JPH0282679A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH0282679A JPH0282679A JP23372788A JP23372788A JPH0282679A JP H0282679 A JPH0282679 A JP H0282679A JP 23372788 A JP23372788 A JP 23372788A JP 23372788 A JP23372788 A JP 23372788A JP H0282679 A JPH0282679 A JP H0282679A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体発光装置の製造方法に係り、特に活性層を有する
多層半導体積層構造にウェットエツチングによりメサス
トライプを形成し、スライドボート法により該メサスト
ライプの両側に埋込み層を成長する工程を含んでなる半
導体発光装置の製造方法に関し、 埋込み層の液相成長時に生じていたスライドによるマス
ク剥離や未成長発生のない半導体発光装置を提供するこ
とを目的とし、 基板上に活性層及びキャップ層を含む積層構造を形成す
る工程と、 該積層構造全面に第１のマスク膜を形成した後、該第１
のマスク膜をストライプ状にパターニングして第１のス
トライプ状マスクを形成する工程と、該第１のストライ
プ状マスクとは選択的に除去できる材料よりなり、該第
１のストライプ状マスクのストライプ巾より大きなスト
ライプ１１】を有し且つ該第１のストライプ状マスクの
ストライプ＋１１中心をその中心として該第１のストラ
イプ状マスクを完全に被覆する第２のストライプ状マス
ククを形成する工程と、該第２のストライプ状マスクを
マスクとして前記積層構造をメ畜す形状にエツチングす
る工程と、 該第２のストライプ状マスクを除去した後、前記第１の
ストライプ状マスクをマスクにし°ζメサ形状側面に埋
込み層を形成する工程を含むことを構成とする。
多層半導体積層構造にウェットエツチングによりメサス
トライプを形成し、スライドボート法により該メサスト
ライプの両側に埋込み層を成長する工程を含んでなる半
導体発光装置の製造方法に関し、 埋込み層の液相成長時に生じていたスライドによるマス
ク剥離や未成長発生のない半導体発光装置を提供するこ
とを目的とし、 基板上に活性層及びキャップ層を含む積層構造を形成す
る工程と、 該積層構造全面に第１のマスク膜を形成した後、該第１
のマスク膜をストライプ状にパターニングして第１のス
トライプ状マスクを形成する工程と、該第１のストライ
プ状マスクとは選択的に除去できる材料よりなり、該第
１のストライプ状マスクのストライプ巾より大きなスト
ライプ１１】を有し且つ該第１のストライプ状マスクの
ストライプ＋１１中心をその中心として該第１のストラ
イプ状マスクを完全に被覆する第２のストライプ状マス
ククを形成する工程と、該第２のストライプ状マスクを
マスクとして前記積層構造をメ畜す形状にエツチングす
る工程と、 該第２のストライプ状マスクを除去した後、前記第１の
ストライプ状マスクをマスクにし°ζメサ形状側面に埋
込み層を形成する工程を含むことを構成とする。
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体発光装置の製造方法に係り、特に活性層
を有する多層半導体積層構造にウニ・ノドエツチングに
よりメサストライプを形成し、スライドボート法により
該メサストライプの両側に埋込み層を成長する工程を含
んでなる半導体発光装置の製造方法に関する。
を有する多層半導体積層構造にウニ・ノドエツチングに
よりメサストライプを形成し、スライドボート法により
該メサストライプの両側に埋込み層を成長する工程を含
んでなる半導体発光装置の製造方法に関する。
発光部となる活性層を埋込んだ埋込み型半導体発光装置
の製造では埋込み層の成長が的確に行われるようにする
ことが重要である。
の製造では埋込み層の成長が的確に行われるようにする
ことが重要である。
スライド法による液相成長において第１図に示すように
特に従来例えばＩｎＰ基板１上に多層形成した後、表面
上にＳｉｎｇ膜ストラストライプマスク６し、エツチン
グによりメサストライプを作製し、液相成長を行う場合
においてエツチング特性によりサイドエツチング量が多
く１．該ストライプマスク６が横に突出したいわゆるひ
さしＡが形成される。図中２はｎ型１ｎＰバ・ノファー
層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はＰ型ＩｎＰクラッ
