JPH0258355B2 - - Google Patents
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- JPH0258355B2 JPH0258355B2 JP61052046A JP5204686A JPH0258355B2 JP H0258355 B2 JPH0258355 B2 JP H0258355B2 JP 61052046 A JP61052046 A JP 61052046A JP 5204686 A JP5204686 A JP 5204686A JP H0258355 B2 JPH0258355 B2 JP H0258355B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポリ塩化ビニリデン成形体の金属めつ
き方法に関するものであり、詳しくは、ポリ塩化
ビニリデン成形体(これを、以下、単にPVDC成
形体という。)の表面に一定の高い触媒活性を有
するパラジウムコイロドを付与し、次いで化学め
つきすることにより、上記PVDC成形体の表面に
簡単な操作で密着性の優れた金属めつき被膜を再
現良く形成することを可能とした金属めつき方法
に関するものである。
き方法に関するものであり、詳しくは、ポリ塩化
ビニリデン成形体(これを、以下、単にPVDC成
形体という。)の表面に一定の高い触媒活性を有
するパラジウムコイロドを付与し、次いで化学め
つきすることにより、上記PVDC成形体の表面に
簡単な操作で密着性の優れた金属めつき被膜を再
現良く形成することを可能とした金属めつき方法
に関するものである。
本発明に係る金属被膜が形成されたPVDC成形
体の主な用途は、装飾用材料、形成される金属被
膜の種類により導電性や磁気的な機能を生じるこ
とからEMI対策用電磁シールド材、コンデンサ
ー材料等である。
体の主な用途は、装飾用材料、形成される金属被
膜の種類により導電性や磁気的な機能を生じるこ
とからEMI対策用電磁シールド材、コンデンサ
ー材料等である。
PVDC成形体表面は一般に不活性であるので、
化学めつきにより、PVDC成形体表面に金属被膜
を形成させるためには、あらかじめPVDC成形体
表面をエツチング処理した後、金属イオンの還元
反応を起こすための触媒としてパラジウムを
PVDC成形体表面に付与することが必要である。
化学めつきにより、PVDC成形体表面に金属被膜
を形成させるためには、あらかじめPVDC成形体
表面をエツチング処理した後、金属イオンの還元
反応を起こすための触媒としてパラジウムを
PVDC成形体表面に付与することが必要である。
従来、金属を付与する方法として、例えば、米
国特許第2705523号公報及び米国特許第3011920号
公報及び特開昭52−117242号公報に記載の方法が
ある。
国特許第2705523号公報及び米国特許第3011920号
公報及び特開昭52−117242号公報に記載の方法が
ある。
米国特許第2702253号公報に記載の方法は、被
めつき物を強酸性塩化第一錫溶液に浸漬した後水
洗し、次いで、強酸性塩化パラジウム溶液に浸漬
することにより、被めつき物表面にパラジウムを
析出させ、該パラジウムを化学めつきする方法で
ある。
めつき物を強酸性塩化第一錫溶液に浸漬した後水
洗し、次いで、強酸性塩化パラジウム溶液に浸漬
することにより、被めつき物表面にパラジウムを
析出させ、該パラジウムを化学めつきする方法で
ある。
米国特許第3011920号公報に記載の方法は、基
板を強酸性パラジウム−錫コロイド溶液に接触さ
せ、化学めつきのための触媒作用を行うパラジウ
ムを付与するものである。この強酸性のパラジウ
ム−錫コロイド溶液は、例えば、トランザクシヨ
ン オブ ジ インスチイチユート オブ メタ
ル フイニイシイング(Transaction of the
Institute of Metal Finishing)第51巻(1973年)
第63頁に記載されている通り、ABS樹脂などの
活性化処理に用いられているが、PVDC成形体に
は用いられていない。特開昭52−117242号公報に
記載の方法は、絶縁体をパラジウム等の貴金属の
含水酸化物を含む酸性溶液で処理することによ
り、化学めつきのための触媒作用を行うパラジウ
ム等の貴金属の含水酸化物を付与するものであ
る。
板を強酸性パラジウム−錫コロイド溶液に接触さ
せ、化学めつきのための触媒作用を行うパラジウ
ムを付与するものである。この強酸性のパラジウ
ム−錫コロイド溶液は、例えば、トランザクシヨ
ン オブ ジ インスチイチユート オブ メタ
