JPH0238921Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0238921Y2 JPH0238921Y2 JP9157584U JP9157584U JPH0238921Y2 JP H0238921 Y2 JPH0238921 Y2 JP H0238921Y2 JP 9157584 U JP9157584 U JP 9157584U JP 9157584 U JP9157584 U JP 9157584U JP H0238921 Y2 JPH0238921 Y2 JP H0238921Y2
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- Japan
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- substrate
- mask
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- pattern
- evaporation
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- Expired
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は基板上に多層に薄膜のパターンを形成
する多層膜形成装置に関する。
する多層膜形成装置に関する。
従来、シリコンその他の基板上に例えば２層に
パターンを形成する場合、まず基板上に蒸着膜を
形成したのちフオトレジストを塗布し、これを露
光したあとエツチングと洗浄を行なつて第１層目
の形成を終え、次に第２層目の蒸着とエツチング
する工程が続き、わずか２層を形成するにも多数
の工程が必要で製作性が悪い不都合がある。特に
研究用に半導体を少数試作する場合でもこの工程
は同様であるのでフオトレジスト塗布装置、エツ
チング装置などの設備が必要となり、経済的でな
い。
パターンを形成する場合、まず基板上に蒸着膜を
形成したのちフオトレジストを塗布し、これを露
光したあとエツチングと洗浄を行なつて第１層目
の形成を終え、次に第２層目の蒸着とエツチング
する工程が続き、わずか２層を形成するにも多数
の工程が必要で製作性が悪い不都合がある。特に
研究用に半導体を少数試作する場合でもこの工程
は同様であるのでフオトレジスト塗布装置、エツ
チング装置などの設備が必要となり、経済的でな
い。
本考案は少ない工程で多層膜を形成出来る安価
な装置を提供することを目的としたもので、真空
槽１内に基板２と対向して蒸発源３を設け、該基
板２の表面にパターンを形成する式のものに於い
て、該真空槽１内に複数個の蒸発源３を用意し、
該基板２の前方へ進出自在にマスク４を挿着した
複数個の透孔５を備えたマスクホルダ６を設け、
該基板２のマスクホルダ６を介しての反対側にマ
スク４を基板２に当接させるマスク昇降部材７を
設けて成る。その１例は図示の如くであり、真空
槽１の上方に基板ホルダ１６を設けて、これに基
板２を固定し、その下方に夫々別種の蒸発材料を
収めた例えば２基の蒸発源３ａ，３ｂが配置され
る。該基板２は基板ホルダ１６の上方のヒータ８
と蒸発源３，３の側方の赤外線ランプ９，９によ
り加熱され、蒸発物質の基板２に対する付着性が
向上するようにした。１０は旋回アームでその先
端に略扇形のマスクホルダ６を取付け、該アーム
１０を一定各旋回させると順次各透孔５が基板２
の前方へ進出する。マスク昇降部材７は蒸発物質
を流通させる開口１１を備えその周囲にマスクホ
ルダ６の透孔５内に進入可能なピン１２を複数本
植設して構成され、ロツド１３が上昇すると該ピ
ン１２が透孔５に装着されたマスク４を持ち上げ
て基板２の前面に当接させる。１４は基板ホルダ
１６に形成した凹入孔１５と嵌合してマスク４の
取付位置を定める位置決めピンである。
な装置を提供することを目的としたもので、真空
槽１内に基板２と対向して蒸発源３を設け、該基
板２の表面にパターンを形成する式のものに於い
て、該真空槽１内に複数個の蒸発源３を用意し、
該基板２の前方へ進出自在にマスク４を挿着した
複数個の透孔５を備えたマスクホルダ６を設け、
該基板２のマスクホルダ６を介しての反対側にマ
スク４を基板２に当接させるマスク昇降部材７を
設けて成る。その１例は図示の如くであり、真空
槽１の上方に基板ホルダ１６を設けて、これに基
板２を固定し、その下方に夫々別種の蒸発材料を
収めた例えば２基の蒸発源３ａ，３ｂが配置され
る。該基板２は基板ホルダ１６の上方のヒータ８
と蒸発源３，３の側方の赤外線ランプ９，９によ
り加熱され、蒸発物質の基板２に対する付着性が
向上するようにした。１０は旋回アームでその先
端に略扇形のマスクホルダ６を取付け、該アーム
１０を一定各旋回させると順次各透孔５が基板２
の前方へ進出する。マスク昇降部材７は蒸発物質
を流通させる開口１１を備えその周囲にマスクホ
ルダ６の透孔５内に進入可能なピン１２を複数本
植設して構成され、ロツド１３が上昇すると該ピ
ン１２が透孔５に装着されたマスク４を持ち上げ
て基板２の前面に当接させる。１４は基板ホルダ
１６に形成した凹入孔１５と嵌合してマスク４の
取付位置を定める位置決めピンである。
その作動を説明するに、マスクホルダ６の各透
孔５に所望のパターンを形成したマスク４を夫々
挿着し、第２図示のようにマスクホルダ６を設定
する。次いでマスク昇降部材７を上昇させるとマ
スク４ａがマスクホルダ６から持ち上げられ、第
４図示の如く基板２の前面に当接する。
孔５に所望のパターンを形成したマスク４を夫々
挿着し、第２図示のようにマスクホルダ６を設定
する。次いでマスク昇降部材７を上昇させるとマ
スク４ａがマスクホルダ６から持ち上げられ、第
４図示の如く基板２の前面に当接する。
この状態で蒸発源３ａを作動させると該マスク
４ａに形成したパターンと同形のパターンの蒸発
