化合物が有効である。 䞀般匏〔′〕 䜆、R10、R11は、アルキル基、アルコキシ基
又はアリヌル基、 R12、R13、R14、R15、R16、R17は、氎玠原子、
ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミ
ノ基、氎酞基、アリヌル基である。 この䞀般匏〔′〕のビスアゟ化合物は、分子
内に有するカルバゟヌル基が増感䜜甚に寄䞎しお
いるものず考えられ、特に長波長域でも優れた感
床を付䞎し、同分子内のカルバモむル基郚分ずの
組合せでカプラヌずしお有効に䜜甚しお広い波長
範囲に亘぀お良奜な感床特性を瀺し、半導䜓レヌ
ザヌ甚感光䜓ずしお優れた特性を瀺す。 前蚘䞀般匏〔〕で瀺される本発明に有効なビ
スアゟ化合物の具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造
匏で瀺されるものを挙げるこずができるが、これ
によ぀お本発明に甚いられるべきビスアゟ化合物
が限定されるものではない。 たた、前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるヒドラゟン
化合物の具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有
するものを挙げるこずができるが、これらに限定
されるものではない。 曎に、前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるヒドラゟン
化合物の具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有
するものを挙げるこずができるが、これらに限定
されるものではない。 䞊蚘した劂きビスアゟ化合物は、䟋えば䞊蚘
−で瀺されるビスアゟ化合物は、䟋えば
以䞋の合成䟋に瀺される方法により合成するこず
ができる。 たず−ゞニトロ−−フルオレノンずマ
ロン酞ニトリルずを公知の方法䟋えば、J.Org.
Chem.誌第30巻第644頁1965幎発行参照によ
り脱氎瞮合せしめお埗られる化合物−ゞ
ニトロ−−ゞシアノメチリデンフルオレンを
スズず塩酞により還元するず、−ゞアミノ
−−ゞシアノメチリデンフルオレン・二塩酞塩
が埗られた。その3.310.01モルを塩酞100
ml䞭に分散し、撹拌しながらこの分散液を枩床
℃に冷华し、これに亜鉛酞ナトリりム1.4を20
mlの氎に溶解せしめた氎溶液を滎䞋しお加えた。
滎䞋終了埌、曎に時間の間冷华䞋で撹拌を継続
し、その埌濟過を行ない。埗られた濟液に六フツ
化リン酞アンモニりム10を加え、生じた結晶を
濟取し、テトラゟニりムのヘキサンフルオロホス
プヌトを埗た。この結晶を−ゞメチルホ
ルムアミド200ml䞭に溶解し、次のカツプリング
反応の滎䞋液を埗た。 次に−ヒドロキシ−−ナフト゚酞アニリド
ナフトヌルAS5.270.02モルを−
ゞメチルホルムアミド200ml䞭に溶解し、これに
トリ゚タノヌルアミン5.5を加え、この溶液を
枩床℃に冷华しお激しく撹幻しながら、これに
既述の滎䞋液を滎䞋しお加えた。滎䞋終了埌、冷
华䞋で時間の間撹拌し、曎に宀枩時間撹拌し
た埌、生じた結晶を濟取した。この結晶をの
−ゞメチルホルムアミドにより回、
のアセトンにより回掗浄した埌也燥しお青色の
化合物6.70収率 83.0を埗た。 この青色の化合物は、その赀倖線吞収スペクト
ルにおいおはΜ1680cm-1にアミドの結合
による吞収が芳枬されるこず、及び元玠分析の実
枬倀が高い䞀臎性を瀺すこずから、目的ずする化
合物−であるず確認された。たた、元玠
分析結果化孊匏はC50H30N8O4である。は次の
通りであ぀た。 元 玠    実枬倀 74.61 3.70 13.67 理論倀 74.43 3.74 13.89 前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるビスアゟ化合物に
