JPH027194B2 - - Google Patents
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- JPH027194B2 JPH027194B2 JP59086700A JP8670084A JPH027194B2 JP H027194 B2 JPH027194 B2 JP H027194B2 JP 59086700 A JP59086700 A JP 59086700A JP 8670084 A JP8670084 A JP 8670084A JP H027194 B2 JPH027194 B2 JP H027194B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は半導体レーザ素子に関するもので、特
にレーザ発振の横モード制御及び閾値電流の低減
に有効な構造を有し、MBE（分子線エピタキシ
ー）あるいはMO−CVD（有機金属気相成長）等
の新しい成長技術によつて製造可能な半導体レー
ザの素子構造に関するものである。
にレーザ発振の横モード制御及び閾値電流の低減
に有効な構造を有し、MBE（分子線エピタキシ
ー）あるいはMO−CVD（有機金属気相成長）等
の新しい成長技術によつて製造可能な半導体レー
ザの素子構造に関するものである。
＜従来技術＞
近年、分子線エピタキシー（MBE）法あるい
は有機金属を用いた気相成長（MO−CVD）法
などの薄膜単結晶成長技術の進歩は著しく、これ
らの成長技術を用いれば10Å程度の極めて薄いエ
ピタキシヤル成長層を得ることが可能となつてき
ている。このような製造技術の進歩は、半導体レ
ーザにおいても従来の液相エピタキシヤル成長法
（LPE）では製作が困難であつた極めて薄い層を
有する素子構成に基く新しい効果を利用したレー
ザ素子の製作を可能とした。その代表的なものは
量子井戸（Quautum Well；略してQW）レーザ
である。このQWレーザは従来の二重ヘテロ接合
（DH）レーザでは数百Å以上であつた活性層厚
を100Å程度あるいはそれ以下とすることによつ
て、活性層中に量子化準位が形成されることを利
用しており、従来のDHレーザに比べて閾値電流
が下がる、温度特性が良い、あるいは過渡特性の
優れている等の数々の利点を有している。これに
関する参考文献としては次のようなものがある。
は有機金属を用いた気相成長（MO−CVD）法
などの薄膜単結晶成長技術の進歩は著しく、これ
らの成長技術を用いれば10Å程度の極めて薄いエ
ピタキシヤル成長層を得ることが可能となつてき
ている。このような製造技術の進歩は、半導体レ
ーザにおいても従来の液相エピタキシヤル成長法
（LPE）では製作が困難であつた極めて薄い層を
有する素子構成に基く新しい効果を利用したレー
ザ素子の製作を可能とした。その代表的なものは
量子井戸（Quautum Well；略してQW）レーザ
である。このQWレーザは従来の二重ヘテロ接合
（DH）レーザでは数百Å以上であつた活性層厚
を100Å程度あるいはそれ以下とすることによつ
て、活性層中に量子化準位が形成されることを利
用しており、従来のDHレーザに比べて閾値電流
が下がる、温度特性が良い、あるいは過渡特性の
優れている等の数々の利点を有している。これに
関する参考文献としては次のようなものがある。
(1) W.T.T sang、Ahysics Letters、vol.39、
No.．10pp.786（1981）。
No.．10pp.786（1981）。
(2) N.K.Dutta、Journal of Applied Physics、
vol.53、No.11、pp.7211（1982）。
vol.53、No.11、pp.7211（1982）。
(3) H.Iwamura、T.Saku、T.Ishibashi、K.
