JPH0290608A - 電子ビーム描画装置 - Google Patents

電子ビーム描画装置

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Publication number
JPH0290608A
JPH0290608A JP24317588A JP24317588A JPH0290608A JP H0290608 A JPH0290608 A JP H0290608A JP 24317588 A JP24317588 A JP 24317588A JP 24317588 A JP24317588 A JP 24317588A JP H0290608 A JPH0290608 A JP H0290608A
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JP
Japan
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data
pattern
personal computer
electron beam
read
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Pending
Application number
JP24317588A
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English (en)
Inventor
Tomohide Watanabe
渡辺 智英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH0290608A publication Critical patent/JPH0290608A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は電子ビーム描画装置に関するものであって、特
にマスクROMのパターン描画に使用されるものである
(従来の技術) 一般にマスクROMは、製造工程における特定の層のパ
ターンが所望するデータに対応して形成され、固有のデ
ータを持つROMとして実現される。
以下第3図を用いて従来の電子ビーム描画装置を説明す
る。
PROMgのデータをPROMデータ読込部9において
読込み、この読込んだデータを大型計算機10へ送る。
大型計算機10では、パターン発生情報11に基づいて
PROM8から読み込んだバイナリデータのビットに対
応したパターンデータを発生する。そしてこのパターン
データは大型計算機において、電子ビーム描画装置14
がパターンを描画するためのフォーマット(以下、EB
フォーマットともいう)に変換され、磁気テープ装置1
2を介して磁気テープ13に書き込まれる。
磁気テープ装置15、計算機16、描画制御部17、お
よびパターン描画部18からなる電子ビーム描画装置1
4においては、EBフォーマットのデータが書込まれた
磁気テープ13のデータを磁気テープ装置15を介して
計算機16に入力する。そしてこの入力されたデータを
描画制御部17を介してパターン描画部18へ送り、パ
ターン描画を行ってマスクROM用のフォトマスク19
を作る。
(発明が解決しようとする課題) このように従来は、PROMからデータを読み、ビット
単位でEBフォーマットのパターンデータに変換するた
め、データ量が数十倍に増大し、大容量のPROMでは
データの取扱いが困難になる。
例えば16MビットのマスクROMでは、EBフォーマ
ットデータは数十Mパイトル200Mバイト程度の膨大
なデータになってしまう。このため、(1)大型計算機
での処理時間が多大になり(数十時間)、(2)大型計
算機での処理コストが高くなるとともに、(3)磁気テ
ープへのデータ書込時間が多大となる(数時間)という
間通があった。ちなみに3600フイートの磁気テープ
に書込めるデータ量は、100Mバイト程度であって、
読出し時間は2時間程度である。
本発明は上記問題点を考慮してなされたものであって、
高速処理が可能な電子ビーム描画装置を提供することを
目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明による電子ビーム描画装置は、PROMに書かれ
たバイナリデータを読込む読込手段と、この読込手段を
介して読込まれたバイナリデータのビット位置に対応し
たパターンデータを発生する専用の計算機と、このパタ
ーンデータに基いて電子ビームを走査し、マスクROM
上にパターンを描画する描画手段とを備えていることを
特徴とする。
(作 用) このように構成された本発明による電子ビーム描画装置
によれば、読込手段を介して読込まれたバイナリデータ
のビット位置に対応したパターンデータの作成が専用の
計算機を用いて行われるため高速処理可能となる。
(実施例) 第1図および第2図を用いて本発明による電子ビーム描
画装置の実施例を説明する。この実施例の電子ビーム描
画装置は、PROMデータ読込部2と、専用計算機5と
、描画制御部6と、パターン描画部7とを備えている。
PROMlのデータはPROMデータ読込部2によって
読込まれ、専用計算機5に送られる。なお、データ通信
手段を介して他のシステムから直接データを専用計算機
に送信することも可能である。
これらのバイナリデータのビット位置に対応したフォト
マスク描画用のパターンデータが専用計算機5によって
発生される。このパターンデータは、描画制御部6を介
してパターン描画部7へ送られ、フォトマスクのパター
ンがマスクROM上に描画される。
バイナリデータに対応したフォトマスク用パターン発生
の一例を以下に説明する。第2図(a)。
(b)は8ビツトXnバイトのバイナリデータに基づい
てパターンデータを発生する場合のモデル図である。第
2図(a)は8ビツトからなる1バイトのバイナリデー
タのnバイトのビット位置イメージ図であり、第2図(
b)は、バイナリデータのビット位置に対応して発生す
るパターンデータの発生イメージ図である。なお、専用
計算機5は、パターンを発生させるための情報をマスク
ROMの種類ごとに予め記憶しておく。このパターンを
発生させるための情報は、第2図(b)の例では、パタ
ーン発生の基準となる座標位置Q (x。
y)、発生するパターンの大きさ!、m、およびパター
ンの配列ピッチPx、Pyである。これらの情報によっ
てビットデータごとのパターン発生位置を決定する。
第2図(a)の第1バイト第0ビツトに対応するパター
ン発生位置は第2図(b)のPIOであり、データが1
の場合パターンを発生する。なおデータが0の場合はパ
ターンを発生しない。第1ビツトに対応するパターン発
生位置はPllである。以下同様にして第1バイトから
第nバイト迄のバイトデータに対応させ、第1行から第
n行違、各ビットのデータが1ならばパターンを発生さ
せ、各ビットのデータがOの場合パターンを発生させな
い。
以上説明したように本実施例によれば、専用計算機5を
用いてパターンデータ変換処理を行うことにより高速処
理が可能となる。
また、従来のものと異なり、大型計算機を使う必要がな
いため、計算処理コストを低減することができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、高速処理をすることができる。
・・・専用計算機、6・・・描画制御部、7・・・パタ
ーン描画部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. PROMに書かれたバイナリデータを読込む読込手段と
    、この読込手段を介して読込まれたバイナリデータのビ
    ット位置に対応したパターンデータを発生する専用の計
    算機と、このパターンデータに基いて電子ビームを走査
    し、マスクROM上にパターンを描画する描画手段とを
    備えていることを特徴とする電子ビーム描画装置。
JP24317588A 1988-09-28 1988-09-28 電子ビーム描画装置 Pending JPH0290608A (ja)

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JP24317588A JPH0290608A (ja) 1988-09-28 1988-09-28 電子ビーム描画装置

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JP24317588A JPH0290608A (ja) 1988-09-28 1988-09-28 電子ビーム描画装置

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JPH0290608A true JPH0290608A (ja) 1990-03-30

Family

ID=17099934

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JP24317588A Pending JPH0290608A (ja) 1988-09-28 1988-09-28 電子ビーム描画装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5604143A (en) * 1994-11-04 1997-02-18 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method for producing nonvolatile memory used as read-only storage media
KR20040046783A (ko) * 2002-11-28 2004-06-05 주식회사 포스코 스킨 패스 밀 표면의 이물질 제거장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55163843A (en) * 1979-06-08 1980-12-20 Fujitsu Ltd Method for electron beam exposure

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