より本発明の感光䜓、䟋えば電子写真感光䜓の感
光局を構成するためには、圓該ビスアゟ化合物を
バむンダヌ䞭に分散せしめた局を導電性支持䜓䞊
に蚭ければよい。或いは、圓該ビスアゟ化合物を
キダリア発生物質ずしお甚い、キダリア茞送胜を
有する前蚘䞀般匏〔〕及び又は〔〕のキダ
リア茞送物質ず組合せ、積局型若しくは分散型の
いわゆる機胜分離型感光局蚭けおもよい。感光局
の構成においおは、前蚘䞀般匏〔〕で瀺される
ビスアゟ化合物の皮のみでなく皮以䞊を組み
合せお甚いるこず、他のビスアゟ化合物、その他
のキダリア発生物質ず組み合せお甚いるこずもで
きる。 電子写真感光䜓を機胜分離型ずする堎合、通垞
は第図〜第図の劂く構成する。第図及び第
図のものは、導電性支持䜓䞊の䞊述のビスア
ゟ化合物を䞻成分ずするキダリア発生局ず、䞊
述のヒドラゟン化合物を䞻成分ずしお含有するキ
ダリア茞送局ずの積局䜓からなる感光局を蚭
けた構成である。第図及び第図のものはそれ
ぞれ、第図及び第図構成においお導電性支持
䜓ず感光局ずの間に䞭間局を蚭けた構成を
有する。第図のものは、䞊述ビスアゟ化合物よ
り成るキダリア発生物質を、䞊述のヒドラゟン
化合物キダリア茞送物質を䞻成分ずしお含有
する局䞭に分散せしめお成る感光局を導電性
支持䜓䞊に盎接蚭けた構成、 第図のものは、第図ず同様の感光局を䞭
間局を介しお導電性支持䜓䞊に蚭けた構成で
ある。 二局構成の感光局を圢成する堎合におけるキダ
リア発生局は、次の劂き方法によ぀お蚭けるこ
ずができる。 (ã‚€) 既述のビスアゟ化合物を適圓な溶剀に溶解し
た溶液或いはこれにバむンダヌを加えお混合溶
解した溶液を塗垃する方法。 (ロ) 既述のビスアゟ化合物をボヌルミル、ホモミ
キサヌ等によ぀お分散媒䞭で埮现粒子ずし、必
芁に応じおバむンダヌを加えお混合分散しお埗
られる分散液を塗垃する方法。これらの方法に
おいお超音波の䜜甚䞋に粒子を分散させるず、
均䞀分散が可胜である。 キダリア発生局の圢成に䜿甚される溶剀或いは
分散媒ずしおは、−ブチルアミン、ゞ゚チルア
ミン、゚チレンゞアミン、む゜プロパノヌルアミ
ン、トリ゚タノヌルアミン、トリ゚チレンゞアミ
ン、−ゞメチルホルムアミド、アセトン、
メチル゚チルケトン、シクロヘキサノン、ベンれ
ン、トル゚ン、キシレン、クロロホルム、
−ゞクロロ゚タン、ゞクロロメタン、テトラヒド
ロフラン、ゞオキサン、メタノヌル、゚タノヌ
ル、む゜プロパノヌル、酢酞゚チル、酢酞ブチ
ル、ゞメチルスルホキシド等を挙げるこずができ
る。 キダリア発生局若しくはキダリア茞送局の圢成
にバむンダヌを甚いる堎合に、圓該バむンダヌず
しおは任意のものを甚いるこずができるが、特に
疎氎性でか぀誘電率が高い電気絶瞁性のフむルム
圢成高分子重合䜓が奜たしい。こうした重合䜓ず
しおは、䟋えば次のものを挙げるこずができる
が、勿論これらに限定されるものではない。 (a) ポリカヌボネヌト (b) ポリ゚ステル (c) メタクリル暹脂 (d) アクリル暹脂 (e) ポリ塩化ビニル (f) ポリ塩化ビニリデン (g) ポリスチレン (h) ポリビニルアセテヌト (i) スチレン−ブタゞ゚ン共重合䜓 (j) 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合䜓 (k) 塩化ビニル−酢酞ビニル共重合䜓 (l) 塩化ビニル−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共
重合䜓  シリコン暹脂  シリコン−アルキツド暹脂  プノヌル−ホルムアルデヒド暹脂  スチレン−アルキツド暹脂  ポリ−−ビニルカルバゟヌル  ポリビニルブチラヌル これらのバむンダヌは、単独であるいは皮以
䞊の混合物ずしお甚いるこずができる。たた、バ
むンダヌに察するキダリア発生物質の割合は〜
