JPH025558A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH025558A JPH025558A JP63156431A JP15643188A JPH025558A JP H025558 A JPH025558 A JP H025558A JP 63156431 A JP63156431 A JP 63156431A JP 15643188 A JP15643188 A JP 15643188A JP H025558 A JPH025558 A JP H025558A
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱板を兼ねる金属基板に半導体素子片およ
び電極板を基板と絶絹して固定１−１半導体素子片の各
ｉ極をそれぞれ異なる電極板と直接または導線を介して
接続し、省電極板にそれぞれ外部引出し端子の脚部を固
着ｊ−５た半導体装置に関する。
び電極板を基板と絶絹して固定１−１半導体素子片の各
ｉ極をそれぞれ異なる電極板と直接または導線を介して
接続し、省電極板にそれぞれ外部引出し端子の脚部を固
着ｊ−５た半導体装置に関する。
半導体装置のうち電力用のものは、半導体素子片の電極
に流れる電流が大きいため、外部引出し端子を直接この
電極に固着することは、温度変動による熱応力あるいは
端子に加わる外力により固着部の損傷あるいは半導体素
子の特性の劣化に繋りやすい。同時にこのような半導体
装置では損失により発生する熱の放散を行わなければな
らない。
に流れる電流が大きいため、外部引出し端子を直接この
電極に固着することは、温度変動による熱応力あるいは
端子に加わる外力により固着部の損傷あるいは半導体素
子の特性の劣化に繋りやすい。同時にこのような半導体
装置では損失により発生する熱の放散を行わなければな
らない。
そのため、放熱板を兼ねる金属基板」−に絶縁板を介し
て固定される電極板に引出し端子の脚部を固着し、この
電極板と前記金１１１ｉ基板と絶縁される半導体素子片
の電極とを直接または導線を介して接続する。第２図は
パワートランジスタとダイオードを有する半導体装置の
その上うなｆ！造を示す。
て固定される電極板に引出し端子の脚部を固着し、この
電極板と前記金１１１ｉ基板と絶縁される半導体素子片
の電極とを直接または導線を介して接続する。第２図は
パワートランジスタとダイオードを有する半導体装置の
その上うなｆ！造を示す。
この半導体装置では、金属基板１の上に電極板３１３２
．３３を絶縁板２を介して固着する。電極板３１にはト
ランジスタチップ４とダイオ−トチ・２ブ５をそれぞれ
下面の電極面によりろう付４ノする。１を極板３２には
、アルミニウム線６のボンディングによりダイオ・−ト
チ、プの上面電極およびトランジスタ４のエミッタ電極
を接続し、その端部にはエミッタ引出し端子８の脚部下
端をはんだ１０によりろう付けする。エミッタ引出し端
子８は、屈曲部を経て上方へ引き出し、ト端を容器の上
蓋１１に貫通させて上蓋Ｊ二で折曲げ外部導体接続部１
２りする、電極板３１には同様にコレクタ引出し端子７
の脚部下端がはんだ付けされる。電極板３３は、トラン
ジスタチップ４のベースＴ４．極とアルミニウム線６で
接続され、またヘース引出し端子９の脚部下端がはんだ
１０でろう付けされている。
．３３を絶縁板２を介して固着する。電極板３１にはト
ランジスタチップ４とダイオ−トチ・２ブ５をそれぞれ
下面の電極面によりろう付４ノする。１を極板３２には
、アルミニウム線６のボンディングによりダイオ・−ト
チ、プの上面電極およびトランジスタ４のエミッタ電極
を接続し、その端部にはエミッタ引出し端子８の脚部下
端をはんだ１０によりろう付けする。エミッタ引出し端
子８は、屈曲部を経て上方へ引き出し、ト端を容器の上
蓋１１に貫通させて上蓋Ｊ二で折曲げ外部導体接続部１
２りする、電極板３１には同様にコレクタ引出し端子７
の脚部下端がはんだ付けされる。電極板３３は、トラン
ジスタチップ４のベースＴ４．極とアルミニウム線６で
接続され、またヘース引出し端子９の脚部下端がはんだ
１０でろう付けされている。
第３図はパワートランジスタとダイオードを有する半導
体装置の別の構造を示し、第２図と共通の部分には同一
の符号が伺されている。この場合は、エミッタ引出し端
子８およびベース引出し端子９の脚部下端はＴ！極板３
２．３３と一体化さね、絶縁板２２．２３を介して電極
板３１の上に固着されている。
体装置の別の構造を示し、第２図と共通の部分には同一
の符号が伺されている。この場合は、エミッタ引出し端
