JPH0255147B2 - - Google Patents

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JPH0255147B2
JPH0255147B2 JP6571582A JP6571582A JPH0255147B2 JP H0255147 B2 JPH0255147 B2 JP H0255147B2 JP 6571582 A JP6571582 A JP 6571582A JP 6571582 A JP6571582 A JP 6571582A JP H0255147 B2 JPH0255147 B2 JP H0255147B2
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JP
Japan
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current
arc
transistor
resonant
saturable reactor
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Expired
Application number
JP6571582A
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English (en)
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JPS58181473A (ja
Inventor
Hitoshi Kono
Kyoshi Ikemura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shinko Electric Co Ltd filed Critical Shinko Electric Co Ltd
Priority to JP6571582A priority Critical patent/JPS58181473A/ja
Publication of JPS58181473A publication Critical patent/JPS58181473A/ja
Publication of JPH0255147B2 publication Critical patent/JPH0255147B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00Arc welding or cutting
    • B23K9/09Arrangements or circuits for arc welding with pulsed current or voltage
    • B23K9/091Arrangements or circuits for arc welding with pulsed current or voltage characterised by the circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Arc Welding Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、高周波パルス電流によつてアーク
溶接を行なう高周波パルスアーク溶接機に関す
る。
まず、この発明の前提となるパルスアーク溶接
機について説明する。なお、以下に説明するもの
はこの発明の出願人が先に「高周波パルスアーク
溶接機」(特願昭56−120047号、特公平1−34715
号公報参照)として出願済のものである。
第1図はこの先願による高周波パルスアーク溶
接機の構成を示す回路図である。この図におい
て、入力端子U、V、Wは約50Vの3相交流電圧
が印加される端子であり、この入力端子U、V、
Wに印加された3相交流電圧はダイオード21〜
26から構成される3相ブリツジ整流回路27に
よつて整流され、平滑用コンデンサ28へ供給さ
れる。そして、平滑用コンデンサ28の端子に
得られる電圧がトランジスタ29のコレクタへ供
給される。トランジスタ29は、そのベースへ供
給される制御回路30の出力によつてオン/オフ
制御されるチヨツパトランジスタであり、そのエ
ミツタがフライホイールダイオード31のカソー
ドに接続されると共に、チヨークコイル32を介
して共振用コンデンサ33の一方の端子に接続さ
れている。また、平滑用コンデンサ28の端子
はフライホイールダオード30のアノードおよび
共振用コンデンサ33の他方の端子へ各々接続さ
れている。そして、上述した各部27〜32が直
流電源部60を構成している。共振用コンデンサ
33の一方の端子は電流検出用のシヤント35を
介してアーク負荷36の被溶接物36aに接続さ
れ、同コンデンサ33の他方の端子はサイリスタ
34のカソードに接続され、また、サイリスタ3
4のアノードが可飽和リアクトル37(共振コイ
ル)を介してアーク負荷36の電極36bに接続
されている。そして、シヤント35の両端電圧が
制御回路30へ供給されている。また、シヤント
35およびアーク負荷36の直列回路の両端間に
直流電源39およびアークスタータ40が各々接
続されている。直流電源39はアーク負荷36に
常時小電流1B(例えば5A)を流すための電源で
あり、比較的リツプルの少いものが用いられる。
この小電流iBを常時アーク負荷36に流す理由
は、アーク負荷36にパルス電流が印加されない
期間においてもアークを断としないためである。
また、アークスタータ40は、起動時において
被溶接物36aと電極36bとの間のエアギヤツ
プの絶縁を破壊するためのもので、起動時におい
て約1MHz、3000Vの高周波交流電圧を短時間ア
ーク負荷36に印加する。なお、サイリスタ34
のゲートはパルス発生回路(図示略)から出力さ
れる一定周期(この周期は変更可能である)のパ
ルス信号GPによつてトリガされる。
次に、上記構成になる回路の動作を第2図に示
