JPH0199215A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0199215A JPH0199215A JP25761487A JP25761487A JPH0199215A JP H0199215 A JPH0199215 A JP H0199215A JP 25761487 A JP25761487 A JP 25761487A JP 25761487 A JP25761487 A JP 25761487A JP H0199215 A JPH0199215 A JP H0199215A
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- sheet
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- semiconductor substrate
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
配線形成用のアルミニウム系配線層を半導体基板上に形
成させるための方法に関し、 凹凸を有する半導体基板の上面に均一厚さの配線層を形
成させることを目的とし、 不活性ガスの雰囲気中で３００〜６００℃に加熱した半
導体基板の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金に
てなるシートを重ね、該シートで仕切り該半導体基板を
収容した雰囲気より１〜１０Ｋｇ／ｃ４高圧の不活性ガ
スを使用して該半導体基板に該シートを押圧せしめ構成
する。
成させるための方法に関し、 凹凸を有する半導体基板の上面に均一厚さの配線層を形
成させることを目的とし、 不活性ガスの雰囲気中で３００〜６００℃に加熱した半
導体基板の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金に
てなるシートを重ね、該シートで仕切り該半導体基板を
収容した雰囲気より１〜１０Ｋｇ／ｃ４高圧の不活性ガ
スを使用して該半導体基板に該シートを押圧せしめ構成
する。
本発明は半導体装置の製造におけるアルミニウム系配線
層の形成方法、特に、選択的にパターン形成された絶縁
層等による凹凸を有する半導体基板上に、均一厚さのア
ルミニウム系配線層を形成させるための新規方法に関す
る。
層の形成方法、特に、選択的にパターン形成された絶縁
層等による凹凸を有する半導体基板上に、均一厚さのア
ルミニウム系配線層を形成させるための新規方法に関す
る。
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の配線は、一般にアルミニ
ウム＜Ａｌ＞系金属が用いられ、厚さ１μｍ程度の該配
線を形成する従来のＡｌ系配線層は、一般に真空蒸着法
、スパッタリング法等が利用されている。しかし、粒子
のフラックスが直進するこれらの方法にて絶縁層の上に
形成された該配線層は、絶縁層に形成したコンタクトホ
ール等の段差部で低面および側面、特に低面と側面との
コーナに対応して薄くなってカバレッジが悪く、許容電
流値が低減するおよび断線原因となる等の欠点があった
。
ウム＜Ａｌ＞系金属が用いられ、厚さ１μｍ程度の該配
線を形成する従来のＡｌ系配線層は、一般に真空蒸着法
、スパッタリング法等が利用されている。しかし、粒子
のフラックスが直進するこれらの方法にて絶縁層の上に
形成された該配線層は、絶縁層に形成したコンタクトホ
ール等の段差部で低面および側面、特に低面と側面との
コーナに対応して薄くなってカバレッジが悪く、許容電
流値が低減するおよび断線原因となる等の欠点があった
。
第３図は絶縁層をパターン形成した半導体基板上にＡ／
２系金属の配線層を形成した断面図であり、所望のパタ
ーンに絶縁層２を形成した半導体基板１の上に、マグネ
トロンスパッタリング装置等を使用してＡｌ系金属の配
線層３を形成してなる。
２系金属の配線層を形成した断面図であり、所望のパタ
ーンに絶縁層２を形成した半導体基板１の上に、マグネ
トロンスパッタリング装置等を使用してＡｌ系金属の配
線層３を形成してなる。
絶縁層２は配′！ａ層３の形成に先立って段差、例えば
コンタクトホール４が形成されており、最も一般的なス
パッタで形成された配線層３は、図示する如くコンタク
トホール４の上方に著しいオーババングが発生し、コン
タクトホール４の底面および側面で薄くなる。
コンタクトホール４が形成されており、最も一般的なス
パッタで形成された配線層３は、図示する如くコンタク
トホール４の上方に著しいオーババングが発生し、コン
タクトホール４の底面および側面で薄くなる。
そこで、従来は段差部におけるカバレンジを改善するた
め、オーババングを抑制するバイアススパッタリングや
、高温でのりフロー（ｒｅ−ｆｉｏｗ）を利用した高温
スパッタリング等が提案され実施されていた。
め、オーババングを抑制するバイアススパッタリングや
、高温でのりフロー（ｒｅ−ｆｉｏｗ）を利用した高温
スパッタリング等が提案され実施されていた。
しかしながら、半導体基板に負電圧または交流電圧を印
加しオーバハングの生成を抑制するバイアススパッタリ
ング法は、配線層の形成に要する時間が長引（ようにな
ると共に、半導体基板の温度上昇によって配線層の組織
の微細化および均一化が損なわれ、配線層の厚さが不均
一になるという問題点があり、高温スペックリング法で
は真空中で半導体基板を高温に加熱するため、技術的な
困難さを伴い信頼性が確保され難いという問題点があっ
た。
加しオーバハングの生成を抑制するバイアススパッタリ
