JPH0265118A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体素子の製造技術に闇するものであり
、特に、シリコンから成るウェーハに所望の材料から成
るエピタキシャル層を成長させた後のホトリソ工程で、
ホトマスクの位言合わせが容易となるオートアライメン
ト技術に闇する。

（従来の技術） 従来、種々の半導体素子を製造するに当って、ホトリソ
工程が広く利用されている。周知のように、ホトリソ工
程では、ウェーハ上の設計に応した位置に、所定のレジ
ストパターンを形成するプロセスが重要となっている。

上述のプロセスのうち、特に、ウェーハとホトマスクと
を重ね合わせる際の位置決めは最も重要であり、所謂、
アライメント技術として種々の提案かなされている。こ
のアライメント技術は、ウェーハ側に画成されたアライ
メントマークと、ホトマスク側に画成されたアライメン
トマークとの配置１ｆｆｆｉ係を光学的に読み取ること
により、自動化か進められている。

まず、第２図はアライメントマークが形成されたウェー
ハを概略的平面により示す説明図である。同図中、ａの
符号を付しで示すように、通常、ウェーハ１１には２つ
以上のアライメントマークが形成され、ウェーハの位言
出し精度の向上が図られている。

次に、第３図（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、上述したア
ライメントマークの一例につき説明する。

第３図（Ａ）は、上述したウェーハ１１にａの符号を付
して示した領域のみを拡大しで示す説明図である。図示
のアライメントマーク１３は、シェブロン（Ｃｈｅｖｒ
ａｎ）型パターン１３ａと、当該バタン１３ａ８構成す
る直線部分と平行に形成されたストライブ状パターン＋
３ｂ及び１３ｃとがら構成されている。ウェーハ１１側
に形成されたアライメントマーク１３は、通常、ウェー
ハ１１の表面に高さ０．２（ｕｍ）程度の段差を形成す
ることによって画成される（後段で詳述）。このアライ
メントマーク１３の寸法につき一例を挙げて説明すれば
、パターン１３ａ〜１３ｃはいずれも５〜２０（ｕｍ）
程度の範囲内の所定の幅を以って形成されでおり、シェ
ブロン型パターン１３ａと、ストライブ状パターン＋３
ｂまたは１３ｃとの間の離間距離は５０〜１５０（ｕｍ
）程度である。

方、第３図（Ｂ）にはホトマスクに画成されたアライメ
ントマークの一例を概略的平面により示す。ホトマスク
１５側のアライメントマーク１７は、スリット状パター
ン１７ａ及び＋７ｂによって構成され、各々のパターン
として２〜３　（ｕｎ）程度の幅のラインか２本形成さ
れる。これら２本のライン同士の離間距離は、第３図（
Ａ）を参照して説明したウェーハ側のアライメントマー
ク１３の幅に一致させるのが一般的である。

次に、第４図（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、上述したウ
ェーハ１１側のアライメントマーク１３と、ホトマスク
１５側のアライメントマーク１７とを利用しで行なわれ
るアライメントにつき簡単に説明する。

第４図（Ａ）は、ウェーハ１１とホトマスク１５とを重
ね合わせた状態を透視的に示す平面図、第４図（Ｂ）は
、第４図（Ａ）中、−点鎖線すを付して示す部分を概略
的な断面により示す説明図である。

まず始めに、第４図（Ａ）を参照してアライメントの原
理につき説明する。

従来行なわれているアライメントでは、ウェハ１１とホ
トマスク１５とを重ね合わせた後、ホトマスク１５側か
ら照明する。この照明は、第４図（Ａ）に示す平面に亙
って走査され、例えば−点鎖線すに治って夫々のアライ
メントマーク１３及び１５からの反射光を検出する。こ
の反射光によってｄ、またはｄ２としで示すアライメン
トマーク同士のＭ間距離が等しい値となるように、ウェ
ーハ１１とホトマスク１５との配言開係を調節する。

このような位置合わせは、シェブロン型パターン１３ａ
、ストライブ状パターン＋３ｔ）及びスリット状パター
ン１７ａ　％利用して行なった後、シェブロン型パター
ン１３ａ、ストライブ状パターン１３ｃ及びスリット状
パターン＋７１：ｌ利用しで、再度行なわれる。従って
、一対のアライメントマーク１３と１７とを用いること
により、ウェーハ１１とホトマスク１５とを二次元的に
位置合わせすることができる。