Otsuka、Y.Horikoshi、ElectrnnicsLetters、
vol、19、No.５、pp.180（1983）。
Otsuka、Y.Horikoshi、ElectrnnicsLetters、
vol、19、No.５、pp.180（1983）。
このように、MBEやMO−CVDなどの薄膜単
結晶成長技術を用いることにより、新しい多層構
造を有する高性能半導体レーザの実用化への道が
開けてきた。
結晶成長技術を用いることにより、新しい多層構
造を有する高性能半導体レーザの実用化への道が
開けてきた。
一方、従来の半導体レーザも多くの改良が積み
重ねられて実用化に至つているが、その中の重要
な要素として横モードの安定化がある。ストライ
プ状の電極を形成することにより電流のみを制限
した初期の電極ストライプ型半導体レーザにおい
ては、レーザ発振の閾値電流のわずか上の電流領
域ではストライプ直下の活性領域でのみ発振に必
要な利得が損失を上まわるので零次あるいは基本
横モードで発振する。しかし駆動電流を増加して
いくと活性層への注入キヤリアはしだいにストラ
イプ領域の両側へ拡がるため、高利得領域が拡が
り、横モードの拡がりや高次横モード発振を招
く。このような横モードの不安定性と駆動電流依
存性は駆動電流とレーザ出力の直線性を悪化させ
パルス電流により変調を行なつた場合、レーザ出
力に不安定な変動を生じ信号対雑音比を劣化させ
る。また出力光の指向性を不安定にするのでレー
ザ出力を光フアイバ等の光学系に効率よく安定に
導くことを困難にするなど実用上多くの障害があ
つた。この点に関して、電流のみでなく光も横方
向に閉じ込めることにより横モードを安定化させ
る多くの構造がLPEにより作製したGaAlAs系及
びInGaAsP系の半導体レーザについて提案され
てきた。しかしながらこれらの構造の多くは溝、
メサあるいは段差加工をした基板上にLPEの特
殊性を利用して製作するものが多い。代表例とし
て、例えばCSPレーザ（K.Aiki、M.Nalamura、
T.Kuroda、and J.Umeda、Applied Physics
Letters、vol.30、No.12、pp.649（1977））、CDHレ
ーザ（D.Botez、Applied Physics Letters、
vol.33、pp.872（1978））、TSレーザ（T.Sugino、
M.Wada、H.Shimizu、K.Itoh、and I.
Teramoto、Applied Physics Letteys、vol.34、
No.４、（1979））等はいずれも液相成長の成長速度
の異方性を利用することによつて製作される構造
である。従つて、これらの構造の大半は成長速度
が等方性を呈するMBEやMO−CVDなどの成長
法をもつてして製作不可能なものである。
重ねられて実用化に至つているが、その中の重要
な要素として横モードの安定化がある。ストライ
プ状の電極を形成することにより電流のみを制限
した初期の電極ストライプ型半導体レーザにおい
ては、レーザ発振の閾値電流のわずか上の電流領
域ではストライプ直下の活性領域でのみ発振に必
要な利得が損失を上まわるので零次あるいは基本
横モードで発振する。しかし駆動電流を増加して
いくと活性層への注入キヤリアはしだいにストラ
イプ領域の両側へ拡がるため、高利得領域が拡が
り、横モードの拡がりや高次横モード発振を招
く。このような横モードの不安定性と駆動電流依
存性は駆動電流とレーザ出力の直線性を悪化させ
パルス電流により変調を行なつた場合、レーザ出
力に不安定な変動を生じ信号対雑音比を劣化させ
る。また出力光の指向性を不安定にするのでレー
ザ出力を光フアイバ等の光学系に効率よく安定に
導くことを困難にするなど実用上多くの障害があ
つた。この点に関して、電流のみでなく光も横方
向に閉じ込めることにより横モードを安定化させ
る多くの構造がLPEにより作製したGaAlAs系及
びInGaAsP系の半導体レーザについて提案され
てきた。しかしながらこれらの構造の多くは溝、
メサあるいは段差加工をした基板上にLPEの特
殊性を利用して製作するものが多い。代表例とし
て、例えばCSPレーザ（K.Aiki、M.Nalamura、
T.Kuroda、and J.Umeda、Applied Physics
Letters、vol.30、No.12、pp.649（1977））、CDHレ
ーザ（D.Botez、Applied Physics Letters、
vol.33、pp.872（1978））、TSレーザ（T.Sugino、
M.Wada、H.Shimizu、K.Itoh、and I.
