JPH0282547A - 半導体ウェハー - Google Patents
半導体ウェハーInfo
- Publication number
- JPH0282547A JPH0282547A JP23551488A JP23551488A JPH0282547A JP H0282547 A JPH0282547 A JP H0282547A JP 23551488 A JP23551488 A JP 23551488A JP 23551488 A JP23551488 A JP 23551488A JP H0282547 A JPH0282547 A JP H0282547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test circuit
- chip
- test
- wiring
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はICのテスト方法に関し、特にウェハー上のP
/W時におけるICチップをテスト回路を用いてテスト
する場合のテスト方法に関する。
/W時におけるICチップをテスト回路を用いてテスト
する場合のテスト方法に関する。
従来この種のテスト回路は、テストされるICチップに
内蔵されるものであり、この為にICチップ上にテスト
回路を動作させる為の専用パッド等を有している。
内蔵されるものであり、この為にICチップ上にテスト
回路を動作させる為の専用パッド等を有している。
上述した従来のICのテスト方法はテストされるICチ
ップの内部にテスト回路を内蔵していた為にシリコンウ
ェハー上におけるICチップのテストが完了した後も、
そのテスト回路はICチップ上に残り、そのまま組立て
られていた。この為、最近特に増大する一方のチップサ
イズが更に大きくなり、チップを収容するケースも大型
化が進んでいる。また更にICチップ上にテスト回路専
用のパッドや、本来の機能とは異なるテスト回路と並用
しなければならないパッドや回路が多々つくり込まれな
ければならないといった諸々の欠点を有していた。
ップの内部にテスト回路を内蔵していた為にシリコンウ
ェハー上におけるICチップのテストが完了した後も、
そのテスト回路はICチップ上に残り、そのまま組立て
られていた。この為、最近特に増大する一方のチップサ
イズが更に大きくなり、チップを収容するケースも大型
化が進んでいる。また更にICチップ上にテスト回路専
用のパッドや、本来の機能とは異なるテスト回路と並用
しなければならないパッドや回路が多々つくり込まれな
ければならないといった諸々の欠点を有していた。
本発明のICのテスト方法は、ウェハー上に形成された
ICチップと、ICチップの外部に同一ウェハー上に該
ICをテストするテスト回路を有し、該ICとテスト回
路を結ぶ配線を有し、更に該テスト回路と該ICとはベ
レッタイズ時に分離されることを可能とする機能を有す
る。
ICチップと、ICチップの外部に同一ウェハー上に該
ICをテストするテスト回路を有し、該ICとテスト回
路を結ぶ配線を有し、更に該テスト回路と該ICとはベ
レッタイズ時に分離されることを可能とする機能を有す
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の概略図である。
1はテストされるICチップ、2はテスト回路、3は1
と2を結ぶ配線、4はシリコンウェハー第2図は、第1
図の1と2と3を部分拡大したものであり、5はスクラ
イブ線、6はP/W時のプローブが接触するパッドであ
る。ICチップ1と配線3は同一マスクで露光されるが
、テスト回路2は別のマスクで作成される。テスト回路
2のマスクはCPUチップテスト用であり、1のICチ
ップはCPUである。CPUに使用するテスト回路は汎
用性を持たせることもできる。つまり、テスト回路2の
マスクは別のICチップのテスト回路として用いられる
。テスト回路2上のパッド6に入力されたテスト回路を
7クテイブとさせる制御信号により、テスト回路は配線
3を介してICチップ1と相互に信号のやりとりを行な
い、かつまた、ICチップ1上のテスト時出力信号を配
線3を介してテスト回路2上のパッド6よりプローブニ
ードルへ伝達させる。
と2を結ぶ配線、4はシリコンウェハー第2図は、第1
図の1と2と3を部分拡大したものであり、5はスクラ
イブ線、6はP/W時のプローブが接触するパッドであ
る。ICチップ1と配線3は同一マスクで露光されるが
、テスト回路2は別のマスクで作成される。テスト回路
2のマスクはCPUチップテスト用であり、1のICチ
ップはCPUである。CPUに使用するテスト回路は汎
用性を持たせることもできる。つまり、テスト回路2の
マスクは別のICチップのテスト回路として用いられる
。テスト回路2上のパッド6に入力されたテスト回路を
7クテイブとさせる制御信号により、テスト回路は配線
3を介してICチップ1と相互に信号のやりとりを行な
い、かつまた、ICチップ1上のテスト時出力信号を配
線3を介してテスト回路2上のパッド6よりプローブニ
ードルへ伝達させる。
つまり、ICチップ1上のテストに関し、ICチップl
上にテスト回路やテスト専用パッドを持たなくとも、出
力線、入力線を配線3のようにテスト回路2とつないで
テスト回路2上のパッドを使用したり、テスト回路2自
体を動作させることにより、ICチップ1はテスト回路
によるテストが行なわれ、テスト完了後は不要なテスト
回路2はスクライブ線5より、ベレッタイズ時に分離し
、廃棄する。
上にテスト回路やテスト専用パッドを持たなくとも、出
