JPH0242659A - 情報記録用光ディスク - Google Patents
情報記録用光ディスクInfo
- Publication number
- JPH0242659A JPH0242659A JP63192452A JP19245288A JPH0242659A JP H0242659 A JPH0242659 A JP H0242659A JP 63192452 A JP63192452 A JP 63192452A JP 19245288 A JP19245288 A JP 19245288A JP H0242659 A JPH0242659 A JP H0242659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- precursor polymer
- information recording
- film
- ptv
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 15
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 8
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- GWQOOADXMVQEFT-UHFFFAOYSA-N 2,5-Dimethylthiophene Chemical compound CC1=CC=C(C)S1 GWQOOADXMVQEFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はビデオディスク、コンパクトディスク等の情報
記録用光ディスクに関し、特に情報記録ピットを有する
光ディスクに関する。
記録用光ディスクに関し、特に情報記録ピットを有する
光ディスクに関する。
背景技術
記録面に凹凸（以下ピットと称する。）を設けて情報を
記録する光ディスクの場合、ＰＭＭＡ（ポリメタアクリ
レート）、ＰＣ（ポリカーボネート）等の透明樹脂を用
いてインジェクション。
記録する光ディスクの場合、ＰＭＭＡ（ポリメタアクリ
レート）、ＰＣ（ポリカーボネート）等の透明樹脂を用
いてインジェクション。
コンプレッション、２Ｐ法等によりスタンパ表面の記録
信号に対応したピットを転写したサブストレートを作成
し、しかる後に、その転写面上に蒸着あるいはスパッタ
リングによるメタライジングを行うことが必要である。
信号に対応したピットを転写したサブストレートを作成
し、しかる後に、その転写面上に蒸着あるいはスパッタ
リングによるメタライジングを行うことが必要である。
かかるメタライジングによる金属薄膜は、光ディスクの
場合、信号読み取り用のレーザ光ビームの反射膜として
用いられるため不可欠である。反射膜の形成は、蒸着、
スパッタリングのいずれの工程によっても真空下で行う
必要があるため、光ディスクの製造における生産性を高
めることが難しく、先ディスクの製造コストを低減しよ
うとする場合の障害となっていた。
場合、信号読み取り用のレーザ光ビームの反射膜として
用いられるため不可欠である。反射膜の形成は、蒸着、
スパッタリングのいずれの工程によっても真空下で行う
必要があるため、光ディスクの製造における生産性を高
めることが難しく、先ディスクの製造コストを低減しよ
うとする場合の障害となっていた。
第６図はこの様な光デイスク製造工程の一例を示してい
る。図に示す如く、ニッケル等の金属から成り所定の原
盤から作成され、その表面に螺旋状にピットが配列され
たスタンパ１（第６図（ａ））を用いてＰＭＭＡ、ＰＣ
等の透明樹脂をインジェクションモールドすることによ
り、その表面にピットが転写されたサブストレート２が
作成される（第６図（ｂ））。次に、蒸着工程において
このサブストレート２のピットを担持した表面上に金属
反射薄膜層３が形成される（第６図（Ｃ））。
る。図に示す如く、ニッケル等の金属から成り所定の原
盤から作成され、その表面に螺旋状にピットが配列され
たスタンパ１（第６図（ａ））を用いてＰＭＭＡ、ＰＣ
等の透明樹脂をインジェクションモールドすることによ
り、その表面にピットが転写されたサブストレート２が
作成される（第６図（ｂ））。次に、蒸着工程において
このサブストレート２のピットを担持した表面上に金属
反射薄膜層３が形成される（第６図（Ｃ））。
更に次の工程において金属反射薄膜層３の上に保護膜４
が塗布されて平滑な表面を有する光ディスク５が形成さ
れる（第６図（ｄ））。
が塗布されて平滑な表面を有する光ディスク５が形成さ
れる（第６図（ｄ））。
また、両面再生可能な光ディスクとするためには、上記
の工程で作成された２枚の光ディスク５を、それらの保
護膜を内側にして所定の接着層を介して張り合せること
により、表裏２面に信号記録層を有する両面光ディスク
が形成される。
の工程で作成された２枚の光ディスク５を、それらの保
護膜を内側にして所定の接着層を介して張り合せること