次に、第４図（Ｂ）　７１ｊ参照しで、実際に半導体素
子の製造工程中で行なわれるアライメントにつき説明す
る。同図中、断面を示すハツチングは一部省略する。尚
、周知のように、アライメントは、下地に相当するウェ
ーハの表面に、例えばエピタキシャル層のようなバター
シニングされる構成成分と、レジスト材とを順次に被着
した後、ホトマスクを重ね合わせで行なわれる。従って
、この第４図ＣＢ）には、第４図（Ａ）で説明したウェ
ーハ１１とホトマスク１５とに加えて、エピタキシャル
層１９及びレジスト材２１を被着した状態として図示し
である。

第４図（Ａ）！参照して説明したように、アライメント
はアライメントマーク１３とアライメントマーク１７と
の間隔を光学的に検出しで行なわれる。従って、実際の
製造プロセスで、エビタキシャル層１９とレジスト材２
１とが被着されたウェーハ１１に関してアライメントを
行なう場合、ウェハ１１の表面に形成されたアライメン
トマーク１３の代わりに、当該マーク１３がエピタキシ
ャル層１９の表面に転写されたアライメントマーク２３
ヲ検出して行なうこととなる。以下、説明の理解を容易
とするため、ウェーハ１１の表面に形成されたアライメ
ントマークを第一のアライメントマーク１３とし、エピ
タキシャル層１９の表面に転写されたマークを第二のア
ライメントマーク２３と称する。

次に、第５図（Ａ）〜（Ｅ）を参照して、上述した第一
のアライメントマーク１３ヲウエーハ１１の表面に形成
して半導体素子を製造する技術につき詳細に説明する。

尚、以下の説明では、ｐ型シリコシから成るウェーハを
用いてバイポーラトランジスタを作製する際の製造工程
につき例示する。

第５図（Ａ）〜（Ｅ）は、第４図（Ｂ）を参照しで説明
したアライメントマークの断面に相当する部分のみを拡
大し、各製造工程を概略的なウェーハ断面により示す説
明図である０図中、断面を示すハツチングは一部省略し
て示す。

まず始めに、表面の面方位が（１００）または（ＩＩ＋
）の結晶面のうちのいずれかから数度傾いたウェーハ１
１ヲ用意する。このような結晶面のウェーハを用いるの
は、例えば文献工：特穎昭４５−１７０８４号公報に開
示されるように、シリコン表面に酸化膜を成長させた際
、当該酸化膜との界面に発生する面状欠陥の分布密度を
低減するためである。また、このような結晶面を利用す
る他の目的として、文献ＩＩ　：　ｒシリコン結晶とド
ーピング」　（第８７頁、丸善−刊、　１９８６年６月
発行）には、工どタキシャル層をウェーハ表面に成長せ
しめた際のダレやズレを低減し得ることが開示されてい
る。

このようなウェーハ１１に対して、ウェット酸素雰囲気
中、約３時間に亙って１０４０（”Ｃ）の温度で熱酸化
処理し、約１　（ｕｍ）程度のマスク酸化膜２５ヲ形成
する。然る後、従来周知のホトリソグラフィ技術によっ
て、設計に応じた第一のアライメントマークの幅に亙っ
て上述したマスク酸化膜２５をエツチング除去し、開口
２７ヲ形成する（第５図（Ａ））。

次に、拡散炉を用い、例えば窒素（Ｎ２）のような非酸
化雰囲気に、三酸化アンチモン（ＳｂｚＯ３）を流し、
上述した状態のウェーハＩ　１１Ｆｒ＋２５０　（’Ｃ
）の温度で約４時間に亙って加熱処理を行なう、このよ
うな加熱処理は２ゾーン拡散法と呼ばれるが、この熱処
理により、前述した開口２７を介してアンチモン（Ｓｂ
）がウェーハ１１中に拡散し、例えば、深さ約５　（ｕ
ｍ）　、層抵抗的２０（Ω／口）の埋込層２９が形成さ
れる。また、この熱処理に係る雰囲気（５ｂ２０３）中
に含まれる酸素１こよって、前述したマスク酸化膜２５
が再成長すると共に、ウェーハ１１が露出する部分には
酸化膜３１が形成される（第５図（Ｂ））。

