JPH0243048Y2 - - Google Patents
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- JPH0243048Y2 JPH0243048Y2 JP6329784U JP6329784U JPH0243048Y2 JP H0243048 Y2 JPH0243048 Y2 JP H0243048Y2 JP 6329784 U JP6329784 U JP 6329784U JP 6329784 U JP6329784 U JP 6329784U JP H0243048 Y2 JPH0243048 Y2 JP H0243048Y2
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Description
（考案の技術的背景およびその問題点）
従来、電力ケーブルにおいては、電界を緩和す
る目的から、絶縁体層の内、外部に半導電層が形
成されており、最近はその優れた電気特性、保守
管理のしやすさから高圧ケーブルの開発が鋭意進
められている。 高圧ケーブルにおいては、絶縁体であるポリオ
レフインのクリーン化、含有水分減少の架橋方式
として乾式架橋方法の採用、外部浸入水分の遮断
の目的で遮水層の採用等が考えられ検討が進めら
れている。一方絶縁厚低減も重要な課題の一つで
あり、そのためには絶縁体の電気的破壊強度を高
める事及び半導電層と絶縁体の界面の補強するこ
とが必要であり、その方法としては半導電層に塩
化ノルマルパラフインシリコーン油、グリシジル
メタクリレート等を添加することが公知である。
（特開昭55−151709号公報、特公昭49−39348号公
報、実開昭54−70082号公報等） しかしながら、それらは交流破壊電圧あるいは
インパルス電圧が充分ではなかつた。 （考案の目的） 本考案の目的は内部半導電層にＮ−ビニルカル
バゾールを添加することにより交流破壊電圧およ
びインパルス耐圧の大幅に向上した架橋ポリオレ
フイン絶縁電力を提供することにある。 （考案の概要） 本考案の架橋ポリオレフイン絶縁電力ケーブル
は、導体の周上に内部半導電層、架橋ポリオレフ
イン絶縁体層、外部半導電層を順次押出被覆した
後、これを架橋せしめて成る架橋ポリオレフイン
絶縁電力ケーブルにおいて、前記半導電層はベー
スポリマー100重量部と0.02〜10重量部のＮ−ビ
ニルカルバーゾールより形成されることを特徴と
している。 本考案のポリオレフイン絶縁体としてはポリエ
チレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレ
ンプロピレン−ジエン共重合体、エチレン−酢酸
ビニル共重合体等が使用される。本考案のＮ−ビ
ニルカルバゾールはモノマーもオリゴマーも含む
が、特にオリゴマーを使用した場合には、長期間
使用後でも充分な特性を維持することが可能であ
る。 又Ｎ−ビニルカルバゾールの添加量はベースポ
リマー100重量部に対して0.02〜10重量部と限定
したのは0.02重量部未満では耐圧向上に対する効
果が少なく、又10重量部を越えて添加しても耐圧
向上に対する効果の向上がなくかえつて機械的特
性を低下させるためである。尚、本明細書中には
ケーブルの半導電層にＮ−ビニルカルバゾールを
添加することについて述べたが、接続、分岐、終
端部等の半導電性部分にＮ−ビニルカルバゾール
を添加しても同様の効果が得られる。 （考案の実施例） 以下本考案の一実施例を図に基づいて説明す
る。 図は本考案ケーブルの一実施例を示したもの
で、導体１の外周に内部半導電層２、架橋ポリエ
チレン絶縁体層３、外部半導電層４が順次設けら
れた構造を有する。 実施例１〜10、従来例１〜５ 直径1.2mmφの導体上に内部半導電層としてポ
リエチレン30重量部、エチレン−α−オレフイン
共重量体35重量部、導電性カーボンブラツク35重
量部および老化防止剤0.2重量部に対して表に示
す組成物を混合したものを押出被覆し、絶縁体層
としては架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層
を順次押出被覆した後、常法により架橋を行い、
試験ケーブルを作成した。試験ケーブルの交流破
壊電圧及びインパルス破壊電圧を測定し、その測
定決果を併せて表に示す。
る目的から、絶縁体層の内、外部に半導電層が形
成されており、最近はその優れた電気特性、保守
管理のしやすさから高圧ケーブルの開発が鋭意進
められている。 高圧ケーブルにおいては、絶縁体であるポリオ
レフインのクリーン化、含有水分減少の架橋方式
として乾式架橋方法の採用、外部浸入水分の遮断
の目的で遮水層の採用等が考えられ検討が進めら
れている。一方絶縁厚低減も重要な課題の一つで
あり、そのためには絶縁体の電気的破壊強度を高
める事及び半導電層と絶縁体の界面の補強するこ
とが必要であり、その方法としては半導電層に塩
化ノルマルパラフインシリコーン油、グリシジル
メタクリレート等を添加することが公知である。
（特開昭55−151709号公報、特公昭49−39348号公
報、実開昭54−70082号公報等） しかしながら、それらは交流破壊電圧あるいは
インパルス電圧が充分ではなかつた。 （考案の目的） 本考案の目的は内部半導電層にＮ−ビニルカル
バゾールを添加することにより交流破壊電圧およ
びインパルス耐圧の大幅に向上した架橋ポリオレ