子８およびベース引出し端子９の脚部下端はＴ！極板３
２．３３と一体化さね、絶縁板２２．２３を介して電極
板３１の上に固着されている。
第２図における各端子？、８．９の脚部下端および第３
図にお（・ｊるコレクタ引出し端子７の脚部下端は、第
４図に端子７について断面で例示したよ・う（２こ、は
んだ１０によるろう付は面積を大きくするためにＬ字形
に曲げ成形されている。
図にお（・ｊるコレクタ引出し端子７の脚部下端は、第
４図に端子７について断面で例示したよ・う（２こ、は
んだ１０によるろう付は面積を大きくするためにＬ字形
に曲げ成形されている。
〔発明が解決しようとするｉｌ１題〕
しかし上記のような構造では、引出し端子の脚部のはん
だ件部ｔ２二、周囲温度変動または実動作時のチップ温
度の変化により引張、圧縮等の荷重がかかり、疲労によ
るはんだ付は強度の低下が起こり、最悪の場合にははん
だ層剥離による端子のオー・ブン不良を引き起こす問題
があった、その対策として第２図に示したｔＩＩ造にお
けるように、引出し端子７，８．９の中間部に屈曲部を
設ける方法あるいははんだ付は面積の増大などが行われ
た。
だ件部ｔ２二、周囲温度変動または実動作時のチップ温
度の変化により引張、圧縮等の荷重がかかり、疲労によ
るはんだ付は強度の低下が起こり、最悪の場合にははん
だ層剥離による端子のオー・ブン不良を引き起こす問題
があった、その対策として第２図に示したｔＩＩ造にお
けるように、引出し端子７，８．９の中間部に屈曲部を
設ける方法あるいははんだ付は面積の増大などが行われ
た。
また第５図に示すように、例貞ば電極板３１に穴１３を
開番」、引出し端子７の脚部を二度直角に曲げ、先端部
を穴１３に挿入し２、はんだ１０により穴１３の中を含
めてろう付１．ｔ してはんだ付強度を増大させる方法
も行われた。しかしどの方法もオーブン不良の発生を完
全に防ぐことはできなかった。
開番」、引出し端子７の脚部を二度直角に曲げ、先端部
を穴１３に挿入し２、はんだ１０により穴１３の中を含
めてろう付１．ｔ してはんだ付強度を増大させる方法
も行われた。しかしどの方法もオーブン不良の発生を完
全に防ぐことはできなかった。
本発明の課題は、上述の問題にかんがみ、引出し端子脚
部、ｌ！：ｉｔ電極板のはんだ付は強度を増大させ、信
顛性の高い半導体装置を提供することにある。
部、ｌ！：ｉｔ電極板のはんだ付は強度を増大させ、信
顛性の高い半導体装置を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明は、金属基板十ムこ
半導体素子片および！極板が基板と絶縁して固定され、
半導体素子片の各電極をそれぞれ異なる電極板と接続さ
れ、各′ｒＪｌ極板に外部引出し端子の脚部がろう付け
される半導体装置において、外部引出し端子脚部の先端
が長平方向に平行な切れ目によって二つに分割され、分
割された部分が互いに反対方向に直角に曲げられ、その
曲げられた部分により電極板とろう付けされたものとす
る。
半導体素子片および！極板が基板と絶縁して固定され、
半導体素子片の各電極をそれぞれ異なる電極板と接続さ
れ、各′ｒＪｌ極板に外部引出し端子の脚部がろう付け
される半導体装置において、外部引出し端子脚部の先端
が長平方向に平行な切れ目によって二つに分割され、分
割された部分が互いに反対方向に直角に曲げられ、その
曲げられた部分により電極板とろう付けされたものとす
る。
また、電極板に下方が広い開口面積を持つ直角の段付き
のＮ通孔が開けられ、外部引出し端子脚部の先端の曲げ
られた両分割部が電極板面に平行な段の面と、またその
−ヒの端子の非分割部が貫通孔の狭い開口面積部の側壁
とろう付けするものとする。
のＮ通孔が開けられ、外部引出し端子脚部の先端の曲げ
られた両分割部が電極板面に平行な段の面と、またその
−ヒの端子の非分割部が貫通孔の狭い開口面積部の側壁
とろう付けするものとする。
端子脚部の先端が二つに分割され互いに反対方向に直角
に曲げられて丁字形にすることにより、端子に加わる引
張、圧縮等の荷重は反対方向に向いた両分割部で受ける
ため、ろうイ１け面積が同等でもろう付は強度は著しく
増大する。・さらに電極板に開けた段（」き貫通孔へこ
の端子脚部の先端を挿入し、段面と分割部をろう付けす
ると共にその上の非分割部もＮ通孔の側壁とろうイリけ
ずれば、互いに逆方向に向けた分割部によるろう付は強
度の増大にろう付は面積の増大も加わり一層効果が高ま
る。
に曲げられて丁字形にすることにより、端子に加わる引
張、圧縮等の荷重は反対方向に向いた両分割部で受ける
ため、ろうイ１け面積が同等でもろう付は強度は著しく