ここで、上述した工程での、マスク酸化膜２５と酸化膜
３１との成長につき説明する。

従来周知のように、マスク酸化膜２５が被着されている
ウェーハの表面部分に比べて、アンチモンを拡散せしめ
た埋込層２９が形成されているウェーハの表面部分での
酸化シリコンの成長速度が大きい。これがため、埋込層
２９が形成されたウェーハの表面と、マスク酸化膜２５
か被着されているウェーハ表面との門には、高さ約０．
２（ｕｍ）程度の段差を生じることとなる。また、ウェ
ーハに対する酸化は、前述した開口２７（第５図（Ａ）
参照）を介して等方拡散により進行する。従って、上述
の段差を構成する斜面３３ａと斜面３３ｂとは、本来の
ウェーハ表面（前述した結晶面）に対し、約３〜１０°
の傾きを以って線対称に形成される。

このような段差を形成した後、例えばフッ酸系のエッチ
ャントを用いて、ウェーハ表面に形成された酸化シリコ
ンを除去し、第５図（Ｃ）に示すような第一のアライメ
ントマーク１３が得られる。

続いて、第５図（Ｄ）に示すように、上述したウェーハ
１１の全面に、ｎ型不純物を含む、比抵抗が約２（Ω−
ｃｍ）のエピタキシャル層１９を約１０（μｍ）の厚き
て成長させる。この図からも理解できるように、エピタ
キシャル層１９の表面には前述した第一のアライメント
マーク１３の段差に対応しで、斜面３５ａ及び斜面３５
ｂにより構成される段差か形成され、第二のアライメン
トマーク２３が転写される。

続いて、半導体素子の設計に応じて素子同士を分離する
ための分離用酸化膜３７を形成した後、レジスト材２１
ヲ塗布形成して第５図（Ｅ）に示すような状態が得られ
る。ここで、分離用酸化膜３７を形成するための酸化は
、前述と同様に等方拡散によって進行する。これがため
、第５図（Ｄ）を参照して説明した第二のアライメント
マーク２３の形状は、分離用酸化膜３７の表面においで
も保存される。

このような工程の後、上述した第二のアライメントマー
ク２３ヲ用いて、第４図（Ａ）及び（Ｂ）を参照して説
明したアライメントを行ない、素子の設計に応じた種々
の製造プロセスを経て半導体素子が製造される。

尚、上述した製造技術では、パイポーラトランジスクを
製造するため、図示していない素子領域に埋込層を形成
する目的で、三酸化アンチモンを用いて埋込層２９を形
成した場合につき説明した。

しかしながら、係る埋込層２９ヲ形成する必要が無い場
合には、第５図（Ｂ）を参照しで説明した工程で、少量
の酸素（０□）を流し、酸化膜３１のみを成長させでも
、第一のアライメントマーク１３を形成することができ
る。

（発明が解決しようとする課題） 上述した説明からも理解できるように、従来の半導体素
子の製造方法では、酸化膜成長によって下地の表面に形
成された第一のアライメントマーク１３か、エピタキシ
ャル層１９の表面に転写され、当該層１９上の第二のア
ライメントマーク２３ヲ検出することによってアライメ
ントが行なわれでいる。

しかしながら、面状欠陥やエピタキシャル成長時のダレ
・ズレの低減を図る目的で、下地と成るウェーハの結晶
面を傾けて用いるため、第二のアライメントマークを構
成する斜面と、第一のアライメントマークを構成する斜
面との配置関係及び形状が一敗せず、アライメントを正
確に行なうことか難しいという問題点が有った。

この工とタキシャル成長時の斜面形状の不一致について
は、例えば文献ｍ：”５ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｑｙ　（ソリッド　ステート　チク　）　ロジ
ーＸＳ、Ｐ、’＃ｅｅｋｓ（ニス　ビー　ウイークス）
著。

第６６〜６７頁、　１９８２年１月発行（日本語版））
″に開示されでおり、成長に用いるガスの成分、温度ま
たはその他の条件によってファセット成長を生じるため
と考えられている。