Teramoto、Applied Physics Letteys、vol.34、
No.４、（1979））等はいずれも液相成長の成長速度
の異方性を利用することによつて製作される構造
である。従つて、これらの構造の大半は成長速度
が等方性を呈するMBEやMO−CVDなどの成長
法をもつてして製作不可能なものである。
第２図はMBE法により作製された従来の
GaAlAs系横モード安定化半導体レーザの断面図
である。ｎ−GaAs基板１上にｎ−GaAsバツフ
ア層１′、ｎ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層２、ｎ−
GaAs活性層３、ｐ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層４、
ｐ−GaAsキヤツプ層５をMBE法により連続成
長した後、Al／Zn／Auを順次蒸着して電極層２
０とし、これをフオトリソグラフイ法によりスト
ライプ状に残してエツチングのマスクとして利用
しAr+イオンビームエツチングによりストライプ
部１０以外の両側半導体層をクラツド層４が約
0.3μｍの厚さとなるまでエツチングして光導波路
を形成する。電極２０を合金化した後、ストライ
プ部１０以外にSiO2膜６を形成しさらにｐ側に
Gr／Au電極８、ｎ側にAuGe／Ni電極７を形成
してレーザ素子とする。このようにして作製した
半導体レーザは比較的安定な特性を示すが、光導
波路に作り付けられる屈折率差の大きさはAr+イ
オンビームエツチングのエツチング深さの精度に
よつて決定されるため制御が困難で、基本横モー
ド発振を再現性良く得難いあるいは高出力化する
ために屈折率差を小さくしようとする際に制御が
困難である等の欠点を有していた。
GaAlAs系横モード安定化半導体レーザの断面図
である。ｎ−GaAs基板１上にｎ−GaAsバツフ
ア層１′、ｎ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層２、ｎ−
GaAs活性層３、ｐ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層４、
ｐ−GaAsキヤツプ層５をMBE法により連続成
長した後、Al／Zn／Auを順次蒸着して電極層２
０とし、これをフオトリソグラフイ法によりスト
ライプ状に残してエツチングのマスクとして利用
しAr+イオンビームエツチングによりストライプ
部１０以外の両側半導体層をクラツド層４が約
0.3μｍの厚さとなるまでエツチングして光導波路
を形成する。電極２０を合金化した後、ストライ
プ部１０以外にSiO2膜６を形成しさらにｐ側に
Gr／Au電極８、ｎ側にAuGe／Ni電極７を形成
してレーザ素子とする。このようにして作製した
半導体レーザは比較的安定な特性を示すが、光導
波路に作り付けられる屈折率差の大きさはAr+イ
オンビームエツチングのエツチング深さの精度に
よつて決定されるため制御が困難で、基本横モー
ド発振を再現性良く得難いあるいは高出力化する
ために屈折率差を小さくしようとする際に制御が
困難である等の欠点を有していた。
＜発明の目的＞
本発明は、以上のような問題点に鑑み、MBE
法あるいはMO−CVD法の層厚制御性を活用し
て閾値の低いかつ横モードを安定化することので
きる半導体レーザの素子構造を提供することを目
的とする。
法あるいはMO−CVD法の層厚制御性を活用し
て閾値の低いかつ横モードを安定化することので
きる半導体レーザの素子構造を提供することを目
的とする。
＜実施例＞
第１図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明の一実施例を示す半
導体レーザ素子の製造工程図である。
導体レーザ素子の製造工程図である。
第１図(A)に示す如く、ｎ−GaAs基板１１上に
厚さ0.5μｍのｎ−GaAsバツフア層１１′、厚さ1μ
ｍのｎ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１２、厚さ0.07μ
ｍのノンドープGaAs活性層１３、厚さ0.3μｍの
ｐ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１４、厚さ0.02μｍの
ｐ−GaAsエツチング停止層１５、厚さ1μｍのｐ
−Ga0.5Al0.5Asクラツド層１６、厚さ0.2μｍのｐ
−GaAsキヤツプ層１７を順次MBE法により連
続成長してダブルヘテロ接合型のレーザ発振用多
層結晶を形成する。次に第１図Ｂに示す如くフオ
トレジスト１８をフオトリソグラフイ法によりキ
ヤツプ層１７上にストライプ状に形成した後、例
えば硫酸系のエツチング液としてH2SO4：
H2O2：H2O＝10：１：１の溶液を用いてフオト
レジスト１８をマスクとして上記多層結晶の両側
部分を約1μｍの深さまでエツチングする。次に
GaAsはエツチングせずGa0.5Al0.5Asを選択的に
エツチングするフツ酸（HF）溶液により、フオ
トレジスト１８外の残りのｐ−Ga0.5Al0.5Asを
GaAsエツチング停止層１５直前までエツチング
除去し、更にGaAsを選択的にエツチングする過
酸化水素水とアンモニア水（H2O2：NH4OH＝
５：１）の混合溶液をエツチング液としてエツチ
ング停止層１５の両側を除去する。この工程で
は、厚さの極めて薄いエツチング停止層１５を介
設することにより、活性層に対するｐ側のクラツ
