JPH0274804A - 位置合わせ装置 - Google Patents

位置合わせ装置

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JPH0274804A
JPH0274804A JP63225805A JP22580588A JPH0274804A JP H0274804 A JPH0274804 A JP H0274804A JP 63225805 A JP63225805 A JP 63225805A JP 22580588 A JP22580588 A JP 22580588A JP H0274804 A JPH0274804 A JP H0274804A
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JP
Japan
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mask
alignment
wafer
amount
positional deviation
Prior art date
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JP63225805A
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English (en)
Inventor
Masakazu Matsugi
優和 真継
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication of JPH0274804A publication Critical patent/JPH0274804A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は位置合わせ装置に関し、例えば半導体素子製造
用の露光装置において、マスクやレチクル(以下「マス
ク」という。)等の第1物体面上に形成されている微細
な電子回路パターンをウェハ等の第2物体面上に露光転
写する際にマスクとウェハとの3次元的な相対位置決め
(アライメント)を行う場合に好適な位置合わせ装置に
関するものである。
(従来の技術) 従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、例
えばサブミクロン以下の位置合わせ結反な有するものが
要求されている。
多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウェハ面
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。このときのアライメント方法とし
ては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許第4
037969号や特開昭56−+57(133号公報で
提案されているようにアライメントパターンとしてゾー
ンプレートを用い該ゾーンプレートに光束を照射し、こ
のときゾーンプレートから射出した光束の所定面」二に
おける集光点位置を検出すること等により行っている。
般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、単
なるアライメントパターンを用いた方法に比べてアライ
メントパターンの欠損に影響されずに比較的高精度のア
ライメントが出来る特長がある。
第6図はゾーンプレートを利用した従来の位置合わせ装
置の概略図である。
同図において光源72から射出した平行光束はハーフミ
ラ−74を通過後、集光レンズ76で集光点78に集光
された後、マスク68面上のマスクアライメントパター
ン68a及び支持台62に載置したウェハ60面一トの
ウェハアライメントパターン60aを照射する。これら
のアライメントパターン68a、60aは反射型のゾー
ンプレートより構成され、各々集光点78を含む光軸と
直交する平面上に集光点を形成する。このときの平面上
の集光点位置のずれ量を集光レンズ76とレンズ80に
より検出面82上に導光して検出している。
そして検出器82からの出力信号に基づいて制御回路8
4により駆動回路64を駆動させてマスク68とウェハ
60の相対的な位置決めを行っている。
マスク68およびウェハ60上のゾーンプレート68a
、60aは焦点距離がマスク68とウェハ60との間の
所定の間隔値に等しい量だけ異なり、一般にウェハ60
上のゾーンプレート60aの方が焦点距離が大きくなる
第7図は第6図に示したマスクアライメントパターン6
8aとウェハアライメントパターン60aからの光束の
結像関係を示した説明図である。
同図において集光点78から発散した光束はマスクアラ
