JPH027042B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH027042B2 JPH027042B2 JP54132152A JP13215279A JPH027042B2 JP H027042 B2 JPH027042 B2 JP H027042B2 JP 54132152 A JP54132152 A JP 54132152A JP 13215279 A JP13215279 A JP 13215279A JP H027042 B2 JPH027042 B2 JP H027042B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- optical
- manufacturing
- multilayer film
- optical multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N chromium trioxide Inorganic materials O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940117975 chromium trioxide Drugs 0.000 description 3
- GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N chromium(6+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+6] GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Ti and Cr Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光デバイスの光干渉フイルタ、光減衰
器等に用いられる光多層膜の製造法の改良に関す
る。従来より光学機器等に使用される光多層膜
は、２種類の屈折率の異なつた物質を交互に積層
したもので、光干渉フイルタ、光減衰器などに利
用されている。これは、主に可視域（入：4000Å
〜7000Å）の波長で用いられている。この光多層
膜の製造法としては、第１図に示すようにガラス
等の基板１上に硫化亜鉛（Zns）と二弗化マグネ
シウム（MgF2）、又は二酸化チタン（TiO2）と
二酸化シリコン（SiO2）等の屈折率の異なつた
物質を交互に膜形成法（蒸着、スパツタリング）
により積層して形成されている。
器等に用いられる光多層膜の製造法の改良に関す
る。従来より光学機器等に使用される光多層膜
は、２種類の屈折率の異なつた物質を交互に積層
したもので、光干渉フイルタ、光減衰器などに利
用されている。これは、主に可視域（入：4000Å
〜7000Å）の波長で用いられている。この光多層
膜の製造法としては、第１図に示すようにガラス
等の基板１上に硫化亜鉛（Zns）と二弗化マグネ
シウム（MgF2）、又は二酸化チタン（TiO2）と
二酸化シリコン（SiO2）等の屈折率の異なつた
物質を交互に膜形成法（蒸着、スパツタリング）
により積層して形成されている。
ところが、近時急速に進展している光通信シス
テムの分野では、その光波長が近赤外域（入：
8000Å〜1.5μｍ又は4μｍ）であり、現状の光干渉
フイルタよりも波長域が長波長側になつており、
材料の選択の制約がゆるくなつている。しかしな
がらこのような特性を低コストで達成することも
必要とされている。これらの点から従来の異なつ
た２種の材料の交互積層による製造法は工数を要
し、且つコスト高となる。
テムの分野では、その光波長が近赤外域（入：
8000Å〜1.5μｍ又は4μｍ）であり、現状の光干渉
フイルタよりも波長域が長波長側になつており、
材料の選択の制約がゆるくなつている。しかしな
がらこのような特性を低コストで達成することも
必要とされている。これらの点から従来の異なつ
た２種の材料の交互積層による製造法は工数を要
し、且つコスト高となる。
従つて、本発明の目的は上記問題を解消せしめ
低コスト化が可能な光多層膜の製造法を提供する
ものである。
低コスト化が可能な光多層膜の製造法を提供する
ものである。
この製造の特徴とするところは、シリコン
（Si）、ゲルマニウム（Ge）などの半導体、チタ
ン（Ti）、クロム（Cr）などの金属等は、二酸化
シリコン（SiO2）、窒化シリコン（Si3N4）、二酸
化チタン（TiO2）、三酸化クロム（Cr2O3）など
の誘導体を酸素（O2）、窒素（N2）などとの反応
により生成できる。このことを利用し、同一材料
から通常の膜形成法（蒸着、スパツタリング）と
反応性膜形成法を交互に積層を繰り返すことによ
り各種の機能をもつた光多層膜が実現できる。
（Si）、ゲルマニウム（Ge）などの半導体、チタ
ン（Ti）、クロム（Cr）などの金属等は、二酸化
シリコン（SiO2）、窒化シリコン（Si3N4）、二酸
化チタン（TiO2）、三酸化クロム（Cr2O3）など
の誘導体を酸素（O2）、窒素（N2）などとの反応
により生成できる。このことを利用し、同一材料
から通常の膜形成法（蒸着、スパツタリング）と
反応性膜形成法を交互に積層を繰り返すことによ
り各種の機能をもつた光多層膜が実現できる。
以下本発明による多層膜の製造法の一実施例を
第２図ａ，ｂ，ｃの拡大要部の構成図を用いて説
明する。
第２図ａ，ｂ，ｃの拡大要部の構成図を用いて説
明する。
図に示すように本発明の光多層膜の製造法は、
第２図ａに示すように半導体のSi（シリコン）に
においては、ガラス等の基板２上に１つの構成要
素のSiの膜と、そのSiの材料を元に他の構成要素
の酸化物のO2（酸素）ガスを導入してSiO2（二酸
化シリコン）の膜とを交互に積層した多層膜の構
成となつている。
第２図ａに示すように半導体のSi（シリコン）に
においては、ガラス等の基板２上に１つの構成要
素のSiの膜と、そのSiの材料を元に他の構成要素
の酸化物のO2（酸素）ガスを導入してSiO2（二酸
化シリコン）の膜とを交互に積層した多層膜の構
成となつている。