ド層１４，１６を２段階に分離してエツチングす
ることができる。従つてストライプ外の両側では
ｐ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１４を成長時の層厚
で定まる厚さに極めて精度良く残すことができ、
ストライプ内ではｐ−クラツド層１４，１６を厚
く設定することができる。
厚さ0.5μｍのｎ−GaAsバツフア層１１′、厚さ1μ
ｍのｎ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１２、厚さ0.07μ
ｍのノンドープGaAs活性層１３、厚さ0.3μｍの
ｐ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１４、厚さ0.02μｍの
ｐ−GaAsエツチング停止層１５、厚さ1μｍのｐ
−Ga0.5Al0.5Asクラツド層１６、厚さ0.2μｍのｐ
−GaAsキヤツプ層１７を順次MBE法により連
続成長してダブルヘテロ接合型のレーザ発振用多
層結晶を形成する。次に第１図Ｂに示す如くフオ
トレジスト１８をフオトリソグラフイ法によりキ
ヤツプ層１７上にストライプ状に形成した後、例
えば硫酸系のエツチング液としてH2SO4：
H2O2：H2O＝10：１：１の溶液を用いてフオト
レジスト１８をマスクとして上記多層結晶の両側
部分を約1μｍの深さまでエツチングする。次に
GaAsはエツチングせずGa0.5Al0.5Asを選択的に
エツチングするフツ酸（HF）溶液により、フオ
トレジスト１８外の残りのｐ−Ga0.5Al0.5Asを
GaAsエツチング停止層１５直前までエツチング
除去し、更にGaAsを選択的にエツチングする過
酸化水素水とアンモニア水（H2O2：NH4OH＝
５：１）の混合溶液をエツチング液としてエツチ
ング停止層１５の両側を除去する。この工程で
は、厚さの極めて薄いエツチング停止層１５を介
設することにより、活性層に対するｐ側のクラツ
ド層１４，１６を２段階に分離してエツチングす
ることができる。従つてストライプ外の両側では
ｐ−Ga0.7Al0.3Asクラツド層１４を成長時の層厚
で定まる厚さに極めて精度良く残すことができ、
ストライプ内ではｐ−クラツド層１４，１６を厚
く設定することができる。
次に第１図Ｃに示すように、絶縁膜１９をスト
ライプ外のｐ−クラツド層１４上に被覆する。こ
れは例えば、ｐ−クラツド層１４のGa0.7Al0.3As
を酸化することにより得られる自然酸化膜を利用
するかあるいは全面にSiO2等の金属酸化膜から
成る絶縁膜を被覆した後にフオトレジスト１８を
除去することによりリフトオフ法で同時にキヤツ
プ層１７上の絶縁膜を除去し、ｐ−クラツド層１
４上にのみ絶縁膜１９を形成することができる。
最後に、絶縁膜１９及びキヤツプ層１７上全面に
ｐ側のCr／Au電極１７、GaAs基板１１の裏面
にｎ側のAuGe／Ni電極３１を形成して共振端面
を劈開し、レーザ素子とする。
ライプ外のｐ−クラツド層１４上に被覆する。こ
れは例えば、ｐ−クラツド層１４のGa0.7Al0.3As
を酸化することにより得られる自然酸化膜を利用
するかあるいは全面にSiO2等の金属酸化膜から
成る絶縁膜を被覆した後にフオトレジスト１８を
除去することによりリフトオフ法で同時にキヤツ
プ層１７上の絶縁膜を除去し、ｐ−クラツド層１
４上にのみ絶縁膜１９を形成することができる。
最後に、絶縁膜１９及びキヤツプ層１７上全面に
ｐ側のCr／Au電極１７、GaAs基板１１の裏面
にｎ側のAuGe／Ni電極３１を形成して共振端面
を劈開し、レーザ素子とする。
尚、第３図に示すように活性層１３及びストラ
イプ内のｐ−クラツド層４２に隣接してｐ型
Ga0.85Al0.15As光ガイド層４０，４１を挿入し
LOC（Large Optical Cavity）構造とすることも
可能である。また光ガイド層を活性層１３とクラ
ツド層１２の間に挿設することもできる。光ガイ
ド層４０，４１は活性層１３からの光の滲み出し
効果を企画するものでLOC構造とすることによ
り光の増幅効果が顕著となり、高出力駆動にも耐
えるレーザ素子が得られる。ｐ側の電極１７及び
ｎ側の電極３１を介して電流を注入すると、注入
電流はストライプ内を電流通路として流れ、活性
層３１でレーザ発振が開始される。
イプ内のｐ−クラツド層４２に隣接してｐ型
Ga0.85Al0.15As光ガイド層４０，４１を挿入し
LOC（Large Optical Cavity）構造とすることも
可能である。また光ガイド層を活性層１３とクラ
ツド層１２の間に挿設することもできる。光ガイ
ド層４０，４１は活性層１３からの光の滲み出し
効果を企画するものでLOC構造とすることによ
り光の増幅効果が顕著となり、高出力駆動にも耐
えるレーザ素子が得られる。ｐ側の電極１７及び
ｎ側の電極３１を介して電流を注入すると、注入
電流はストライプ内を電流通路として流れ、活性
層３１でレーザ発振が開始される。
上記実施例に示す半導体レーザ素子において
は、活性層１３への光の閉じ込めに際して作り付
けの屈折率差を決定する最も大きな要因はストラ
イプ外のｐ−クラツド層１４あるいは光ガイド層
４０の厚さである。即ち、ｐ−クラツド層１４あ
るいは光ガイド層４０の厚さを適宜制御すること
により基本横モードの発振を得ることができる。
これらの層厚はMBE法あるいはMO−CVD法と
いつた結晶成長法を用いることにより10Å程度の
精度で極めて正確に制御することができ、本発施