により、表裏２面に信号記録層を有する両面光ディスク
が形成される。
以上の如き製造工程により光ディスクが多量に製造され
るのであるが、前述の如く金属反射膜層の形成のために
蒸着工程或いはスパッタリング工程が必要である故に、
工程数が多くなり、その工程のための装置が複雑化しか
つその正確な制御が要求されるため光ディスクの生産性
の向上が難しいという欠点があった。
るのであるが、前述の如く金属反射膜層の形成のために
蒸着工程或いはスパッタリング工程が必要である故に、
工程数が多くなり、その工程のための装置が複雑化しか
つその正確な制御が要求されるため光ディスクの生産性
の向上が難しいという欠点があった。
発明の概要
本発明の目的は、上述の如き従来技術の欠点を改善し、
比較的単純な構造を有しかつ簡素な工程にて大量生産に
適する情報記録用光ディスクを提供することにある。
比較的単純な構造を有しかつ簡素な工程にて大量生産に
適する情報記録用光ディスクを提供することにある。
本発明の情報記録用光ディスクは、硬化後において高反
射率を有する硬化型樹脂からなりかつピットを担持した
反射樹脂層を有することを特徴とする。
射率を有する硬化型樹脂からなりかつピットを担持した
反射樹脂層を有することを特徴とする。
実施例
以下に本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図は、硬化後において高反射率を有する硬化型樹脂
からなりかつピットを担持した有機系反射樹脂層１３と
透明樹脂からなる基板１５とからなる情報記録用光ディ
スクの断面を示す。
からなりかつピットを担持した有機系反射樹脂層１３と
透明樹脂からなる基板１５とからなる情報記録用光ディ
スクの断面を示す。
透明樹脂からなる基板１５はＰＭＭＡ、ＰＣ等を材料と
する。かかる有機系の反射樹脂層１３となるべき硬化型
樹脂としてはポリ（２，５−チオフェンビニレン）（以
下ＰＴＶと称する。）が用いられる。
する。かかる有機系の反射樹脂層１３となるべき硬化型
樹脂としてはポリ（２，５−チオフェンビニレン）（以
下ＰＴＶと称する。）が用いられる。
本実施例の情報記録用光ディスクは、次の工程で製造さ
れる。
れる。
反射樹脂層を形成するＰＴＶの前駆体高分子体を生成す
る前駆体生成工程として、まず、下記（１）式で示す分
子構造の２．５−ジメチルチオフェンのスルホニウム塩
を出発物質として用意する。
る前駆体生成工程として、まず、下記（１）式で示す分
子構造の２．５−ジメチルチオフェンのスルホニウム塩
を出発物質として用意する。
この出発物質を水／メタノールＣＦｕＯ／ＣＨ＋ＯＲ）
中で低温（−３０℃）下で重合する。重合過程中の下記
（Ｉ［）式で示す中間体は、メタノールが主鎖に反応し
てスルホニウム塩として（Ｃｌｌ ）＋ Ｓ−が脱離、
置換してエーテルが側鎖となった下記（ＤＩ）式で示す
分子構造の前駆体高分子体となる。
中で低温（−３０℃）下で重合する。重合過程中の下記
（Ｉ［）式で示す中間体は、メタノールが主鎖に反応し
てスルホニウム塩として（Ｃｌｌ ）＋ Ｓ−が脱離、
置換してエーテルが側鎖となった下記（ＤＩ）式で示す
分子構造の前駆体高分子体となる。
・・・・・・ （ＩＩ）
得られた前駆体高分子体は有機溶媒に可溶性である故、
次に、薄膜形成工程として、この前駆体高分子体を溶媒
に溶かして、前駆体高分子溶液を例えば流えん成形法等
により第２図（ａ）に示すごとき前駆体高分子フィルム
又はシートの膜１０に形成する。なお、前駆体高分子溶
液をキャスト成形などによってフィルム又はシート等の
膜としてもよい。
次に、薄膜形成工程として、この前駆体高分子体を溶媒
に溶かして、前駆体高分子溶液を例えば流えん成形法等
により第２図（ａ）に示すごとき前駆体高分子フィルム
又はシートの膜１０に形成する。なお、前駆体高分子溶
液をキャスト成形などによってフィルム又はシート等の
膜としてもよい。
次に、第２図（ｂ）に示すように、転写工程として、得
られたフィルム又はシートの膜１０上に、所定信号のピ
ットを担持したスタンバ１を押圧して該ピットを膜上に
転写する。
られたフィルム又はシートの膜１０上に、所定信号のピ
ットを担持したスタンバ１を押圧して該ピットを膜上に
転写する。
次に、第２図（ｃ）に示すように、反射樹脂層形成工程
として、ピットが転写された前駆体高分子膜１０上に塩
酸等の処理液をノズル１１より噴霧して、続いてヒータ
１２によって加熱して前駆体高分子体を重合、硬化させ
てピットを担持したＰＴＶの反射樹脂膜１３を形成する
。このように、加熱して熱分解することにより下記（Ｉ
Ｖ）式で示す分子構造のＰＴＶの反射樹脂膜１３を得る
。
として、ピットが転写された前駆体高分子膜１０上に塩
酸等の処理液をノズル１１より噴霧して、続いてヒータ
１２によって加熱して前駆体高分子体を重合、硬化させ
てピットを担持したＰＴＶの反射樹脂膜１３を形成する
。このように、加熱して熱分解することにより下記（Ｉ
Ｖ）式で示す分子構造のＰＴＶの反射樹脂膜１３を得る