フイン絶縁電力を提供することにある。 （考案の概要） 本考案の架橋ポリオレフイン絶縁電力ケーブル
は、導体の周上に内部半導電層、架橋ポリオレフ
イン絶縁体層、外部半導電層を順次押出被覆した
後、これを架橋せしめて成る架橋ポリオレフイン
絶縁電力ケーブルにおいて、前記半導電層はベー
スポリマー100重量部と0.02〜10重量部のＮ−ビ
ニルカルバーゾールより形成されることを特徴と
している。 本考案のポリオレフイン絶縁体としてはポリエ
チレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレ
ンプロピレン−ジエン共重合体、エチレン−酢酸
ビニル共重合体等が使用される。本考案のＮ−ビ
ニルカルバゾールはモノマーもオリゴマーも含む
が、特にオリゴマーを使用した場合には、長期間
使用後でも充分な特性を維持することが可能であ
る。 又Ｎ−ビニルカルバゾールの添加量はベースポ
リマー100重量部に対して0.02〜10重量部と限定
したのは0.02重量部未満では耐圧向上に対する効
果が少なく、又10重量部を越えて添加しても耐圧
向上に対する効果の向上がなくかえつて機械的特
性を低下させるためである。尚、本明細書中には
ケーブルの半導電層にＮ−ビニルカルバゾールを
添加することについて述べたが、接続、分岐、終
端部等の半導電性部分にＮ−ビニルカルバゾール
を添加しても同様の効果が得られる。 （考案の実施例） 以下本考案の一実施例を図に基づいて説明す
る。 図は本考案ケーブルの一実施例を示したもの
で、導体１の外周に内部半導電層２、架橋ポリエ
チレン絶縁体層３、外部半導電層４が順次設けら
れた構造を有する。 実施例１〜10、従来例１〜５ 直径1.2mmφの導体上に内部半導電層としてポ
リエチレン30重量部、エチレン−α−オレフイン
共重量体35重量部、導電性カーボンブラツク35重
量部および老化防止剤0.2重量部に対して表に示
す組成物を混合したものを押出被覆し、絶縁体層
としては架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層
を順次押出被覆した後、常法により架橋を行い、
試験ケーブルを作成した。試験ケーブルの交流破
壊電圧及びインパルス破壊電圧を測定し、その測
定決果を併せて表に示す。
【表】
（考案の効果）
以上の実施例からも明らかな如く、本考案のよ
うに半導電層にＮ−ビニルカルバゾールを添加す
れば、充分な交流破壊電圧及びインパルス電圧を
有する架橋ポリオレフイン絶縁電力ケーブルを提
供することができる。
うに半導電層にＮ−ビニルカルバゾールを添加す
れば、充分な交流破壊電圧及びインパルス電圧を
有する架橋ポリオレフイン絶縁電力ケーブルを提
供することができる。
図は本考案ケーブルの一実施例を示す断面説明
図である。 １……導体、２……内部半導電層、３……架橋
ポリオレフイン絶縁体層、４……外部半導電層。
図である。 １……導体、２……内部半導電層、３……架橋
ポリオレフイン絶縁体層、４……外部半導電層。
Claims (1)
- 導体の周上に内部半導電層、架橋ポリオレフイ
ン絶縁体層、外部半導電層を順次押出被覆した
後、これを架橋せしめて成る架橋ポリオレフイン
絶縁電力ケーブルにおいて、前記半導電層はベー
スポリマー100重量部と0.02〜10重量部のＮ−ビ
ニルカルバーゾールより形成されることを特徴と
する架橋ポリオレフイン絶縁電力ケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6329784U JPS60175418U (ja) | 1984-04-30 | 1984-04-30 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6329784U JPS60175418U (ja) | 1984-04-30 | 1984-04-30 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175418U JPS60175418U (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0243048Y2 true JPH0243048Y2 (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=30593303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6329784U Granted JPS60175418U (ja) | 1984-04-30 | 1984-04-30 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175418U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH048570Y2 (ja) * | 1984-11-27 | 1992-03-04 |
-
1984
- 1984-04-30 JP JP6329784U patent/JPS60175418U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60175418U (ja) | 1985-11-20 |
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