す波形図を参照して説明する。
まず、直流電源部60において、制御回路30
はシヤント35を流れる電流の平均値が常に一定
になるようにトランジスタ29をオン/オフ制御
する。この結果、平滑用コンデンサ28の両端電
圧がトランジスタ29によつてオン/オフ制御さ
れ、チークコイル32を介して共振用コンデンサ
33の両端に印加され、これにより、共振用コン
デンサ33の充電が行なわれる。
次に、例えば第2図イに示す時刻t1においてパ
ルス信号GPがサイリスタ34のゲートに印加さ
れ、サイリスタ34がオン状態になると、共振用
コンデンサ33、シヤント35、アーク負荷3
6、可飽和リアクトル37により直列共振回路が
形成され、共振用コンデンサ33の充電電荷によ
り共振電流iTが流れる。ところで、可飽和リアク
トル37は、電流が小さい時は未飽和状態にあ
り、大きなインダクタンスを有している。したが
つて、共振電流iTは可飽和リアクトル37の未飽
和インダクタンスと共振用コンデンサ33の容量
とによつて決定される共振特性にしたがつて、第
2図ロに示すように徐々に上昇する(期間t1
t2)。そして、電流iTがある一定値i0に達すると
(時刻t2)、可飽和リアクトル37が飽和し、以後
電流iTは可飽和リアクトル37の飽和インダクタ
ンスと共振用コンデンサ33の容量により決定さ
れる共振特性にしたがつて急速に上昇する。また
これに伴ない、共振用コンデンサ33の電荷が放
電し、その両端電圧Ecが、第2図ハに示すよう
に急速に下降する。
電流iTは共振回路の性質からコンデンサ33両
端電圧Ecが零になるまで上昇する。そして、零
になつた時刻t3以降、急速に下降し、またこの
時、共振用コンデンサ33は負の電圧に充電され
る。電流iTが下降し、値iOに達すると(時刻t4)、
可飽和リアクトル37が再び未飽和状態となり、
電流iTが以後徐々に減少する。この時刻t4以降も
電流iTによる共振用コンデンサ33の充電が行な
われるが、この充電々流はわずかであり、かつ、
コンデンサ33の電圧変化の影響を受けない程度
のチークコイル32があるため、時刻t4以降直流
電源部60からの充電々流iDによつて共振用コン
デンサ33の両端電圧Ecが遂次上昇する。
電流iTが減少し、時刻t5において零になると、
この時点においてサイリスタ34のアノード・カ
ソード間に共振用コンデンサ33による逆バイア
スが印加されることから、サイリスタ34がカツ
トオフ状態になる。なお、第2図ハに示す斜線部
分がサイリスタ34の逆バイアス時間に対応して
いる。以後、共振用コンデンサ33が電流iDによ
つて引き続き充電され、電圧Ecが遂次上昇する。
そして、時刻t6においてパルス信号GPが再びサ
イリスタ34のゲートに印加されると、サイリス
タ34がオン状態となり、再び上述した動作が繰
返えされる。
しかして、アーク負荷36には上述した電流iT
と電流iBとの和の電流iT+iB(第2図ニ参照)が流
れ、この電流によりパルスアーク溶接が行なわれ
る。
以上が先願による高周波パルスアーク溶接機の
詳細である。ところで、このパルスアーク溶接機
はアーク電流をオン/オフする手段としてサイリ
スタを用いるので、大電流をとることができる利
点が得られるが、一方で転流失敗を起し易いとい
う欠点がある。
すなわち、共振用コンデンサ33、シヤント3
5、アーク負荷36、可飽和リアクトル37、サ
イリスタ34からなる直列共振回路はアークの動
抵抗が大きいアークスタート時に共振条件を外れ
る場合がある。この場合、共振電流iTが充分に流
れず、したがつてコンデンサ33の逆電圧の充電
が充分に行われず、この結果、第2図ハに斜線に
よつて示す逆バイアスをサイリスタ34に充分に
印加できなくなり、サイリスタ34が転流失敗を
起す。
そこでこの発明はアーク電流をオン/オフする
手段としてトランジスタを用い、ここれにより上
述した高周波パルスアーク溶接機の問題点を解決
したものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例につ
いて説明する。第3図はこの発明による高周波パ
ルスアーク溶接機の構成を示す回路図であり、こ
の図において第1図の各部に対応する部分には同
一の符号が付してある。この図に示す回路が第1
図に示す回路と異なる点は、第1図おけるサイリ
スタ34の代わりに、そのコレクタが可飽和リア
クトル37に接続されたトランジスタ42と、こ
のトランジスタ42のコレクタにカソードが、エ
ミツタにアノードが各々接続されたダイオード4
3と、トランジスタ42のエミツタにアノード
が、コンデンサ33の他方の端子にカソードが
各々接続されたダイオード44とからならる開閉
手段45が用いられている。
この実施例の主たる動作は、トランジスタ42
のベースへ印加する信号として、第2図イに示す
パルス信号GPの代りに、第2図ホに示す信号S
を用いる点を除けば、第1図に示す回路の動作と
同じである。ここで、パルス信号Sは、その立上
り時点がパルス信号GPの立上り時点と一致して
いればよく、また、そのパルス幅Tは共振電流iT
の予め想定されるパルス幅よりわずかに大きけれ
ばよい。すなわち、コンデンサ33の容量をC、
可飽和リアクトル37の飽和時のインダクタンス
をLとすれば、パルス幅Tとして、 T>π√ なる値に選べばよい。
次に、ダイオード43,44の機能について説
明する。まず、ダイオード44はコンデンサ33
に負の電圧が充電された場合に、トランジスタ4
2のエミツターコレクタ間にこの負電圧が印加さ
れるのを防止するためのものである。また、ダイ
オード43はダイオード44が導通状態からカツ
トオフ状態へ移る際に流れる逆方向のリカバリ電
流をバイパスするためのものである。
しかして、この実施例によれば、アーク負荷3
6に流れるアーク電流が、同アーク電流の大小に
かかわらず、信号Sがオフとなつた時点で必ずオ
フとなり、サイリスタ転流失敗の場合の様に動作
不能となることがない。したがつて、この実施例
は、アーク動抵抗を十分低くできるような電流iB
を流せない、溶接電流の小さい用途には極めて有
用である。また、トランジスタはサイリスタに比
較し、定常的にも、過渡的にも順電圧降下が小さ
く、したがつて電流損失を小とし得る利点も得ら
れる。例えば、サイリスタに200Aの電流を流し
た場合は、約10Vの順電圧降下があるが、トラン
ジスタの場合、これが約2Vになる。
なお、上述した実施例においては、共振コイル
として可飽和リアクトル37を用いているが、こ
れは普通のコイルを用いることも可能である。し
かしながら、普通のコイルを用いた場合は次に述
べる不都合が生じ、したがつて可飽和リアクトル
を用いることが望ましい。
すなわち、普通のコイルを用いた場合は、第2
図ロにおける時刻t4〜t5間の間の滑らかな立下り
が得られず、電流iTが急速に零まで下降する。こ
の結果、ダイオード44に、第4図に符号Aにて
示すようにピークの大きい負のリカバリ電流が流
れ、この電流によりアークが切れたり不安定にな
つたりする。このリカバリ電流は電流減少勾配−
diT/dtに比例して大きくなり、例えば30A/μs
の電流減少勾配においては数10A程度のリカバリ
電流が発生する。(なお、高周波パルスアーク溶
接機においては、可飽和リアクトルを用いない場
合、上述した30A/μs前後の電流減少勾配とな
る。)このリカバリ電流に対応してアーク電流を
正常に維持するには、電流iBとしてこのリカバリ
電流と略等しい電流を流すことが必要であるが、
この場合、小電流による溶接が不可能となり、極
めて好ましくない。
また、上述した実施例においては、共振コイル
として可飽和リアクトル37のみを用いている
が、可飽和リアクトル37の飽和時インピーダン
スは通常非常に小さいので、可飽和リアクトル3
7に直列に別の共振コイル(比較的インダクタン
スの小さい共振コイル)を挿入してもよい。
また、上述した実施例における整流回路27を
サイリスタによつて構成し、チヨツパトランジス
タ29を除去してもよいが、リツプルの点で実施
例に示す回路を方が有利である。
以上説明したように、この発明によればLC共
振回路およびトランジスタを有する開閉手段によ
つて高周波パルスを作つてているので、次の利点
が得られる。
電流零の時点で開閉手段がオフとなるため、
配線インダクタンス(10μH程度)のエネルギ
ー吸収回路の発生する損失をきわめて小さい値
とし得る(従来の1/50〜1/100)。
直流電流部が低電圧回路でよく、部品等の面
で有利である。
直流電源部のコントロール(第2図の実施例
ではチヨツパのコントロール)は低周波数でよ
く、直流電源部の制御回路の構成を簡素化し得
る。
開閉手段としてサイリスタを用いた場合に比
較し、転流失敗がなく、また、開閉手段におい
て発生する電流損失を少くすることができる。
また、共振コイルとして可飽和リアクトルを用
いた場合は、アーク電流への悪影響を除去できる
と共に、開閉手段のスイツチング損失を極めて小
とすることができる利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の前提となる高周波パルスア
ーク溶接機の構成を示す回路図、第2図イ〜ニは
同溶接機の動作を説明するための波形図、第2図
ホは第3図に示すトランジスタ42のベースへ印
加されるパルス信号Sの波形図、第3図はこの発
明の一実施例の構成を示す回路図、第4図は同実
施例におけるダイオード44のリカバリ電流を示
す波形図である。 33……共振用コンデンサ、36……アーク負
荷、37……可飽和リアクトル、42……トラン
ジスタ、43,44……ダイオード、45……開
閉手段、60……直流電源部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (a) 直流電源部と、 (b) 前記直流電源部から出力される直流電流が印
    加される共振用コンデンサと、 (c) トランジスタと、このトランジスタに直列か
    つ順方向に接続された第1のダイオードと、前
    記トランジスタのエミツタ・コレクタ間に逆方
    向に接続された第2のダイオードとからなる開
    閉手段と、 (d) 共振コイルと、 を具備し、前記開閉手段、共振コイルおよびアー
    ク負荷を前記共振用コンデンサの両端に直列に介
    挿してなる高周波パルスアーク溶接機。 2 前記共振コイルが可飽和リアクトルまたは可
    飽和リアクトルとコイルとの直列回路である特許
    請求の範囲第1項記載の高周波パルスアーク溶接
    機。
JP6571582A 1982-04-20 1982-04-20 高周波パルスア−ク溶接機 Granted JPS58181473A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6571582A JPS58181473A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 高周波パルスア−ク溶接機

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JP6571582A JPS58181473A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 高周波パルスア−ク溶接機

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Publication Number Publication Date
JPS58181473A JPS58181473A (ja) 1983-10-24
JPH0255147B2 true JPH0255147B2 (ja) 1990-11-26

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ID=13294988

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