力線、入力線を配線3のようにテスト回路2とつないで
テスト回路2上のパッドを使用したり、テスト回路2自
体を動作させることにより、ICチップ1はテスト回路
によるテストが行なわれ、テスト完了後は不要なテスト
回路2はスクライブ線5より、ベレッタイズ時に分離し
、廃棄する。
第3図は、本発明の第2の実施例の概略図である。7は
、第1のICペレット、8は第2のICペレット。第1
の実施例とほぼ同様であるが、2.3.7の関係は第1
の実施例と同一。但し、8の第2のICペレットに対し
ても7に対するテスト回路を用いている点が異なる。2
つのICペレットを同時テストすることもできるが、こ
こでは各々1つのICペレットに対してテストすること
を考え、テスト回路用のプローブが使用するパッド6は
、8の第2のICペレットの左側の空地にも置かれ、第
1のICペレット7が接続されているのと同一の配線3
で結ばれ、各々のICペレット1個、1個が各々テスト
できるようにしている。これはプローブカードの製造上
の優位性、またプローバによるP/Wがこのようにした
ことによって第1図と同じに行なえることによる。
、第1のICペレット、8は第2のICペレット。第1
の実施例とほぼ同様であるが、2.3.7の関係は第1
の実施例と同一。但し、8の第2のICペレットに対し
ても7に対するテスト回路を用いている点が異なる。2
つのICペレットを同時テストすることもできるが、こ
こでは各々1つのICペレットに対してテストすること
を考え、テスト回路用のプローブが使用するパッド6は
、8の第2のICペレットの左側の空地にも置かれ、第
1のICペレット7が接続されているのと同一の配線3
で結ばれ、各々のICペレット1個、1個が各々テスト
できるようにしている。これはプローブカードの製造上
の優位性、またプローバによるP/Wがこのようにした
ことによって第1図と同じに行なえることによる。
後は第1の実施例に順するが、つまり、1つのテスト回
路で、複数のペレットを個別にテスト可能でもある。
路で、複数のペレットを個別にテスト可能でもある。
以上説明したように本発明は、ウエノ\−上に形成され
たICチップと同一ウニバー上にICチップをテストす
るテスト回路を分離した形で持ち、このICとテスト回
路を配線で結び、ベレッタイズ時にICチップとテスト
回路を分離可能とさせたことにより、 ■ 不要なテスト回路をICチップ上に持たない為、こ
のICチップをケースに組込む際のケースの大きさが小
さくてすむ。
たICチップと同一ウニバー上にICチップをテストす
るテスト回路を分離した形で持ち、このICとテスト回
路を配線で結び、ベレッタイズ時にICチップとテスト
回路を分離可能とさせたことにより、 ■ 不要なテスト回路をICチップ上に持たない為、こ
のICチップをケースに組込む際のケースの大きさが小
さくてすむ。
■ テスト回路専用ピン、つまりパッドがICチップ上
に要らない。従ってICチップのビン数が増えない。
に要らない。従ってICチップのビン数が増えない。
■ テスト回路用のマスクを汎用化させることもできる
。
。
■ 1つのテスト回路で、複数のICチップを個別にテ
ストできる。
ストできる。
■ テスト回路用のマスクをICチップ用のマスクと別
にすることにより、ICチップのレイアウトが簡素化さ
れる。
にすることにより、ICチップのレイアウトが簡素化さ
れる。
■ テスト回路動作時のICチップの特殊なテスト時出
力信号を本来のICチップ出力端子に複合的な役割を持
たせて出力させる必要がなくなる。
力信号を本来のICチップ出力端子に複合的な役割を持
たせて出力させる必要がなくなる。
等々の効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の概略図。第2図は、第
1図の1〜3を部分拡大したものである。 第3図は第2の実施例の概略図、第4図は、第3図の2
.3,7.8を部分拡大したものである。 1・・・・・・ICチップ、2・・・・・・テスト回路
、3・・・・・・配線、4・・・・・・シリコンウニノ
ー−5・・・・・・スクライブ線、6・・・・・・パッ
ド、7・・・・・・第1のICチップ、8・・・・・・
第2のICチップ。 代理人 弁理士 内 原 晋 第3図
1図の1〜3を部分拡大したものである。 第3図は第2の実施例の概略図、第4図は、第3図の2
.3,7.8を部分拡大したものである。 1・・・・・・ICチップ、2・・・・・・テスト回路
、3・・・・・・配線、4・・・・・・シリコンウニノ
ー−5・・・・・・スクライブ線、6・・・・・・パッ
ド、7・・・・・・第1のICチップ、8・・・・・・
第2のICチップ。 代理人 弁理士 内 原 晋 第3図
Claims (1)
- ウェハー上に形成されたICチップと同一ウェハー上に
該ICをテストするテスト回路を有し、該ICとテスト
回路を結ぶ配線を有し、更に該テスト回路と該ICとは
ペレッタイズ時に分離されることを可能とすることを特
