JP2590467B2 - 選択的熱酸化方法 - Google Patents
選択的熱酸化方法Info
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- JP2590467B2 JP2590467B2 JP62018824A JP1882487A JP2590467B2 JP 2590467 B2 JP2590467 B2 JP 2590467B2 JP 62018824 A JP62018824 A JP 62018824A JP 1882487 A JP1882487 A JP 1882487A JP 2590467 B2 JP2590467 B2 JP 2590467B2
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- thermal oxidation
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば半導体集積回路装置の製造工程に適
用する選択的熱酸化方法に係わる。
用する選択的熱酸化方法に係わる。
本発明は耐酸化膜パターンをマスクとして熱酸化を行
なう選択的熱酸化方法において、その耐酸化膜パターン
が、選択的熱酸化のパターンに対応するパターンを基本
パターンとし、この基本パターンの角部に付加パターン
を設けたパターンとして最終的に得る熱酸化パターンが
その角部においても所定の形状を保持できるようにして
高精細度耐酸化膜パターンの形成を可能にする。
なう選択的熱酸化方法において、その耐酸化膜パターン
が、選択的熱酸化のパターンに対応するパターンを基本
パターンとし、この基本パターンの角部に付加パターン
を設けたパターンとして最終的に得る熱酸化パターンが
その角部においても所定の形状を保持できるようにして
高精細度耐酸化膜パターンの形成を可能にする。
例えば半導体集積回路装置の製造工程において、その
フィールド部、すなわち回路素子例えばMOS素子（絶縁
ゲート型電界効果トランジスタ素子）形成部以外の部分
に表面不活性化ないしは素子分離のための比較的厚い酸
化膜の形成を行なうことがしばしばなされるが、この酸
化膜の選択的形成方法としては選択的熱酸化方法が一般
に適用される。
フィールド部、すなわち回路素子例えばMOS素子（絶縁
ゲート型電界効果トランジスタ素子）形成部以外の部分
に表面不活性化ないしは素子分離のための比較的厚い酸
化膜の形成を行なうことがしばしばなされるが、この酸
化膜の選択的形成方法としては選択的熱酸化方法が一般
に適用される。
この選択的熱酸化方法は、例えば第４図Ａに示すよう
に、選択的に熱酸化を行なおうとする基板（１）例えば
シリコン基板上に最終的に形成しようとする熱酸化パタ
ーンに対して反転したパターンを有する耐酸化膜パター
ン（２）、例えば窒化膜SiN,Si3N4よりなるパターンを
形成し、これをマスクとして酸化処理を行って基板
（１）上に第４図Ｂに示すように、耐酸化膜パターン
（２）によって覆われていない部分に目的とする酸化膜
（３）を選択的に形成する。
に、選択的に熱酸化を行なおうとする基板（１）例えば
シリコン基板上に最終的に形成しようとする熱酸化パタ
ーンに対して反転したパターンを有する耐酸化膜パター
ン（２）、例えば窒化膜SiN,Si3N4よりなるパターンを
形成し、これをマスクとして酸化処理を行って基板
（１）上に第４図Ｂに示すように、耐酸化膜パターン
（２）によって覆われていない部分に目的とする酸化膜
（３）を選択的に形成する。
このような方法による場合、耐酸化膜パターン（２）
と反転したパターンのすなわち耐酸化膜パターン（２）
の輪郭形状に対応する例えば内形輪郭形状のパターンを
有する酸化膜（３）が選択的に形成されるが、実際上こ
の種選択的熱酸化方法による場合、耐酸化膜パターン
（２）の輪郭形状に忠実に対応した反転パターンの酸化
膜（３）が得難い。例えば今第５図に示すように、コ字
状のパターンによる耐酸化膜パターン（２）を形成し、
これをマスクとして基板（１）の表面を熱酸化して酸化
膜を形成する場合、このように形成された酸化膜（３）
は第６図に示すように、耐酸化膜パターン（２）の存在
によって酸化膜（３）が生成されていない窓（3a）が形