物質の薄膜が形成される。その形成が終ると蒸発
源３ａの停止等により基板２への蒸着を止め昇降
部材７を下降させてマスク４ａを透孔５内に戻
し、次のマスク４ｂが基板２の前方に進出するよ
うにマスクホルダ６を旋回させる。前と同様に昇
降部材７を上昇させるとマスク４ｂは基板２に当
接し、次の蒸発源３ｂを作動させる。これによつ
て基板２の表面には先に形成されたパターンに重
ねて次のパターンを形成することが出来る。蒸発
源３ｂを止めマスク４ｂを戻し、第３のマスク４
ｃを基板２の前方に同様の手段で当接させ、前の
蒸発源３ａを作動すると基板２上に第３層目のパ
ターンを形成することが出来る。蒸発源３ａがア
ルミその他の導電性物質を蒸発させ、蒸発源３ｂ
がガラスその他の絶縁性物質を蒸発させれば蒸気
の場合基板２上に導電層、絶縁層、導電層が重な
つたパターンを形成することが出来る。
４ａに形成したパターンと同形のパターンの蒸発
物質の薄膜が形成される。その形成が終ると蒸発
源３ａの停止等により基板２への蒸着を止め昇降
部材７を下降させてマスク４ａを透孔５内に戻
し、次のマスク４ｂが基板２の前方に進出するよ
うにマスクホルダ６を旋回させる。前と同様に昇
降部材７を上昇させるとマスク４ｂは基板２に当
接し、次の蒸発源３ｂを作動させる。これによつ
て基板２の表面には先に形成されたパターンに重
ねて次のパターンを形成することが出来る。蒸発
源３ｂを止めマスク４ｂを戻し、第３のマスク４
ｃを基板２の前方に同様の手段で当接させ、前の
蒸発源３ａを作動すると基板２上に第３層目のパ
ターンを形成することが出来る。蒸発源３ａがア
ルミその他の導電性物質を蒸発させ、蒸発源３ｂ
がガラスその他の絶縁性物質を蒸発させれば蒸気
の場合基板２上に導電層、絶縁層、導電層が重な
つたパターンを形成することが出来る。
このように本考案によるときは複数個の蒸発源
３を備えた真空槽１内の基板２の前方に進出自在
に複数個のマスク４を装着したマスクホルダ６を
設け、マスク昇降部材７により該マスク４を基板
２に当接させるようにしたので、真空槽１内で基
板２上に多数に薄膜のパターンを形成することが
出来、その形成にはフオトレジスト塗布装置など
の特別の機器が不要で簡単安価となり、研究用等
の少数の半導体を製作するに便利である等の効果
がある。
３を備えた真空槽１内の基板２の前方に進出自在
に複数個のマスク４を装着したマスクホルダ６を
設け、マスク昇降部材７により該マスク４を基板
２に当接させるようにしたので、真空槽１内で基
板２上に多数に薄膜のパターンを形成することが
出来、その形成にはフオトレジスト塗布装置など
の特別の機器が不要で簡単安価となり、研究用等
の少数の半導体を製作するに便利である等の効果
がある。
第１図は本考案の実施例の截断側面図、第２図
はその−線部分の拡大図、第３図は第２図の
−線部分の断面図第４図は要部の拡大断面図
である。 １……真空槽、２……基板、３……蒸発源、４
……マスク、５……透孔、６……マスクホルダ、
７……マスク昇降部材。
はその−線部分の拡大図、第３図は第２図の
−線部分の断面図第４図は要部の拡大断面図
である。 １……真空槽、２……基板、３……蒸発源、４
……マスク、５……透孔、６……マスクホルダ、
７……マスク昇降部材。
Claims (1)
- 真空槽１内に基板２と対向して蒸発源３を設
け、該基板２の表面にパターン形成用のマスク４
を施してその表面に蒸発物質のパターンを形成す
る式のものに於いて、該真空槽１内に複数個の蒸
発源３を用意し、該基板２の前方へ進出自在にマ
スク４を挿着した複数個の透孔５を有するマスク
ホルダ６を設け、該基板２のマスクホルダ６を介
しての対向側に該マスク４を基板２に当接させる
マスク昇降部材７を設けて成る多層膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9157584U JPS617566U (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 多層膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9157584U JPS617566U (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 多層膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617566U JPS617566U (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0238921Y2 true JPH0238921Y2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=30647585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9157584U Granted JPS617566U (ja) | 1984-06-21 | 1984-06-21 | 多層膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617566U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0541806Y2 (ja) * | 1989-08-26 | 1993-10-21 |
-
1984
- 1984-06-21 JP JP9157584U patent/JPS617566U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS617566U (ja) | 1986-01-17 |
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