ング法は、配線層の形成に要する時間が長引（ようにな
ると共に、半導体基板の温度上昇によって配線層の組織
の微細化および均一化が損なわれ、配線層の厚さが不均
一になるという問題点があり、高温スペックリング法で
は真空中で半導体基板を高温に加熱するため、技術的な
困難さを伴い信頼性が確保され難いという問題点があっ
た。
上記問題点の除去を目的とした本発明方法は、第１図に
よれば、アルゴンガス等の不活性雰囲気中で３００〜６
００℃に加熱した半導体基板１の上にアルミニウムまた
はアルミニウム合金にてなるシート１５を重ね、シート
１５で仕切り半導体基板１を収容したＢ室（雰囲気）よ
り１〜１０Ｋｇ／ｃｎＴ高圧の不活性ガスをＡ室に供給
して半導体基板１にシート１５を押圧し接着させること
を特徴とする半導体装置の製造方法である。
よれば、アルゴンガス等の不活性雰囲気中で３００〜６
００℃に加熱した半導体基板１の上にアルミニウムまた
はアルミニウム合金にてなるシート１５を重ね、シート
１５で仕切り半導体基板１を収容したＢ室（雰囲気）よ
り１〜１０Ｋｇ／ｃｎＴ高圧の不活性ガスをＡ室に供給
して半導体基板１にシート１５を押圧し接着させること
を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明は３００〜６００℃に加熱したＡｌ系金属に内部
流動性が生じ、加熱した該Ａｊ２系金属の薄いシートを
半導体基板に１〜２分程度押圧させると該基板に接着す
ることを利用したものであり、その結果、半導体基板の
凹凸に沿って均一厚さの配線層が得られ、微細、高密度
な配線の形成に寄与する。
流動性が生じ、加熱した該Ａｊ２系金属の薄いシートを
半導体基板に１〜２分程度押圧させると該基板に接着す
ることを利用したものであり、その結果、半導体基板の
凹凸に沿って均一厚さの配線層が得られ、微細、高密度
な配線の形成に寄与する。
以下に、図面を用いて本発明方法の実施例を説明する。
第１図は本発明方法の実施例による配線層被着装置の概
略を模式的に示す側面図、第２図は該装置を使用し半導
体装置基板に金属シートを被着させた状態を示す側面図
である。
略を模式的に示す側面図、第２図は該装置を使用し半導
体装置基板に金属シートを被着させた状態を示す側面図
である。
第１図において、配線層被着装置１１は挿抜可能なステ
ージ１３とシートホルダ１４を気密容器１２に収容し、
ホルダ１４およびホルダ１４に張設された配線層形成用
の金属シート１５は、気密容器１２をＡ室とＢ室に仕切
るようになる。気密容器１２は、Ａ室およびＢ室にそれ
ぞれ連通ずる排気バルブ１６と１７゜アルゴン等の不活
性ガスを注入する給気バルブ１８と１９．圧力計２０と
２１を具え、絶縁層２がパターン形成された半導体基板
１を支持するステージ１３は、基板ｌを３００〜６００
℃に加熱するヒータ２２を収容してなる。
ージ１３とシートホルダ１４を気密容器１２に収容し、
ホルダ１４およびホルダ１４に張設された配線層形成用
の金属シート１５は、気密容器１２をＡ室とＢ室に仕切
るようになる。気密容器１２は、Ａ室およびＢ室にそれ
ぞれ連通ずる排気バルブ１６と１７゜アルゴン等の不活
性ガスを注入する給気バルブ１８と１９．圧力計２０と
２１を具え、絶縁層２がパターン形成された半導体基板
１を支持するステージ１３は、基板ｌを３００〜６００
℃に加熱するヒータ２２を収容してなる。
配線層被着装置１１の利用例は、半導体基板１を搭載し
たステージ１３と、Ａｌ系金属にてなるシート１５を張
設したホルダ１４とを気密容器１２に収容し、気密容器
１２のＡ室とＢ室を１０− ” Ｔ ｏｒｒ程度の高真
空にしたのち、ヒータ２２に通電して半導体基板１を３
００〜６００℃に加熱し、次いでＡ室にアルゴンガスを
注入して１〜１０ｋｇ／ｃｏｔにすると、Ａ室とＢ室と
の圧力差によって１〜２分程度押圧されたシート１５は
、第２図に示すように半導体基板１の凹凸に沿って接着
されるようになる。
たステージ１３と、Ａｌ系金属にてなるシート１５を張
設したホルダ１４とを気密容器１２に収容し、気密容器
１２のＡ室とＢ室を１０− ” Ｔ ｏｒｒ程度の高真
空にしたのち、ヒータ２２に通電して半導体基板１を３
００〜６００℃に加熱し、次いでＡ室にアルゴンガスを
注入して１〜１０ｋｇ／ｃｏｔにすると、Ａ室とＢ室と
の圧力差によって１〜２分程度押圧されたシート１５は
、第２図に示すように半導体基板１の凹凸に沿って接着
されるようになる。
かかる装置１１の操作によって、加熱された半導体基板
１に押圧さたシート１５は、半導体基板１とほぼ同一温
度に加熱されて流動性が生じ、該流動性は前記圧力１差
による押圧力で強勢されるようになる。その結果、シー
ト１５は半導体基板１の上面の凹凸に沿って接着される
。
１に押圧さたシート１５は、半導体基板１とほぼ同一温
度に加熱されて流動性が生じ、該流動性は前記圧力１差
による押圧力で強勢されるようになる。その結果、シー
ト１５は半導体基板１の上面の凹凸に沿って接着される
。
そこで、気密容器１２のＡ室とＢ室を大気圧に戻してス
テージ１３とシートホルダ１４を気密容器１２から取り
出し、半導体基板１からはみだすシート１５の不要部分
１５ａを除去すると、均一厚さの配線層が得られる。
テージ１３とシートホルダ１４を気密容器１２から取り
出し、半導体基板１からはみだすシート１５の不要部分
１５ａを除去すると、均一厚さの配線層が得られる。
前記実施例において絶縁パターン２２の形成された半導
体基板１は、シート１５を被着するに先立って例えば厚
さ数百人程度のＡＪ薄膜を上面に形成し、その後に装置
１１を使用してシート１５を被着すれば、シート１５の