イメントパターン68aよりその一部の光束か回折し、
集光点78近傍にマスク位置を示す集光点78aを形成
する。又、その他の一部の光束はマスク68を0次透過
光として透過し、波面を変えずにウニ八60面上のウェ
ハアライメントパターン60aに入射する。このとき光
束はウェハアライメントパターン60aにより回折され
た後、再びマスク68を0次透過光として透過し、集光
点78近傍に集光しウェハ位置をあられす集光点78b
を形成する。同図においてはウェハ60により回折され
た光束が集光点を形成する際には、マスク68は単なる
素通し状態としての作用をする。
このようにして形成されたウェハアライメントパターン
60aによる集光点78bの位置は、ウェハ60のマス
ク68に対するずれ量Δσに応じて集光点78を含む光
軸と直交する平面に沿って該ずれ1Δσに対応した量の
ずれ量Δσ′として形成される。
同図に示す位置合わせ装置においては、相対的な位置ず
れ量を求める際にマスクとウニ八面上に設けた回折格子
、ゾーンプレート、ホログラム等の光の波動としての性
質を利用した波面変換素子、所謂物理光学素子からの光
を評価すべき所定面上に独立に結像させて各々基準とす
る位置からのずれ量を求めている。
この場合ゾーンプレートからの直接像をそのまま評価し
たのでは相対的な位置ずれ量に対する所定面上の動きが
同程度で小さい為、高精度の位置合わせの為には第6図
に示す集光レンズ76とレンズ80等の外部光学系に第
7図に示されるずれ量Δσ′を拡大して検出器82上に
結像する機能を持たせることが必要となってくる。
例えば、マスク68とウェハ60の位置ずれ量を0.0
1μmの精度で計測する位置合わせ装置では検出器82
の光量分布の重心位置測定の分解能が1μmとすると外
部光学系はマスク68とウェハ60間の位置ずれ量を少
なくとも100倍に拡大して検出器82上にアライメン
ト光束を結像してやる必要がある。
ところか、このようにアライメント光学系に比較的大き
い位置ずれ量拡大機能を付与するとレンズ系、全系で発
生する収差により検出器82で観測される光束の光量分
布の重心移動量はマスクとウェハ間の位置ずれ量に対し
て所定の倍率を乗算して得られるような線形関係が成り
立たなくなってくる。特に位置ずれ量が大きくなると対
応して発生する収差量も大きくなるため上記関係の非線
形性が顕著になり位置合わせ精度か低下してくる。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明はこのような外部光学系の収差等の原因。
によるマスクとウェハとの位置ずれ量と検出器面上で観
察される光量分布の重心位置の移動量との非線形性に伴
う計測誤差を得られた位置ずれ量に対応して補正手段に
より補正することにより、マスクとウェハとの2次元的
又は3次元的な相対的位置合わせを高精度に行うことの
できる位置合わせ装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段) 第1物体と第2物体の各々アライメントマークを設け、
これらのアライメントマークを介した波動を検出手段に
より検出することにより該第1物体と該第2物体の相対
的な位置合わせを行なう際、該検出手段により信号を処
理して得られる位置ずれ計測値に対して補正手段により
該位置ずれ計測値に対応した所定の非線形係数で補正し
、これより得られる補正値を利用して該第1物体と該第
2物体との位置ずれ量を求めるようにしたことである。
(実施例) 第1図は本発明を半導体素子製造用の露光装置に適用し
たときの第1実施例の概略図、第2図は第1図の光路を
展開したときの要部概略図である。
本実施例では光源32から出射された電磁波、音波等の
波動(以下「光束」という。)をコリメーターレンズ3
3で平行光束とし、投射用レンズ33、ハーフミラ−3
4を介し、第1物体1として例えばマスク面Mを通過さ
せた後、フレネルゾーンプレートの一種であるグレーテ
ィングレンズ等から成る第1物理光学素子41Mを斜方
向から照射している。
第1物理光学素子41Mは集光作用を有しており反射光
を第1物体1の法線方向(+2方向)に射出させ、第1
物理光学素子41Mから所定の距離層れた第2物体2と
しての、例えばマスク面上に設けられているグレーティ
ングレンズより成る第2物理光学素子41Wに入射させ
ている。第2物理光学素子41Wは集光作用を有してお
り、光束をアライメントヘッド24方向に射出させハー
フミラ−35を介した後、集光レンズ36により検出器
38の検出面上に集光している。
そして検出器38からの出力信号を後述する補正手段1
01により補正しマスク1とウェハ2との位置ずれ量を
求めている。尚、マスク1とウェハ2は所定の範囲のギ
ャップで保持されている。