この光多層膜の製造法においては、第２図ａに
示すようにガラス等の基板２上に蒸着膜形成法に
より、先ず、Siの膜を形成し、次でその同一材料
であるSiの蒸着中に反応性ガスであるO2ガスを
導入して反応性雰囲気にすることで、Siの酸化物
膜であるSiO2の膜を先のSi膜上に形成する。こ
の反応性雰囲気を周期的に変えてSiとSiO2の積
層を交互に繰り返すことにより、図のように基板
２上に光多層膜が形成される。
示すようにガラス等の基板２上に蒸着膜形成法に
より、先ず、Siの膜を形成し、次でその同一材料
であるSiの蒸着中に反応性ガスであるO2ガスを
導入して反応性雰囲気にすることで、Siの酸化物
膜であるSiO2の膜を先のSi膜上に形成する。こ
の反応性雰囲気を周期的に変えてSiとSiO2の積
層を交互に繰り返すことにより、図のように基板
２上に光多層膜が形成される。
このような製造法による多層膜は、ある光波入
０を透過し、又光波長入１では反射が得られる。
従つて、近赤外域（8000Å〜1.5μｍ又は4μｍ）で
の特性のよい干渉フイルタが形成できる。この応
用として、例えば、光通信システムにおけるフア
イバよりの光波長の光分波器等に用いることがで
きる。
０を透過し、又光波長入１では反射が得られる。
従つて、近赤外域（8000Å〜1.5μｍ又は4μｍ）で
の特性のよい干渉フイルタが形成できる。この応
用として、例えば、光通信システムにおけるフア
イバよりの光波長の光分波器等に用いることがで
きる。
又、第２図ｂ，ｃに示すように金属のTi（チタ
ン）、Cr（クロム）などにおいては、ガラス等の
基板３，４上に１つの構成要素の金属のTi、又
はCrの膜と、そのTi、又はCrの材料を元に、他
の構成要素の酸化物のO2ガスを導入してTiO2（二
酸化チタン）、又はCr2O3（三酸化クロム）などの
膜とを交互に積層した光多層膜の構成となつてい
る。
ン）、Cr（クロム）などにおいては、ガラス等の
基板３，４上に１つの構成要素の金属のTi、又
はCrの膜と、そのTi、又はCrの材料を元に、他
の構成要素の酸化物のO2ガスを導入してTiO2（二
酸化チタン）、又はCr2O3（三酸化クロム）などの
膜とを交互に積層した光多層膜の構成となつてい
る。
この光多層膜の製造法においては、第２図ｂ，
ｃに示すように、ガラス等の基板３，４上に蒸着
膜形成法と反応性膜形成法により、上述の第２図
ａと同様な方法で、Tiの膜と又は、Crの膜、と
TiO2の膜、又はCr2O3とが交互に積層して図のよ
うな基板３，４上に光多層膜が形成される。
ｃに示すように、ガラス等の基板３，４上に蒸着
膜形成法と反応性膜形成法により、上述の第２図
ａと同様な方法で、Tiの膜と又は、Crの膜、と
TiO2の膜、又はCr2O3とが交互に積層して図のよ
うな基板３，４上に光多層膜が形成される。
従つて、金属の光多層膜としての高精度の光減
衰膜が形成できる。この応用として、例えば、光
通信システムにおける光減衰器等に用いることが
できる。
衰膜が形成できる。この応用として、例えば、光
通信システムにおける光減衰器等に用いることが
できる。
従つて、Si、Geなどの半導体又は、Ti、Crな
どの金属等のその同一材料から酸化物、窒化物な
どの即ち、O2又はN2のガスを導入して、半導体
又は金属膜と誘電体膜を交互に積層することが、
零囲気を周期的に変えることによつて可能とな
り、光多層膜が形成される。
どの金属等のその同一材料から酸化物、窒化物な
どの即ち、O2又はN2のガスを導入して、半導体
又は金属膜と誘電体膜を交互に積層することが、
零囲気を周期的に変えることによつて可能とな
り、光多層膜が形成される。
以上実施例により説明したように、本発明によ
る光多層膜の製造法においてはSi、Geなどの半
導体、又はTi、Crなどの金属等の誘電体をO2N2
などの反応による生成を、通常の膜形成法（蒸
着、スパツタリング）と反応性膜形成法とを周期
的に雰囲気を変えて繰り返すことにより、簡単な
膜形成の製造プロセスで各種の機能をもつた光多
層膜が実現でき、且つ材料が一種類で済むのでコ
ストダウンとなるようにすぐれた効果を奏する。
る光多層膜の製造法においてはSi、Geなどの半
導体、又はTi、Crなどの金属等の誘電体をO2N2
などの反応による生成を、通常の膜形成法（蒸
着、スパツタリング）と反応性膜形成法とを周期
的に雰囲気を変えて繰り返すことにより、簡単な
膜形成の製造プロセスで各種の機能をもつた光多
層膜が実現でき、且つ材料が一種類で済むのでコ
ストダウンとなるようにすぐれた効果を奏する。
第１図は従来の光多層膜の製造法の説明図、第
２図ａは本発明の光多層膜の製造法の一実施例の
説明図、第２図ｂ，ｃは本発明の光多層膜の製造
法の他の実施例説明図を示している。 図において、１，２，３，４……ガラス等の基
板、Si……シリコン、Ti……チタン、Cr……ク
ロム、Cr2O3……三酸化クロム、MgF2……二弗
化マグネシウム、SiO2……二酸化シリコン、
TiO2……二酸化チタン、ZnS……硫化亜鉛を示
している。
２図ａは本発明の光多層膜の製造法の一実施例の
説明図、第２図ｂ，ｃは本発明の光多層膜の製造
法の他の実施例説明図を示している。 図において、１，２，３，４……ガラス等の基
板、Si……シリコン、Ti……チタン、Cr……ク
ロム、Cr2O3……三酸化クロム、MgF2……二弗
化マグネシウム、SiO2……二酸化シリコン、
TiO2……二酸化チタン、ZnS……硫化亜鉛を示
している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２種類の異なつた物質を交互に積層した光多
層膜の製造方法において、 Si、Geなどの半導体材料又はTi、Crなどの金
属材料のうち選択された一種類の材料を用い、蒸
着、スパツタリング等による第一の膜形成雰囲気
にて基板上に膜形成する第一工程と、 該膜形成雰囲気中にO2又はN2のガスを導入し
た第二の膜形成雰囲気にて、選択された一種の前
記材料の酸化物膜又は窒化物膜を、前記第一工程
において形成された前記膜上に形成する第二工程