ル フイニイシイング(Transaction of the
Institute of Metal Finishing)第51巻(1973年)
第63頁に記載されている通り、ABS樹脂などの
活性化処理に用いられているが、PVDC成形体に
は用いられていない。特開昭52−117242号公報に
記載の方法は、絶縁体をパラジウム等の貴金属の
含水酸化物を含む酸性溶液で処理することによ
り、化学めつきのための触媒作用を行うパラジウ
ム等の貴金属の含水酸化物を付与するものであ
る。
前出米国特許第2702253号公報に記載の方法に
よる場合には、塩化第一錫と塩化パラジウムの二
つの浴を必要とし、お互いの液が混入するのを防
ぐために、各処理毎に水洗をしなければならない
ので工程が非常に複雑である。しかも、化学めつ
きのための触媒活性が低いので、2〜3度同じ処
理を繰り返さなければ金属イオンの還元反応を惹
起させるに充分なパラジウムが付与出来ないとい
う欠点を有する。
よる場合には、塩化第一錫と塩化パラジウムの二
つの浴を必要とし、お互いの液が混入するのを防
ぐために、各処理毎に水洗をしなければならない
ので工程が非常に複雑である。しかも、化学めつ
きのための触媒活性が低いので、2〜3度同じ処
理を繰り返さなければ金属イオンの還元反応を惹
起させるに充分なパラジウムが付与出来ないとい
う欠点を有する。
前出米国特許第3011920号公報に記載の方法に
よる場合には、化学めつきのための触媒作用を行
うパラジウム以外に錫水酸化物なども多量に基板
に付与されるので、これらの不純物が化学めつき
における還元反応の妨げとなり、また、形成され
た金属被膜と基板との密着強度を弱める原因とな
る。従つて、パラジウム以外の不純物を取り除く
ため強酸性パラジウム−錫コロイド溶液に基板を
接触させた後、更に、酸やアルカリ溶液中に基板
を浸漬する(促進化処理)等の工程が必要とな
る。またこの強酸性パラジウム−錫コロイド溶液
は経時変化をし、調製して3〜4カ月後から沈澱
しはじめ、安定性、再現性に欠けるという欠点が
ある。特開昭52−117242号公報に記載の方法は、
その組成に起因して、化学めつきのための触媒活
性が不十分であるという欠点がある。
よる場合には、化学めつきのための触媒作用を行
うパラジウム以外に錫水酸化物なども多量に基板
に付与されるので、これらの不純物が化学めつき
における還元反応の妨げとなり、また、形成され
た金属被膜と基板との密着強度を弱める原因とな
る。従つて、パラジウム以外の不純物を取り除く
ため強酸性パラジウム−錫コロイド溶液に基板を
接触させた後、更に、酸やアルカリ溶液中に基板
を浸漬する(促進化処理)等の工程が必要とな
る。またこの強酸性パラジウム−錫コロイド溶液
は経時変化をし、調製して3〜4カ月後から沈澱
しはじめ、安定性、再現性に欠けるという欠点が
ある。特開昭52−117242号公報に記載の方法は、
その組成に起因して、化学めつきのための触媒活
性が不十分であるという欠点がある。
上述した通り、PVDC成形体の表面に簡単な操
作で一定の高い触媒活性を有するパラジウムを付
与し、次いで化学めつきすることにより、密着性
に優れた金属めつき被膜を再現良く形成する方法
の確立は現在最も要求されているところである。
作で一定の高い触媒活性を有するパラジウムを付
与し、次いで化学めつきすることにより、密着性
に優れた金属めつき被膜を再現良く形成する方法
の確立は現在最も要求されているところである。
本発明者は、PVDC成形体の表面に簡単な操作
で一定の高い触媒活性を有するパラジウムを付与
する方法について種々検討を重ねた結果、本発明
に到達したのである。
で一定の高い触媒活性を有するパラジウムを付与
する方法について種々検討を重ねた結果、本発明
に到達したのである。
即ち、本発明は、対象とするPVDC成形体の表
面をアルカリ金属水酸化物の水溶液でエツチング
処理した後、陽イオン性界面活性剤を含むパラジ
ウムヒドロゾル(コロイド溶液)中に浸漬するこ
とにより、当該PVDC成形体の表面にパラジウム
コロイドを付与し、次いで、化学めつきすること
よりなるPVDC成形体の金属めつき方法である。
面をアルカリ金属水酸化物の水溶液でエツチング
処理した後、陽イオン性界面活性剤を含むパラジ
ウムヒドロゾル(コロイド溶液)中に浸漬するこ
とにより、当該PVDC成形体の表面にパラジウム
コロイドを付与し、次いで、化学めつきすること
よりなるPVDC成形体の金属めつき方法である。
先ず、本発明において最も重要な点は、あらか
じめアルカリ金属水酸化物の水溶液でエツチング
処理したPVDC成形体の表面に化学めつきの為の