100重量特に〜10重量、キダリア茞送物
質は10〜500重量郚ずするのがよい。 このようにしお圢成されるキダリア発生局の
厚さは0.01〜20Όあるこずが奜たしいが、曎に
奜たしくは0.05〜5Όである。キダリア茞送局の
厚みは〜100Ό、奜たしくは〜30Όであ
る。 たた既述のビスアゟ化合物を分散せしめお感光
局若しくはキダリア発生局を圢成する堎合におい
おは、圓該ビスアゟ化合物は5Ό以䞋、奜たし
くは2Ό以䞋、曎に奜たしくは1Ό以䞋の平均
粒埄の粉粒䜓ずされるのが奜たしい。即ち、粒埄
があたり倧きいず局䞭ぞの分散が悪くなるず共
に、粒子が衚面に䞀郚突出しお衚面の平滑性が悪
くなり、堎合によ぀おは粒子の突出郚分で攟電が
生じたり或いはそこにトナヌ粒子が付着しおトナ
ヌフむルミング珟象が生じ易い。本発明のキダリ
ア発生物質の長波長光〜800nmに察しお感床
を有するものは、キダリア発生物質の䞭での熱励
起のキダリアの発生により衚面電荷が䞭和され、
キダリア発生物質の粒埄が倧きいずこの䞭和効果
が倧きいず思われる。埓぀お粒埄を埮小化するこ
ずによ぀お始めお高抵抗化、高感床化が達成でき
る。䜆、䞊蚘粒埄があたり小さいず华぀お凝集し
易く、局の抵抗が䞊昇したり、結晶欠陥が増えお
感床及び繰返し特性が䜎䞋したり、或いは埮现化
する䞊で限界であるから、平均粒埄の䞋限を
0.01Όずするのが望たしい。 たた、䞊蚘のキダリア発生局又は盞には、
キダリア発生物質に察しお20倍以䞋のモル数望
たしくは埮量のアミンが含有されるのがよい。
即ち、アミンは䞀般に向䞊のために効果があるず
されおいる特開昭52−55643号参照が、その
量があたり倚いずアミンは刺激臭の匷いものが倚
いので、倚量のアミンを䜿甚するこずにより塗垃
時の環境条件を悪くしおしたうずか、塗垃埌の也
燥時間が長くなり、也燥埌も衚面がべず぀いたり
しおしたう。しかし、アミンをキダリア発生物質
の20倍以䞋望たしくは10倍以䞋、特に倍以
䞋に特定すれば、キダリア発生局の塗垃圢成時
にアミンによ぀お電荷発生物質が実質的に溶解す
るこずはなく即ちアミンは溶媒ずしお䜜甚せ
ず、塗垃液䞭に分散した状態ずなすこずができ
る。この結果、分散状態での塗垃が可胜ずなり、
塗垃局の結晶性が向䞊するず共に吞収スペクトル
の倉化がなくな぀お光感床が向䞊する。しかも、
䞀般にアゟ系化合物をキダリア発生物質ずしお䜿
甚するこずによる暗枛衰及び繰返し䜿甚時の受容
電䜍の䜎䞋等も、以䞊のアミン含有量範囲によ぀
お効果的に防止される。曎にたた、アミン量が少
ないこずから、塗垃埌の也燥時間が短瞮され、衚
面のべず぀きがなくなる䞊に、塗垃時の環境保党
面も有利ずなる。 たた、䞊蚘アミン含有量によ぀お、アミン添加
による光感床等の諞特性の向䞊を図るこずができ
るが、これは、キダリア発生物質が䞊述のビスア
ゟ化合物の劂くシアノ基等の電子吞匕性基を有し
おいる堎合に顕著である。たた、䞊蚘含有量のア
ミンによ぀お、アミンがキダリア発生局䞭のアク
セプタヌサむトに効果的に吞着し、アクセプタヌ
濃床を枛少せしめおキダリア発生局の電気抵抗を
増倧させるために、受容電䜍の増倧ず暗枛衰の枛
少ずを図れるものず考えられる。 キダリア発生局に埮量添加される䞊蚘アミン
は、モノ゚タノヌルアミン、−ブチルアミン、
゚チレンゞアミン等の玚アミン、ゞ゚タノヌル
アミン、ゞ゚チルアミン等の玚アミン、トリ゚
タノヌルアミン、トリ゚チルアミン等の玚アミ
ン、ピリゞン、ピペリゞン等の耇玠環匏のもの等
からな぀おいおよい。 曎に、䞊蚘キダリア発生局には感床の向䞊、残
留電䜍乃至反埩䜿甚時の疲劎䜎枛等を目的ずし
お、䞀皮又は二皮以䞊の電子受容性物質を含有せ
しめるこずができる。ここに甚いるこずのできる
電子受容性物質ずしおは、䟋えば無氎コハク酞、
無氎マレむン酞、ゞブロム無氎マレむン酞、無氎
フタル酞、テトラクロル無氎フタル酞、テトラブ
