JPH0244544A - Ｖ溝光ディスク原盤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＳ／Ｎ比に優れた高密度の■溝光ディスク原盤
の製造方法に間するものである。

従来の技術 光ディスクの高密度化に伴い、信号ピットの大きさは小
さくなる方向にある。すなわち再生信号強度も小さくな
る方向ζこあるため従来と同程度のＳ／Ｎ比を保つには
ノイズ成分の抑制が重要課題となってきている。ところ
でノイズの一要因として信号面の荒れが考えられ、その
平坦化が問題となっている。

従来工法は、■溝を切った後は通常の光ディスク原盤の
場合と同じである。すなわち再生専用光ディスクの場合
はレジスト塗布、光マスタリング、現像、イオンミリン
グ、レジスト除去という一連の工法を用い原盤とし、一
方記録可能な光ディスクの場合は即スタンパ−を製作す
る。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、■溝を有する光ディスク原盤の場合、溝
を切る工程に微小バイトを用いた切削法を用いるため、
少なくとも原盤表面は削り易い柔らかい金属でなくては
ならない。そこで従来は最も微小切削加工し易い銅を原
盤表面に採用していた。しかし銅は酸化され易くかつそ
の表面に形成された酸化銅皮膜は不安定で荒れた面とな
り易い。

従来はこの点を無視して、例えば再生専用光ディスク原
盤では■溝加工後にレジスト塗布、光マスタリング、現
像、ミリング、レジスト除去をして信号ビットを形成し
ていたためピット底面は荒れた形状を示しＳハ比が劣化
していた。

本発明は、この様な従来技術の課題を解決する■溝光デ
ィスク原盤を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 請求項１の本発明は、トラッキングのため予めＶ溝加工
された光ディスク原盤において、■満面上にＢ％Ｃ，Ａ
ｌ、　　Ｓｉ、Ｔ１、Ｖ、　　Ｃｒ、Ｇｅ、　　Ｚｒ、
Ｎｂ、　　Ｍｏ。

Ｒｕ、　　ｔｌｆ、　Ｔａ、　Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、ｌｒの
内少なくとも一つを含む膜を形成するものである。

請求項２の本発明は、■溝加工する面を予めＡｌを主成
分とする材質にしておくものである。

作用 本発明は、■溝加工された面に酸化されづらくかつスパ
ッタ率がＮｉよりも小さい金属成分が露出しているため
、大気にさらされても表面は酸化による荒れを生じずま
たドライエツチング時のスパッタ阻止層としても働き得
る。

実施例 以下に、本発明の実施例を図面を参照しながら、説明す
る。

第１図は本発明を説明するための■溝を有する光ディス
ク原盤の一部断面図であって、第１図（ａ）は、請求項
１の本発明の一実施例の断面図であり、第２図（ｂ）は
、請求項２の本発明の一実施例の断面図である。第１図
（ａ）において銅表面ｌは微細切削加工により■溝が切
られておりその上にＢ、Ｃ，Ａｌ、　Ｓｌ、　Ｔ１、　
Ｖ、　　Ｃｒ、　酸、　Ｚ「、　Ｎｂ、　　Ｍｏ、　　
Ｒｕ、Ｈｆ、　　Ｔａ、讐、Ｒｅ、Ｏ８，１ｒの内少な
くとも一つを含む膜２が形成されている。一方策２図（
ｂ）は、Ａ１を主成分とする材質で出来た表面３が微細
切削加工により■溝を切られている。

第２図は本発明の効果を示すため、丸１日大気にざらし
た原盤から作製されたレプリカの破断面をＳＥＭで撮っ
た写真の略図である。第２図（ａ）は従来の銅製の原盤
から得られたもの、第２図（ｂ）は本発明の原盤から得
られたものである。従来の銅製原盤表面には荒れが生じ
ており、−力木発明による原盤表面は荒れもなく平坦と
言える。第２図（ａ）、　（ｂ）で得られた各Ｖ溝ディ
スク原盤から作製されたレプリカの再生ノイズレベルを
比べると本発明により約３ｄｂの改善が見られた。