接着強度が著しく強くなることを付記する。
体基板１は、シート１５を被着するに先立って例えば厚
さ数百人程度のＡＪ薄膜を上面に形成し、その後に装置
１１を使用してシート１５を被着すれば、シート１５の
接着強度が著しく強くなることを付記する。
以上説明したように本発明によれば、基板の凹凸に沿っ
て厚さの均一な配線層が形成可能となり、従来方法にお
けるカバレンジを改善して（オーバハングをなくシ）均
一厚さの配線層を実現し、微細かつ高密度な配線の形成
に寄与した効果がある。
て厚さの均一な配線層が形成可能となり、従来方法にお
けるカバレンジを改善して（オーバハングをなくシ）均
一厚さの配線層を実現し、微細かつ高密度な配線の形成
に寄与した効果がある。
第１図は本発明方法の実施例による配線層被着装置の概
略を模式的に示す側面図、 第２図は第１図の装置を使用し半導体装置基板に配線シ
ートを被着させた側面図、 第３図は半導体基板上に従来方法でＡＡ系配線層を形成
した断面図、 である。 図中において、 １は半導体基板、 ２は絶縁層、 ３は配線層、 １１は配線層被着装置、 １２は気密容器、 １５は金属シート、 を示す。 代理人 弁理士 井 桁 貞 −Ｘ 二 で
略を模式的に示す側面図、 第２図は第１図の装置を使用し半導体装置基板に配線シ
ートを被着させた側面図、 第３図は半導体基板上に従来方法でＡＡ系配線層を形成
した断面図、 である。 図中において、 １は半導体基板、 ２は絶縁層、 ３は配線層、 １１は配線層被着装置、 １２は気密容器、 １５は金属シート、 を示す。 代理人 弁理士 井 桁 貞 −Ｘ 二 で
Claims (1)
- 不活性ガスの雰囲気中で３００〜６００℃に加熱した
半導体基板（１）の上にアルミニウムまたはアルミニウ
ム合金にてなるシート（１５）を重ね、該シート（１５
）で仕切り該半導体基板（１）を収容した雰囲気より１
〜１０Ｋｇ／ｃｍｌ高圧の不活性ガスを使用して該半導
体基板（１）に該シート（１５）を押圧せしめることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25761487A JPH0199215A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25761487A JPH0199215A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199215A true JPH0199215A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17308709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25761487A Pending JPH0199215A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0199215A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4228218A1 (de) * | 1992-08-25 | 1994-03-10 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Planarisierung einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat |
| JP2002368082A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-20 | Fujikura Ltd | 微細空間への金属充填方法および装置 |
| JP2007074003A (ja) * | 2006-12-18 | 2007-03-22 | Foi:Kk | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP25761487A patent/JPH0199215A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4228218A1 (de) * | 1992-08-25 | 1994-03-10 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Planarisierung einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat |
| DE4228218C2 (de) * | 1992-08-25 | 1998-12-10 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Planarisierung einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat |
| JP2002368082A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-20 | Fujikura Ltd | 微細空間への金属充填方法および装置 |
| JP2007074003A (ja) * | 2006-12-18 | 2007-03-22 | Foi:Kk | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
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