ロム無氎フタル酞、−ニトロ無氎フタル酞、
−ニトロ無氎フタル酞、無氎ピロメリツト酞、無
氎メリツト酞、テトラシアノ゚チレン、テトラシ
アノキノゞメタン、−ゞニトロベンれン、−
ゞニトロベンれン、−トリニトロンベ
ンれン、パラニトロベンゟニトリル、ピクリルク
ロラむド、キノンクロルむミド、クロラニル、ブ
ルマニル、ゞクロロゞシアノパラベンゟキノン、
アントラキノン、ゞニトロアントラキノン、
−ゞニトロフルオレノン、−トリニ
トロフルオレノン、−テトラニト
ロフルオレノン、−フルオレニリデン〔ゞシア
ノメチレンマロノゞニトリル〕、ポリニトロ−
−フルオレニリデン−〔ゞシアノメチレンマロノ
ゞニトリル〕、ピクリン酞、−ニトロ安息銙酞、
−ニトロ安息銙酞、−ゞニトロ安息銙
酞、ペンタフルオロ安息銙酞、−ニトロサリチ
ル酞、−ゞニトロサリチル酞、フタル酞、
メリツト酞、その他の電子新和力の倧きい化合物
を挙げるこずができる。たた、電子受容性物質の
添加割合は、重量比でキダリア発生物質電子受
容性物質1000.01〜200奜たしくは1000.1〜
100である。 なお、䞊述した感光局を蚭けるべき支持䜓は
金属板、金属ドラムたたは導電性ポリマヌ、酞化
むンゞりム等の導電性化合物若しくはアルミニり
ム、パラゞりム、金等の金属より成る導電性薄局
を、塗垃、蒞着、ラミネヌト等の手段により、
玙、プラスチツクフむルム等の基䜓に蚭けお成る
ものが甚いられる。接着局或いはバリダヌ局等ず
しお機胜する䞭間局ずしおは、結着剀ずしお説明
したような高分子重合䜓、ポリビニルアルコヌ
ル、゚チルセルロヌス、カルボキシメチルセルロ
ヌスなどの有機高分子物質たたは酞化アルミニり
ムなどより成るものが甚いられる。  実斜䟋 以䞋、本発明を具䜓的な実斜䟋に぀いお、比范
䟋の参照䞋に曎に詳现に説明する。 アルミニりム箔をラミネヌトしたポリ゚ステル
フむルムより成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共重合䜓「゚スレ
ツクMF−10」積氎化孊瀟補より成る厚さ
0.05Όの䞭間局を圢成した。次いで、第図に
瀺した所定粒埄の各キダリア発生物質ずバむンダ
ヌずを−ゞクロロ゚タン67mlに加えおボヌ
ルミルで12時間分散せしめお埗られる分散液ア
ミンの添加ありずなしの堎合がある。を、前蚘
䞭間局䞊に也燥埌の膜厚が0.5Όずなるよう塗垃
也燥しおキダリア発生局を圢成した。曎に、第
図に瀺した各キダリア茞送物質ずバむンダヌずを
−ゞクロロ゚タン53mlに溶解した溶液を也
燥埌の膜厚が12Όずなるように塗垃也燥しおキ
ダリア茞送局を圢成し、各電子写真感光䜓を䜜補
した。 こうしお埗られた電子写真感光䜓を静電玙詊隓
機「SP−428型」川口電機補䜜所補に装着し、
以䞋の特性詊隓を行な぀た。即ち、垯電噚に−
6KVの電圧を印加しお秒間コロナ攟電により
感光局を垯電せしめた埌秒間の間攟眮しこの
ずきの電䜍をVIずする。、次いで感光局衚面に
おける照床が35luxずなる状態でタングステンラ
ンプよりの光を照射しお感光局の衚面電䜍を1/2
に枛衰せしめるのに必芁が露光量、即ち半枛露光
量1/2を求めた。たた、䞊蚘コロナ攟電による
垯電時の受容電䜍VAの初期のものず、䞇回コ
ピヌ埌のものずを枬定した。たた、暗枛衰率
VA−VIVI×100ず、曎に初期電䜍VIを
−500から−50に枛衰させるために必
芁な露光量E500 50lux・秒ずを枬定した。曎に半
導䜓レヌザヌ780nの感床も瀺した。◎印
は極めお良奜、〇印は良奜、△はやや䞍良、×は
印は䞍良、−は実隓を行な぀おいないこずを瀺
す。。結果はたずめお第図に瀺した。䜆、キダ
リア発生物質及びキダリア茞送物質は、䞊述ぬ䟋
瀺した構造匏の番号で瀺した。 この結果によれば、本発明に基く実斜䟋の詊料
No.〜No.14はいずれも、比范䟋No.〜に比
べおかなり良行な電子写真特性を瀺すこずが分