ド層、５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層である。
特に従来例えばＩｎＰ基板１上に多層形成した後、表面
上にＳｉｎｇ膜ストラストライプマスク６し、エツチン
グによりメサストライプを作製し、液相成長を行う場合
においてエツチング特性によりサイドエツチング量が多
く１．該ストライプマスク６が横に突出したいわゆるひ
さしＡが形成される。図中２はｎ型１ｎＰバ・ノファー
層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はＰ型ＩｎＰクラッ
ド層、５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層である。
上記５ｉ（ｈ膜のひさし部分は埋込み層形成には不要で
除去する必要があるがＳｉＯ□膜ストラストライプマス
クのバラツキが大きい場合ひさしを除去するためのエツ
チングを多少短くするためにひさしＡが完全に除去され
ず一部残存したまま液相成長を行わなければならない。
除去する必要があるがＳｉＯ□膜ストラストライプマス
クのバラツキが大きい場合ひさしを除去するためのエツ
チングを多少短くするためにひさしＡが完全に除去され
ず一部残存したまま液相成長を行わなければならない。
このようにひさしＡを残存させた状態で成長用メルトを
スライドさせるとＳｉＯ□膜とメルト間の摩擦によりＳ
ｉＯ□膜ストラストライプマスクから剥離したり、又剥
離しない部分はその周辺において液相成長が所定のよう
になされない問題を有した。
スライドさせるとＳｉＯ□膜とメルト間の摩擦によりＳ
ｉＯ□膜ストラストライプマスクから剥離したり、又剥
離しない部分はその周辺において液相成長が所定のよう
になされない問題を有した。
本発明は埋込み層の液相成長時に生じていたスライドに
よるマスク剥離や未成長発生のない半導体発光装置を提
供することを目的とする。
よるマスク剥離や未成長発生のない半導体発光装置を提
供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段］
上記課題は本発明によれば
基板上に活性層及びキャップ層を含む積層構造を形成す
る工程と、 該積層構造全面に第１のマスク膜を形成した後、該第１
のマスク膜をストライプ状にバターニングして第１のス
トライプ状マスクを形成する工程と、該第１のストライ
プ状マスクとはｉＡ択的に除去できる材料よりなり、該
第１のストライプ状マスクのストライプ中より大きなス
トライプ巾を有し且つ該第１のストライプ状マスクのス
トライプ巾中心をその中心として該第１のストライプ状
マスクを完全に被覆する第２のストライプ状マスクを形
成する工程、 該第２のストライプ状マスクをマスクとして前記積層構
造をメサ形状にエツチングする工程と、該第２のストラ
イプ状マスクを除去した後、前記第１のストライプ状マ
スクをマスクにしてメサ形状側面に埋込み層を形成する
工程、 を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法によ
って解決される。
る工程と、 該積層構造全面に第１のマスク膜を形成した後、該第１
のマスク膜をストライプ状にバターニングして第１のス
トライプ状マスクを形成する工程と、該第１のストライ
プ状マスクとはｉＡ択的に除去できる材料よりなり、該
第１のストライプ状マスクのストライプ中より大きなス
トライプ巾を有し且つ該第１のストライプ状マスクのス
トライプ巾中心をその中心として該第１のストライプ状
マスクを完全に被覆する第２のストライプ状マスクを形
成する工程、 該第２のストライプ状マスクをマスクとして前記積層構
造をメサ形状にエツチングする工程と、該第２のストラ
イプ状マスクを除去した後、前記第１のストライプ状マ
スクをマスクにしてメサ形状側面に埋込み層を形成する
工程、 を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法によ
って解決される。
尚第１のマスク膜としては５ｉＯｚ膜が結晶表面を保護
する点で好ましく、第２のストライプ状マスクとしては
例えばバターニング及び選択的に除去することの容易な
ホトレジスト膜を用いることができる。
する点で好ましく、第２のストライプ状マスクとしては
例えばバターニング及び選択的に除去することの容易な
ホトレジスト膜を用いることができる。
本発明によればエツチング特性の異なる２種類のストラ