例のレーザ素子はｐ−クラツド層１４，１６ある
いは光ガイド層４０，４１をストライプの内外で
層厚変化させて屈折率分布が付与されており、レ
ーザ発振に際して、基本横モードの制御性が極め
て良好となる。上記レーザ素子は従来のLPE成
長法を用いても製作可能であるが、その場合エツ
チング停止層１５の厚さを200Å以下に薄くする
ことが困難となり、光学特性面でエツチング停止
層１５の存在が無視できなくなつて、発振領域の
損失が増大する等の光学特性に及ぼす悪影響が問
題となる。一方、MBE法あるいはMO−CVD法
を用いれば200Å以下のエツチング停止層１５の
成長が容易に可能であり、このような薄い層を用
いればストライプ内におけるエツチング停止層１
５の光学特性に及ぼす影響がほとんどなくなる。
即ち、エツチング停止層１５を薄く介挿すること
により光学的特性に対してはその存在をほとんど
無視し得るようにしてクラツド層、光ガイド層等
の層厚分布を精度よく制御する。上記実施例にお
いては、ストライプ外のエツチング停止層１５を
除去して絶縁膜１９を形成したが、エツチング停
止層１５を残して、その上にSiO2等の絶縁膜を
形成することによりエツチング工程を１つ省略し
ても良い。
は、活性層１３への光の閉じ込めに際して作り付
けの屈折率差を決定する最も大きな要因はストラ
イプ外のｐ−クラツド層１４あるいは光ガイド層
４０の厚さである。即ち、ｐ−クラツド層１４あ
るいは光ガイド層４０の厚さを適宜制御すること
により基本横モードの発振を得ることができる。
これらの層厚はMBE法あるいはMO−CVD法と
いつた結晶成長法を用いることにより10Å程度の
精度で極めて正確に制御することができ、本発施
例のレーザ素子はｐ−クラツド層１４，１６ある
いは光ガイド層４０，４１をストライプの内外で
層厚変化させて屈折率分布が付与されており、レ
ーザ発振に際して、基本横モードの制御性が極め
て良好となる。上記レーザ素子は従来のLPE成
長法を用いても製作可能であるが、その場合エツ
チング停止層１５の厚さを200Å以下に薄くする
ことが困難となり、光学特性面でエツチング停止
層１５の存在が無視できなくなつて、発振領域の
損失が増大する等の光学特性に及ぼす悪影響が問
題となる。一方、MBE法あるいはMO−CVD法
を用いれば200Å以下のエツチング停止層１５の
成長が容易に可能であり、このような薄い層を用
いればストライプ内におけるエツチング停止層１
５の光学特性に及ぼす影響がほとんどなくなる。
即ち、エツチング停止層１５を薄く介挿すること
により光学的特性に対してはその存在をほとんど
無視し得るようにしてクラツド層、光ガイド層等
の層厚分布を精度よく制御する。上記実施例にお
いては、ストライプ外のエツチング停止層１５を
除去して絶縁膜１９を形成したが、エツチング停
止層１５を残して、その上にSiO2等の絶縁膜を
形成することによりエツチング工程を１つ省略し
ても良い。
以上、本発明の実施例としてGaAlAs系半導体
レーザを例にとつて説明したが、適当なエツチン
グ方法と材料の組み合わせを用いればInGaAlP、
InGaAsP等の半導体混晶を成分としてレーザ素
子を構成することもできる。
レーザを例にとつて説明したが、適当なエツチン
グ方法と材料の組み合わせを用いればInGaAlP、
InGaAsP等の半導体混晶を成分としてレーザ素
子を構成することもできる。
更に活性領域に量子井戸構造等を用いることに
より素子特性の向上が計れることは当然である。
より素子特性の向上が計れることは当然である。
＜発明の効果＞
以上詳設した如く本発明によればMBE法ある
いはMO−CVD法等の最新薄膜成長技術の層厚
制御性を活用してメサを構成するストライプ内に
単にエツチング停止層を採用しただけでなく、そ
の膜厚を200Å以下と薄くすることにより、メサ
構造を配したレーザ素子の特性に多大な影響を与
えるメサの両側のクラツド層或は光ガイド層膜厚
を容易に制御でき、同時にその制御のために半導
体レーザ素子自身の性能を低下させる必要がな
く、延いてはこのエツチング停止層が半導体レー
ザ素子の光学特性に影響を及ぼすことがなくなる
ため、横モードの安定な半導体レーザ素子を構成
することができ、特性の不均一を極めて小さく抑
えることができる。
いはMO−CVD法等の最新薄膜成長技術の層厚
制御性を活用してメサを構成するストライプ内に
単にエツチング停止層を採用しただけでなく、そ
の膜厚を200Å以下と薄くすることにより、メサ
構造を配したレーザ素子の特性に多大な影響を与
えるメサの両側のクラツド層或は光ガイド層膜厚
を容易に制御でき、同時にその制御のために半導
体レーザ素子自身の性能を低下させる必要がな
く、延いてはこのエツチング停止層が半導体レー
ザ素子の光学特性に影響を及ぼすことがなくなる
ため、横モードの安定な半導体レーザ素子を構成
することができ、特性の不均一を極めて小さく抑
えることができる。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明の１実施例を説明す
る半導体レーザ素子の製造工程断面図である。第
２図は従来のMBE法によつて作製された半導体
レーザの構成図である。第３図は本発明の他の実
施例を示す半導体レーザ素子の構成図である。 １１……基板、１２……ｎ−クラツド層、１３
……活性層、１４，１６，４２……ｐ−クラツド
層、１５……エツチング停止層、４０，４１……
光ガイド層。