増大する。・さらに電極板に開けた段（」き貫通孔へこ
の端子脚部の先端を挿入し、段面と分割部をろう付けす
ると共にその上の非分割部もＮ通孔の側壁とろうイリけ
ずれば、互いに逆方向に向けた分割部によるろう付は強
度の増大にろう付は面積の増大も加わり一層効果が高ま
る。
以下第２ないし第５図と共通の部分に同一の符号を付し
た各図を引用して本発明の実施例について説明する。
た各図を引用して本発明の実施例について説明する。
第１図（ａｇ、 ＋１１＋は本発明の一実施例をエミッ
タ引出し＠子８の脚部を例にとって示したもので、（δ
）は斜視図、山）は断面図である。この場合エミッタ引
出し端子８の脚部先端は、第２−第４図に示（７たよう
にＬ字形でなく、縦に切り込んで互いに反対方向に曲げ
た二つの分割部旧、８２を形成することにより丁字形に
されている。この分割部８１．８２と電極板３２とはん
だｌＯによりろう付げする。同様にして第２図、第３図
におけるコレクタ引出し端子７の脚部と電極板３１ある
いは第２図におけるベース引出し端子９の脚部と電Ｔｉ
１３３のはんだイ」υを行うやなお、第１図Ｃｂ１に示
すようにセラミック絶縁板２には予め金属層１４を両面
に被着しておき、金１、有基ヰ反ｌおよび電極板とのは
んだ付けを」−１本のけんだイづけと同時に行うことも
有効である。
タ引出し＠子８の脚部を例にとって示したもので、（δ
）は斜視図、山）は断面図である。この場合エミッタ引
出し端子８の脚部先端は、第２−第４図に示（７たよう
にＬ字形でなく、縦に切り込んで互いに反対方向に曲げ
た二つの分割部旧、８２を形成することにより丁字形に
されている。この分割部８１．８２と電極板３２とはん
だｌＯによりろう付げする。同様にして第２図、第３図
におけるコレクタ引出し端子７の脚部と電極板３１ある
いは第２図におけるベース引出し端子９の脚部と電Ｔｉ
１３３のはんだイ」υを行うやなお、第１図Ｃｂ１に示
すようにセラミック絶縁板２には予め金属層１４を両面
に被着しておき、金１、有基ヰ反ｌおよび電極板とのは
んだ付けを」−１本のけんだイづけと同時に行うことも
有効である。
第６図は、別の実施例に用いるコレクタ引出１〜端子７
の脚部の形状を示し、この脚部は第５図に示したにうに
二度直角に曲げた」二、さらに第１図の端子８の先端と
同様に切り込んで分割部７１．７２を設け、丁字形を形
成したものである。一方Ｔ４極板３１には、第７図に示
す段付き穴１５を開１．ｊ、端子゛ｌの脚部の先端を、
―の穴に入れ、分割部７１．７２をｔ極３１の水平段部
に、その」二の垂直部分７３を穴１５の小径の部分の側
壁とはんだ付ｊ、」する。また、その上の水平部分７４
も電極板３１０表面にはんだ付けする。第８図はこの部
分の外観を示す。なお、第６図のように二度直角に曲げ
ないで、第１図に用いた端子８のように垂直部分の先端
を分割して互いに反対方向に曲げた端子を用い、段付き
穴の段部および側壁のみにはんだ付け１−２．でも、第
７．第８図の場合よりは少ないが、第１図の実施例に比
してろう付は面積増大の効果が生ずる。
の脚部の形状を示し、この脚部は第５図に示したにうに
二度直角に曲げた」二、さらに第１図の端子８の先端と
同様に切り込んで分割部７１．７２を設け、丁字形を形
成したものである。一方Ｔ４極板３１には、第７図に示
す段付き穴１５を開１．ｊ、端子゛ｌの脚部の先端を、
―の穴に入れ、分割部７１．７２をｔ極３１の水平段部
に、その」二の垂直部分７３を穴１５の小径の部分の側
壁とはんだ付ｊ、」する。また、その上の水平部分７４
も電極板３１０表面にはんだ付けする。第８図はこの部
分の外観を示す。なお、第６図のように二度直角に曲げ
ないで、第１図に用いた端子８のように垂直部分の先端
を分割して互いに反対方向に曲げた端子を用い、段付き
穴の段部および側壁のみにはんだ付け１−２．でも、第
７．第８図の場合よりは少ないが、第１図の実施例に比
してろう付は面積増大の効果が生ずる。
本発明によれば、外部引出ｊ７端子脚部の先端を縦に分
割して互いに反対方向に曲げて丁字形にし、この部分で
電極板とのろう（１けを行うことにより、ろう付は面積
が同程度でもろう（＼１け強度が著しく増大し、信頼性
の高い半導体装置が得られる。さらに電極板に段付き穴
を開け、分割部を段部と、非分割部をその−にの大側壁
とる）イ１けすることにより、ろう付面積を増大して一
層信頼性を高めることも可能になる。
割して互いに反対方向に曲げて丁字形にし、この部分で
電極板とのろう（１けを行うことにより、ろう付は面積
が同程度でもろう（＼１け強度が著しく増大し、信頼性