。
・・・・・・ （ＩＶ）
次に、第２図（ｄ）に示すように、透明基板形成工程と
して、射出成形機械のサブストレート成形型１４の間に
反射樹脂膜１３を配置して、型締めしてＰＣ等の透明樹
脂材料を型空間に射出して直接、透明基板１５であるサ
ブストレートを反射樹脂膜１３の両面に形成する。
して、射出成形機械のサブストレート成形型１４の間に
反射樹脂膜１３を配置して、型締めしてＰＣ等の透明樹
脂材料を型空間に射出して直接、透明基板１５であるサ
ブストレートを反射樹脂膜１３の両面に形成する。
また、本発明の他の情報記録用光ディスクの製造方法は
、次の工程で行われる。
、次の工程で行われる。
まず、熱成形可能な前駆体高分子溶液を生成するまでは
上記実施例と同様である。
上記実施例と同様である。
次に、第３図（ａ）に示すように、薄膜形成工程として
、スピンコード法によりこの前駆体高分子溶液をノズル
２１を介してターンテーブル２２と共に回転するスタン
バ１上に塗布し、ピットを転写した上記（ｍ）式で示す
分子構造の前駆体高分子薄膜１０をスタンパ１上に形成
する。
、スピンコード法によりこの前駆体高分子溶液をノズル
２１を介してターンテーブル２２と共に回転するスタン
バ１上に塗布し、ピットを転写した上記（ｍ）式で示す
分子構造の前駆体高分子薄膜１０をスタンパ１上に形成
する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、反射樹脂層形成工程
として、スタンバと共に、ピットが転写された前駆体高
分子薄膜１０上に塩酸等の処理液をノズル１１より噴霧
して、続いてヒータ］、２によって加熱して前駆体高分
子体を重合、硬化させてピットを担持した上記（ＩＶ）
式で示す分子構造のＰＴＶの反射樹脂膜１３を形成する
。
として、スタンバと共に、ピットが転写された前駆体高
分子薄膜１０上に塩酸等の処理液をノズル１１より噴霧
して、続いてヒータ］、２によって加熱して前駆体高分
子体を重合、硬化させてピットを担持した上記（ＩＶ）
式で示す分子構造のＰＴＶの反射樹脂膜１３を形成する
。
次に、第３図（ｃ）に示すように、透明基板形成工程と
して、射出成形機械のサブストレート成形型１４の間に
スタンパと共に反射樹脂膜１３を配置して、型締めして
ＰＣ等の透明樹脂材料を型空間に射出して直接、透明基
板］５であるサブストレートを反射樹脂膜１３の片面に
形成する。
して、射出成形機械のサブストレート成形型１４の間に
スタンパと共に反射樹脂膜１３を配置して、型締めして
ＰＣ等の透明樹脂材料を型空間に射出して直接、透明基
板］５であるサブストレートを反射樹脂膜１３の片面に
形成する。
このように製造することによって、第３図（ｅ）及び第
３図（ｄ）に示すように、硬化後において高反射率を有
するＰＴＶの硬化型樹脂からなりかつピットを担持した
反射樹脂層１３と透明基板１５とからなる情報記録用光
ディスクが得られる。
３図（ｄ）に示すように、硬化後において高反射率を有
するＰＴＶの硬化型樹脂からなりかつピットを担持した
反射樹脂層１３と透明基板１５とからなる情報記録用光
ディスクが得られる。
本発明の情報記録用光ディスクの製造方法においては、
上記（ＩＶ）式で示すＰＴＶの可溶性前駆体高分子体を
経由する点が重要であり、この前駆体高分子材料をフィ
ルム又はシート状とした後、情報記録面を備えたＰＴＶ
薄膜を得ることができる。 得られた光ディスクの反射
樹脂層１３の特性を調べたその結果は以下の通りである
。第４図に前駆体高分子薄膜及びそれを種々の温度で熱
分解したＰＴＶ薄膜の吸収スペクトルを示す。図中、線
Ａは前駆体高分子薄膜の吸収スペクトルを示し、各線Ｂ
−Ｅはそれぞれの温度で熱処理して得たＰＴＶ薄膜の吸
収スペクトル（Ｂ：１６０℃、Ｃ：２２０℃、Ｄ：２４
０℃、Ｅ ： ３．２０℃）を示す。
上記（ＩＶ）式で示すＰＴＶの可溶性前駆体高分子体を
経由する点が重要であり、この前駆体高分子材料をフィ
ルム又はシート状とした後、情報記録面を備えたＰＴＶ
薄膜を得ることができる。 得られた光ディスクの反射
樹脂層１３の特性を調べたその結果は以下の通りである
。第４図に前駆体高分子薄膜及びそれを種々の温度で熱
分解したＰＴＶ薄膜の吸収スペクトルを示す。図中、線
Ａは前駆体高分子薄膜の吸収スペクトルを示し、各線Ｂ
−Ｅはそれぞれの温度で熱処理して得たＰＴＶ薄膜の吸
収スペクトル（Ｂ：１６０℃、Ｃ：２２０℃、Ｄ：２４
０℃、Ｅ ： ３．２０℃）を示す。
前駆体高分子体は熱分解の進行によりπ共役系が延び新
しいピークが長波長側に出現した。特に、２４０℃で熱
分解したＰＴＶ薄１１１ＣＤ）では５２０ｎｍ付近に大
きな吸収ピークが観察された。
しいピークが長波長側に出現した。特に、２４０℃で熱
分解したＰＴＶ薄１１１ＣＤ）では５２０ｎｍ付近に大
きな吸収ピークが観察された。
このように、ＰＴＶは可溶性前駆体高分子体を経由する
合成法により均質な薄膜を得ることができ、前駆体高分
子体からＰＴＶに変化する過程で、その光学的特性が著