とを有し、 前記第一工程の雰囲気と前記第二工程の雰囲気
を周期的に変えて繰り返すことにより、選択され
た一種の前記材料の膜とその酸化物膜又は窒化物
膜を交互に積層して光多層膜を形成することを特
徴とした光多層膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13215279A JPS5655910A (en) | 1979-10-13 | 1979-10-13 | Production of optical multilayer film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13215279A JPS5655910A (en) | 1979-10-13 | 1979-10-13 | Production of optical multilayer film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5655910A JPS5655910A (en) | 1981-05-16 |
| JPH027042B2 true JPH027042B2 (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=15074567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13215279A Granted JPS5655910A (en) | 1979-10-13 | 1979-10-13 | Production of optical multilayer film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5655910A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59127003A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光減衰器 |
| JPS60186804A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Hisanori Bando | 光記録媒体 |
| JPS61219004A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Canon Inc | 多層膜反射鏡 |
| JP4963027B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-06-27 | キヤノン電子株式会社 | Ｎｄフィルタおよびその製造方法、それらを用いた光量絞り装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326147A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-10 | Siemens Ag | Filter for light detector |
-
1979
- 1979-10-13 JP JP13215279A patent/JPS5655910A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326147A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-10 | Siemens Ag | Filter for light detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5655910A (en) | 1981-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6310729B1 (en) | Dichroic mirror | |
| US20220120950A1 (en) | Near-infrared bandpass filter and optical sensing system | |
| JPH01196005A (ja) | 光マイクロガイドの製造方法 | |
| JPH027042B2 (ja) | ||
| CN116819661A (zh) | 一种光谱特性可变的光学薄膜及其光谱特性的调节方法 | |
| JP2001066424A (ja) | 赤外線透過フィルタ及びその製造方法 | |
| JP2724563B2 (ja) | 多層膜干渉フィルタ | |
| JPH07209516A (ja) | 光学多層膜フィルタ | |
| JPS63134232A (ja) | 高透過率を有する赤外反射物品 | |
| JP2000111702A (ja) | 反射防止膜 | |
| JPS5870201A (ja) | 反射防止膜を施した強化ガラス | |
| JP2003043245A (ja) | 光学フィルター | |
| JPS58137809A (ja) | 高安定誘電体多層膜光学フイルタ | |
| JPH0756004A (ja) | 導電性反射防止膜 | |
| JP3002059B2 (ja) | 光学フィルタ | |
| JPS62220903A (ja) | 誘電体多層膜の製造方法 | |
| JP2935765B2 (ja) | ダイクロイックミラーの製造方法 | |
| JPH0395502A (ja) | 炎センサ用フィルタ | |
| JPH05129277A (ja) | 多層反射防止膜 | |
| JPH04133003A (ja) | 光学多層選択反射膜 | |
| JPH06138303A (ja) | プラスチック製光学部品の反射防止膜 | |
| JPH04267202A (ja) | 多層膜干渉フィルタ | |
| JPH08160220A (ja) | 光学多層膜フィルタ | |
| JPH11142623A (ja) | プリズム式ビームスプリッタ | |
| JPS60258503A (ja) | 光学干渉フイルタ−の製造方法 |