イプマスクを所定位置に二重に形成することによって下
層の例えばＳｉＯ□膜ストラストライプマスク中きなＩ
ｔ−Ｊのメサ上部を得ることができるので従来発生した
ＳｉＯ□ｉＯ□イプマスクのひさしの問題を解消できる
。
イプマスクを所定位置に二重に形成することによって下
層の例えばＳｉＯ□膜ストラストライプマスク中きなＩ
ｔ−Ｊのメサ上部を得ることができるので従来発生した
ＳｉＯ□ｉＯ□イプマスクのひさしの問題を解消できる
。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１Ａ図から第１１図は本発明の一実施例を示す工程断
面図である。
面図である。
まず第１Ａ図に示すようにｎ型１ｎＰ基板ｌ」二に厚さ
約１μＩｌｌのｎ型１ｎＰバツフア一層２、その上に厚
さ約０．１５ｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３、その上に厚
さ約０．５陶のＰ型１ｎＰクラッド層４、厚さ約０．１
５ｍｎのｐ型１ｎＧａＡｓＰキャップ層５を順次液相成
長する。
約１μＩｌｌのｎ型１ｎＰバツフア一層２、その上に厚
さ約０．１５ｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３、その上に厚
さ約０．５陶のＰ型１ｎＰクラッド層４、厚さ約０．１
５ｍｎのｐ型１ｎＧａＡｓＰキャップ層５を順次液相成
長する。
次に第１Ｂ図に示すようにｐ型１ｎＧａＡｓＰキャップ
層５の全面に厚さ約５００人のＳｉＯ□膜をＣＶＤ法に
より形成した後、リソグラフィ技術により約０．５卿巾
のＳｉＯ□ｉＯ□イプマスク６を形成する。
層５の全面に厚さ約５００人のＳｉＯ□膜をＣＶＤ法に
より形成した後、リソグラフィ技術により約０．５卿巾
のＳｉＯ□ｉＯ□イプマスク６を形成する。
次に第１Ｃ図に示すように例えば厚さ約２０００人のホ
トレジスト膜７を全面にスピンコード法により形成する
。
トレジスト膜７を全面にスピンコード法により形成する
。
次に第１Ｄ図に示すように上記０．５ ｔｔｍ巾のＳｉ
Ｏ□ｉＯ□イプマスク６の中心に例えば３ｐ中のストラ
イプ状の金属パターン１３が形成された密着露光用ガラ
スマスク８を位置合わせして上方から露光し、ホトレジ
スト膜７を例えばＭＦ ３１２ （シプレー社製）：水
＝１：ｌの現像液に３５秒間浸漬して除去する（第１Ｅ
図） 次に１ＩＢｒ 、 ＩＩ□０□、水の混合液からなるエ
ッチャントでメサエッチングを行ない第１Ｆ図の如き形
状の多層構造を得る。
Ｏ□ｉＯ□イプマスク６の中心に例えば３ｐ中のストラ
イプ状の金属パターン１３が形成された密着露光用ガラ
スマスク８を位置合わせして上方から露光し、ホトレジ
スト膜７を例えばＭＦ ３１２ （シプレー社製）：水
＝１：ｌの現像液に３５秒間浸漬して除去する（第１Ｅ
図） 次に１ＩＢｒ 、 ＩＩ□０□、水の混合液からなるエ
ッチャントでメサエッチングを行ない第１Ｆ図の如き形
状の多層構造を得る。
次に第１Ｇ図に示すようにアセトン超音波洗浄を約５分
間行いホトレジスト膜７を除去する。
間行いホトレジスト膜７を除去する。
次に第１Ｈ図に示すようにメサ側面にｎ型１ｎＰ埋込み
層９、ｎ型ＩｎＰ ｋＩ］！込み層１０を順に液相成長
させる。
層９、ｎ型ＩｎＰ ｋＩ］！込み層１０を順に液相成長
させる。
次にメサ上部のＳｉＯ。ストライプマスク６及びＩｎＧ
ａＡｓＰキャンプ層５を弗硝酸で除去し、Ｐ型１ｎＰの
ランド層１１及び厚さ約０．１５μ＋ｎのＰ゛型１ｎＧ
ａＡｓＰコンタクト層１２を順次成長させ第１１図に示
す埋込み型半導体レーザを得る。
ａＡｓＰキャンプ層５を弗硝酸で除去し、Ｐ型１ｎＰの
ランド層１１及び厚さ約０．１５μ＋ｎのＰ゛型１ｎＧ
ａＡｓＰコンタクト層１２を順次成長させ第１１図に示
す埋込み型半導体レーザを得る。
以上説明したように本発明によればＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層上のＳｉＯ□ｉＯ□イプマスクを所定の１１】に
予めセットし得るので従来、埋込み層の液相成長時に生
していたスライドによるマスク剥離や未成長部の発生が
なくなり発光装置の製造歩留まりが向トした。
ップ層上のＳｉＯ□ｉＯ□イプマスクを所定の１１】に
予めセットし得るので従来、埋込み層の液相成長時に生
していたスライドによるマスク剥離や未成長部の発生が
なくなり発光装置の製造歩留まりが向トした。
第１Ａ図から第１Ｉ図は本発明の一実施例を示す工程断
面図であり、 第２図は従来例を説明するための断面図である。 ｌ・・・ｎ型１ｎＰ基板、 ２′−ｎ型ＩｎＰバッファー層、 ３−−−ｒｎＧａＡｓＰ活性層、４−Ｐ型１ｎＰクラソ
