JPH0258062A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0258062A JPH0258062A JP20999388A JP20999388A JPH0258062A JP H0258062 A JPH0258062 A JP H0258062A JP 20999388 A JP20999388 A JP 20999388A JP 20999388 A JP20999388 A JP 20999388A JP H0258062 A JPH0258062 A JP H0258062A
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- photoresist
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基
板上でのフォトレジスト膜の形成における、フォトレジ
スト膜とその下地の基板等との密着性の向上に関するも
のである。
板上でのフォトレジスト膜の形成における、フォトレジ
スト膜とその下地の基板等との密着性の向上に関するも
のである。
従来の技術としては、フォトレジスト膜の形成時半導体
基板表面にヘキサメチルジシラザンを作用させる表面処
理が多くなされている。
基板表面にヘキサメチルジシラザンを作用させる表面処
理が多くなされている。
通常、半導体基板あるいはその上に形成されたシリコン
酸化膜はその表面に遊離したシラノール基を多数有して
おり、このことは特に現像時において該基板や酸化膜と
フォトレジストとの密着性の低下を引き起こす原因とな
っている。
酸化膜はその表面に遊離したシラノール基を多数有して
おり、このことは特に現像時において該基板や酸化膜と
フォトレジストとの密着性の低下を引き起こす原因とな
っている。
そこで、上述の表面処理が必要となるわけであり、従来
第４図に示すようにシリコン酸化膜１の表面をヘキサメ
チルジシラザン２で処理して疎水性化し、このように疎
水性化したシリコン酸化膜１上にフォトレジストの塗布
を行ない、その後マスクを通して露光し、続いてアルカ
リ性の現像液によって現像を行なうことにより、フォト
レジストパターンを形成している。
第４図に示すようにシリコン酸化膜１の表面をヘキサメ
チルジシラザン２で処理して疎水性化し、このように疎
水性化したシリコン酸化膜１上にフォトレジストの塗布
を行ない、その後マスクを通して露光し、続いてアルカ
リ性の現像液によって現像を行なうことにより、フォト
レジストパターンを形成している。
この方法では、シリコン酸化膜の表面が疎水性化されて
いるために、現像時現像液がシリコン酸化膜とフォトレ
ジストとの界面に浸透しにくくなリ、両者の密着性が保
たれる。
いるために、現像時現像液がシリコン酸化膜とフォトレ
ジストとの界面に浸透しにくくなリ、両者の密着性が保
たれる。
ところが、従来のへキサメチルジシラザンを用いた表面
処理法では半導体基板やシリコン酸化膜とフォトレジス
トとの元々の密着性についてはむしろ低下させてしまう
こととなり、パターンの微細化が進むにつれて、従来の
密着強化剤では上記基板や酸化膜とフォトレジストとの
密着性を保持できなくなるという問題点があった。
処理法では半導体基板やシリコン酸化膜とフォトレジス
トとの元々の密着性についてはむしろ低下させてしまう
こととなり、パターンの微細化が進むにつれて、従来の
密着強化剤では上記基板や酸化膜とフォトレジストとの
密着性を保持できなくなるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、下地材料層とフォトレジストとの間の元々の
密着性の低下を招くことな（、現像時の密着性を向上す
ることができる半導体装置の製造方法を得ることを目的
とする。
たもので、下地材料層とフォトレジストとの間の元々の
密着性の低下を招くことな（、現像時の密着性を向上す
ることができる半導体装置の製造方法を得ることを目的
とする。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、フォトレジス
ト膜の形成工程を、フォトレジストとの間で相互作用を
もつ密着強化剤を下地材料層表面上で反応させて表面処
理を行なう第１の工程と、該下地材料層上にフォトレジ
ストを塗布する第２の工程とを含むものとしたものであ
る。
ト膜の形成工程を、フォトレジストとの間で相互作用を
もつ密着強化剤を下地材料層表面上で反応させて表面処
理を行なう第１の工程と、該下地材料層上にフォトレジ
ストを塗布する第２の工程とを含むものとしたものであ
る。
この発明においては、下地材料層表面にフォトレジスト
膜を形成する際、予めフォトレジストとの間で相互作用
をもつ密着強化剤を該下地材料層表面上で反応させて表
面処理を行なうようにしたから、下地材料層表面が疎水
性化されるだけでなく、フォトレジストと該下地層表面
の相互作用に基づいて下地層、フォトレジスト間の密着
力が増大することとなり、これにより下地材料層とフォ
トレジストの間の元々の密着性の低下を招くことなく、
現像時の密着性を向上することができる。
膜を形成する際、予めフォトレジストとの間で相互作用
をもつ密着強化剤を該下地材料層表面上で反応させて表