ざらに述べれば、従来のアライメントマークは例えば２
ゾーン拡散法のような酸化膜成長のみによって段差を形
成する。これがため、第一のアライメントマークに係る
段差の高さを充分（こ採ることか難しく、上述した転写
形状の不一致も重なり、第二のアライメントマークを構
成する斜面が緩やかに成ってしまう。従って、転写によ
って形成される第二のアライメントマークが不明瞭とな
り、アライメントの自動化の妨げとなる場合も有った。

この発明の目的は、上述した従来の問題点に鑑み、エピ
タキシャル層に転写された第二のアライメントマークを
明確に形成し得る技術を提供することにより、アライメ
ントの自動化を図ることか可能な半導体素子の製造方法
を実現することに有る。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の半導体素子の製
造方法によれば、第一のアライメントマークを下地に形
成する工程と、上述した下地の表面にエピタキシャル層
を形成する工程と、このエピタキシャル層の表面に前述
した第一のアライメントマークが転写されて成る第二の
アライメントマークを用いてアライメントを行なう工程
とを経て半導体素子を製造するに当り、 上述した第一のアライメントマークの形成を、前述した
下地の表面にマスク酸化膜を形成し、このマスク酸化膜
により画成される開口を形成する工程と、 上述の開口を介して露出する前述の下地をエツチングし
て溝を形成した後、酸化膜を成長させる工程と を経て行なう ことを特徴としでいる。

（作用） この発明の半導体素子の製造方法によれば、開口を介し
てエツチング処理を行ない、下地に溝を形成した後、酸
化膜成長による段差形成を行なう構成となっている。こ
れがため、第一のアライメントマークの段差に係る高さ
を充分に採ることができ、当該マークが転写された第二
のアライメントマークを明確にすることができる。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の実施例につき説明す
る。尚、以下の説明の理解を容易とするため、特定の条
件を例示して説明するが、この発明は、これら例示条件
にのみ限定されるものではないことを理解されたい。

第１図（Ａ）〜（Ｆ）は、この発明の詳細な説明するた
め、第５図（Ａ）〜（Ｅ）と同様、概略的基板断面によ
って各製造工程毎に示す説明図である。尚、以下に説明
する実施例では、前述した従来技術と同様に、ｐ型シリ
コンから成るウェーハを用いてバイポーラトランジスタ
を製造する場合の工程を例示して説明する。また、これ
ら図中、既に説明した構成成分と同一の機能を有する構
成成分については同一の符号を付して示し、断面を表わ
すハツチングは一部省略して示す。

まず始めに、従来と同様に、表面の面方位が（＋００）
または（ＩＩ＋）の結晶面のうちのいずれかから数度傾
いたウェーハ１１を用意する。然る後、このウェーハ１
１に対して、ウニ・ント酸素雰囲気中、約３時間に亙っ
て１０４０（”Ｃ）の温度で熱酸化処理し、約１（μｍ
）程度のマスク酸化膜２５を形成する。然る後、周知の
ホトリソグラフィ技術によって、上述したマスク酸化膜
２５を従来と同様にエツチング除去し、開口２７を形成
する（第１図（Ａ））。

次に、上述したウェーハ１１を拡散炉内に載置して、例
えば窒素（Ｎ２）のような非酸化雰囲気とし、＋２５０
（’Ｃ）の温度とする０次に、上述の条件とした拡散炉
内に、例えば塩化水素（ＭＣ１１）のようにシリコンの
みを選択的にエツチング除去し得るガスを導入し、開口
２７ヲ介してウェーハ１１に溝３９を形成する（第１図
（Ｂ））。

この実施例では、上述した手順によって、約０．２（ｕ
ｍ）の深さで溝３９を形成した。また、上述のエツチン
グが等方性を示すことから、当該溝３９を構成する斜面
４１ａと４１ｂは線対称な傾きとなり、各々、約４５°
の傾斜を以って形成される。

