JPH0282558A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0282558A JPH0282558A JP23354388A JP23354388A JPH0282558A JP H0282558 A JPH0282558 A JP H0282558A JP 23354388 A JP23354388 A JP 23354388A JP 23354388 A JP23354388 A JP 23354388A JP H0282558 A JPH0282558 A JP H0282558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor element
- polyimide resin
- protective layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 5
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 abstract description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,4-dicarboxybenzoyl)phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 UITKHKNFVCYWNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Orthotolidine sulfone Chemical class 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- GBCQLYRFIUILDL-UHFFFAOYSA-N 1-chlorocyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical compound OC1(Cl)CC=CC=C1 GBCQLYRFIUILDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 4-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C=C1 WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、耐湿性、および半導体素子と封止樹脂との接
着性が改良された樹脂封止型半導体装置に関する。
着性が改良された樹脂封止型半導体装置に関する。
（従来の技術）
半導体素子の表面は、湿気や不純物に極めて敏感である
ため、樹脂等で封止し保護されている。
ため、樹脂等で封止し保護されている。
第２図は、このような従来の樹脂封止型半導体装置の断
面図である。 同図にみるように、半導体素子１はリー
ドフレーム４に固定され、半導体素子１のポンディング
パッド２とリードフレーム４のリード４ａ 、４ｂとが
金、アルミニウム等の金属細線３によって接続されてい
る。 そして、これらはエポキシ樹脂等の封止樹脂５で
封止され全体が固定されている。
面図である。 同図にみるように、半導体素子１はリー
ドフレーム４に固定され、半導体素子１のポンディング
パッド２とリードフレーム４のリード４ａ 、４ｂとが
金、アルミニウム等の金属細線３によって接続されてい
る。 そして、これらはエポキシ樹脂等の封止樹脂５で
封止され全体が固定されている。
従来から素子の表面にポリイミド樹脂を保護コートして
樹脂封止した樹脂封止型半導体装置が知られている。
しかし、一般のポリイミド樹脂の保護層は、概して半導
体素子との接着性が悪く、ハーメチック封止型と違って
本質的に水を吸湿する樹脂を用いた樹脂封止型半導体装
置においては、保護層が耐湿性に劣ることが大きな問題
であった。
樹脂封止した樹脂封止型半導体装置が知られている。
しかし、一般のポリイミド樹脂の保護層は、概して半導
体素子との接着性が悪く、ハーメチック封止型と違って
本質的に水を吸湿する樹脂を用いた樹脂封止型半導体装
置においては、保護層が耐湿性に劣ることが大きな問題
であった。
そのため、半導体素子と接着剥離を生じないようにカッ
プリング剤処理等をあらかじめ施すことは、ある程度有
効である。 しがしながら、カップリング剤処理をして
もまだ耐湿性は十分でなく、アルミニウム配線など半導
体装置の腐食しゃすい部分が水分により断線しなり、吸
湿時に半導体素子のリーク電流が増大する等の問題があ
った。
プリング剤処理等をあらかじめ施すことは、ある程度有
効である。 しがしながら、カップリング剤処理をして
もまだ耐湿性は十分でなく、アルミニウム配線など半導
体装置の腐食しゃすい部分が水分により断線しなり、吸
湿時に半導体素子のリーク電流が増大する等の問題があ
った。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、半導体
素子と封止樹脂との接着性、耐湿性に優れ、その結果、
耐湿試験において半導体素子のリーク電流が少なく、し
かもボンディングワイヤの腐食、断線の問題が起こりに
くく、さらに半導体素子表面の接着性のよい保護層によ
り半導体製造工程における加工落ちのない樹脂封止型半
導体装置を提供しようとするものである。
素子と封止樹脂との接着性、耐湿性に優れ、その結果、
耐湿試験において半導体素子のリーク電流が少なく、し
かもボンディングワイヤの腐食、断線の問題が起こりに