触媒作用を行うパラジウムコロイドを付与するに
あたり、陽イオン性界面活性剤を含むパラジウム
ヒドロゾルを用いる点にある。
じめアルカリ金属水酸化物の水溶液でエツチング
処理したPVDC成形体の表面に化学めつきの為の
触媒作用を行うパラジウムコロイドを付与するに
あたり、陽イオン性界面活性剤を含むパラジウム
ヒドロゾルを用いる点にある。
本発明においては、陽イオン性界面活性剤を含
むパラジウムヒドロゾルが極めて安定であること
に起因して長期に亘り保存可能で随時使用できる
ものであり、また、触媒作用の妨げとなるような
不純物を含有していないので従来法のような促進
化処理を必要としないものである為陽イオン性界
面活性剤を含むパラジウムヒドロゾル中に浸漬す
るという簡単な操作で一定の高い触媒活性を有す
るパラジウムコロイドを付与することができる。
むパラジウムヒドロゾルが極めて安定であること
に起因して長期に亘り保存可能で随時使用できる
ものであり、また、触媒作用の妨げとなるような
不純物を含有していないので従来法のような促進
化処理を必要としないものである為陽イオン性界
面活性剤を含むパラジウムヒドロゾル中に浸漬す
るという簡単な操作で一定の高い触媒活性を有す
るパラジウムコロイドを付与することができる。
次に、本発明方法実施にあたつての諸条件につ
いて述べる。
いて述べる。
本発明におけるPVDC成形体は、シート状、粉
末状、ペレツト状、糸状など各種のPVDC成形体
が使用できる。
末状、ペレツト状、糸状など各種のPVDC成形体
が使用できる。
本発明におけるPVDC成形体のエツチング処理
は、PVDC成形体をアルカリ金属水酸化物水溶液
中に、室温から沸点の範囲、好ましくは50〜90℃
の温度で10分間以上浸漬させることにより行う。
尚、用いるPVDC成形体は、あらかじめエタノー
ルなどで脱脂後水洗し乾燥させてあることが好ま
しい。
は、PVDC成形体をアルカリ金属水酸化物水溶液
中に、室温から沸点の範囲、好ましくは50〜90℃
の温度で10分間以上浸漬させることにより行う。
尚、用いるPVDC成形体は、あらかじめエタノー
ルなどで脱脂後水洗し乾燥させてあることが好ま
しい。
本発明におけるエツチング処理に用いるアルカ
リ金属水酸化物水溶液としては、水酸化ナトリウ
ムや水酸化カリウム水溶液が適し、その濃度は1
〜10mol/が望ましい。
リ金属水酸化物水溶液としては、水酸化ナトリウ
ムや水酸化カリウム水溶液が適し、その濃度は1
〜10mol/が望ましい。
本発明における陽イオン性界面活性剤を含むパ
ラジウムヒドロゾルは、塩化パラジウム()な
どのパラジウム塩水溶液を、保護剤である陽イオ
ン性界面活性剤の存在下で、水素化ホウ素ナトリ
ウム、ヒドラジンなどの水溶性還元剤で還元処理
することにより、又は、陽イオン性界面活性剤の
不存在下で生成したパラジウムヒドロゾル中に陽
イオン性界面活性剤を添加混合することにより得
ることができる(例えば特開昭59−120249号公
報)。
ラジウムヒドロゾルは、塩化パラジウム()な
どのパラジウム塩水溶液を、保護剤である陽イオ
ン性界面活性剤の存在下で、水素化ホウ素ナトリ
ウム、ヒドラジンなどの水溶性還元剤で還元処理
することにより、又は、陽イオン性界面活性剤の
不存在下で生成したパラジウムヒドロゾル中に陽
イオン性界面活性剤を添加混合することにより得
ることができる(例えば特開昭59−120249号公
報)。
陽イオン性界面活性剤としては、ステアリルト
リメチルアンモニウムクロライドなどの四級アン
モニウム塩型の界面活性剤が適し、その添加時期
は還元処理の前でも後でも良く、しかも還元の前
にはポリエチレングリコール型の非イオン性界面
活性剤や、ポリビニルピロリドンなどの水溶性高
分子が保護剤として添加してあつても良い。
リメチルアンモニウムクロライドなどの四級アン
モニウム塩型の界面活性剤が適し、その添加時期
は還元処理の前でも後でも良く、しかも還元の前
にはポリエチレングリコール型の非イオン性界面
活性剤や、ポリビニルピロリドンなどの水溶性高
分子が保護剤として添加してあつても良い。
陽イオン性界面活性剤の濃度は、0.002〜0.1%
の範囲が好ましい。
の範囲が好ましい。
本発明において用いるパラジウムヒドロゾル中
のパラジウム濃度は、0.1〜10mg−atom/の範
囲が好ましい。
のパラジウム濃度は、0.1〜10mg−atom/の範
囲が好ましい。
本発明におけるPVDC成形体の陽イオン性界面
活性剤を含むパラジウムヒドロゾル中への浸漬
は、室温から100℃の範囲の温度下で1分間以上
好ましくは10分間以上の浸漬後、引上げ水洗する