続いて、上述したＨＣ（Ｌの代わりに、５ｂ２０３を導
入して、上述の温度条件下で約４時間に亙って加熱処理
し、第５図（Ｂ）を参照して既に説明した２ゾーン拡散
を行なう、これによって、従来と同様に、深さ約５　（
ｕｍ）　、層抵抗約２０（Ω／口）の埋込層２９が形成
されると共に、溝３９が形成された部分には、雰囲気中
に含まれる酸素によって約５００（λ）の膜厚で酸化膜
３１が形成される（第１図（Ｃ））。

ここで、マスク酸化膜２５が被着されているウェーハ表
面と、前述した溝３９が形成されているウェーハ表面と
では、酸化シリコンの成長速度の差により、約０．２（
μｍ）程度の段差を生じることとなる。従って、前述し
た溝３９の形成工程と、２ゾーン拡散法による酸化膜成
長とによって、約０．４（ｕｍ）程度の段差を形成する
ことができる。この実施例に係る工程では、当該段差を
構成する斜面４３ａと斜面４３ｂとが、本来のウェーハ
表面（前述した結晶面）に対し、約４０°の傾きを以っ
て形成された。

続いて、上述したウェーハ１１に対して、第５図（Ｃ）
を参照して説明したのと同様に、フッ酸系のエッチャン
トを用（Ａてウェーハ表面に形成された酸化シリコンを
除去し、第１図（Ｄ）に示すような第一のアライメント
マーク４５が得られる。

続いて、上述したウェーハ１１の全面に、ｎ型不純物を
含む、比抵抗が約２（Ω−ｃｍ）のエピタキシャル層１
９ヲ約１０（ｕｍ）の厚さで成長させる。このエピタキ
シャル成長では、前述した第−のアライメントマーク４
５の段差に対応して斜面４７ａ及び斜面４７ｂにより構
成される第二のアライメントマーク４９が転写される（
第１図（Ｅ））。

ここで、上述した第二のアライメントマーク４９の形状
と、エピタキシャル成長の条件とにつき説明する。

既に説明したように、ウェーハ１１の結晶面を（！００
）面またはＣＩＩ＋）面から傾けで用いることにより、
第二のアライメントマークを構成する斜面形状の不一致
を生じる。この実施例では、エピタキシャル層１９を成
長させるに当って、５ｉ８２Ｃ１１□を反応ガスとし、
約１＋５０（”Ｃ）の温度で常圧バレル型エピタキシャ
ル装Ｍ１８用いで行なった。このように、従来行なわれ
でいる一般的な条件下、第二のアライメントマーク４９
ヲ形成した復、斜面４７ａと斜面４７ｂとの傾きを測定
した。その結果、一方の斜面（例えば図示の斜面４７ｂ
）は第一のアライメントマーク４５を構成する斜面（例
えば４３ｂ）が転写されて約４０“であったのに対して
、他方の斜面（図示の斜面４７ａ）は約３５°程度の傾
きを示した。この説明からも理解できるように、この実
施例に係る方法により、従来の方法に比べて斜面の傾き
に関する改善を図ることができた。

続いて、第５図（Ｅ）Ｖ参照しで説明したのと同様に、
素子同士を分離するための分離用酸化膜３７を形成した
後、レジスト材２１ヲ塗布形成する（第１図（Ｆ））。

このような状態で前述のアライメントを行なったところ
、第二のアライメントマーク４９ヲ構成する斜面４３ａ
及び４３ｂの傾きが上述したように充分なＳ＋有するた
め、アライメントマークの検出を容易に行なうことがで
きた。

また、ざらに述べれば、上述した実施例の方法による第
二のアライメントマーク４９ヲ用いたアライメントでは
、エピタキシャル層１９の成長の後にごみが付着した場
合であっても、段差に係る斜面を急峻にすることによっ
て、当該ごみに関する検出信号と、アライメントマーク
に閉する検出信号との区別が容易であった。

従って、上述した技術を適用すること（こより、アライ
メントの自動化を達成することが容易となる。

以上、この発明の実施例につき詳細に説明したが、この
発明は、上述した実施例にのみ限定されるものではない
こと明らかである。

例えば、上述の実施例では、ｎ型シリコンから成るウェ
ーハを用いた場合につき詳細に説明したが、ｎ型シリコ
ンを用いて半導体素子を製造する場合であっても同様な
効果を得ることができる。