くく、さらに半導体素子表面の接着性のよい保護層によ
り半導体製造工程における加工落ちのない樹脂封止型半
導体装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記の目的を達成するために鋭意研究を重ね
た結果なされたもので、半導体素子表面に特定のポリイ
ミド樹脂による保護層を設けることによって、上記目的
が、達成され、従来の問題点が解消されることを見いだ
し、本発明を完成したものである。
た結果なされたもので、半導体素子表面に特定のポリイ
ミド樹脂による保護層を設けることによって、上記目的
が、達成され、従来の問題点が解消されることを見いだ
し、本発明を完成したものである。
すなわち、本発明は、
半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置に
おいて、半導体素子表面に、一般式（但し式中、 １１、ｎは整数を表し、かつ構成要素Ｒ２及びＲ１のモ
ル比（Ｒ２）／ （Ｒ’ ）が９９／１〜７０／ ３０
の範囲である） で示されるポリイミド樹脂の保護層を有することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置である。
おいて、半導体素子表面に、一般式（但し式中、 １１、ｎは整数を表し、かつ構成要素Ｒ２及びＲ１のモ
ル比（Ｒ２）／ （Ｒ’ ）が９９／１〜７０／ ３０
の範囲である） で示されるポリイミド樹脂の保護層を有することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置である。
本発明に用いるポリイミド樹脂としては、前記した一般
式を有するもので酸成分とりアミン成分とを反応させて
得られる。 酸成分（Ｒ’を構成する）としては、３．
３”、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
その無水物及び低級アルキルエステルが用いられる。
またＲ２を構成するジアミン成分としてオルソトリジン
スルフォンが、Ｒ３を構成するジアミン成分として１．
３−ビス（γ−アミノプロピル） −１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサンがそれぞれ用いられる。 こ
れらＲ２Ｒ３の両成分の割合は次のとおりであり、ブロ
ックとしであるいはランダムに含有されている。
式を有するもので酸成分とりアミン成分とを反応させて
得られる。 酸成分（Ｒ’を構成する）としては、３．
３”、 ４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、
その無水物及び低級アルキルエステルが用いられる。
またＲ２を構成するジアミン成分としてオルソトリジン
スルフォンが、Ｒ３を構成するジアミン成分として１．
３−ビス（γ−アミノプロピル） −１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサンがそれぞれ用いられる。 こ
れらＲ２Ｒ３の両成分の割合は次のとおりであり、ブロ
ックとしであるいはランダムに含有されている。
（Ｒ’ ）／（Ｒ３）のモル比［このモル比はｌ／ｎに
等しい］が９９／１〜７０／ ３０の範囲内にあること
が望ましい、 モル比が７０／ ３０未満であるとワイ
ヤボンディング工程等の熱衝撃時の耐熱に問題が生じ、
また９９／１を超えると半導体素子と封止樹脂との接着
性、耐湿性が悪くなるので好ましくない。
等しい］が９９／１〜７０／ ３０の範囲内にあること
が望ましい、 モル比が７０／ ３０未満であるとワイ
ヤボンディング工程等の熱衝撃時の耐熱に問題が生じ、
また９９／１を超えると半導体素子と封止樹脂との接着
性、耐湿性が悪くなるので好ましくない。
ポリイミド樹脂を製造するには、前述した所定割合のジ
アミン成分を非プロトン系極性溶剤に溶解し、次に前述
した所定割合の酸成分を加え一２０〜５０℃で１〜１０
時間反応させてポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミ
ド酸を得る。 これを無水酢酸、ピリジン系によって化
学的に脱水環化させるか、１５０〜２３０℃で熱的に環
化させてポリイミド樹脂を製造する。
アミン成分を非プロトン系極性溶剤に溶解し、次に前述
した所定割合の酸成分を加え一２０〜５０℃で１〜１０
時間反応させてポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミ
ド酸を得る。 これを無水酢酸、ピリジン系によって化
学的に脱水環化させるか、１５０〜２３０℃で熱的に環
化させてポリイミド樹脂を製造する。
ポリイミド樹脂によって半導体素子表面に保護層を形成
するには、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸
又はポリイミド樹脂を半導体素子表面に塗布、加熱硬化
して保護層を形成する。
するには、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸
又はポリイミド樹脂を半導体素子表面に塗布、加熱硬化
して保護層を形成する。
ここで用いる溶剤としては、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、ｎ−メチル−２−ピロリドン等の
非プロトン系極性溶剤が最適であるが、その他にジエチ
レングリコールジメチルエーテル、０−クレゾール、ト
クレゾール、ｐ−クレゾール、０−クロロフェノール、