本実施例では位置合わせの為、ウェハ2を動かす構成に
なっているが、同様にマスクチャック移動機構を設はマ
スク1を動かす構成としても良い 以下、便宜上第1物理光学素子41Mをマスク用のグレ
ーティングレンズ41M、第2物理光学素子41Wをウ
ェハ用のグレーティングレンズ41W、第1物体をマス
ク、第2物体をウェハという。
このように本実施例ではウェハ2面上のアライメントパ
ターンを所定の焦点距離をもったグレーティングレンズ
(フレネルゾーンプレートの一種)より構成し、アライ
メントヘット24からマスク1而に斜入射したアライメ
ント用の光束をマスク1面の法線方向(−2方向)に偏
向し、所定の位置(例えばZ ニー187.00μm)
に集光させている。
本実施例においてマスク1面上に斜入射させる角度αは 10く α <80 程度が好ましい。
又、ウェハ21ニのアライメントパターン41はZ軸に
関して非対称なパターンのオフアクシス型のグレーティ
ングレンズで、例えば焦点距離217.0μmとなるよ
うに設計され、マスク1面上のクレーティングレンズを
透過、回折した収束(発散)光をアライメントヘッド方
向に導光している。
このときアライメント光束はグレーティングレンズのレ
ンズ作用を受はアライメントヘッド24内の受光器38
に入射する。第1の実施例ではパターンの存在するスク
ライブライン方向にアライメントする。
今、マスク1とウェハ2とが平行方向にΔσずれており
、ウェハ2からウェハ2のグレーティングレンズ41W
で反射した光束の集光点までの距離をa、マスク1のグ
レーティングレンズ41Mを通過した光束の集光点まて
の距離なりとすると検出面9上での集光点の重心ずれ量
ΔδはΔδ=Δσx(= +1)    ・・・・・・
・・・(a)となる、即ち重心ずれ量Δδは(b / 
a + 1 )倍に拡大される。
例えば、a =0.5+n+n 、 b =50m+n
とすれば重心ずれ量Δδは(a)式より101倍に拡大
される。
尚、このときの重心ずれ量Δδと位置ずれ量Δσは(a
)式より明らかのように比例関係となる。検出器の分解
能が0.1μmであるとすると位置ずれ量Δσはo、o
oiμmの位置分解能となる。
しかしながら実際には受光器38面上のアライメント光
束の光量分布は位置ずれ量が例えば8μm、1μmのと
き各々第3図(A) 、 (B)に示すように非対称に
なってくる。
尚、同図は画素サイズ13X13μm、画素数600の
CCD蓄積型の充電変換素子からの出力データに対応す
るシュミレーションの結果を示している。
このように受光器38面上の光量分布が非対称となるの
はマスク及びウェハ面上に設定したグレーティングレン
ズ系の収差(コマ収差、非点収差、歪曲収差、その他グ
レーティングレンズ特有の波動光学的収差)と位置ずれ
量測定の為の集光レンズ36等の外部光学系で生ずる収
差が原因している。
このような諸収差の為にマスクとウェハ間の位置ずれ量
Δσと受光器38面で測定される光束の光量重心の移動
量から求まる位置ずれ量Δδとの関係は線形とならず第
4図に示すように非線形となってくる。
本実施例のように位置合わせを行う物体上に形成したレ
ンズ素子(グレーティングレンズ)のパワー配置で決ま
る所定の位置ずれ量拡大倍率で受光面、トな移動する光
束の光量重心位置を測定することにより、位置ずれ量を
計測する際は位置ずれ量に応じたグレーティングレンズ
系の収差や外部光学系等により受光面上での光束の光量
分布が非対称となることが予め解っている。
但し、非対称関数の関数形そのものは予めシュミレーシ
ョン又は実験データから得られる光量分布のデータに平
滑化等の操作を行ない、更に必要があれば該データに矩
形窓関数をかけて得られるデータを用いるようにしても
良い。
そこで本実施例では予めシュミレーションにより位置合
わせ装置全体で生ずる収差から光量分布データの関数形
状から光量重心位置データを求め、第4図に示す非線形
データ関数から補正係数用数値データテーブルを作成し
補正手段101に記憶している。そして受光器38面上
での光束の光量重心位置測定値と対応する補正手段10
1内の数値データテーブルからマスクとウェハ間の位置
ずれ量を求めている。
具体的には受光器38面上での光量重心位置x8に対応
する非線形補正係数As(Xs)を乗算して得られる値
Xs  =As  (Xs ) ・Xsをもってマスク
とウェハ間の位置ずれ量としている。
尚、ここでAs(Xs)は前述した数値データテーブル
のデータである。そして以上のようにして得られた値X
3′が許容値範囲内か否か判定して許容値範囲外であれ
ばウェハステージ又はマスクステージを位置ずれ補正方
向に値XS ′だけ駆動させている。そしてこれにより
マスクとウェハとの相対的な位置決めを行っている。
第5図は本実施例のフローチャートである。