面処理を行なうようにしたから、下地材料層表面が疎水
性化されるだけでなく、フォトレジストと該下地層表面
の相互作用に基づいて下地層、フォトレジスト間の密着
力が増大することとなり、これにより下地材料層とフォ
トレジストの間の元々の密着性の低下を招くことなく、
現像時の密着性を向上することができる。
（実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を説明するための図であり、図において、１はシリコン
基板等の表面に形成されたシリコン酸化膜、２は芳香環
を有するシランカップリング剤であるジメチルフェニル
クロロシランであり、図には該ジメチルフェニルクロロ
シラン２の蒸気をシリコン酸化膜１上に反応させた時の
反応式が示されている。
を説明するための図であり、図において、１はシリコン
基板等の表面に形成されたシリコン酸化膜、２は芳香環
を有するシランカップリング剤であるジメチルフェニル
クロロシランであり、図には該ジメチルフェニルクロロ
シラン２の蒸気をシリコン酸化膜１上に反応させた時の
反応式が示されている。
またこの実施例では、塗布するフォトレジストはノボラ
ック系のポジ型レジストであるが、これは第２図（ａ）
〜（Ｃ）に示すようにナフトキノンジアジドスルホン酸
３とポリヒドロキシベンゾフェノンとのエステル化物４
である感光剤と、ノボラック樹脂５とからなり、フォト
レジスト中に占める芳香環の割合は非常に大きいもので
ある。
ック系のポジ型レジストであるが、これは第２図（ａ）
〜（Ｃ）に示すようにナフトキノンジアジドスルホン酸
３とポリヒドロキシベンゾフェノンとのエステル化物４
である感光剤と、ノボラック樹脂５とからなり、フォト
レジスト中に占める芳香環の割合は非常に大きいもので
ある。
次に作用効果について説明する。
本実施例では、表面領域にシリコン酸化膜１を有するシ
リコン基板等の表面上でジメチルフェニルクロロシラン
２の蒸気を反応させて表面処理を行ない、その後該基板
上に上記フォトレジスト膜を形成し、露光・現像を行な
う。
リコン基板等の表面上でジメチルフェニルクロロシラン
２の蒸気を反応させて表面処理を行ない、その後該基板
上に上記フォトレジスト膜を形成し、露光・現像を行な
う。
この場合、上記表面処理によりフォトレジストとの間で
相互作用をもつ密着強化剤、つまりジメチルフェニルク
ロロシラン２が基板表面に結合することとなり、このた
め上記の表面処理をした基板上にフォトレジストを塗布
すると、芳香環同志の間に働く相互作用に基づき、基板
とフォトレジストとの間に大きな密着力をもたせること
ができる。また上記表面処理により基板表面が疎水性化
されているだけでなく、上述のように基板とフォトレジ
ストとの間に相互作用が働いており、このためフォトレ
ジスト膜の形成に続いて、露光・現像を行っても、基板
とフォトレジスト膜との界面へのアルカリ性現像液の浸
透を防ぐことができ、強い密着力を保つことができる。
相互作用をもつ密着強化剤、つまりジメチルフェニルク
ロロシラン２が基板表面に結合することとなり、このた
め上記の表面処理をした基板上にフォトレジストを塗布
すると、芳香環同志の間に働く相互作用に基づき、基板
とフォトレジストとの間に大きな密着力をもたせること
ができる。また上記表面処理により基板表面が疎水性化
されているだけでなく、上述のように基板とフォトレジ
ストとの間に相互作用が働いており、このためフォトレ
ジスト膜の形成に続いて、露光・現像を行っても、基板
とフォトレジスト膜との界面へのアルカリ性現像液の浸
透を防ぐことができ、強い密着力を保つことができる。
この結果微細なパターンの形成が可能となる。
なお、上記実施例ではその表面領域にシリコン酸化膜１
を有する基板の表面処理について示したが、これは酸化
膜等を有しない基板であってもよい。
を有する基板の表面処理について示したが、これは酸化
膜等を有しない基板であってもよい。
また、上記実施例ではシランカップリング剤としてはジ
メチルフェニルクロロシランを用いたが、この他第３図
に示すようにジメチルフェニルアルキルクロロシラン６
、トリフェニルクロロシラン７を用いてもよく、また上
記フェニル基の代わりにナフタレン、ピレンのような多
環芳香族を有する化合物も有効である。
メチルフェニルクロロシランを用いたが、この他第３図
に示すようにジメチルフェニルアルキルクロロシラン６
、トリフェニルクロロシラン７を用いてもよく、また上
記フェニル基の代わりにナフタレン、ピレンのような多
環芳香族を有する化合物も有効である。
以上のように、この発明によれば、下地材料層上にフォ
トレジスト膜を形成するに際し、下地材料層に存在する
水酸基に、芳香環を有するシランカップリング剤を反応
させて下地材料層の表面処理を行なうようにしたので、
下地材料層とフォトレジストの間の元々の密着性の低下
を招くことなく、現像時の密着性を向上することができ
る半導体装置の製造方法を得ることができる。
トレジスト膜を形成するに際し、下地材料層に存在する
水酸基に、芳香環を有するシランカップリング剤を反応
させて下地材料層の表面処理を行なうようにしたので、
下地材料層とフォトレジストの間の元々の密着性の低下
を招くことなく、現像時の密着性を向上することができ