ことにより行うことができる。
活性剤を含むパラジウムヒドロゾル中への浸漬
は、室温から100℃の範囲の温度下で1分間以上
好ましくは10分間以上の浸漬後、引上げ水洗する
ことにより行うことができる。
本発明における化学めつきは、常法により行う
ことができる。即ち、金属イオン及び還元剤を含
む溶液中において、パラジウムコロイド部分で該
金属イオンが還元されることにより金属が析出す
るものである。
ことができる。即ち、金属イオン及び還元剤を含
む溶液中において、パラジウムコロイド部分で該
金属イオンが還元されることにより金属が析出す
るものである。
本発明における化学めつきの為の金属イオン溶
液としては、電気的、磁気的性質を付与する為に
通常使用される中性又はアルカリ性のニツケル、
コバルト、銅、銀等の一種又は二種以上を使用す
ることができる。
液としては、電気的、磁気的性質を付与する為に
通常使用される中性又はアルカリ性のニツケル、
コバルト、銅、銀等の一種又は二種以上を使用す
ることができる。
本発明における化学めつきのための還元剤とし
ては、次亜リン酸ナトリウム、ホルムアルデヒ
ド、ぶどう糖等を使用することができる。
ては、次亜リン酸ナトリウム、ホルムアルデヒ
ド、ぶどう糖等を使用することができる。
次に、実施例並びに比較例により本発明を説明
する。
する。
尚、表面抵抗は、MCP−TESTER・
LORESTA低抵抗表面抵抗計(三菱油化(株)製)
により測定したものである。
LORESTA低抵抗表面抵抗計(三菱油化(株)製)
により測定したものである。
めつきの密着性は、めつき終了1時間後にスコ
ツチメンデイングテープ(住友スリーエム(株)製)
をめつき物上に強く貼り付け、引きはがすことに
より調べた。
ツチメンデイングテープ(住友スリーエム(株)製)
をめつき物上に強く貼り付け、引きはがすことに
より調べた。
実施例 1
エタノールで10分間洗浄した後、水洗、乾燥し
たPVDC繊維成形物(中尾フイルター工業(株)製、
厚さ1.25mm、2.5cm×1.5cm)を3.0mol/の水酸
化カリウムを含む90℃の水溶液中に浸漬し、60分
後に引き上げ水洗することによりエツチング処理
を行つた。
たPVDC繊維成形物(中尾フイルター工業(株)製、
厚さ1.25mm、2.5cm×1.5cm)を3.0mol/の水酸
化カリウムを含む90℃の水溶液中に浸漬し、60分
後に引き上げ水洗することによりエツチング処理
を行つた。
これとは別に、塩化パラジウム()50μmol
を、250μmolの塩化ナトリウムを含む水溶液2.5
mlに溶解し、次に純水で94mlに希釈した。この溶
液を激しく撹拌しながら該溶液中にステアリルト
リメチルアンモニウムクロライド10mgを含む水溶
液1mlを加え、続いて水素化ホウ素ナトリウム
200μmolを含む水溶液5mlを滴下すると、溶液の
色が急変し、黒褐色透明な陽イオン性界面活性剤
を含むパラジウムヒドロゾルが得られた。
を、250μmolの塩化ナトリウムを含む水溶液2.5
mlに溶解し、次に純水で94mlに希釈した。この溶
液を激しく撹拌しながら該溶液中にステアリルト
リメチルアンモニウムクロライド10mgを含む水溶
液1mlを加え、続いて水素化ホウ素ナトリウム
200μmolを含む水溶液5mlを滴下すると、溶液の
色が急変し、黒褐色透明な陽イオン性界面活性剤
を含むパラジウムヒドロゾルが得られた。
得られた陽イオン性界面活性剤を含むパラジウ
ムヒドロゾル中にエツチング処理をした上記
PVDC繊維成形物を室温下で60分間浸漬した後、
引上げ水洗するとPVDC繊維成形物表面が薄く黒
色になつており、化学めつきのためのパラジウム
コロイドが付与されていた。
ムヒドロゾル中にエツチング処理をした上記
PVDC繊維成形物を室温下で60分間浸漬した後、
引上げ水洗するとPVDC繊維成形物表面が薄く黒
色になつており、化学めつきのためのパラジウム
コロイドが付与されていた。
次いで、塩化ニツケル()0.1molを2mol/
のアンモニア水溶液500mlに溶解し、0.2mol/
の次亜リン酸ナトリウム500mlを加えた後、濃
塩酸によりPHを8.9に調整して得られるニツケル
化学めつき液中に、上記パラジウムコロイドが付
与されたPVDC繊維成形物を60℃の温度下で浸漬
した。浸漬約10秒後、PVDC繊維成形物の表面全
体が黒くなりニツケルの析出が始まつた。10分間
経過後、成形物を引き上げ、水洗、乾燥すると、
表面が均一にニツケルで被われた金属光沢を示す
PVDC繊維成形物が得られた。めつき前後で基体
に対して65%の重量増加があつた。
のアンモニア水溶液500mlに溶解し、0.2mol/