１−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール等が挙げ
られ、これらは単独もしくは２種以上の混合系として使
用する。 この樹脂溶液は必要に応じて無機質充填剤、
顔料、カーボンブラック、チクソトロビック剤、消泡剤
、カップリング剤等を配合することができる。 こうし
て調製したポリアミド酸樹脂溶液を半導体素子表面に塗
布し１２０〜３５０℃の温度で数段階に分けて数時間焼
き付けて保護層を形成する。 化学閉環したポリイミド
樹脂の場合は、ポリアミド酸樹脂の場合と同様に樹脂溶
液とし、また同様に必要に応じて他の成分を添加配合し
て樹脂溶液とし、半導体素子表面に塗布し、１００〜２
００℃で数時間焼き付けて保護層を形成する。 その後
、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等の成
形材料で注形、Ｉ・ランスファー成形、射出成形等によ
り ０．５〜５Ｉｌｌ程度の厚さにモールドして樹脂封
止型半導体装置を製造する。
メチルアセトアミド、ｎ−メチル−２−ピロリドン等の
非プロトン系極性溶剤が最適であるが、その他にジエチ
レングリコールジメチルエーテル、０−クレゾール、ト
クレゾール、ｐ−クレゾール、０−クロロフェノール、
１−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール等が挙げ
られ、これらは単独もしくは２種以上の混合系として使
用する。 この樹脂溶液は必要に応じて無機質充填剤、
顔料、カーボンブラック、チクソトロビック剤、消泡剤
、カップリング剤等を配合することができる。 こうし
て調製したポリアミド酸樹脂溶液を半導体素子表面に塗
布し１２０〜３５０℃の温度で数段階に分けて数時間焼
き付けて保護層を形成する。 化学閉環したポリイミド
樹脂の場合は、ポリアミド酸樹脂の場合と同様に樹脂溶
液とし、また同様に必要に応じて他の成分を添加配合し
て樹脂溶液とし、半導体素子表面に塗布し、１００〜２
００℃で数時間焼き付けて保護層を形成する。 その後
、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等の成
形材料で注形、Ｉ・ランスファー成形、射出成形等によ
り ０．５〜５Ｉｌｌ程度の厚さにモールドして樹脂封
止型半導体装置を製造する。
（作用）
本発明に係る特定のポリイミド樹脂を使用したことによ
って、半導体素子表面とポリイミド樹脂との接着性が良
くなり、素子の周辺から湿気を吸収することがなく、耐
湿性が向上し、製造工程中の信頼性も向上する。
って、半導体素子表面とポリイミド樹脂との接着性が良
くなり、素子の周辺から湿気を吸収することがなく、耐
湿性が向上し、製造工程中の信頼性も向上する。
（実施例）
次に、本発明を実施例によって説明する。
第１図（ａ ）に示すように、半導体素子１の表面にポ
リイミド樹脂をスピンナーを用いて硬化後の膜厚が１〜
１０μｍとなるように塗布し、９５℃で５分間加熱後、
１５０℃で２時間加熱する。 こうして得られたポリイ
ミド樹脂表面にフォトレジストを塗布し乾燥後、露光す
る。 露光したものを現像、リンス、乾燥し、ポンディ
ングパッド２やその他年必要な部分をヒドラジン等でエ
ツチング除去する。 エツチング終了後リンスして乾燥
し、その後レジストを剥離してリンス乾燥することによ
って、ポリイミド樹脂の保護層６を形成した。
リイミド樹脂をスピンナーを用いて硬化後の膜厚が１〜
１０μｍとなるように塗布し、９５℃で５分間加熱後、
１５０℃で２時間加熱する。 こうして得られたポリイ
ミド樹脂表面にフォトレジストを塗布し乾燥後、露光す
る。 露光したものを現像、リンス、乾燥し、ポンディ
ングパッド２やその他年必要な部分をヒドラジン等でエ
ツチング除去する。 エツチング終了後リンスして乾燥
し、その後レジストを剥離してリンス乾燥することによ
って、ポリイミド樹脂の保護層６を形成した。
こうして得られた半導体素子を使用して樹脂封止型半導
体装置が製造される。 すなわち、第１図（ｂ）に示す
ようにポリイミド樹脂による保護層６で保護された半導
体素子１はリードフレーム４に固定され、半導体素子１
のポンディングパッド２はリード４ａ 、４ｂに金属線
３によって接続される。 そして、これらはエポキシ樹
脂５で封止される。 ここでポンディングパッド２に樹
脂をコートしなかった理由は、金属線３を接続させるボ
ンディング工程があることと、エポキシ樹脂５とポリイ
ミド樹脂層との熱膨脹係数の差に起因する事故が発生す
るおそれがあるからである。 このようにして製造され
た樹脂封止型半導体装置について信頼性試験を行ったと
ころ、耐湿性について１２５℃の飽和水蒸気中で８００
時間以上の高信頼性が得られ、さらに装置製造工程にお
ける不良もほとんどないことが確認された。
体装置が製造される。 すなわち、第１図（ｂ）に示す
ようにポリイミド樹脂による保護層６で保護された半導
体素子１はリードフレーム４に固定され、半導体素子１
のポンディングパッド２はリード４ａ 、４ｂに金属線
３によって接続される。 そして、これらはエポキシ樹
脂５で封止される。 ここでポンディングパッド２に樹
脂をコートしなかった理由は、金属線３を接続させるボ
ンディング工程があることと、エポキシ樹脂５とポリイ
ミド樹脂層との熱膨脹係数の差に起因する事故が発生す
るおそれがあるからである。 このようにして製造され
た樹脂封止型半導体装置について信頼性試験を行ったと
ころ、耐湿性について１２５℃の飽和水蒸気中で８００
時間以上の高信頼性が得られ、さらに装置製造工程にお