成されるが、この場合、窓（3a）の形状が耐酸化膜パタ
ーン（２）の輪郭形状を踏襲できずに角部が丸みを帯び
たパターンとなる。これは例えば第５図におけるコ字状
の耐酸化膜パターンにおいてその凸状角部（４）におい
ては、この角部（４）より基板（１）の面方向に耐酸化
膜パターン（２）下に入りこんで酸化が進行した形状と
なり勝ちで、逆に凹状角部（５）においては特に図示の
ように比較的近接して対の凹状角部（５）が配置される
ときは、酸素の導入が不足して酸化位置が耐酸化膜パタ
ーン（２）のパターン輪郭より外側すなわち酸化膜の窓
（3a）の縁部位置が本来の輪郭より後退した位置に存在
する形状となり、耐酸化膜パターン（２）の輪郭形状と
これによって得た酸化膜（３）の縁部の輪郭形状とが一
致せずに変化してしまい、その変化量は、パターン形状
によっては比較的大となる。
と反転したパターンのすなわち耐酸化膜パターン（２）
の輪郭形状に対応する例えば内形輪郭形状のパターンを
有する酸化膜（３）が選択的に形成されるが、実際上こ
の種選択的熱酸化方法による場合、耐酸化膜パターン
（２）の輪郭形状に忠実に対応した反転パターンの酸化
膜（３）が得難い。例えば今第５図に示すように、コ字
状のパターンによる耐酸化膜パターン（２）を形成し、
これをマスクとして基板（１）の表面を熱酸化して酸化
膜を形成する場合、このように形成された酸化膜（３）
は第６図に示すように、耐酸化膜パターン（２）の存在
によって酸化膜（３）が生成されていない窓（3a）が形
成されるが、この場合、窓（3a）の形状が耐酸化膜パタ
ーン（２）の輪郭形状を踏襲できずに角部が丸みを帯び
たパターンとなる。これは例えば第５図におけるコ字状
の耐酸化膜パターンにおいてその凸状角部（４）におい
ては、この角部（４）より基板（１）の面方向に耐酸化
膜パターン（２）下に入りこんで酸化が進行した形状と
なり勝ちで、逆に凹状角部（５）においては特に図示の
ように比較的近接して対の凹状角部（５）が配置される
ときは、酸素の導入が不足して酸化位置が耐酸化膜パタ
ーン（２）のパターン輪郭より外側すなわち酸化膜の窓
（3a）の縁部位置が本来の輪郭より後退した位置に存在
する形状となり、耐酸化膜パターン（２）の輪郭形状と
これによって得た酸化膜（３）の縁部の輪郭形状とが一
致せずに変化してしまい、その変化量は、パターン形状
によっては比較的大となる。
本発明は、上述した耐酸化膜パターンをマスクとして
熱酸化を行なう選択的熱酸化方法において、耐酸化膜パ
ターンの形状と最終的に得た選択的熱酸化パターンの相
違すなわちパターン変化量の問題を解決して例えば半導
体集積回路における高密度化に伴う微細パターンといえ
ども高い精度をもって選択的熱酸化を行なうことができ
るようにする。
熱酸化を行なう選択的熱酸化方法において、耐酸化膜パ
ターンの形状と最終的に得た選択的熱酸化パターンの相
違すなわちパターン変化量の問題を解決して例えば半導
体集積回路における高密度化に伴う微細パターンといえ
ども高い精度をもって選択的熱酸化を行なうことができ
るようにする。
本発明においては、耐酸化膜パターンをマスクとして
熱酸化を行なう、選択的熱酸化方法において、耐酸化膜
パターンを、最終的に得ようとする選択的熱酸化膜パタ
ーンに対応するパターンを基本とするものであるが、そ
のパターンの角部特に耐酸化膜パターンとこれによって
得る選択的熱酸化のパターンとの変化量が大となる部分
における角部に付加パターンをもうける。
熱酸化を行なう、選択的熱酸化方法において、耐酸化膜
パターンを、最終的に得ようとする選択的熱酸化膜パタ
ーンに対応するパターンを基本とするものであるが、そ
のパターンの角部特に耐酸化膜パターンとこれによって
得る選択的熱酸化のパターンとの変化量が大となる部分
における角部に付加パターンをもうける。
〔作 用〕 上述したように本発明においては、耐酸化膜パターン
を選択的熱酸化のパターンに対応するパターンを基本パ
ターンとするも、その所要の角部に付加パターンを設け
るようにしたので、耐酸化膜パターンの最終的に得る選
択的熱酸化パターンにおける酸化不足を補ない、またあ
る場合は逆に酸化過剰を抑制することができて、最終的
