JPH0239419A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造方法に関する。特に、全面
に感光性レジストを付したウェハーの周辺部を選択的に
露光する工程に関するものである［従来の技術］ 従来の半導体装置の製造方法は、特公昭６１−７９２２
７の様に感光性レジストを全面に塗布したウェハーの周
辺部６〜５Ｍを直径２〜５附の円形のＵＶ光照射を行な
い選択的に露光していた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来技術では、まず第一に第４図に示し
たように、感光性レジストの断面形状がゆるやかな傾斜
を有してしまうと言う欠点が生ずる。感光性レジストの
断面形状がこのようになる原因は、ＵＶ光の強度分布が
円形の露光部の中心が一番大きく周辺にいく程小さくな
、るという事ともう一つは第３図のＡ及びＢで示したよ
うにウェハーとの接する長さの違いによるものである。

実効的には前記原因がたし算ではなくかげ算で効いてい
るためである。また、断面形状が第４図で示したように
なると、感光性レジストの膜厚が薄い所は、正規の膜厚
の時よりも非常に割れやすい状況にあり、工程中の何ら
かの機械的ショックで破損し欠落し、ダストとなって悪
影響を引きおこす。特に、ウェハーの上に付着した時は
エツチングがされない事によるパターン欠陥を発生させ
たりイオン注入時のマスクとして働き正常なイオン注入
を１狙害したりして歩留りを低下させる原因となるもの
である。

また、スループット的にも良い構造とは言えない、第６
図のＢで示したようにＵＶ光照射の円形の１、＜元部の
中心を用いる所は露光エネルギーは大きい。それはＵＶ
光の強度が中心が一番犬きい所であり、ウェハーとの接
する長さもＢで示したように大きくあるからである。し
かし、実際のスル−ブツトを決定するのは、ＵＶ光の強
度の小さいウェハーとの接する長さも小さい第３図のＡ
で示した所であるからである。これを解決するにはＵＶ
光の光源のパワーアンプ等があるが、非常に高価格な大
設備を必要とする物であり、今度は、価格上昇という競
争力の低下を招いてしまい現実的な物とは言えない。

本発明が解決しようとする間頂点は断面形状の良い、ス
ルーブツトの高い製造方法及び製造装置を提供すること
にある。

［課項を解決するための手段］ 本発明の半導体装置の製造方法は、ウェハーの周辺部の
選択的な露光をウェハーの半径から選択的に露光する長
さを差し引いた長さを半径とする円弧を有する露光部を
用いて露光する事により前述の問題を解決する。

［実施例］ 第１図は本発明の実施例における４インチ（１００ｍｍ
　）ウェハーと露光部の関係図である。第２図は感光性
レジストの断面図。露光部の形状を一辺５＋ａｎの四角
形にしそのうちのウエノ・−中心側の一辺の形状を、ウ
ェハー外周から３ｍｍ選択的に露光するという事で半径
４７ｍｍの円弧にしたものである。

このような形状の露光部にすることによって、ウェハー
の外閏から３間の所のＵＶ光照射される長さは露光部の
中心と同等になった。正確に言えば半径が小さい分実効
の長さは大きくなっているこのことにより従来技術に比
べ感光性レジストの感光は十分に行なわれるようになり
、その断面形状は第２図で示したように傾斜はきつくな
り傾斜の長さも２０μｍ以下まで縮小することができた
。

マタスループットも、ＵＶ光照射の時間が約２５％と短
かくなった分向上した。

［発明の効果］ 以上述べたように発明によれば、ウエノ）−の周辺部を
露光する露光部の形状を選択的に露光したいウェハー外
周からの長さをウェハー半径から差し引いた半径を有す
るものにする事により感光性レジストの断面形状をレジ
ストの破損の危険性の少ない傾斜のきつい物にすること
ができ、このことによって工程中に生じやすかったレジ
ストの破損片によるエツチングされない事によるパター
ン欠陥の発生やイオン注入の阻害等による歩留り低下を
防止できるものである。

また、露光部の形状を変えた事により、感光性レジスト
の露光を露光部全面においてよりむらなく均一に行なう
事が出来るようになったために、露光時間を短かくする
ことができた。この事によりスループットが向上し生産
性は大きくなったわけである。さらには、露光部の形状
を変えない場合で考えれば、よりＵＶ光のパワーアップ
等の装置の高価格化も検討するもなくなり価格は低くで
きるようになったという副次的効果もあった。それと同
時に装置の大きさも小型のままで良くなり、何よりパワ
ーアップする事により生ずるランニングコストの増大も
防止できた事は大きい効果である。

以上のように本発明は、ウェハーの周辺部を選択的に露
光する露光部の形状、特に、ウェハー中心側の形状をウ
ェハー半径から選択的に露光したい長さ差し引いた長さ
の半径を有した円弧状にした事により多くの効果が得ら
れる有効なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の４インチ（１００ｍ＋＋＋）
ウェハーと露光部の関係説明図。 第２図は本発明の実施例の、感光性レジストの断面図。 第６図は従来技術の４インチ（１００ｒｒａｎ　）ウェ
ハーと露光部の関係説明図。 第４図は従来技術の感光性レジストの断面図。 １・・・・・・・・・露光部 ２・・・・・・・・・ウェハー ５・・・・・・・・感光性レジスト ４・・・・・・・露光部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）パターンを形成すべきウェハーの全面に感光性レ
   ジストを付した前記ウェハーの周辺部を選択的に露光す
   る工程において、前記露光をウェハーの半径から選択的
   に露光する長さを差し引いた長さを半径とする円弧を有
   する露光部を用いて露光した事を特徴とする半導体装置
   の製造方法。
2. （２）全面に感光性レジストを付したウェハーの周辺部
   を選択的に露光する工程において、前記露光をウェハー
   の半径から選択的に露光する長さを差し引いた長さを半
   径とする円弧を有する露光部を用いて露光した事を特徴
   とする半導体装置の製造装置。