る半導体装置の製造方法を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を説明するための図、第２図は該製造方法で用いるフ
ォトレジストの成分の構造式を示す図、第３図は本発明
の製造方法で使用可能なシランカフプリング剤の構造式
を示す図、第４図は従来のフォトレジスト膜の形成にお
ける基板表面処理を説明するための図である。 図において、１はシリコン酸化膜、２はジメチルフェニ
ルクロロシラン、３はナフトキノンジアジドスルホン酸
、４４＄ナフトキノンジアジドスルホン酸とポリヒドロ
キシベンゾフェノンのエステル化物、５はノボラック樹
脂、６はジメチルフェニルアルキルクロロシラン、７は
トリフェニルクロロシランである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
法を説明するための図、第２図は該製造方法で用いるフ
ォトレジストの成分の構造式を示す図、第３図は本発明
の製造方法で使用可能なシランカフプリング剤の構造式
を示す図、第４図は従来のフォトレジスト膜の形成にお
ける基板表面処理を説明するための図である。 図において、１はシリコン酸化膜、２はジメチルフェニ
ルクロロシラン、３はナフトキノンジアジドスルホン酸
、４４＄ナフトキノンジアジドスルホン酸とポリヒドロ
キシベンゾフェノンのエステル化物、５はノボラック樹
脂、６はジメチルフェニルアルキルクロロシラン、７は
トリフェニルクロロシランである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）光リソグラフィーを利用して下地材料層上にフォ
トレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程を含
む半導体装置の製造方法において、上記フォトレジスト
膜形成工程は、 上記下地材料層表面上で芳香環を有するシランカップリ
ング剤を反応させて、表面処理を行なう第１の工程と、 該下地材料層上にフォトレジストを塗布する第２の工程
とを有するものであることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20999388A JPH0258062A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20999388A JPH0258062A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258062A true JPH0258062A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16582083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20999388A Pending JPH0258062A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258062A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980078155A (ko) * | 1997-04-25 | 1998-11-16 | 김영환 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953629A (ja) * | 1972-07-31 | 1974-05-24 | ||
| JPS60129745A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Shuzo Hattori | ３層構造レジストおよびこれを用いて高解像度製版を達成する方法 |
| JPH024259A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Konica Corp | 感光性平版印刷版 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP20999388A patent/JPH0258062A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953629A (ja) * | 1972-07-31 | 1974-05-24 | ||
| JPS60129745A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Shuzo Hattori | ３層構造レジストおよびこれを用いて高解像度製版を達成する方法 |
| JPH024259A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Konica Corp | 感光性平版印刷版 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980078155A (ko) * | 1997-04-25 | 1998-11-16 | 김영환 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
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