に所定のパターンすなわち基本パターンに対応する目的
とするパターンを有する耐酸化膜を形成し得る。
を選択的熱酸化のパターンに対応するパターンを基本パ
ターンとするも、その所要の角部に付加パターンを設け
るようにしたので、耐酸化膜パターンの最終的に得る選
択的熱酸化パターンにおける酸化不足を補ない、またあ
る場合は逆に酸化過剰を抑制することができて、最終的
に所定のパターンすなわち基本パターンに対応する目的
とするパターンを有する耐酸化膜を形成し得る。
今、例えば第１図に示すように基板（１）の表面に斜
線をもって示す熱酸化膜（３）を選択的に、すなわち例
えばコ字状の酸化膜（３）が存在しない窓部（3a）を形
成する場合について説明するに、この場合第２図に示す
ように基板（１）上に耐酸化膜パターン（12）を形成す
る。この耐酸化膜パターン（12）は、例えばSiO2熱酸化
膜を下地層として全面的に耐酸化性の窒化膜SiNないし
はSi3N4を周知の技術によって全面的に披着してフォト
リソグラフィによって不要部分をエッチング除去して所
定のパターンに形成する。これがためには第３図に示す
ように、最終的に得る酸化膜（３）の窓（3a）に相似の
すなわち窓（3a）の形状に対応する実線図示の輪郭形状
を基本パターン（13a）とし、その特に酸化不足が生じ
る凹状角部（15）にその凹状角部をより広げるように破
線図示の付加パターン（13b）を有するパターンデータ
を得、これに基いて、第２図に示すように、耐酸化膜パ
ターン（12）の凹状角部にこれをより広げる付加パター
ン（25）を形成する。
線をもって示す熱酸化膜（３）を選択的に、すなわち例
えばコ字状の酸化膜（３）が存在しない窓部（3a）を形
成する場合について説明するに、この場合第２図に示す
ように基板（１）上に耐酸化膜パターン（12）を形成す
る。この耐酸化膜パターン（12）は、例えばSiO2熱酸化
膜を下地層として全面的に耐酸化性の窒化膜SiNないし
はSi3N4を周知の技術によって全面的に披着してフォト
リソグラフィによって不要部分をエッチング除去して所
定のパターンに形成する。これがためには第３図に示す
ように、最終的に得る酸化膜（３）の窓（3a）に相似の
すなわち窓（3a）の形状に対応する実線図示の輪郭形状
を基本パターン（13a）とし、その特に酸化不足が生じ
る凹状角部（15）にその凹状角部をより広げるように破
線図示の付加パターン（13b）を有するパターンデータ
を得、これに基いて、第２図に示すように、耐酸化膜パ
ターン（12）の凹状角部にこれをより広げる付加パター
ン（25）を形成する。
この付加パターン（25）を有する耐酸化膜パターン
（12）をマスクとして基板（１）を熱酸化して酸化膜を
形成する。このようにして形成した酸化膜（３）は耐酸
化膜パターン（12）を排除すると第１図で説明した目的
とする所定のパターンの窓（3a）を有する選択的酸化が
行なわれる。
（12）をマスクとして基板（１）を熱酸化して酸化膜を
形成する。このようにして形成した酸化膜（３）は耐酸
化膜パターン（12）を排除すると第１図で説明した目的
とする所定のパターンの窓（3a）を有する選択的酸化が
行なわれる。
尚、上述した例においては耐酸化膜パターン（12）の
凹状角部に付加パターン（25）すなわち耐酸化膜の欠除
した部分を形成するようにした場合であるが、第６図で
説明したように最終的に得る酸化膜（３）の窓部におけ
る凹状角部に対応する部分すなわち第２図に示す耐酸化
膜パターン（12）の凸状角部（24）に酸化の進行を抑制
するための付加パターンすなわち凸状パターン（26）を
第２図における破線図示のように付加して、最終的に得
る酸化膜（３）のパターンすなわち窓部（3a）における
凹状角部においても変化量のないパターンを形成するよ
うにすることもできる。
凹状角部に付加パターン（25）すなわち耐酸化膜の欠除
した部分を形成するようにした場合であるが、第６図で
説明したように最終的に得る酸化膜（３）の窓部におけ
る凹状角部に対応する部分すなわち第２図に示す耐酸化
膜パターン（12）の凸状角部（24）に酸化の進行を抑制
するための付加パターンすなわち凸状パターン（26）を
第２図における破線図示のように付加して、最終的に得
る酸化膜（３）のパターンすなわち窓部（3a）における