ける不良もほとんどないことが確認された。
［発明の効果Ｊ
以上説明したように、本発明の樹脂封止型半導体装置は
、従来のものと異なり、特定のポリイミド樹脂を用いた
ことによって、半導体素子表面と保護層との接着性が改
善され、極めて優れた耐湿性を得ることができる。 そ
して腐食、断線もなくなり、半導体装置の製造工程にお
ける加工落ちも少なくなり、高信頼性の半導体装置を製
造することができるものである。
、従来のものと異なり、特定のポリイミド樹脂を用いた
ことによって、半導体素子表面と保護層との接着性が改
善され、極めて優れた耐湿性を得ることができる。 そ
して腐食、断線もなくなり、半導体装置の製造工程にお
ける加工落ちも少なくなり、高信頼性の半導体装置を製
造することができるものである。
第１図（ａ ）は本発明に係る半導体素子の平面図、第
１図＜ｂ ＞は第１図（ａ ）の半導体素子を使用した
本発明の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図、第
２図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。 ■・・・半導体素子、 ２・・・ボンディングバット、
３・・・金属線、 ４，４ａ 、４ｂ・・・リードフレ
ーム、５・・・封止樹脂、 ６・・・保護層（ポリイミ
ド樹脂）。
１図＜ｂ ＞は第１図（ａ ）の半導体素子を使用した
本発明の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図、第
２図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。 ■・・・半導体素子、 ２・・・ボンディングバット、
３・・・金属線、 ４，４ａ 、４ｂ・・・リードフレ
ーム、５・・・封止樹脂、 ６・・・保護層（ポリイミ
ド樹脂）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子を樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装
置において、半導体素子表面に、一般式▲数式、化学式
、表等があります▼ （但し式中、 Ｒ＾１は▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾２は▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾３は▲数式、化学式、表等があります▼を、 ｍ、ｎは整数を表し、かつ構成要素Ｒ＾２及び＾３Ｒの
モル比（Ｒ＾２）／（Ｒ＾３）が９９／１〜７０／３０
の範囲である） で示されるポリイミド樹脂の保護層を有することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23354388A JPH0282558A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23354388A JPH0282558A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282558A true JPH0282558A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16956704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23354388A Pending JPH0282558A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7213909B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Color inkjet recording apparatus and copier with increased reliability |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59219330A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-10 | オーシージー マイクロエレクトロニク マテリアルズ インク． | ポリイミド、その製造方法および用途 |
| JPS61141735A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-28 | チバ−ガイギ− ア−ゲ− | ポリイミド類からなる保護フィルム類または写真的な浮彫複写物類の製造方法 |
| JPS61236829A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-22 | チバ‐ガイギー アーゲー | 塗装された材料及びその利用方法 |
| JPS6256948A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-12 | チバ−ガイギ− アクチエンゲゼルシヤフト | 被覆材料 |
| JPS6327833A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性を有する画像の形成方法 |