の次亜リン酸ナトリウム500mlを加えた後、濃
塩酸によりPHを8.9に調整して得られるニツケル
化学めつき液中に、上記パラジウムコロイドが付
与されたPVDC繊維成形物を60℃の温度下で浸漬
した。浸漬約10秒後、PVDC繊維成形物の表面全
体が黒くなりニツケルの析出が始まつた。10分間
経過後、成形物を引き上げ、水洗、乾燥すると、
表面が均一にニツケルで被われた金属光沢を示す
PVDC繊維成形物が得られた。めつき前後で基体
に対して65%の重量増加があつた。
この表面にメンデイングテープを強く押しつけ
てはがしても全くニツケル被膜は剥離しなかつ
た。また、このPVDC繊維成形物の表面抵抗は19
Ωであつた。
てはがしても全くニツケル被膜は剥離しなかつ
た。また、このPVDC繊維成形物の表面抵抗は19
Ωであつた。
実施例 2
エタノールで10分間洗浄した後、水洗、乾燥し
たPVDCフイルム(旭化成(株)製 厚さ10μm4cm
×3cm)を3.0mol/の水酸化ナトリウムを含
む80℃の水溶液中に浸漬し、60分後に引き上げ水
洗することによりエツチング処理を行つた。
たPVDCフイルム(旭化成(株)製 厚さ10μm4cm
×3cm)を3.0mol/の水酸化ナトリウムを含
む80℃の水溶液中に浸漬し、60分後に引き上げ水
洗することによりエツチング処理を行つた。
これとは別に、塩化パラジウム()50μmol
を、250μmolの塩化ナトリウムが含まれている水
溶液2.5mlに溶解し、次に純水で94mlに希釈した。
この溶液を激しく撹拌しながら、ステアリルトリ
ロチルアンモニウムクロライド10mgを含む水溶液
1mlを加え、続いて水素化ホウ素ナトリウム
200μmolを含む水溶液5mlを滴下すると、溶液の
色が急変し、黒褐色透明な陽イオン性界面活性剤
を含むパラジウムヒドロゾルが得られた。
を、250μmolの塩化ナトリウムが含まれている水
溶液2.5mlに溶解し、次に純水で94mlに希釈した。
この溶液を激しく撹拌しながら、ステアリルトリ
ロチルアンモニウムクロライド10mgを含む水溶液
1mlを加え、続いて水素化ホウ素ナトリウム
200μmolを含む水溶液5mlを滴下すると、溶液の
色が急変し、黒褐色透明な陽イオン性界面活性剤
を含むパラジウムヒドロゾルが得られた。
得られた陽イオン性界面活性剤を含むパラジウ
ムヒドロゾル中にエツチング処理をした上記
PVDCフイルムを室温下で60分間浸漬した後、引
上げ水洗するとPVDCフイルム表面が均一に薄く
灰色となつており、パラジウムコロイドが付与さ
れていた。
ムヒドロゾル中にエツチング処理をした上記
PVDCフイルムを室温下で60分間浸漬した後、引
上げ水洗するとPVDCフイルム表面が均一に薄く
灰色となつており、パラジウムコロイドが付与さ
れていた。
次いで、0.60mol/のロツセル塩、
1.25mol/の水酸化ナトリウム、0.15mol/
の硫酸銅()5水塩、0.28mol/の炭酸ナト
リウム及び0.07mol/のエチレンジアミン−四
酢酸を純水に溶解して100mlとし、さらに35%ホ
ルムアルデヒド溶液20mlを混合させて調製した銅
化学めつき液中に、上記パラジウムコロイドが付
与されたPVDCフイルムを浸漬した。15分間の浸
漬後、フイルムを引き上げ水洗、乾燥させること
で厚さは1.01μmの赤色光沢を示す密着性の良い
銅金属被膜で被われたPVDCフイルムが得られ
た。
1.25mol/の水酸化ナトリウム、0.15mol/
の硫酸銅()5水塩、0.28mol/の炭酸ナト
リウム及び0.07mol/のエチレンジアミン−四
酢酸を純水に溶解して100mlとし、さらに35%ホ
ルムアルデヒド溶液20mlを混合させて調製した銅
化学めつき液中に、上記パラジウムコロイドが付
与されたPVDCフイルムを浸漬した。15分間の浸
漬後、フイルムを引き上げ水洗、乾燥させること
で厚さは1.01μmの赤色光沢を示す密着性の良い
銅金属被膜で被われたPVDCフイルムが得られ
た。
このPVDCフイルムの表面抵抗は0.12Ωであつ
た。
た。
実施例 3
硝酸銀(AgNO3)5.8gとアンモニア水とを混
合溶解し、該溶液に4.2gの水酸化ナトリウムを
添加混合した後100mlとなるように水を添加して
銀水溶液を調製した。
合溶解し、該溶液に4.2gの水酸化ナトリウムを
添加混合した後100mlとなるように水を添加して
銀水溶液を調製した。
別に、水100mlとぶどう糖4.5g及び酒石酸0.4
gとを混合溶解し、10分間煮沸した後常温まで冷
却し、次いで、該溶液にエチルアルコール10mlを
添加して還元液を調製した。