の高い半導体装置が得られる。さらに電極板に段付き穴
を開け、分割部を段部と、非分割部をその−にの大側壁
とる）イ１けすることにより、ろう付面積を増大して一
層信頼性を高めることも可能になる。
第１図（＋１１． （ｂｌは本発明の一実施例のエミッ
タ引出し端子はんだ付は部を示し、（１１）は斜視図、
ｉｂｌは断面図、第２図は従来の半導体装置の一例の
斜視図、第３図は他の例の斜視図、第４図は第３図のコ
レクタ引出し端子はんだ付は部の断面図、第５図は従来
の別のコレクタ引出し端子はんだ付は部の断面図、第６
図は本発明の別の実施例に用いるコレクタ引出し端子脚
部の斜視図、第７図は第６図の端子のはんだ付は部の断
面図、第８図はその外観、を示す斜視図である。 １：金属基板、２：絶縁板、３１．３２．３３ ： ｉ
ｔ電極板４：トランジスタ千ノブ、５：ダイオードチノ
ブ、６：アルミニウム線、７：コレクタ引出し端子、８
：エミッタ引出し端子、９：ベース引出し端子、ＸＯ＋
ばんだ、１５：段付き穴、？１．７２．８１．８２
：分割部。
タ引出し端子はんだ付は部を示し、（１１）は斜視図、
ｉｂｌは断面図、第２図は従来の半導体装置の一例の
斜視図、第３図は他の例の斜視図、第４図は第３図のコ
レクタ引出し端子はんだ付は部の断面図、第５図は従来
の別のコレクタ引出し端子はんだ付は部の断面図、第６
図は本発明の別の実施例に用いるコレクタ引出し端子脚
部の斜視図、第７図は第６図の端子のはんだ付は部の断
面図、第８図はその外観、を示す斜視図である。 １：金属基板、２：絶縁板、３１．３２．３３ ： ｉ
ｔ電極板４：トランジスタ千ノブ、５：ダイオードチノ
ブ、６：アルミニウム線、７：コレクタ引出し端子、８
：エミッタ引出し端子、９：ベース引出し端子、ＸＯ＋
ばんだ、１５：段付き穴、？１．７２．８１．８２
：分割部。
Claims (2)
- （１）金属基板上に半導体素子片および電極板が基板と
絶縁して固定され、半導体素子片の各電極がそれぞれ異
なる電極板と接続され、各電極板に外部引出し端子の脚
部がろう付けされるものにおいて、外部引出し端子脚部
の先端が長手方向に平行な切れ目で二つに分割され、分
割された部分が互いに反対方向に直角に曲げられ、その
曲げられた部分により電極板とろう付けされたことを特
徴とする半導体装置。 - （２）請求項１記載の装置において、電極板に下方が広
い開口面積を持つ直角段付きの貫通孔が開けられ、外部
引出し端子脚部先端の曲げられた両分割部が電極板面に
平行な段の面と、またその上の端子の非分割部が貫通孔
の狭い開口面積部の側壁とろう付けされたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156431A JPH025558A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156431A JPH025558A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025558A true JPH025558A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15627597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156431A Pending JPH025558A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11302612B2 (en) | 2018-11-05 | 2022-04-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Lead frame wiring structure and semiconductor module |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63156431A patent/JPH025558A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11302612B2 (en) | 2018-11-05 | 2022-04-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Lead frame wiring structure and semiconductor module |
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