| JPH0263145A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23354388A patent/JPH0282558A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59219330A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-10 | オーシージー マイクロエレクトロニク マテリアルズ インク． | ポリイミド、その製造方法および用途 |
| JPS61141735A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-28 | チバ−ガイギ− ア−ゲ− | ポリイミド類からなる保護フィルム類または写真的な浮彫複写物類の製造方法 |
| JPS61236829A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-22 | チバ‐ガイギー アーゲー | 塗装された材料及びその利用方法 |
| JPS6256948A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-12 | チバ−ガイギ− アクチエンゲゼルシヤフト | 被覆材料 |
| JPS6327833A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性を有する画像の形成方法 |
| JPH0263145A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7213909B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-05-08 | Ricoh Company, Ltd. | Color inkjet recording apparatus and copier with increased reliability |
| US7360873B2 (en) | 2001-10-12 | 2008-04-22 | Ricoh Company, Ltd. | Color inkjet recording apparatus and copier with increased reliability |
| US7651195B2 (en) | 2001-10-12 | 2010-01-26 | Ricoh Company, Ltd. | Color inkjet recording apparatus and copier with increased reliability |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2993453B2 (ja) | テープ自動化接合テープ用基材 | |
| JPS60250031A (ja) | 低熱膨張性樹脂材料 | |
| JP2961642B2 (ja) | 電子部品用接着テープおよび液状接着剤 | |
| CN105612600A (zh) | 元件加工用层叠体、元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法 | |
| JPS5976451A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0967559A (ja) | 電子部品用接着テープ及び液状接着剤 | |
| JPS6040705B2 (ja) | 電子回路の保護被覆形成方法 | |
| JP3410642B2 (ja) | 電子部品用耐熱性接着剤組成物 | |
| JPH0940931A (ja) | 耐熱性接着剤及び半導体装置 | |
| JPH0282558A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3650493B2 (ja) | 電子部品用接着テープ | |
| JP3839887B2 (ja) | 電子部品用接着テープ | |
| JPH0263145A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH02101764A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6044338A (ja) | 複合成形品 | |
| JPH1192719A (ja) | 電子部品用接着テープ | |
| JPS60177659A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0263144A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06345866A (ja) | シロキサン変性ポリイミド樹脂 | |
| JPH06349987A (ja) | ヒートシンク搭載型半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置用ヒートシンク | |
| JPH1135915A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0322465A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08176524A (ja) | シリコーンポリイミド接着剤 | |
| JPH02222473A (ja) | コーティング組成物、及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH07268099A (ja) | 半導体装置 |