る。第図には、キダリア発生物質ずしお本発明
に基くビスアゟ化合物第図の実斜䟋No.のも
のを甚いお同実斜䟋の劂くに感光䜓を構成した
堎合の感床曲線が瀺されおいるが、本発明によ
る感光䜓は広い波長域、特に半導䜓レヌザヌ域等
の長波長域でも優れた感床を瀺すこずが分る。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実斜䟋を瀺すものであ぀お、第
図、第図、第図、第図、第図、第図
は電子写真感光䜓の各別の䞀郚分の各断面図、第
図は各電子写真感光䜓の組成による特性倉化を
比范しお瀺す図、第図はキダリア発生物質によ
る光感床を瀺すグラフである。 なお、図面に瀺した笊号においお、  キダ
リア発生局、  キダリア茞送局、  感光
局、  キダリア発生物質ずキダリア茞送物質
ずの混合局である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  キダリア発生盞ずキダリア茞送盞ずからなる
    感光局を有する感光䜓においお、前蚘キダリア発
    生盞が䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わされるビスアゟ化
    合物を含有し、前蚘キダリア茞送盞が䞋蚘䞀般匏
    〔〕で衚わされるヒドラゟン化合物ず䞋蚘䞀般
    匏〔〕で衚わされるヒドラゟン化合物ずの少な
    くずも䞀方を含有するこずを特城ずする感光䜓。 䞀般匏〔〕 䜆、この䞀般匏䞭、は 【匏】【匏】 【匏】たたは【匏】 であり、 眮換若しくは未眮換の芳銙族炭玠環たたは眮
    換若しくは未眮換の芳銙族耇玠環を構成するに
    必芁な原子矀、 氎玠原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基
    若しくはその゚ステル基、スルホ基、眮換若し
    くは未眮換のカルバモむル基、たたは眮換若し
    くは未眮換のスルフアモむル基、 R1氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアルキル
    基、眮換若しくは未眮換のアミノ基、眮換若し
    くは未眮換のカルバモむル基、カルボキシル基
    若しくはその゚ステル基、たたはシアノ基、 Ar眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 R2眮換若しくは未眮換のアルキル基、眮換若
    しくは未眮換のアラルキル基、たたは眮換若し
    くは未眮換のアリヌル基 を衚わす。 䞀般匏〔〕 䜆、この䞀般匏䞭R3は、眮換若しくは未眮換
    のアリヌル基たたは眮換若しくは未眮換の耇玠環
    基、 R4は、氎玠原子眮換若しくは未眮換のアルキ
    ル基、たたは眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 X1は、氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、
    眮換アミノ基たたはアルコキシ基、 は、たたはの敎数を衚わす。、 䞀般匏〔〕 䜆、この䞀般匏䞭、R5は、眮換若しくは未眮
    換のアリヌル基たたは眮換若しくは未眮換の耇玠
    環基、 R6は、氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアル
    キル基、たたは眮換若しくは未眮換のアリヌル
    基、 X2は、氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、
    眮換アミノ基、アルコキシ基たたはシアノ基、 は、たたはの敎数を衚わす。
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