る半導体レーザ素子の製造工程断面図である。第
２図は従来のMBE法によつて作製された半導体
レーザの構成図である。第３図は本発明の他の実
施例を示す半導体レーザ素子の構成図である。 １１……基板、１２……ｎ−クラツド層、１３
……活性層、１４，１６，４２……ｐ−クラツド
層、１５……エツチング停止層、４０，４１……
光ガイド層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に積層され、活性層を含む多層結晶層
と、該多層結晶層上に形成され、電流通路をなす
メサ状多層結晶とを有して、該メサ状多層結晶形
成領域と非形成領域に屈折率差を与える半導体レ
ーザ素子であつて、 前記メサ状多層結晶の、前記多層結晶層との界
面に形成され、200Å以下の膜厚を有するエツチ
ング停止用薄膜を具備してなることを特徴とする
半導体レーザ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086700A JPS60229389A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体レ−ザ素子 |
| US06/725,094 US4694460A (en) | 1984-04-26 | 1985-04-18 | Stripe geometry semiconductor laser device |
| DE8585302898T DE3581557D1 (de) | 1984-04-26 | 1985-04-25 | Halbleiterlaser. |
| EP85302898A EP0160515B1 (en) | 1984-04-26 | 1985-04-25 | A semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59086700A JPS60229389A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229389A JPS60229389A (ja) | 1985-11-14 |
| JPH027194B2 true JPH027194B2 (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=13894216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59086700A Granted JPS60229389A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4694460A (ja) |
| EP (1) | EP0160515B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60229389A (ja) |
| DE (1) | DE3581557D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| FR2596529B1 (fr) * | 1986-03-28 | 1988-05-13 | Thomson Csf | Guide d'onde optique en materiau semiconducteur, laser appliquant ce guide d'onde et procede de realisation |
| JPS6338279A (ja) * | 1986-08-04 | 1988-02-18 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2569036B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1997-01-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体レ−ザ装置 |
| JP2543551B2 (ja) * | 1987-12-28 | 1996-10-16 | キヤノン株式会社 | 半導体レ―ザ― |
| US5022036A (en) * | 1988-12-29 | 1991-06-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JPH02228089A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Omron Tateisi Electron Co | リッジ導波路型半導体レーザ |
| NL8900748A (nl) * | 1989-03-28 | 1990-10-16 | Philips Nv | Straling-emitterende halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
| US4933302A (en) * | 1989-04-19 | 1990-06-12 | International Business Machines Corporation | Formation of laser mirror facets and integration of optoelectronics |