徴とする半導体ウェハー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23551488A JPH0282547A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体ウェハー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23551488A JPH0282547A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体ウェハー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0282547A true JPH0282547A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16987116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23551488A Pending JPH0282547A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 半導体ウェハー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0282547A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613447A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPH06230086A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-08-19 | Nec Corp | Lsiのテスト回路 |
JP2002043528A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Nec Microsystems Ltd | 半導体ウェハ及び特性評価回路 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP23551488A patent/JPH0282547A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613447A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-21 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPH06230086A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-08-19 | Nec Corp | Lsiのテスト回路 |
JP2002043528A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Nec Microsystems Ltd | 半導体ウェハ及び特性評価回路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4527234A (en) | Emulator device including a semiconductor substrate having the emulated device embodied in the same semiconductor substrate | |
JPH02211648A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0282547A (ja) | 半導体ウェハー | |
JPH03214638A (ja) | 半導体ウェハ | |
JP2594541B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US5396500A (en) | Semiconductor integrated circuit device with fault detecting function | |
JPH09127188A (ja) | 集積回路を作る方法およびウェハ上のダイを検査するためのシステム | |
JP3130769B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH0576184B2 (ja) | ||
JPH0230176A (ja) | 半導体集積回路 | |
KR200175408Y1 (ko) | 웨이퍼 테스트용 기판 | |
JPS6235644A (ja) | 半導体装置 | |
JPH02235356A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6082871A (ja) | 論理集積回路 | |
JPH0529546A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6278848A (ja) | 大規模半導体集積回路 | |
JPH02112777A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH02306650A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61150228A (ja) | Lsi検査回路 | |
JPH05121501A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH02136770A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60111435A (ja) | 集積回路 | |
JPS61176127A (ja) | 半導体マスク | |
US20030122264A1 (en) | Bond out chip and method for making same | |
JPS62243335A (ja) | 半導体チツプの検査方法 |