JPH0262111A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0262111A
JPH0262111A JP63213223A JP21322388A JPH0262111A JP H0262111 A JPH0262111 A JP H0262111A JP 63213223 A JP63213223 A JP 63213223A JP 21322388 A JP21322388 A JP 21322388A JP H0262111 A JPH0262111 A JP H0262111A
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JP
Japan
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output
output driver
ground
power supply
potential
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JP63213223A
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Toshiyuki Ogawa
小川 俊行
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はトランジスタにより構成さnる3値出力ドラ
イバーが高インピーダンス状態における出力ドライバー
のリークwt流の低減に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の3値ドライバーの構成を示す回路図であ
る。図において、(11は出力端子、(2;はグランド
電源端子、(3)は他の回路素子、(4)は出力ドライ
バー、(5)は他の回路部、(ql)〜(Qe)はMO
Sトランジスタ、(D)、(D)は入力信号、(NIX
NJは信号、(VDDI)〜(VDD4)は電源、 (
VSSI)(VSS4)はグランドである。MOSトラ
ンジスタ(Ql) 、(Qz)1.t 出力ドライバー
 +41の最終段を構成している。MOSトランジスタ
(QJのゲートに入力される信号(N□〕を発生する)
vlOSトランジスタ(Q、t) 、(Q t)かう成
る回路部には電源(VDD2)及びグランド(VS52
)があり、同様にMOSトランジスタ(QL)のゲート
に入力される信’i!r CN5)を発生するMOSト
?ンジスタ(Qs)(Qe)から成る回路部には電源(
VDD3)、グランド(VSS3)がある。出カドフィ
バ−(4)以外の他の回路部(5)内には電源(VD[
)4)及びグランド(VSS4)がある。グラン)’ 
(VS5z)は他のグ? ン#” (VSS2) 、(
vS83) + (VSS4 )とは分離した形でグラ
ンド電源端子(2)へ直接接続されている。
欠に動作について説明する。信号(Nりが低レベル、信
号レベル(NJが高レベルのとき、出力端子fi+のレ
ベルはグランド(yssl)のレベルとなり、出力ドラ
イバー(4)の出力は低レベルとなる。また、上記とは
逆に信号(+’Qが高レベル、信号(?’h)が低レベ
ルのとき、出力端子(1)のレベルは電源(VDDI)
のレベルとなり、出力ドライパー(4)の出力は高レベ
ルとなる。更に信号(IQ及び信号(NDが共に低レベ
ルのとき、出力端子(1)は70−ティングの状態とな
り、出カドフィバ−(4)の出力は高インピーダンスと
なる。
〔発明が解決しようとする録題〕 従来の3値出力ドライバーは以上のように構成されてい
るので、出カドフィバ−(4)の出力が低レベルのとき
はグランド(VSS4)とグランド(VSSI)が分離
されていることから他のグランド(ysst)からのノ
イズを低減できるが出力ドライバー(4)の出力が高イ
ンピーダンスのときは、信号(Nt) 、信号(NJの
低レベルが、他の回路部(5)からのノイズを受け。
出力ドライバー(4)最終段のグランド(VSSI)と
異なった位相で信号(Nl)、信号(NDの低レベルに
ノイズが乗るため、MOSトランジスタ(QL) 、 
(Qz) のゲートソース間に電位の差が発生し、リー
ク逆流が流れる。第4図はグランド(yss4)の電位
変化によ;Er ’;f フント(VSS4)、(ys
sl)、信号(Nl)、(N2)(7) [位置化とM
OSトランジスタ((h)のゲート、ソース間電位差及
びリーク電流を示す波形図であるが、このように出力ド
ライバー(4)の出力が高インピーダンスのときにリー
ク電流が生ずるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、出力ドライバー(4)の出力が高インピーダ
ンスのときのリーク電流の発生を抑制する3値出力ドラ
イバーを得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る3値出力ドライバーは出カドフィバ−(
4)の電源(VDDI)、(VDD2) 、 (VDD
3)、 );f ”F ’y) (vssx)、(vs
sz)、(vsss)を他の回路部(5]の電源(1/
DD4)、グランド(yss4)と独立して電源端子よ
り配線する。
〔作 用〕
この発明における3値出力ドフィバ−は出カドフィバー
側の電源及びグランドを他の回路部の電源及びグランド
と分離したので、出カドフィバ−の出力が高インピーダ
ンス状態におけるリーク電流を低減する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は3値出力ドライバーの構成を示す回路図である。図
において、(11〜(51、(Qt)〜(Q s) −
(D)、(D) 、(N5)−(NJ、(VDDt)〜
(VDD4)、(VSSI)〜(VSS4)  は第3
図の従来列に示したものと同等であるので説明を省略す
る。
出力最終段のグランド(yssl)の電位と前後のグラ
ンド(VSS2)、(VSS3)の電位を池と独立に配
線し、また、グランド(VSSI)、(VSS2)、(
VSS3)ヲ接続L/ テ同一レベルに医つ。その池は
第3図の従来列に示したものと同様の構成である。
次に動作について説明する。3値出力ドフィバ−の出力
3状態に関する動作は第3図の従来例に示したものと同
様であるので説明を省略する。出カドフィバ−(4)の
出力が高インピーダンスのときの信号(rQ 、信号(
N2)の低レベルと、グ? ン)’(VSSI)とを同
一の9位とし、他の回路部(5)のグランド(VSS4
)と分離することで、MOSトランジスタ(Q)。
(Qz)のゲート・ソース間に電位差を生じ難くする。
第2図はこの場合のグランド電位MOSトランジスタ(
Qz)のゲート・ソース間の電位差、リーク電流を示す
波形図である。なお、を記実施例では、電源としてグラ
ンド側について、また、最終段のMO3F−フンジスタ
にN−チャネルMO8を使用した例について述べたが、
P−チャネルMO5及びその複合した場合と電源分離に
yool源を考えた場合も同様である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例である3値出力ドライバー
の構成を示す回路図、第2図は第1図の回路のグブンド
喧位、MOSトランジスタのケート、ソース間の電位差
及びリーク電流の変化を示す波形図、第3図は従来の3
値出力ドライバーの構成を示す回路図、第4図は第3図
の回路のグランドに位、MOSトランジスタのゲート・
ソース間開位差及びリーク電流の変化を示す波形図であ
る。 図において、(1)は出力端子、(2)はグランド電源
端子、(3)は他の回路素子、(4)は出カドフィバ−
(5)は他の回路部、(Ql)〜(Q6)はMOSトラ
ンジスタ、(D)、CD)は入力信号、(NL)、(N
りは信号、 (VDDI)〜(vDD 4)は電源、(
VSSI)〜(VSS4)はグランドである。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 出力が高レベル、低レベル及び高インピーダンス状態の
    3つの状態を持つ出力ドライバーにおいて、上記出力ド
    ライバーの最終段を構成する2つの電界効果型トランジ
    スタ及び上記2つの電界効果室トランジスタのゲートに
    それぞれ入力される信号を発生するそれぞれの回路部に
    供給する電源とグランドを、上記出力ドライバー及び上
    記回路部以外の電源とグランドとは独立に電源端子より
    配線し、上記出力ドライバーの出力が高インピーダンス
    状態でのリーク電流を低減することを特徴とする3値出
    力ドライバーの電源配線
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5869984A (en) * 1994-01-13 1999-02-09 Fujitsu Limited Output buffer circuit utilizing FETS for lowering output resistance of a circuit block

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50145066A (ja) * 1974-05-10 1975-11-21

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JPS50145066A (ja) * 1974-05-10 1975-11-21

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