本実施例ではこのようにして求めた位置ずれ量Δσをも
とに第2物体を移動させて第1物体と第2物体の位置決
めを高精度に行っている。
尚、本実施例において光束の光量重心は光束断面内にお
いて断面内各卑のその点からの位置ベクトルにその点の
光量を乗算したものを断面全面で積分したときに積分値
が0ベクトルになる点をとっても良いし、又代表点とし
て光強度がピークとなる点の位置をとっても良い。
光源としてはHa−Naレーザ、半導体レーザ等のコヒ
ーレンシーの高い光源でも良く、又発光タイオート(L
ED)、Xe−ランプ、水銀灯等のコヒーレンジの低い
光源を用いても良い。
尚、本発明は第6図に示す位置合わせ装置にも適用する
ことができる。例えば位置合わせ光学系や機域系は同図
に示すように構成し、外部レンズ76.80により位置
ずれ量を100倍に拡大する。そして検出器82からの
出力信号を、本発明に係る航速の機能を有する補正手段
により補正し、該補正値を用いるようにすれば本発明の
目的を同様に達成することができる。
(発明の効果) 本発明によればマスクとウェハの相対的な位置ずれ量を
所定の拡大倍率で計測する際の非線形誤差を位置ずれ量
の計測値によって決まる予めシュミレーションや実験等
により求めた所定の非線形補正係数を該位置ずれ量の計
測値に乗算し補正することにより、高精度の位置合わせ
を可能とした位置合わせ装置を達成することができる。
更に、本発明は位置ずれ計測範囲の拡大に伴なう位置ず
れ拡大倍率の変動を許容することができ、測定レンジを
拡大することができる等の特長を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例の概略図、第2図は第1図
の光路を展開したときの要部概略図、第3図(A) 、
 (B)は本発明における受光面上の光束の光量分布の
説明図、第4図は位置ずれ量と位置ずれ計測値との関係
を示す説明図、第5図は本発明に係るフローチャート、
第6.第7図は従来の位置合わせ装置の概略図である。 図中、1は第1物体、2は第2物体、41M。 41Wは各々第1.第2物理光学素子、32は光源、3
3は投光レンズ、35はハーフミラ−36は集光レンズ
、38は検出器、24はピックアップヘッド、101は
補正手段である。 勇 刀 4+)+7 41閂 革 図 (A) 第 図 (B) DISTANCE 菫 図 ε1.ε2:辞守値部口諧定1直

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1物体と第2物体の各々アライメントマークを
    設け、これらのアライメントマークを介した波動を検出
    手段により検出することにより該第1物体と該第2物体
    の相対的な位置合わせを行なう際、該検出手段により信
    号を処理して得られる位置ずれ計測値に対して補正手段
    により該位置ずれ計測値に対応した所定の非線形係数で
    補正し、これより得られる補正値を利用して該第1物体
    と該第2物体との位置ずれ量を求めるようにしたことを
    特徴とする位置合わせ装置。
  2. (2)前記アライメントマークのうち少なくとも1つの
    アライメントマークはレンズ作用を有していることを特
    徴とする請求項1記載の位置合わせ装置。
JP63225805A 1988-09-09 1988-09-09 位置合わせ装置 Pending JPH0274804A (ja)

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JP63225805A JPH0274804A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 位置合わせ装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007033369A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Nikon Corp 座標補正装置、座標補正方法、および、これに用いられるプログラム
JP2007180548A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Asml Netherlands Bv パターンアライメント方法およびリソグラフィ装置
JP2013515948A (ja) * 2009-12-23 2013-05-09 ラヴィジオン・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 3次元フロー測定のための光学イメージング関数の組を求める方法

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