しく変化、すなわち硬化後においてＰＴＶが高反射率を
有する。
合成法により均質な薄膜を得ることができ、前駆体高分
子体からＰＴＶに変化する過程で、その光学的特性が著
しく変化、すなわち硬化後においてＰＴＶが高反射率を
有する。
ＰＴＶの高反射率を調べるために上記製造過程と同様に
、前駆体高分子体からＰＴＶへの化学変化は真空下２６
０℃で１時間加熱処理することでＰＴＶ薄膜の試料を得
た。
、前駆体高分子体からＰＴＶへの化学変化は真空下２６
０℃で１時間加熱処理することでＰＴＶ薄膜の試料を得
た。
第５図は、膜厚が約５００人の試料の加熱前の前駆体高
分子薄膜（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ） （Ａ ）と加熱後
のＰＴＶ薄膜（ＤＩ）との光学的特性の変化を示すグラ
フである。加熱前の薄膜（Ａ）の反射率は約１０％であ
るけれども、加熱後の薄膜（ＤＩ）は可視全域で反射率
の大幅な向上が認められ、特に６４０ｎｍ付近では３５
９６に達する反射率を示した。
分子薄膜（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ） （Ａ ）と加熱後
のＰＴＶ薄膜（ＤＩ）との光学的特性の変化を示すグラ
フである。加熱前の薄膜（Ａ）の反射率は約１０％であ
るけれども、加熱後の薄膜（ＤＩ）は可視全域で反射率
の大幅な向上が認められ、特に６４０ｎｍ付近では３５
９６に達する反射率を示した。
発明の効果
以上のように、本発明による情報記録用光ディスクにお
いては、硬化後に高反射率を有する硬化型樹脂によって
反射層を形成しており、金属反射膜を必要とせず、製造
工程における蒸着又はスパッタリング工程を必要としな
い故に、生産性向上が望めるのである。
いては、硬化後に高反射率を有する硬化型樹脂によって
反射層を形成しており、金属反射膜を必要とせず、製造
工程における蒸着又はスパッタリング工程を必要としな
い故に、生産性向上が望めるのである。
また、本発明によれば、硬化後において高反射率を有す
る硬化型樹脂からなる反射層を形成している故に、金属
反射層を有する光ディスクよりも酸素、水分に対して安
定で、保存性が向上する。
る硬化型樹脂からなる反射層を形成している故に、金属
反射層を有する光ディスクよりも酸素、水分に対して安
定で、保存性が向上する。
また、有機系反射膜は、ＰＭＭＡ、ＰＣ等の基板に対し
て親和性がある故に、反射膜の基板から剥離することが
ない。さらに、有機系反射膜を、塗装法、スピンコード
法により成膜、又は、シート状に形成して型を押圧する
方法により、成膜できる故に、加工性か向上して、光デ
ィスクの高能率の大量生産が可能となる。
て親和性がある故に、反射膜の基板から剥離することが
ない。さらに、有機系反射膜を、塗装法、スピンコード
法により成膜、又は、シート状に形成して型を押圧する
方法により、成膜できる故に、加工性か向上して、光デ
ィスクの高能率の大量生産が可能となる。
第１図は本発明による情報記録用光ディスクの断面図、
第２図は本発明による光デイスク製造方法を示す概略断
面図、第３図は本発明により形成する更なる光デイスク
製造方法を示す概略断面図、第４図は本発明におけるＰ
ＴＶ前駆体高分子薄膜の吸収スペクトルを示すグラフ、
ｉ５図は本発明における加熱により前駆体高分子体から
ＰＴＶへ変化する際のＰＴＶ前駆体高分子薄膜の反射率
の変化を示すグラフ、第６図は従来の光ディスクの製造
方法を示す概略断面図ある。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・スタンパ ２・・・・・・サブストレート ３・・・・・・金属反射膜 ４・・・・・・保護膜 ５・・・・・・光ディスク １０・・・・・・前駆体高分子膜 １１・・・・・・処理液噴射用ノズル １２・・・・・・ヒータ １３・・・・・・ＰＴＶ反射膜 １４・・・・・・サブストレート成形型１５・・・・・
・透明基板 ２１・・・・・・前駆体高分子溶液滴下ノズル２２・・
・・・・ターンテーブル ＆２図
第２図は本発明による光デイスク製造方法を示す概略断
面図、第３図は本発明により形成する更なる光デイスク
製造方法を示す概略断面図、第４図は本発明におけるＰ
ＴＶ前駆体高分子薄膜の吸収スペクトルを示すグラフ、
ｉ５図は本発明における加熱により前駆体高分子体から
ＰＴＶへ変化する際のＰＴＶ前駆体高分子薄膜の反射率
の変化を示すグラフ、第６図は従来の光ディスクの製造
方法を示す概略断面図ある。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・スタンパ ２・・・・・・サブストレート ３・・・・・・金属反射膜 ４・・・・・・保護膜 ５・・・・・・光ディスク １０・・・・・・前駆体高分子膜 １１・・・・・・処理液噴射用ノズル １２・・・・・・ヒータ １３・・・・・・ＰＴＶ反射膜 １４・・・・・・サブストレート成形型１５・・・・・
・透明基板 ２１・・・・・・前駆体高分子溶液滴下ノズル２２・・
・・・・ターンテーブル ＆２図
Claims (3)
- （１）硬化後において高反射率を有する硬化型樹脂から
なり、かつピットを担持した反射樹脂層を有する情報記
録用光ディスク。 - （２）前記硬化型樹脂が単量体から熱成形可能な前駆体
高分子体を経由して硬化することを特徴とする請求項１
記載の光ディスク。 - （３）前記硬化型樹脂がポリ（２、５−チオフェンビニ
レン）であることを特徴とする請求項２記載の光ディス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192452A JPH0242659A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 情報記録用光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192452A JPH0242659A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 情報記録用光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242659A true JPH0242659A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16291538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63192452A Pending JPH0242659A (ja) | 1988-08-01 | 1988-08-01 | 情報記録用光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242659A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02215803A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-28 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 共役系有機ポリマーの製造方法 |
| EP0519771A2 (fr) * | 1991-06-18 | 1992-12-23 | Thomson-Csf | Procédé d'obtention de polymère de type polyparaphénylène vinylène ou de type polyparathiénylène vinylène |
| US5186995A (en) * | 1989-07-06 | 1993-02-16 | Pioneer Electronic Corporation | Optical disk |
| FR2699542A1 (fr) * | 1992-12-21 | 1994-06-24 | Thomson Csf | Procédé d'obtention de polymères conducteurs de type polyarylène vinylène. |
| NL1018424C2 (nl) * | 2001-06-29 | 2003-01-07 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van ten minste één informatiedrager, alsmede een informatiedrager. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172543A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Citizen Watch Co Ltd | 光記録素子 |
| JPH01182092A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-08-01 JP JP63192452A patent/JPH0242659A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172543A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Citizen Watch Co Ltd | 光記録素子 |
| JPH01182092A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-19 | Sumitomo Chem Co Ltd | 光記録媒体 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02215803A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-28 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 共役系有機ポリマーの製造方法 |
| US5186995A (en) * | 1989-07-06 | 1993-02-16 | Pioneer Electronic Corporation | Optical disk |
| EP0519771A2 (fr) * | 1991-06-18 | 1992-12-23 | Thomson-Csf | Procédé d'obtention de polymère de type polyparaphénylène vinylène ou de type polyparathiénylène vinylène |
| FR2677986A1 (fr) * | 1991-06-18 | 1992-12-24 | Thomson Csf | Procede d'obtention de polymeres de type polyparaphenylene vinylene ou de type polyparathienylene vinylene. |
| US5384392A (en) * | 1991-06-18 | 1995-01-24 | Thomson-Csf | Process to produce polyparaphenylene vinylene or polyparathienylene vinylene polymers |
| FR2699542A1 (fr) * | 1992-12-21 | 1994-06-24 | Thomson Csf | Procédé d'obtention de polymères conducteurs de type polyarylène vinylène. |
| NL1018424C2 (nl) * | 2001-06-29 | 2003-01-07 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van ten minste één informatiedrager, alsmede een informatiedrager. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03109418A (ja) | 成形用材料 | |
| van Rijsewijk et al. | Manufacture of LaserVision video discs by a photopolymerization process | |
| JPH0242659A (ja) | 情報記録用光ディスク | |
| JPS60202557A (ja) | 光デイスク用基板の製造方法 | |
| JP2511147B2 (ja) | 光ディスク | |
| JPS62192042A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS63164037A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH11185303A (ja) | 光ディスクの製造方法及びその製造装置 | |
| JPH0643301A (ja) | 光学部品 | |
| JPS62170045A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPH04205827A (ja) | 光ディスク | |
| JPH027245A (ja) | 光情報記録媒体の製造方法、および光情報記録媒体の製造装置 | |
| JPH09198710A (ja) | 光ディスクおよびその製造方法 | |
| JPH09245376A (ja) | 光ディスク | |
| JPS58110220A (ja) | 光デイスク記録媒体用基板の製造方法 | |
| JPH0636346A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH03235233A (ja) | 情報記録媒体用基板の成形用ロール型の製造方法及びそれを用いた情報記録媒体用基板の製造方法 | |
| JPH0816721B2 (ja) | 透過型位相格子又はレンズ及びそれらの製法 | |
| JPH03120638A (ja) | 情報記録ディスクの製造方法 | |
| JPS62169643A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JPS63197612A (ja) | 注型成形用型 | |
| JPH02122444A (ja) | 光情報記録担体の製造方法 | |
| JPS61193837A (ja) | 光デイスク用基板の製造方法 | |
| JPS6372708A (ja) | 光デイスク基板 | |
| JPS63168855A (ja) | 光情報記録媒体 |