gとを混合溶解し、10分間煮沸した後常温まで冷
却し、次いで、該溶液にエチルアルコール10mlを
添加して還元液を調製した。
上記銀水溶液と上記還元液とを容量比で1:1
の割合で混合することにより銀化学めつき液を作
製した。
の割合で混合することにより銀化学めつき液を作
製した。
この銀化学めつき液中に、水酸化ナトリウムで
エツチング処理をした以外は実施例2と同様にし
て得られたパラジウム触媒コロイドが付与された
PVDCフイルム(旭化成(株)製 厚さ10μm4cm×
3cm)を25℃の温度下で浸漬した。浸漬5分後に
引き上げ、水洗、乾燥させることで厚さは11.2μ
mの金属光沢を示す密着性の良い銀金属被膜で被
われたPVDCフイルムが得られた。
エツチング処理をした以外は実施例2と同様にし
て得られたパラジウム触媒コロイドが付与された
PVDCフイルム(旭化成(株)製 厚さ10μm4cm×
3cm)を25℃の温度下で浸漬した。浸漬5分後に
引き上げ、水洗、乾燥させることで厚さは11.2μ
mの金属光沢を示す密着性の良い銀金属被膜で被
われたPVDCフイルムが得られた。
このPVDCフイルムの表面抵抗は0.11Ωであつ
た。
た。
比較例 1
米国特許3011920号明細書の実施例2の操作に
従つて強酸性パラジウム−錫コロイド溶液を調製
した。実施例2と同様にしてエタノール洗浄及び
エツチング処理をしたPVDCフイルム(旭化成(株)
製、厚さ10μm4cm×3cm)を、調製してすぐの
上記パラジウム−錫コロイド溶液に室温下で浸漬
した。60分後、PVDCフイルムを引き上げて、充
分水洗を行い、次にそのPVDCフイルムを
1.25mol/の水酸化ナトリウム溶液中に室温下
で浸漬した。5分間の浸漬後、PVDCフイルムを
引き上げて充分水洗をしてパラジウム以外の不純
物を取り除いた後、実施例2と同様の操作に従つ
て、銅化学めつき液に浸漬したが、フイルムの一
部に銅膜が形成された程度であつた。
従つて強酸性パラジウム−錫コロイド溶液を調製
した。実施例2と同様にしてエタノール洗浄及び
エツチング処理をしたPVDCフイルム(旭化成(株)
製、厚さ10μm4cm×3cm)を、調製してすぐの
上記パラジウム−錫コロイド溶液に室温下で浸漬
した。60分後、PVDCフイルムを引き上げて、充
分水洗を行い、次にそのPVDCフイルムを
1.25mol/の水酸化ナトリウム溶液中に室温下
で浸漬した。5分間の浸漬後、PVDCフイルムを
引き上げて充分水洗をしてパラジウム以外の不純
物を取り除いた後、実施例2と同様の操作に従つ
て、銅化学めつき液に浸漬したが、フイルムの一
部に銅膜が形成された程度であつた。
本発明に係るPVDC成形体の金属めつき方法
は、前出実施例に示した通り、本発明において用
いられるパラジウムヒドロゾルが化学めつきの触
媒作用を妨げる不純物を含有しておらず、また長
期に亘り安定である為、一定の高い触媒活性を有
するパラジウムコロイドを付与することが可能で
あることに起因して、PVDC成形体表面に密着性
の優れた金属めつき被膜を形成することが可能で
ある。
は、前出実施例に示した通り、本発明において用
いられるパラジウムヒドロゾルが化学めつきの触
媒作用を妨げる不純物を含有しておらず、また長
期に亘り安定である為、一定の高い触媒活性を有
するパラジウムコロイドを付与することが可能で
あることに起因して、PVDC成形体表面に密着性
の優れた金属めつき被膜を形成することが可能で
ある。
Claims (1)
- 1 ポリ塩化ビニリデン成形体の表面に化学めつ
きによつて金属被膜を形成させるに当たつて、対
象とするポリ塩化ビニリデン成形体をアルカリ金
属水酸化物の水溶液でエツチング処理した後、陽
イオン性界面活性剤を含むパラジウムヒドロゾル
中に浸漬することにより、当該ポリ塩化ビニリデ
ン成形体の表面にパラジウムコロイドを付与し、
次いで、化学めつきすることを特徴とするポリ塩
化ビニリデン成形体の金属めつき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5204686A JPS62207876A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | ポリ塩化ビニリデン成形体の金属めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5204686A JPS62207876A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | ポリ塩化ビニリデン成形体の金属めつき方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62207876A JPS62207876A (ja) | 1987-09-12 |