| US5359619A (en) * | 1992-02-20 | 1994-10-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Multi-beam semiconductor laser and method for producing the same |
| KR960014732B1 (ko) * | 1992-12-22 | 1996-10-19 | 양승택 | Rwg형 반도체 레이저장치 및 제조방법 |
| JP2001111160A (ja) | 1999-04-19 | 2001-04-20 | Canon Inc | 半導体素子の製造方法及び半導体素子、リング共振器型半導体レーザ、ジャイロ |
| JP3763459B2 (ja) | 2001-06-26 | 2006-04-05 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| US8509582B2 (en) * | 2005-08-30 | 2013-08-13 | Rambus Delaware Llc | Reducing light leakage and improving contrast ratio performance in FTIR display devices |
| JP2008047641A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子とその製造方法、光ディスク装置、および光伝送モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147985A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-18 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing a semiconductor light emission device |
| JPS5245296A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductive phototransmission pass and semiconductor emission devic e used it |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5286093A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-16 | Hitachi Ltd | Striped semiconductor laser |
| JPS56116687A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-12 | Sharp Corp | Semiconductor laser device |
| US4615032A (en) * | 1984-07-13 | 1986-09-30 | At&T Bell Laboratories | Self-aligned rib-waveguide high power laser |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59086700A patent/JPS60229389A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-18 US US06/725,094 patent/US4694460A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-25 EP EP85302898A patent/EP0160515B1/en not_active Expired
- 1985-04-25 DE DE8585302898T patent/DE3581557D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147985A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-18 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing a semiconductor light emission device |
| JPS5245296A (en) * | 1975-10-07 | 1977-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductive phototransmission pass and semiconductor emission devic e used it |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3581557D1 (de) | 1991-03-07 |
| US4694460A (en) | 1987-09-15 |
| JPS60229389A (ja) | 1985-11-14 |
| EP0160515B1 (en) | 1991-01-30 |
| EP0160515A3 (en) | 1987-07-22 |
| EP0160515A2 (en) | 1985-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |