JPH0252497B2 - - Google Patents

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JPH0252497B2
JPH0252497B2 JP58190581A JP19058183A JPH0252497B2 JP H0252497 B2 JPH0252497 B2 JP H0252497B2 JP 58190581 A JP58190581 A JP 58190581A JP 19058183 A JP19058183 A JP 19058183A JP H0252497 B2 JPH0252497 B2 JP H0252497B2
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pulse
magnetic resonance
nuclear magnetic
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signal
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JP58190581A
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JPS6082841A (ja
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Hideto Iwaoka
Hiroyuki Matsura
Sunao Sugyama
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Yokogawa Electric Corp
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Yokogawa Electric Corp
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Priority to GB08425240A priority patent/GB2148013B/en
Priority to US06/659,409 priority patent/US4651097A/en
Priority to DE3437509A priority patent/DE3437509A1/de
Publication of JPS6082841A publication Critical patent/JPS6082841A/ja
Publication of JPH0252497B2 publication Critical patent/JPH0252497B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/44Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using nuclear magnetic resonance [NMR]
    • G01R33/48NMR imaging systems
    • G01R33/4818MR characterised by data acquisition along a specific k-space trajectory or by the temporal order of k-space coverage, e.g. centric or segmented coverage of k-space
    • G01R33/482MR characterised by data acquisition along a specific k-space trajectory or by the temporal order of k-space coverage, e.g. centric or segmented coverage of k-space using a Cartesian trajectory

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  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の属する分野〕 本発明は、核磁気共鳴(nuclear magnetic
resonance)(以下これを「NMR」と略称する。)
現像を利用して、被検体内における特定原子核分
布等を被検体外部より知るようにした核磁気共鳴
による検査装置に関するものである。特に、医療
用装置に適するNMR画像装置の改良に関する。 〔従来技術〕 本発明の説明に先だつて、はじめにNMRの原
理について概略を説明する。 原子核は、陽子と中性子とからなつており、こ
れらは全体として、核スピン角運動量I→で回転し
ているとみなされる。 第1図は、水素の原子核( 1H)を示したもの
で、イに示すように1個の陽子Pかなり、スピン
量子数1/2で表される回転をしている。ここで、
陽子Pは、ロに示すように正の電荷e+を持つてい
るので、原子核の回転に伴い、磁気モーメントμ→
が生じる。すなわち、一つ一つの水素の原子核
は、それぞれ一つ一つの小さな磁石とみなせる。 第2図は、この点を模式的に示した説明図で、
鉄のような強磁性体では、この微小磁石の方向が
イに示すように揃つており、全体として磁化が観
測される。これに対して、水素等の場合は、微小
磁石の方向(磁気モーメントの向き)はロに示す
ようにランダムであつて、全体として磁化は見ら
れない。 ここで、このように物質に、z方向の静磁場
H0を印加すると、各原子核がH0の方向に揃う。
すなわち核のエネルギー準位がz方向に量子化さ
れる。 第3図イは水素原子核についてこの様子を示し
たものである。水素原子核のスピン量子数は1/2
であるから、第3図ロに示すように、−1/2と+1/
2の2つのエネルギー準位に分かれる。2つのエ
ネルギー準位間のエネルギー差ΔEは、(1)式で表
される。 ΔE=γ〓H0 …(1) ただし、 γ:磁気回転比 〓=h/2π h:プランク定数 ここで各原子核には、静磁場H→0によつて、 μ→×H→0 なる力が加わるので、原子核はZ軸のまわりを、
(2)式で示すような角速度ωで歳差運動する。 ω=γH0(ラーモア角速度) …(2) この状態の系に角速度ωに対応する周波数の電
磁波(通常ラジオ波)を印加すると、共鳴がおこ
り、原子核は(1)式で示されるエネルギー差ΔEに
相当するエネルギーを吸収して、高い方のエネル
ギー準位に遷移する。核スピン貝運動量を持つ原
子核が数種類混在していても、各原子核によつて
磁気回転比γが異なるため、共鳴する周波数が異
なり、したがつて特定の原子核の共鳴のみを取り
出すことができる。また、その共鳴の強さを測定
すれば、原子核の存在量を知ることができる。ま
た、高い準位へ励起された原子核は、共鳴後、緩
和時間と呼ばれる特定数で定まる時間の後に、低
い準位へもどる。 この緩和時間は、スピン−格子緩和時間(縦緩
和時間)T1と、スピン−スピン緩和時間(横緩
和時間)T2とに分類され、この緩和時間を観測
することにより物質分布のデータを得ることがで
きる。一般に固体では、スピンは結晶格子の上に
決まつた位置にほぼ固定されているので、スピン
同士の相互作用が起こりやすい。したがつて緩和
時間T2は短く、核磁気共鳴で得たエネルギーは、
まずスピン系にゆきわたつてから格子系に移つて
ゆく。したがつて時間T1はT2に比べて著しく大
きい。これに対して、液体では分子が自由に運動
しているので、スピン同士と、スピンと分子系
(格子)とのエネルギー交換の起こりやすさは同
程度である。したがつて時間T1とT2はほぼ等し
い値になる。特に時間T1は、各化合物の結合の
仕方に依存している時定数であり、正常組織と悪
性腫瘍とでは、値が大きく異なることが知られて
いる。 ここでは、水素原子核( 1H)について説明し
たが、この他にも核スピン角運動量をもつ原子核
で同様の測定を行うことが可能であり、水素原子
核以外に、リン原子核( 31P)、炭素原子核(
13C)、ナトリウム原子核( 23Na)、フツ素原子
核( 19F)、酸素原子核( 17O)等に適用可能で
ある。 このように、NMRによつて、特定原子核の存
在量およびその緩和時間を測定することができる
ので、物質内の特定原子核について種々の化学的
情報を得ることにより、被検体内に種々の検査を
行うことができる。 従来より、このようなNMRを利用した検査装
置として、X線CTと同様の原理で、被検体の仮
想輪切り部分のプロトンを励起し、各プロジエク
シヨンに対応するNMR共鳴信号を、被検体の数
多くの方向について求め、被検体の各位置におけ
るNMR共鳴信号強度を再構成法によつて求める
ものがある。 第4図は、このような従来装置における検査手
法の一例を説明するための動作波形図である。 被検体に、はじめに第4図ロに示すようにz勾
配磁場Gz+と、イに示すように細い周波数スペク
トル(f)のRFパルス(90゜パルス)を印加する。こ
の場合、ラーモア角速度 ω=γ(H0+ΔGz) となる面だけのプロトンが励起され、磁化Mを第
5図イに示すような角速度ωで回転する回転座標
系上に示せば、y′軸方向に90゜向きを変えたもの
となる。続いて、第4図ハ,ニに示すようにx勾
配磁場Gxとy勾配磁場Gyを加え、これによつて
2次元勾配磁場を作り、ホに示すようなNMR共
鳴信号を検出する。ここで、磁化Mは第5図ロで
示すように、磁場の不均一性によつてx′−y′面内
で矢印方向に次第に分散して行くので、やがて
NMR共鳴信号は減少し、第4図ホに示すように
Ts時間を経過して無くなる。このようにして得
られたNMR共鳴信号をフーリエ変換すれば、x
勾配磁場Gx、y勾配磁場Gyにより合成された勾
配磁場と直角方向のプロジエクシヨンとなる。 その後、所定の時間Tdだけ待つて、上述と同
様の動作にて次のシーケンスを繰り返す。各シー
ケンスにおいては、Gx、Gyを少しずつ変える。
これによつて、各プロジエクシヨンに対応する
NMR共鳴信号を被検体の数多くの方向について
求めることができる。 ところで、このような動作をなす従来装置にお
いては、第4図において、NMR共鳴信号が無く
なるまでの時間Tsは、10〜20mSであるが、次
のシーケンスに移るまでの所定時間Tdは、緩和
時間T1のため1sec程度は必要となる。それゆえ
に、一つの被検体断面を、例えば128プロジエク
シヨンで再構成するものとすれば、その測定には
少なくとも2分以上の長い時間を必要とし、高速
化を実現する際の大きな障害の一つとなつてい
る。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、このような点に鑑み、1ビユ
ー(View)分のシーケンスが終了した時点で、
スライス面中央、スライス面境界およびスライス
外の磁化ベクトルを強制的に上向き(z軸正方
向)に正しく揃えることにより直ちに次のView
のシーケンスに移ることができるようにし、全体
としての動作時間の短縮化を図つたNMRによる
検査装置を提供することにある。本発明の他の目
的は、上記の目的に加え、発生する核磁気共鳴信
号の内必要なものだけを測定し被検体の各位置に
おける核磁気共鳴信号強度の分布を再構成するた
めの信号として用いるようにしたNMRによる検
査装置を提供することにある。 〔発明の概要〕 被検体の組織を構成する原子の原子核に核磁気
共鳴を与えるための高周波パルスを印加し、前記
原子核に生ずる核磁気共鳴信号を測定するように
した核磁気共鳴による検査装置において、前記高
周波パルスを印加する場合、勾配磁場を与えて核
磁気共鳴信号を得ることができるようにするため
に必要な第1の90゜パルスの印加と、この第1の
90゜パルス印加の後に所定の間隔で第1の180゜パ
ルスおよび第2の90゜パルスを与えかつ第2の90゜
パルスの直後に第2の180゜パルスを印加するよう
にしたことを特徴とするものである。 〔実施例〕 以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。第
6図は本発明の手法を実現するための装置の一実
施例の構成を示すブロツク図である。図におい
て、1は一様静磁場H0(この場合の方向をz方向
とする。)を発生させるための静磁場用コイル、
2はこの静磁場用コイル1の制御回路で、例えば
直流安定化電流を含んでいる。静磁場用コイル1
によつて発生する磁束の密度H0は、0.1T程度で
あり、また均一度は10-4以上であることが望まし
い。 3は勾配磁場用コイルを総括的に示したもの、
4はこの勾配磁場用コイル3の制御回路である。 第7図イは勾配磁場用コイル3の一例を示す構
成図で、z勾配磁場用コイル31、y勾配磁場用
コイル32,33、図示していないがy勾配磁場
用コイル32,33と同じ形であつて、90゜回転
して設置されるx勾配磁場用コイルを含んでい
る。この勾配磁場用コイルは、一様静磁場H0
同一方向で、x、y、z軸方向にそれぞれ直線勾
配をもつ磁場を発生する。制御回路4はコントロ
ーラ20(詳細は後述する)によつて制御され
る。 5は被検体に細い周波数スペクトルfのRFパ
ルスを電磁波として与える励磁コイルで、その構
成を第7図ロに示す。 6は測定しようとする原子核のNMR共鳴条件
に対応する周波数(例えばプロトンでは、42.6M
Hz/T)の信号を発生する発振器で、その出力
は、コントローラ20からの信号によつて開閉が
制御されるゲート回路30(詳細を後述する)、
パワーアンプ7を介して励磁コイル5に印加され
ている。8は被検体におけるNMR共鳴信号を検
出するための検出コイルで、その構成は第7図ロ
に示す励磁コイルと同じで、励磁コイル5に対し
て90゜回転して設置されている。なお、この検出
コイルは、被検体にできるだけ近接して設置され
ることが望ましいが、必要に応じて、励磁コイル
と兼用させてもよい。 9は検出コイル8から得られるNMR共鳴信号
(FID:free induction decay)を増幅する増幅
器、10は位相検波回路、11は位相検波された
増幅器9からの波形信号を記憶するウエーブメモ
リ回路で、A/D変換器を含んでいる。13はウ
エーブメモリ回路11からの信号を例えば光フア
イバで構成される伝送路12を介して入力し、所
定の信号処理を施して造層像を得るコンピユー
タ、14は得られた断層像を表示するテレビジヨ
ンモニタのような表示器である。また、コントロ
ーラ20からコンピユータ13へは、信号線21
により、必要な情報が伝送される。 コントローラ20は、勾配磁場Gz,Gy,Gz
制御するために必要な信号(アナログ信号)およ
びRFパルスの送信やFID信号の受信に必要な制
御信号(デイジタル信号)を出力することができ
るように構成されたものである。第8図はそのよ
うなコントローラの特に高速制御が可能で制御シ
ーケンスやアナログ波形の変更などが容易なコン
トローラの一例を示す構成図である。 同図において、221は操作卓210又は操作
卓を介してコンピユータ13から送られてくるデ
ータを各メモリに書き込む書き込み制御回路、2
22,225,228,231はこの書き込み制
御回路から与えられるx、y、z勾配信号および
変調信号の波形データがそれぞれ書き込まれる波
形記憶メモリ、223,226,229,232
はこの波形記憶メモリ222,225,228,
231からの波形データ出力をそれぞれ一時保持
するラツチ回路、224,227,230,23
3はこのラツチ回路223,226,229,2
32からの出力をそれぞれDA変換するDA変換
回路、x2、y2、z2、M2は前記変換回路224,
227,230,232から出力されるそれぞれ
x、y、z勾配信号出力および変調信号出力であ
る。234,236,238,240は、送受信
回路制御信号すなわちAD変換制御信号、送信ゲ
ート制御信号、受信ゲート制御信号、位相選択信
号(互いに位相の異なる4種のRFパルスの中か
らいずれか1種のパルスを選択するための信号)
のデータが前記書込み制御回路221からそれぞ
れ書き込まれる波形記憶メモリ、235,23
7,239,241はこの波形記憶メモリ23
4,236,238,240からのデータ出力を
一時保持するラツチ回路、T2、S2、R2、Psはこ
のラツチ回路235,237,239,241か
ら出力されるそれぞれAD変換制御信号、送信ゲ
ート制御信号出力、受信ゲート制御信号出力、位
相選択信号である。243は前記の各波形記憶メ
モリ222,225,228,231,234,
236,238,240の内容を前記ラツチ回路
223,226,229,232,235,23
7,239,241へ読み出す読出し制御回路、
242は前記操作卓又はコンピユータから(以下
単にコンピユータからという)の書込み/読出し
開始アドレスの値をセツトするとともに、そのア
ドレスの値に書込み/読出し制御回路から与えら
れる値+1を順次に加算し、これを書込み/読出
しアドレスとして出力するメモリアドレスレジス
タ、244は前記コンピユータから与えられる出
力ステツプ数がセツトされ出力終了を前記読出し
制御回路243に知らせる出力カウントレジス
タ、245は前記コンピユータから与えられる1
ステツプの時間長さ(1ステツプ長)がセツトさ
れて1ステツプ長のパルスを発生する1ステツプ
長パルス発生回路である。 以上のような構成の回路の動作は次のとおりで
ある。 (イ) 書込み動作 書込み動作ではコンピユータから送られてく
る波形データをコンピユータが指定する波形記
憶メモリの指定番地に書込む。すなわち、まず
メモリアドレスレジスタ242に書込み開始ア
ドレスがセツトされる。書込み指定とともにコ
ンピユータから送られてきたデータは、書込み
制御回路221により選択された波形記憶メモ
リ(例えば波形記憶メモリ222)内の、メモ
リアドレスレジスタ242により指定された番
地に書込まれる。このあと書込み制御回路22
1は自動的にメモリアドレスレジスタ242に
1を加算して次の書込みのメモリアドレスにし
ておく。他の波形記憶メモリに対しても上述と
同様な動作により順次書込んでゆく。 (ロ) 読出し動作 読出し動作では各メモリを並列に読出す。第
9図に読出した信号波形のタイムチヤートの一
例を示す。コンピユータはまず、波形記憶メモ
リの読出し開始番地をメモリアドレスレジスタ
242にセツトする。次に読出しステツプ数を
出力カウントレジスタ244にセツトする。ま
た1ステツプ長(読出し時の1ステツプあたり
の時間)を1ステツプ長パルス発生回路245
にセツトする。次にコンピユータからの読出し
開始指令でメモリアドレスレジスタ242が示
す番地における波形記憶メモリ222,22
5,228,231,234,236,23
8,240の各内容を同時に読出し、データが
出揃つたところで読出し制御回路243からラ
ツチ回路223,226,229,232,2
35,237,239,241にラツチパルス
を出力しデータをラツチする。次にメモリアド
レスレジスタ242の値に1を加算する。出力
カウントレジスタ244が終了を示していれ
ば、読出し制御回路243からラツチ回路22
3,226,229,232,235,23
7,239,241にクリアパルスを出力して
読出し動作を終了する。出力カウントレジスタ
244が終了を示していないときは、出力カウ
ントレジスタ244から1減算し、1ステツプ
長パルス発生回路245からの出力によつて1
ステツプの時間長だけ待つた後次の読出しステ
ツプに移る。以下同様に繰り返すことにより例
えば第9図のような波形を読出すことができ
る。x、y、z勾配信号x2,y2、z3および変調
信号M2は、ラツチ回路出力を更にDA変換器2
24,227,230,233においてDA変
換して得たアナログ信号であり、変調信号M2
はゲート回路30に、またx、y、z勾配信号
は勾配磁場用の制御回路4にそれぞれ導かれ
る。 このようなコントローラによれば、波形記憶
メモリなどの専用ハードウエアを備えているの
で多数のデータを高速に読出し出力できる。ま
た、波形記憶メモリの内容は必要に応じて書き
換えができるので、任意のアナログ・デイジタ
ル信号波形を出力することができる。更に、読
出し開始番地が読出しステツプ数を適当に与え
ることにより、信号波形の一部使用(実際に使
われることが多い)をすることも容易である。 ゲート回路30は、発振器6からのRF信号
を受け、これに対して90゜ずつ位相の異なる4
種の信号を作り、コントローラ20の指示に基
づき4種の信号の中の1つを選択し、これを更
にRF変調信号で変調して励磁コイル5用の駆
動信号を得るもので、第10図にその詳細な構
成を示す。同図において、311は入力される
RF信号に対して位相のずれが0゜と90゜の2つの
信号が得られる90゜位相器、312,313は
入力信号に対し位相のずれが0゜と180゜の2つの
信号が得られる180゜位相器である。図示のよう
に90゜位相器311の各出力を180゜位相器の
各々に与えることにより、RF信号に対して0゜、
90゜、180゜、270゜の位相差を有する信号が得られ
る。これらの信号はそれぞれ高周波スイツチ
(例えばダブルバランスドミキサー:DBMを
使用することができる。)314〜317を通
つて結合器321に導かれ、4つの信号は加え
合わされる。この場合、高周波スイツチはデコ
ーダドライバ320の出力によつて個別に付勢
されるようになつており、コントローラ20か
ら与えられる位相選択信号PSをデコードして
なるデコーダドライバ320の4つの出力
(X、Y、−X、−Y)はいずれか1つがアクテ
イブとなる。これにより、その対応するスイツ
チのみが導通状態となる(他の3個のスイツチ
は非導通)。従つて、結合器321には1つの
信号のみ入力された結果となる。 結合器321の出力は増幅器322を経由し
た後変調器323に入力され、ここでコントロ
ーラ20より与えられる。RF変調信号(パル
ス信号で、そのパルス幅及びピーク値で磁化M
の回転角が決まる。)により変調され、例えば
第4図イに示す波形と同様な波形に変調されて
出力される。 このような構成のゲート回路によれば、1つ
のRF信号をもとに0゜、90゜、180゜、270′の位相
差を呈するRF信号を得、これらの信号の中か
ら所望のものを択一的に選択し、更に適宜のタ
イミングに所望の波形でその信号を変調するこ
とが極めて容易にできる利点がある。 このように構成された本発明の装置の動作を、
第11図および第1表ないし第3表を参照し、段
階を追つて順次説明する。 (1) 時点t0 制御回路2から静磁場用コイル1に電流を流
し、被検体(被検体は各コイルの円筒内に設
置)に静磁場H0を与えた状態において、コン
トローラ20より制御回路4を介してz勾配磁
場用コイル31に電流を流し、第11図ロに示
すようにz勾配磁場Gz +を与えた時点。 このとき、スライス面中央(90゜パルス印加
により磁化Mが正しく90゜回転する部分)、スラ
イス面境界(90゜パルス印加時Mがθ゜回転し、
また180゜パルス印加時にはGz=0となつている
ため180゜回転する部分)、スライス面外(90゜パ
ルス印加では影響を受けず、180゜パルスによつ
て磁化Mの方向が反転する部分)での各磁化M
の方向は、第11図ヘ,ト,チに示すように総
べてz軸正方向(上向き)となつている。 (2) 時点t1 Gz +が与えられている下で、ゲート回路30
において選択し出力された位相差0゜の所定の形
に変調された(例えばガウス形)RF信号で被
検体の一面(スライス面)を励起する(第11
図のイのように90°xパルスを与える)。続いて
x勾配磁場用コイルおよびy軸勾配磁場用コイ
ル32,33を付勢し、第11図ハ,ニに示す
ように所定の大きさの磁場Gx,Gyを印加する。 なお、第11図ロにおいて、Gz +に続くGz -
は、被検体の異なる部分からのNMR共鳴信号
の位相を一致させるための波形信号であつて、
この技術は公知の技術である。 この磁場Gx,Gyを印加する時点をt1とすれ
ば、この時点t1では、各部の磁化Mは第11図
ヘ,ト,チに示すような向きとなる。 時点t1以降では第11図のホに示すような第
1の核磁気共鳴信号(FID信号と呼ぶ)が検出
コイル8により検出され、その信号は増幅器9
を介し位相検波回路10に導かれ、ここで位相
検波された後ウエーブメモリ回路11に格納さ
れる。格納されたデータはコンピユータ13に
より適宜のタイミングで読み取られ、ここでフ
ーリエ変換され1プロジエクシヨンの信号とな
る。 (3) 時点t2 前記時点t1から核磁気共鳴信号が無くなるま
でのTs1時間経過後にx勾配磁場用コイルおよ
びy勾配磁場用コイルの付勢を止め、ゲート回
路30において選択し出力される位相差180゜の
矩形状に変調されたRF信号で被検体を励起す
る。すなわち、第11図イに示すように被検体
全体に180゜-xパルスを与える。 (4) 時点t3 前記180゜-xパルスを与えた後の、前回と同様
の所定の大きさの磁場Gx,Gyを同時に印加す
る。この時点をt3とする(磁化Mは第11図
ヘ,ト,チのように回転する。)。 時点t3以降は分散した磁化Mが集合し始め、
検出コイル8からは第11図ホに示すように次
第に増大する第2の核磁気共鳴信号(この信号
をエコー信号と呼ぶ。)が検出される。このエ
コー信号は、時点t2の前と時点t3の後で印加し
たGx,Gyがそれぞれ同じであり、その間は被
検体の状態が変わらないものとすれば、前記第
1の核磁気共鳴信号とはt2とt3の中央の時刻に
ついて対称な信号波形となる。 (5) 時点t4 時点t3より(t2−t1)時間経過したときコン
トローラ20の制御により磁場Gx,Gyの印加
を止める。この時点をt4とする。磁化Mは図示
のとおりである。 この時点の後Gz -,Gz +を与え、その状態下
で、ゲート回路30において位相差180゜で第1
の90゜パルスと同様に変調されたRF信号を用い
て被検体に90゜-xパルスを与え、第1の90゜パル
スで励起されたスライス面を再び励起する。こ
の励起の終りを時点t5とする。このときスライ
ス面内、外と境界、つまり全被検体の磁化Mの
向きが−Z方向に揃う。 (6) 時点t6 Gz +の印加を中止した後、ゲート回路30よ
り位相差0゜で矩形波状に変調されて出力される
RF信号にて被検体を励起する(180゜パルス励
起)。この励起の終了時点をt6とする。 180゜パルス印加により磁化Mは一斉に+Z方
向に向きが揃う。 このように時点t6で始めの時点t0と同じ状態に
復帰することになる。ただし、この方式では、物
質のもつスピン−スピン緩和又は横緩和による緩
和が残り、t6の時点で磁化Mは完全には上向きに
ならない。そこで、時点t6の後にTdなる待ち時間
をもうけ、磁化Mが完全に上向きになるのをまつ
て1回のシーケンスを終了し、以後同様のシーケ
ンスを繰り返す。
【表】
【表】
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、1ビユ
ー分のシーケンスが終了した時点でスライス面、
スライス面境界およびスライス外の磁化ベクトル
を強制的にZ軸方向に向けるようにしたため、直
ちに次のビユーのシーケンスへ移行することがで
き動作時間の短縮化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は水素原子のスピンを説明する図、第2
図は水素原子の磁気モーメントを模式化した図、
第3図は水素原子の原子核が磁場の方向に揃う状
態を説明する図、第4図はNMRによる検査パル
ス波形の一例を示す図、第5図は磁化Mを回転座
標系に表示する図、第6図は本発明実施例装置の
構成図、第7図は磁場用コイルの一例を示す構造
図、第8図はコントローラ20の詳細な構成図、
第9図はコントローラ20の動作を説明するため
の図、第10図はゲート回路30の構成図、第1
1図は本発明に係るシーケンスを説明するための
動作波形及び磁化ベクトルの図、第12図は待ち
時間と信号強度との関係を示す図、第13図ない
