JPH0286132U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0286132U JPH0286132U JP1988166403U JP16640388U JPH0286132U JP H0286132 U JPH0286132 U JP H0286132U JP 1988166403 U JP1988166403 U JP 1988166403U JP 16640388 U JP16640388 U JP 16640388U JP H0286132 U JPH0286132 U JP H0286132U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- lead frame
- stand
- semiconductor chip
- collet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示すダイボンデイ
ング装置の主要部の断面図、第２図は本考案の他
の実施例を示すダイボンデイング装置のコレツト
及びその周囲部分の断面図、第３図は従来の一例
を示すダイボンデイング装置の主要部の断面図で
ある。 １……半導体チツプ、２……セラミツク基板、
３……カバー、４……窓、５……コレツト、６…
…窒素ガマ噴射用カバー、７……台、８……ヒー
タ、９……配管、１０……ヒータ。
ング装置の主要部の断面図、第２図は本考案の他
の実施例を示すダイボンデイング装置のコレツト
及びその周囲部分の断面図、第３図は従来の一例
を示すダイボンデイング装置の主要部の断面図で
ある。 １……半導体チツプ、２……セラミツク基板、
３……カバー、４……窓、５……コレツト、６…
…窒素ガマ噴射用カバー、７……台、８……ヒー
タ、９……配管、１０……ヒータ。
Claims (1)
- リードフレームあるいはセラミツク基板を位置
決め固定するとともに前記リードフレームあるい
はセラミツク基板を加熱するヒータを内蔵する台
と、半導体チツプを吸着するとともに前記台に載
置された前記リードフレームあるいはセラミツク
基板上に前記半導体チツプを移載するコレツトを
有するダイシング装置において、前記コレツトの
周囲を囲み取り付けられるとともに前記リードフ
レームあるいはセラミツク基板及び前記半導体チ
ツプを覆うカバーと、このカバーの外壁に接続さ
れる窒素ガスを供給する配管とを有することを特
徴とするダイボンデイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988166403U JPH0286132U (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988166403U JPH0286132U (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286132U true JPH0286132U (ja) | 1990-07-09 |
Family
ID=31453751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988166403U Pending JPH0286132U (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0286132U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ITTO20090581A1 (it) * | 2009-07-29 | 2011-01-30 | Osai A S S R L | Metodo e dispositivo di condizionamento in temperatura di un elemento |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP1988166403U patent/JPH0286132U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ITTO20090581A1 (it) * | 2009-07-29 | 2011-01-30 | Osai A S S R L | Metodo e dispositivo di condizionamento in temperatura di un elemento |
| WO2011012976A1 (en) * | 2009-07-29 | 2011-02-03 | Osai A.S. S.R.L. | Method and device for temperature conditioning of an element |