JPS5998403A - 半導電性組成物 - Google Patents
半導電性組成物Info
- Publication number
- JPS5998403A JPS5998403A JP20817582A JP20817582A JPS5998403A JP S5998403 A JPS5998403 A JP S5998403A JP 20817582 A JP20817582 A JP 20817582A JP 20817582 A JP20817582 A JP 20817582A JP S5998403 A JPS5998403 A JP S5998403A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- ethylene
- parts
- semiconductive composition
- weight
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導電性組成物に係り、特に電カケープルの導
体外周や絶縁体外周に設ける半導電層として用いるのに
好適な半導電性組成物に関するものである。
体外周や絶縁体外周に設ける半導電層として用いるのに
好適な半導電性組成物に関するものである。
架橋ボッエチレン絶縁室カケープルの半導電層と絶縁体
界面の平滑性、密着性は、ケーブルの信頼性向上の上か
ら重要であり、界面不整が存在すると、局部的に高電界
が形成され、コロナ放電や浸水時に水トリー劣化が生じ
、ケーブルの電気的特性が低下する。
界面の平滑性、密着性は、ケーブルの信頼性向上の上か
ら重要であり、界面不整が存在すると、局部的に高電界
が形成され、コロナ放電や浸水時に水トリー劣化が生じ
、ケーブルの電気的特性が低下する。
この問題に対し、従来より半導電層の製造面と材料面か
らの検討がなされておシ、ケバ立ちの多い半導電性布テ
ープに代えて押出型半導電層が開発されるに至った。し
かし、押出型半導電層の材料としては、極性を有するエ
チレン−酢酸ビニル共重合体やエチレン−エチルアクリ
レート共重合体をベースポリマとしたもの、非極性のエ
チレンプロピレンゴム、ポリエチレンをペースとしだも
のあるいはこれらのブレンド物をベースとしたものが用
いられており、このような半導電層を有する架橋ポリエ
チレン絶縁電カケーゾルは、破壊電圧が大幅に向上する
が、ケーブル内に浸水が起きるような厳しい劣化条件下
では、長期課電を行うと水トリーが多発し、破壊電圧が
低下するという問題を生ずる。
らの検討がなされておシ、ケバ立ちの多い半導電性布テ
ープに代えて押出型半導電層が開発されるに至った。し
かし、押出型半導電層の材料としては、極性を有するエ
チレン−酢酸ビニル共重合体やエチレン−エチルアクリ
レート共重合体をベースポリマとしたもの、非極性のエ
チレンプロピレンゴム、ポリエチレンをペースとしだも
のあるいはこれらのブレンド物をベースとしたものが用
いられており、このような半導電層を有する架橋ポリエ
チレン絶縁電カケーゾルは、破壊電圧が大幅に向上する
が、ケーブル内に浸水が起きるような厳しい劣化条件下
では、長期課電を行うと水トリーが多発し、破壊電圧が
低下するという問題を生ずる。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、電カケープルの耐水トリー性を向上すること
ができる半導電性組成物を提供することにある。
ところは、電カケープルの耐水トリー性を向上すること
ができる半導電性組成物を提供することにある。
本発明の特徴は、融点１２０℃以上の結晶性エチレン系
ポリマと炭素数４〜１０のエチレン・α−オレフ１ンエ
ラストマとのブレンｌ−Ｓホリマに対して導電性付与材
料を加えてなる半導電性組成物とした点にある。
ポリマと炭素数４〜１０のエチレン・α−オレフ１ンエ
ラストマとのブレンｌ−Ｓホリマに対して導電性付与材
料を加えてなる半導電性組成物とした点にある。
ここで、結晶性エチレン系ポリマとしては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリブテン−１、ポリヘキセン−
１、ポリオクテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１
などのホモポリマ、さらに、これらとエチレンとの共重
合体などである。中でもポリエチレン、ポリゾロピレン
は効果が太きい。
ン、ポリプロピレン、ポリブテン−１、ポリヘキセン−
１、ポリオクテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１
などのホモポリマ、さらに、これらとエチレンとの共重
合体などである。中でもポリエチレン、ポリゾロピレン
は効果が太きい。
マタ、エチレン・α−オレフィンエラストマとしては、
エチレン含有量が８０〜９５モノ１７チのモノがよく、
必ずしも必要ではないが、ポリエチレンが含まれている
方が望ましい。この中でもエチレン、フテンー１，４−
へキサジエンエラストマが比較的よい。
エチレン含有量が８０〜９５モノ１７チのモノがよく、
必ずしも必要ではないが、ポリエチレンが含まれている
方が望ましい。この中でもエチレン、フテンー１，４−
へキサジエンエラストマが比較的よい。
々お、ブレンドポリマにおける結晶性エチレン系ポリマ
の比率がｓｏ％以上のときは、水トリー防止効果が顕著
であることが見出された。このブレンドポリマは架橋さ
せてもよく、架橋方法としては、パーオキサイＰ１イオ
ウ、電子照射あるいはシランとグラフトして脱水架橋さ
せるようにしてもよい。
の比率がｓｏ％以上のときは、水トリー防止効果が顕著
であることが見出された。このブレンドポリマは架橋さ
せてもよく、架橋方法としては、パーオキサイＰ１イオ
ウ、電子照射あるいはシランとグラフトして脱水架橋さ
せるようにしてもよい。
導電゛性付与材としては、導電性カーゼンブラックが適
切で、アセチルブラック、ファーネスブラックなどを使
用する。しかし、ブラント２９フ１００重量部に対して
４０重量部以下では導電性が低いので、４０重量部以上
とするのがよい。
切で、アセチルブラック、ファーネスブラックなどを使
用する。しかし、ブラント２９フ１００重量部に対して
４０重量部以下では導電性が低いので、４０重量部以上
とするのがよい。
配合剤としては、老化防止剤、滑剤、分散剤なども必要
に応じて加えてもよい。老化防止剤としテハ、アミン系
のＮＩＮ’−１フェニル−Ｐフェニレンジアミン、フェ
ニル−α−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−ｐＪＬ−イ
ンプロピル−フェニレンジアミン、ポリ（２，２，４−
）ジメチル−１，２−ジヒドロキノリン）など、フェノ
ール系の２゜２′−メチレンビス（４−メチル−５−ｔ
ｅｒｔ−ブチ／Ｌ／ ７ ｊｌ−／−ル）、２ ＋ ６
− Ｘ）−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、
４，４′−チオビス（６−１ｅｒｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）など、イミダゾール系の２−メルカプト
ベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾー
ルの亜鉛塩など、イオウ系のジステアリルーチオージプ
ロぎオネート、ジラウリルチオプロピオネート、テトラ
キス（メチルードデシルチオゾロビオネート）メタンな
どおよびその他のゴム用として用いられる老化防止剤を
単独あるいは組み合わせて使用することができる。
に応じて加えてもよい。老化防止剤としテハ、アミン系
のＮＩＮ’−１フェニル−Ｐフェニレンジアミン、フェ
ニル−α−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−ｐＪＬ−イ
ンプロピル−フェニレンジアミン、ポリ（２，２，４−
）ジメチル−１，２−ジヒドロキノリン）など、フェノ
ール系の２゜２′−メチレンビス（４−メチル−５−ｔ
ｅｒｔ−ブチ／Ｌ／ ７ ｊｌ−／−ル）、２ ＋ ６
− Ｘ）−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、
４，４′−チオビス（６−１ｅｒｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）など、イミダゾール系の２−メルカプト
ベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾー
ルの亜鉛塩など、イオウ系のジステアリルーチオージプ
ロぎオネート、ジラウリルチオプロピオネート、テトラ
キス（メチルードデシルチオゾロビオネート）メタンな
どおよびその他のゴム用として用いられる老化防止剤を
単独あるいは組み合わせて使用することができる。
以下、本発明の実施例および比較例について説明する。
第１表は実施例および比較例の各種成分の配合を示した
ものである。このように配合して得た半導性組成物を断
面積８０−の撚線銅導体上に押出被覆して厚さ１ｍの内
部半導電層を形成し、続いて低密度ポリエチレン（密度
０．９２０ｇ／ｃｖ＋ｒ’、Ｍｒ−１，０）１００ ｉ
Ｊｉ部、ジクミルパーオキサイド２５重量部および酸化
防止剤０．２５重量部を配合してなる絶縁体組成物を押
出被覆して厚さ４−の未架橋絶縁体層を形成し、その外
周に上記内部半導電層と同じ組成の半導電性組成物を押
出被覆して厚さ１切の外部半導電層を形成し、続いて加
熱架橋を行って架橋ポリエチレン絶縁電カケープルとし
、このケーブルの導体内に注水を行い、ケーブルを浸水
させた後５０Ｈｚ、１５ＫＶ交流電圧を導体と水電極間
に印加し、水温を９０℃として１８ケ男課電し、課電終
了後、絶縁体を０．５−厚さにスノξイラルカットし、
メチレンブルー水溶液で煮沸染色した後、顕微鏡で絶縁
体と内部半導電層との界面に発生した水トリー数を観測
した。その結果を第２注：単位は重量部 第 ２ 表 第２表の結果かられかるように、実施例１〜３に示す本
発明に係る半導電性組成物より々る内、外生導電層のも
のは、いずれも水トリー数が比較例１〜４のものに比較
して大幅に少く、良好な結果を示した。
ものである。このように配合して得た半導性組成物を断
面積８０−の撚線銅導体上に押出被覆して厚さ１ｍの内
部半導電層を形成し、続いて低密度ポリエチレン（密度
０．９２０ｇ／ｃｖ＋ｒ’、Ｍｒ−１，０）１００ ｉ
Ｊｉ部、ジクミルパーオキサイド２５重量部および酸化
防止剤０．２５重量部を配合してなる絶縁体組成物を押
出被覆して厚さ４−の未架橋絶縁体層を形成し、その外
周に上記内部半導電層と同じ組成の半導電性組成物を押
出被覆して厚さ１切の外部半導電層を形成し、続いて加
熱架橋を行って架橋ポリエチレン絶縁電カケープルとし
、このケーブルの導体内に注水を行い、ケーブルを浸水
させた後５０Ｈｚ、１５ＫＶ交流電圧を導体と水電極間
に印加し、水温を９０℃として１８ケ男課電し、課電終
了後、絶縁体を０．５−厚さにスノξイラルカットし、
メチレンブルー水溶液で煮沸染色した後、顕微鏡で絶縁
体と内部半導電層との界面に発生した水トリー数を観測
した。その結果を第２注：単位は重量部 第 ２ 表 第２表の結果かられかるように、実施例１〜３に示す本
発明に係る半導電性組成物より々る内、外生導電層のも
のは、いずれも水トリー数が比較例１〜４のものに比較
して大幅に少く、良好な結果を示した。
以上説明したように、本発明によれば、電カケープルの
耐水トリー性を向上することができるという効果がある
。
耐水トリー性を向上することができるという効果がある
。
Claims (4)
- （１）融点１２０℃以上の結晶性エチレン系ポリマと炭
素数４〜１０のエチレン・α−オレフインエジストマと
のブレンドポリマに対して導電性付与材を加えてなるこ
とを特徴とする半導電性組成物。 - （２） 前記結晶性エチレン系ポリマは、ポリエチレ
ンまだはポリプロピレンである特許請求の範囲第１項記
載の半導電性組成物。 - （３）前記ブレンドポリマは前記結晶性エチレン系Ｈ９
リマの比率が５０％以上のものである特許請求の範囲第
１項または第２項記載の半導電性組成物。 - （４） 前記導電性付与材は導電性カーゼンブラック
であって前記ブレン１ゝポリマ１００重量部に対して４
０重量部以以上先である特許請求の範囲第１項または第
２項まだは第３項記載の半導電性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20817582A JPS5998403A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 半導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20817582A JPS5998403A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 半導電性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998403A true JPS5998403A (ja) | 1984-06-06 |
| JPS6245643B2 JPS6245643B2 (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=16551896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20817582A Granted JPS5998403A (ja) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | 半導電性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998403A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6140349A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Fujikura Ltd | 半導電層用混和物 |
| JPS6140347A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Fujikura Ltd | 半導電層用混和物 |
| JPS6140348A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Fujikura Ltd | 半導電層用混和物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671215A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Polyolefin insulating power cable |
| JPS57158907A (en) * | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Fujikura Ltd | Power cable |
-
1982
- 1982-11-26 JP JP20817582A patent/JPS5998403A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671215A (en) * | 1979-11-15 | 1981-06-13 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Polyolefin insulating power cable |
| JPS57158907A (en) * | 1981-03-26 | 1982-09-30 | Fujikura Ltd | Power cable |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6140349A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Fujikura Ltd | 半導電層用混和物 |
| JPS6140347A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Fujikura Ltd | 半導電層用混和物 |
| JPS6140348A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Fujikura Ltd | 半導電層用混和物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6245643B2 (ja) | 1987-09-28 |
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