し第18図及び第20図と第21図は本発明の他
の実施例を示す動作波形図、第19図はマルチス
ライス法を説明するための図、第22図は180゜パ
ルス印加に代えて90゜、180゜、90゜パルス印加とし
た場合の磁化ベクトルの動きの様子を示す図であ
る。 1……静磁場用コイル、2,4……制御回路、
3……勾配磁場用コイル、5……励磁コイル、6
……発振器、8……検出コイル、10……位相検
波回路、11……ウエーブメモリ回路、13……
コンピユータ、20……コントローラ、30……
ゲート回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 高周波パルスを印加するための制御手段によ
    り被検体の組織を構成する原子の原子核に核磁気
    共鳴を与え、発生した核磁気共鳴信号を測定して
    被検体の各位置における核磁気共鳴信号強度を再
    構成する核磁気共鳴による検査装置において、 前記高周波パルスを印加するための制御手段
    は、第1の90゜パルスを印加した後勾配磁場を与
    えて核磁気共鳴信号が得られるようにすると共
    に、この第1の90゜パルス印加の後に所定の時間
    間隔で第1の180゜パルスおよび第2の90゜パルス
    を与えかつ第2の90゜パルスの直後には第2の
    180゜パルスを印加すると共に、第2の180°パルス
    印加後に所定の時間だけ待つて次のシーケンスへ
    移行するように制御する機能を有した構成とした
    ことを特徴とする核磁気共鳴による検査装置。 2 前記制御手段は、印加する第1の90゜パルス、
    第1の180゜パルス、第2の90゜パルス、第2の180゜
    パルスの間の位相関係を、 90゜x、180゜-x、90゜-x、180゜xとしたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の核磁気共鳴によ
    る検査装置。 3 前記制御手段は、印加する第1の90゜パルス、
    第1の180゜パルス、第2の90゜パルス、第2の180゜
    パルスの間の位相関係を、 90゜x、180゜y、90゜x、180゜-xとしたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の核磁気共鳴によ
    る検査装置。 4 前記制御手段は、印加する第2の90゜パルス
    と第2の180゜パルスとの間でスポイル・パルスを
    印加するようにしたことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の核磁気共鳴による検査装置。 5 前記制御手段は、印加する第2の180゜パルス
    の印加後にスポイル・パルスを印加するようにし
    たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    核磁気共鳴による検査装置。 6 前記制御手段は、印加する第2の90゜パルス
    と第2の180゜パルスを各々複数パルスの印加とし
    たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    核磁気共鳴による検査装置。 7 被検体の組織を構成する原子の原子核に核磁
    気共鳴を与えるために高周波パルスを印加するた
    めの制御手段と、前記原子核に発生した核磁気共
    鳴信号を測定する測定手段を備え、測定された核
    磁気共鳴信号を基にして被検体の各位置における
    核磁気共鳴信号強度を再構成する核磁気共鳴によ
    る検査装置において、 前記高周波パルスを印加するための制御手段
    は、第1の90゜パルスを印加した後勾配磁場を与
    えて核磁気共鳴信号が得られるようにすると共
    に、この第1の90゜パルス印加の後に所定の時間
    間隔で第1の180゜パルスおよび第2の90゜パルス
    を与えかつ第2の90゜パルスの直後には第2の
    180゜パルスを印加すると共に、第2の180゜パルス
    印加後に所定の時間だけ待つて次のシーケンスへ
    移行するように制御する機能を有する構成とし、 前記核磁気共鳴信号を測定する測定手段は、前
    記第1の90゜パルス印加後に生ずる第1の核磁気
    共鳴信号と前記第1の180゜パルス印加後に生ずる
    第2の核磁気共鳴信号との少なくともいずれか一
    方を測定する機能を有するように構成したことを
    特徴とする核磁気共鳴による検査装置。
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