第３図は請求項３．４．５の本発明を説明するための、
■溝を有する再生専用光ディスク原盤の断面及びその周
囲を拡大したものである。第１図に示された光ディスク
原盤に加えて、さらにその上にＮｉ以玉のスパッタ率を
有する膜４が再生先ディスク材料中における再生光の波
長入の約１／４の膜厚で形成されている。また膜４には
ビットまたはグルーブ５がドライエツチング法により形
成されている。

膜４の材質としては特にＮｉを用いると、従来の再生専
用光ディスク原盤と同じ表面性を持っていることから同
じ工法、すなわち離型処理を施した一部でＮｉメツキを
しスタンパ−となす、これを用いることが出来るように
なる。

Ｎｉ以上のスパッタ率を有する膜４の下地は、第１図に
おける膜２または原盤表面材３であり、これら下地はス
パッタ率がＮｉと比べ小さい。それゆえ膜４のドライエ
ツチング時には、膜２または原盤表面材３はスパッタ阻
止層として働きエツチングは必ずそこで止まり常にエツ
チング深さを膜４の膜厚に抑えることが出来る。すなわ
ち膜４の膜厚を再生光ディスク材料中における再生光の
波長大の約１／４に設定すれはエツチングにより形成さ
れたピット深さも安定してｌ／４人となり再生光ディス
クにおける再生信号強度は安定して最大となる。

また第１図における膜２または原盤表面材３は酸化しづ
らく第２図（ｂ）で示したように、たとえ大気に触れて
いてもその表面は荒れず平坦な形状を保つ。すなわちエ
ツチングにより出来たビットの底面は膜２または原盤表
面材３が露出しているので大気中においても平坦な面が
保たれる。実際ピットまで形成された原盤からレプリカ
を取りそのレプリカを直接再生してみたところ、従来の
ものに比べＳ／Ｎ比で約３．５ｄｂの改善が見られた。

発明の効果 本発明は、■溝加工された面に酸化されづらくかつスパ
ッタ率がＮｉよりも小さい金属成分が露出しているため
、大気にさらされても表面は酸化による荒れを生じず、
またドライエツチング時のスパッタ阻止層としても働き
得ろ、Ｓ／Ｎ比に優れた光ディスク原盤を安定に製造し
うる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　　（６）は本発明の■溝光ディスク原
盤の一実施例を示す一部断面図、第２図（ａ）は比較の
ための従来例、第２図（ｂ）は前記実施例の効果を示す
ための光ディスク原盤の一部断面図、第３図は本発明の
■溝光ディスク原盤の他の実施例を示す一部断面図であ
る。 ｌ・・・■溝加工済み光ディスク原盤の銅表面、２・・
・薄膜、３・・・■溝加工済み光ディスク原盤のＡ１表
面、４・・・Ｎｉ以上のスパッタ率を有する膜、５・・
・ピットまたはグルーブ代理人の氏名　弁理士　粟野重
孝　はか１名第］図 （ａ） 第２図 （ｂ）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）トラッキングのため予めＶ溝加工された光ディス
   ク原盤において、Ｖ溝の上にＢ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ
   、Ｖ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｔ
   ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒの内少なくとも一つを含む膜
   が形成されていることを特徴とするＶ溝光ディスク原盤
   。
2. （２）トラッキングのためＶ溝加工された光ディスク原
   盤において、少なくともＶ溝を切る面はＡｌを主成分と
   する材質で出来ていることを特徴とするＶ溝光ディスク
   原盤。
3. （３）光ディスク原盤上に、加えてＮｉ以上のスパッタ
   率を有する膜が形成されていることを特徴とする請求項
   １または２記載のＶ溝光ディスク原盤。
4. （４）Ｎｉ以上のスパッタ率を有する前記膜の膜厚が再
   生光ディスク材料中における再生光の波長λの約１／４
   であることを特徴とする請求項３記載のＶ溝光ディスク
   原盤。
5. （５）Ｎｉ以上のスパッタ率を有する前記膜には、ドラ
   イエッチングによりグルーブ及びピットが形成されてい
   ることを特徴とする請求項４記載のＶ溝光ディスク原盤
   。