ｌ−層、５ ・Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキ＋７ブ層、・・・
ＳｉＯ□ｉＯ□イプマスク、 ・・・ホトレジスト膜、８・・・ガラスマスク、・・・
ｎ型１ｎＰ埋込み層、 ０・・・ｎ型１ｎＰ埋込み層、 ｌ・・・Ｐ型１ｎＰクラッド層、 ２・・・Ｐ“型ＩｎＧａＡｓ１’コンタクト層、３・・
・金属パターン。
面図であり、 第２図は従来例を説明するための断面図である。 ｌ・・・ｎ型１ｎＰ基板、 ２′−ｎ型ＩｎＰバッファー層、 ３−−−ｒｎＧａＡｓＰ活性層、４−Ｐ型１ｎＰクラソ
ｌ−層、５ ・Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキ＋７ブ層、・・・
ＳｉＯ□ｉＯ□イプマスク、 ・・・ホトレジスト膜、８・・・ガラスマスク、・・・
ｎ型１ｎＰ埋込み層、 ０・・・ｎ型１ｎＰ埋込み層、 ｌ・・・Ｐ型１ｎＰクラッド層、 ２・・・Ｐ“型ＩｎＧａＡｓ１’コンタクト層、３・・
・金属パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に活性層及びキャップ層を含む積層構造を形
成する工程と、 該積層構造全面に第１のマスク膜を形成した後、第１の
マスク膜をストライプ状にパターニングして第１のスト
ライプ状マスクを形成する工程と、該第１のストライプ
状マスクとは選択的に除去できる材料よりなり該第１の
ストライプ状マスクのストライプ巾より大きなストライ
プ巾を有し且つ該第１のストライプ状マスクのストライ
プ巾中心をその中心として該第１のストライプ状マスク
を完全に被覆する第２のストライプ状マスクを形成する
工程、 該第２のストライプ状マスクをマスクとして前記積層構
造をメサ形状にエッチングする工程と、該第２のストラ
イプ状マスクを除去した後、前記第１のストライプ状マ
スクをマスクにしてメサ形状側面に埋込み層を形成する
工程、 を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23372788A JPH0282679A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23372788A JPH0282679A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282679A true JPH0282679A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16959626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23372788A Pending JPH0282679A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282679A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419286B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-02-18 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| WO2020026330A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23372788A patent/JPH0282679A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419286B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-02-18 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 제조방법 |
| WO2020026330A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 |
| JPWO2020026330A1 (ja) * | 2018-07-31 | 2021-05-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 |
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