また、上述の実施例では、工とタキシャル層の表面に転
写された第二のアライメントマークを用いてアライメン
トを行なった場合につき説明した。しかしながら、この
発明に係る方法によれば、酸化膜成長を利用しで形成さ
れた第一のアライメントマークの高さが充分な値を以っ
て形成し得るため、当該マークを転写して得られる第二
のアライメントマークのみならず、第三のアライメント
マークを転写形成した債のアライメントであっても、自
動化を図ることが期待できる。

ざらに、実施例の説明においでは、アライメントマーク
の平面形状につき省略して説明したが、この発明の方法
は特定の平面形状を有するアライメントマークによって
のみ効果が得られるものではないこと明らかである。

これに加えて、上述の実施例では、バイポーラトランジ
スタの埋込層を形成するため、三酸化アンチモンを利用
した２ゾーン拡散を行ない、この際の酸化膜成長を利用
して第一のアライメントマークを形成した場合につき説
明した。しかしなから、既に説明したように、半導体素
子の設計に応し、上述の三酸化アンチモンの代わりに、
少量の酸素（０２）を流すことによって、埋込層を形成
することなく第一のアライメントマークを形成すること
もできる。

これら材料、形状、数値的条件、配ＭＦ係及びその他の
条件は、この発明の目的の範囲内で、任意好適な設計の
変更及び変形を行ない得ること明らかである。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の半導体
素子の製造方法によれば、開口を介してエツチング処理
を行ない、下地に溝を形成した後、酸化膜成長による段
差形成を行なう。これがため、第一のアライメントマー
クの段差に係る高さを充分に採ることができ、当該マー
クか転写された第二のアライメントマークを明確にする
ことができる。

従って、エピタキシャル層に転写された第二のアライメ
ントマークを明確に形成し得る技術を提供することによ
り、アライメントの自動化を図ることが可能な半導体素
子の製造方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｆ）は、この発明の詳細な説明するた
め、各製造工程毎に、概略的な断面により示す説明図、 第２図、第３図（Ａ）及び第３図（Ｂ）は、従来のアラ
イメントマークを説明するため、要部を概略的平面によ
り示す説明図、 第４図（Ａ）及び（Ｂ）は、アライメントを説明するた
め、夫々、要部平面または要部断面により概略的に示す
説明図、 第５図（Ａ）〜（Ｅ）は、従来の製造方法を説明するた
め、第１図（Ａ）〜（Ｆ）と同様にして示す説明図であ
る。 １１・・・・ウェーハ（下地） ｕ、４５・・・・・第一のアライメントマーク１３ａ・
・・・・シェプロシ型パターン１３ｂ、　１３ｃ・・・
・・ストライブ状パターン■・・・・ホトマスク Ｕ・・・・アライメントマーク（ホトマスク側）１７ａ
、　１７ｂ・・・・・スリ・シト状パターン１９・・・
・エピタキシャル層、２１・・・・レジスト材υ、４９
・・・・・第二のアライメントマーク２５・・・・マス
ク酸化膜、２７・・・・開口２９・・・・埋込層、３１
・・・・酸化膜３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ・・・
・・斜面（第一のアライメントマークを構成する成分） ３５ａ、　３５ｂ、　４７ａ、　４７ｂ・・・・・斜面
（第二のアライメントマークを構成する成分） ３７・・・・分離用酸化膜、３９・・・・溝４１ａ、４
１ｂ・・・・・斜面（溝を構成する成分）ａ・・・・ア
ライメントマークを形成する領域部分ｄ＋、ｄ２・・・
・・アライメントマーク同士の間隔。 ２７：開口

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）第一のアライメントマークを下地に形成する工程
   と、前記下地の表面にエピタキシャル層を形成する工程
   と、該エピタキシャル層の表面に前記第一のアライメン
   トマークが転写されて成る第二のアライメントマークを
   用いてアライメントを行なう工程とを経て半導体素子を
   製造するに当り、 前記第一のアライメントマークの形成を、 前記下地の表面にマスク酸化膜を形成し、 該マスク酸化膜により画成される開口を形成する工程と
   、 前記開口により露出する前記下地をエッチングして溝を
   形成した後、酸化膜を成長させる工程とを経て行なう ことを特徴とする半導体素子の製造方法。