JPH0258355B2 true JPH0258355B2 (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=12903876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5204686A Granted JPS62207876A (ja) | 1986-03-10 | 1986-03-10 | ポリ塩化ビニリデン成形体の金属めつき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62207876A (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52117242A (en) * | 1976-03-25 | 1977-10-01 | Western Electric Co | Metal attaching method |
JPS60140789A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | 富士通株式会社 | 基板の位置決め方法 |
JPS60140790A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | ソニ−ケミカル株式会社 | 連結シ−ト |
JPS60203864A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-15 | Toshiba Corp | 検出装置 |
JPS60203863A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-15 | Toshiba Corp | ガス絶縁3相変流器 |
JPS6152047A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-14 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | データバスシステム |
JPS6152048A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | デ−タ通信制御方式 |
-
1986
- 1986-03-10 JP JP5204686A patent/JPS62207876A/ja active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52117242A (en) * | 1976-03-25 | 1977-10-01 | Western Electric Co | Metal attaching method |
JPS60140789A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | 富士通株式会社 | 基板の位置決め方法 |
JPS60140790A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | ソニ−ケミカル株式会社 | 連結シ−ト |
JPS60203864A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-15 | Toshiba Corp | 検出装置 |
JPS60203863A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-15 | Toshiba Corp | ガス絶縁3相変流器 |
JPS6152047A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-14 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | データバスシステム |
JPS6152048A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | デ−タ通信制御方式 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62207876A (ja) | 1987-09-12 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |