JPH03183113A - 半導体装置用ウェーハへのナンバリング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔概要］ 半導体装置用ウェーハへのナンバリング方法に関し、 レーザーのパワーを下げることなく、レーザーナンバリ
ング時に発生するパーティクルを低減することを目的と
し、 ウェーハ（１）の表面にフォトレジスト（２）を塗布し
、露光・現像装置により前記ウェーハ（１）の表面の一
部を露出するフォトレジストの除去部（３）を設け、こ
の除去部（３）にレーザーを照射することにより、ナン
バリングを行ない、その後フォトレジスト（２）を除去
するように構成する。

【産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置用ウェーハへのナンバリング方法
に関するものであり、さらに詳しく述べるならば、イオ
ン注入などの処理ロット及び個々のウェーハを識別して
、製造工程の履歴を追跡できるようにし、設備の稼動率
や効率が最大にするように、同種の複数の処理設備への
ウェーハの最適分配するなどのために必要な識別記号（
本願ではナンバーと称する）などの刻印方法に関する。 従来、ウェーハのナンバリング方法としてレーザーによ
りウェーハ表面の周縁部に深さが数μ麿の凹みにより、
数字、文字等を刻印する方法が行なわれていた。 近年デバイスの微細化に伴い、ウェーハ表面に付着する
パーティクルの低減が要求されている。 このため、ウェーハへのナンバリングもパーティクル発
生のひとつの原因として検討する必要がある。すなわち
、ウェーハに照射されたレーザ光がウェーハのＳｉを溶
融、蒸発させることにより発生したＳｔ微粒子がウェー
ハ表面にパーティクルとして付着する。このようにして
付着したパーティクルは溶着したものがほとんどである
ので、物理的な方法による除去が困難である。また、化
学的な除去も考えられるが、Ｓｉ表面に付着したパーテ
ィクルはほとんどが８１から構成されるので、化学的な
方法によっても完全には除去しきれない。 表面にパーティクルが付着してしまうと、微細デバイス
の形成が不能となったり、上層の断線やパターン精度の
劣化などの何らかの不良を招く恐れがあるため、これを
回避する必要がある。 （従来の技術〕 以上のようなパーティクル付着防止対策として従来のナ
ンバリング方法に於いては、レーザーナンバリング装置
のレーザーのパワーを落とすなどしていた。ところが、
パワーの低下によりシリコン片の飛び散りは減少しても
印字深さが浅く、例えば２μ園未満になるので、ナンバ
リングの本来の目的が達成できなくなってしまう。 【発明が解決しようとする課題１ 従って、従来の方法によれば刻印された番号を認識し難
しくなるといった問題が生じており、またパーティクル
発生を防止することができる有効な方法がなかった。 本発明者は、レーザーナンバリング装置の内部に仕切り
板をレーザービームの方向と平行に設け、ナンバリング
をする部分以外のウェーハをシリコン片の飛び散りから
遮蔽することも検討したが、この方法ではナンバリング
装置を改造する必要が生じ、また仕切り板に付着したパ
ーティクルが次第に脱落するようになって、新たな汚染
源になう懸念がある点で好ましくないことが分かった。 　したがって、本発明は、レーザーのパワーを下げるこ
となく、レーザーナンバリング時に発生するパーティク
ルを低減することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 本発明は、以上の課題を解決するための手段としてウェ
ーハの表面にフォトレジストを塗布し、露光・現像装置
により前記ウェーへの表面の一部を露出するフォトレジ
ストの除去部を設け、この除去部にレーザーを照射する
ことにより、ナンバリングを行ない、その後、フォトレ
ジストを除去することを特徴とする半導体装置用ウェー
ハへのナンバリング方法を提供する。

【作用】

本発明では、フォトレジスト２（第２図参照）により、
ナンバリング時に発生するパーティクル４からウェーハ
ｌの表面を保護する。 フォトレジスト２上にはレーザーにより発生したＳｉパ
ーティクルが付着するが、ナンバリング後、薬品処理に
よりレジスト膜を分解することにより、これと共にパー
ティクルも除去され、パーティクルフリーのウェーハ表
面を得ることができる。ここでフォトレジストを使用す
ることによる利点は次のとおりである。 （イ）フォトレジストはスピンコード法で容易に膜に形
成することができ、また通常フォトレジスト膜を除去す
る、アルカリ水溶液などの薬品により容易に除去可能で
あり、またこれらの方法は半導体プロセスの中では比較
的パーティクルの発生が少ない、単に、膜を形成して上
記Ｓｉパーティクルを付着させるだけの機能をもつ物質
は他にもあるが、底膜と除膜の容易性と、それ自身パー
ティクルの発生源にはならないという点からは、フォト
レジストが好ましい。 （ロ）フォトレジストは金属、シリコンなどの半導体装
置の構成材料と比較して軟質であるので、パーティクル
などがフォトレジスト膜上で潜り込み易く、該膜に安定
して捕捉され、容易には該膜から脱落しない、特に、溶
融を経て高温になっているパーティクルは膜面を凹状に
変形させ、その中にパーティクルが安定して捕捉される
。したがって、パーティクルはウェーハの取扱中に脱落
して、ナンバリング装置を汚染したりすることなく、フ
ォトレジスト膜とともに除去できる。 以下、実施例により更に詳しく本発明を説明する。 （実施例１ 第１図（イ）、（ロ）は本発明によるナンバリングする
前のウェーハの説明図である。図中１は半導体装置用ウ
ェーハであり、２はウェーハ表面に塗布されたフォトレ
ジストであり、３は実際にナンバリングを行うため、フ
ォトリソグラフィー工程でレジストが除去されたウェー
ハ表面、すなわち除去部である。第１図に示されるフォ
トレジストの２の塗布および露光・現像によるその除去
までは通常の露光・現像装置で行う。フォトレジスト２
の種類は特に制限がない、その厚みは下記のパーティク
ル捕捉効果があるように適宜窓める必要があるが、一般
には１．０〜３゜０μｍの範囲内である。続いて、レー
ザーナンバリング装置にウェーハ１を移してナンバリン
グを行う、この場合、ナンバリングは刻印の深さが３．
５〜４、ＯＩＬｍの範囲内になるように行うことが好ま
しい、このとき第２図に示すようにナンバー５が刻印さ
れると同時に、多数のパーティクル４がフォトレジスト
２の上に付着する。 最後に、ナンバリングされたウェーハをナンバリング装
置より取り出してフォトレジストを除去すると、第３図
に示すようにナンバー５が刻印されたウェーハｌが得ら
れる。フォトレジスト除去のための薬品としては硫酸系
の水溶液を使用することが好ましい。 第１〜３図に示すようにウェーハの処理を行った。 ６インチウェーハ１に、刻印深さ４．０μｍのの文字を
刻印する処理をレーザ照射して行ない、本発明実施例と
してフォトレジスト（ＰＭＭＡ）２ｆｉｔ−様な厚さ形
成し、硬化させた。 〔発明の効果〕 以上説明した様に本発明によれば、レーザーナンバリン
グ時に発生するパーティクルを容易に除去することが可
能となり、パーティクルフリーのウェーハ表面を獲得す
るという効果を奏し、半導体装置製造プロセスの清浄化
に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法においてフォトレジストの除去部
を形成する工程の説明図であり、同図（イ）はウェーハ
の平面図、同図（ロ）は側面図であり、 第２図はナンバリング工程の説明図であり、第３図はナ
ンバリングされたウェーハの平面図である。 図中　にウェーハ ２：フォトレジスト ３：フォトレジストの除去部 ４：レーザーナンバリングにより発生 し、レジスト表面に付着したパーティクル５：ナンバー 第 図（イ） 第 ｒｌＡ（ロ） 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ウェーハ（１）の表面にフォトレジスト（２）を塗
   布し、露光・現像装置により前記ウェーハ（１）の表面
   の一部を露出するフォトレジストの除去部（３）を設け
   、この除去部（３）にレーザーを照射することによりナ
   ンバリングを行ない、その後フォトレジスト（２）を除
   去することを特徴とする半導体装置用ウェーハへのナン
   バリング方法。