凹状角部においても変化量のないパターンを形成するよ
うにすることもできる。
上述したように本発明によれば耐酸化膜パターンの酸
化不足あるいは酸化過剰を来たす部分に付加パターンを
設けるようにしたことによって最終的に目的とする輪郭
形状を有する窓の形成を確実に行なうことができ、高密
度半導体集積回路の選択的熱酸化等に適用して微細パタ
ーンといえども高精度にしたがってより高密度化を図る
ことができ実用に供してその利益は大である。
化不足あるいは酸化過剰を来たす部分に付加パターンを
設けるようにしたことによって最終的に目的とする輪郭
形状を有する窓の形成を確実に行なうことができ、高密
度半導体集積回路の選択的熱酸化等に適用して微細パタ
ーンといえども高精度にしたがってより高密度化を図る
ことができ実用に供してその利益は大である。
第１図は本発明による選択的熱酸化パターンの拡大略線
的平面図、第２図及び第３図はそれぞれ耐酸化パターン
及びパターンデータの拡大平面図、第４図は本発明方法
の説明に供する選択的熱酸化方法の一般的説明図、第５
図および第６図は、従来の選択的熱酸化方法の説明に供
する各工程の拡大略線的平面図である。 （１）は基板、（２）および（12）は耐酸化膜パター
ン、（25）及び（26）は付加パターン、（３）は熱酸化
膜である。
的平面図、第２図及び第３図はそれぞれ耐酸化パターン
及びパターンデータの拡大平面図、第４図は本発明方法
の説明に供する選択的熱酸化方法の一般的説明図、第５
図および第６図は、従来の選択的熱酸化方法の説明に供
する各工程の拡大略線的平面図である。 （１）は基板、（２）および（12）は耐酸化膜パター
ン、（25）及び（26）は付加パターン、（３）は熱酸化
膜である。
Claims (1)
- 【請求項１】耐酸化膜パターンをマスクとして熱酸化を
行う選択的熱酸化方法において、 上記耐酸化膜パターンが選択的熱酸化のパターンに対応
するパターンを基本パターンとし、該パターンの凹状角
部に、該角部を更に広げる付加パターンを設けたことを
特徴とする選択的熱酸化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62018824A JP2590467B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 選択的熱酸化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62018824A JP2590467B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 選択的熱酸化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186450A JPS63186450A (ja) | 1988-08-02 |
| JP2590467B2 true JP2590467B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=11982308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62018824A Expired - Fee Related JP2590467B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 選択的熱酸化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590467B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151019A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP62018824A patent/JP2590467B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63186450A (ja) | 1988-08-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |