JPS61295291A - セラミツク基板の表面を平坦にする方法 - Google Patents
セラミツク基板の表面を平坦にする方法Info
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- JPS61295291A JPS61295291A JP61108760A JP10876086A JPS61295291A JP S61295291 A JPS61295291 A JP S61295291A JP 61108760 A JP61108760 A JP 61108760A JP 10876086 A JP10876086 A JP 10876086A JP S61295291 A JPS61295291 A JP S61295291A
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- silicon
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4572—Partial coating or impregnation of the surface of the substrate
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
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- Structural Engineering (AREA)
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- Ceramic Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明はセラミック基板の表面を平坦にする方法、具体
的にはセラミック基板の表面上に窒化ケイ素を蒸着する
方法に関する。
的にはセラミック基板の表面上に窒化ケイ素を蒸着する
方法に関する。
Ｂ、開示の概要
本発明は窒化ケイ素層を付着する事によって、セラミッ
クの基板の表面を平坦もしくは滑らかにする方法を与え
る。
クの基板の表面を平坦もしくは滑らかにする方法を与え
る。
窒化ケイ素は表面を平坦にする以外にアルファ粒子に対
する障壁を形成する。本発明の方法に従う窒化ケイ素に
よる平坦化に適した基板はケイ素結合相と結合する焼結
酸化物粒子である。ケイ素結合相のケイ素含有量は酸化
物粒子の凝集体のケイ素の含有量よりも高い。窒化ケイ
素はプラズマ増強化学蒸着により付着する事が好ましく
、ケイ素結合相はガラスである事が好ましい。
する障壁を形成する。本発明の方法に従う窒化ケイ素に
よる平坦化に適した基板はケイ素結合相と結合する焼結
酸化物粒子である。ケイ素結合相のケイ素含有量は酸化
物粒子の凝集体のケイ素の含有量よりも高い。窒化ケイ
素はプラズマ増強化学蒸着により付着する事が好ましく
、ケイ素結合相はガラスである事が好ましい。
Ｃ０従来技術
従来窒化ケイ素を半導体基板及び接続冶金層上に付着し
て、原形と形状が一致する（相似な）絶縁層が形成され
ている。例えば、米国特許第４４２３５４７号は相互接
続冶金層に窒化ケイ素の薄膜の層をプラズマ・スプレィ
して集積回路のための高密度多重レベル冶金層を与える
方法を開示している。この特許の方法は窒化ケイ素の表
面安定化層を形成する方法である。この方法室イヒケイ
素中に貫通孔をエツチングによってあけ、次にボリイミ
ドの厚い層を付着している。この付着過程は相似な窒化
ケイ素層は形成するが基板を平坦にする事は出来ていな
い。
て、原形と形状が一致する（相似な）絶縁層が形成され
ている。例えば、米国特許第４４２３５４７号は相互接
続冶金層に窒化ケイ素の薄膜の層をプラズマ・スプレィ
して集積回路のための高密度多重レベル冶金層を与える
方法を開示している。この特許の方法は窒化ケイ素の表
面安定化層を形成する方法である。この方法室イヒケイ
素中に貫通孔をエツチングによってあけ、次にボリイミ
ドの厚い層を付着している。この付着過程は相似な窒化
ケイ素層は形成するが基板を平坦にする事は出来ていな
い。
セラミック基板の表面の平坦化は研摩、ラッピング及び
ポリッシング（鏡面仕上げ）？：含む機械的方法でも行
われている。これ等の方法は時間がかかり、高価になり
、さらに基板の選択領域上に行う事は出来ない。
ポリッシング（鏡面仕上げ）？：含む機械的方法でも行
われている。これ等の方法は時間がかかり、高価になり
、さらに基板の選択領域上に行う事は出来ない。
平坦な表面を形成するのに使用される上ぐすりかげは上
述の機械方法と同様に全平面を平坦にするのに適してい
る。上ぐすりかけに使用されるガラスは融点が低く、カ
ルシウム、ナトリウム及びカリウムの様な融点を下げる
元素を含んでいる。
述の機械方法と同様に全平面を平坦にするのに適してい
る。上ぐすりかけに使用されるガラスは融点が低く、カ
ルシウム、ナトリウム及びカリウムの様な融点を下げる
元素を含んでいる。
ガラスは又鉛、ウラニウム及びトリウムの様な不純物も
含んでいる。ウラニウム及びトリウムはα粒子を放射す
るので、上ぐすり材料は又α粒子でもある。さらにこの
上ぐすりは長い波長でうねった表面を形成する傾向があ
るので、上ぐすりの端は表面張力によって丸（なる傾向
がある。従って、上ぐすりによって平坦に出来る領域は
限られている。上ぐすりの他の欠点は上ぐすりかけに使
用するガラスがもろいために、上ぐすりかげした表面が
製造時に遭遇する応力によって小さなひび割れが伝搬す
る点にある。さらに、上ぐすりかけ段階はその後止ぐす
りを選択的に除去するのに本来適していない。その上、
上ぐすりがけの方法は制御が困難であり、厚さが極端に
厚く、２．５４Ｘ１０ ｃｍ程度になる。
含んでいる。ウラニウム及びトリウムはα粒子を放射す
るので、上ぐすり材料は又α粒子でもある。さらにこの
上ぐすりは長い波長でうねった表面を形成する傾向があ
るので、上ぐすりの端は表面張力によって丸（なる傾向
がある。従って、上ぐすりによって平坦に出来る領域は
限られている。上ぐすりの他の欠点は上ぐすりかけに使
用するガラスがもろいために、上ぐすりかげした表面が
製造時に遭遇する応力によって小さなひび割れが伝搬す
る点にある。さらに、上ぐすりかけ段階はその後止ぐす
りを選択的に除去するのに本来適していない。その上、
上ぐすりがけの方法は制御が困難であり、厚さが極端に
厚く、２．５４Ｘ１０ ｃｍ程度になる。
Ｄ０発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は窒化ケイ素でセラミックの表面を平坦に
する方法を与える事にある。
する方法を与える事にある。
本発明に従えば金属付着の前にセラミック基板の表面を
平坦にする方法が与えられる。
平坦にする方法が与えられる。
本発明に従えば、アルファ粒子障壁が形成される。
本発明に従えばセラミック表面を選択的に平坦に出来る
方法が与えられる。
方法が与えられる。
本発明に従えば、後の金属の付着のためにセラミック表
面を平坦にする方法が与えられる。
面を平坦にする方法が与えられる。
本発明に従えば、セラミック基板のアルファ線放射粒子
より成るガラス相上に優先的に付着するアルファ粒子障
壁を与える方法が与えられる。
より成るガラス相上に優先的に付着するアルファ粒子障
壁を与える方法が与えられる。
Ｅ０問題点を解決するための手段
本発明の目的はセラミックの基板上に窒化ケイ素を化学
的に蒸着する事によって達成される。付着はプラズマ増
強化学蒸着による事が好ましい。
的に蒸着する事によって達成される。付着はプラズマ増
強化学蒸着による事が好ましい。
窒化ケイ素のプラズマ増強化学蒸着がケイ素を含む結合
相で結合した酸化物より成るセラミック半導体基板を平
坦にするのに使用される。基板に使用する代表的な酸化
物は酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、酸化ジルコニ
ウム及び酸化マンガン、並びにかんらん石（Ｍｇ ２ｓ
ｉ０４） 、 ムル石（Ａｎ６Ｓｔ２００１３）、菫青
石（Ｍｆｌ ４ Ｍ ｇ ２ Ｓ ｉ ５０１ Ｂ ）
及び尖晶石（Ｍｇ Ａｌ２Ｏ２）及びこれ等の混合物の
如き金属ケイ素酸化物である。窒化ケイ素が結合層上に
優先的に付着するのを保証するために、結合相は約７０
重量係乃至９５重量係の酸化ケイ素を含む事が好ましく
、すべての場合に結合相のケイ素の含有量は酸化物粒子
の凝集体のケイ素の含有量よりも高い事が好ましい。ケ
イ素を含む結合相はガラスでよい。
相で結合した酸化物より成るセラミック半導体基板を平
坦にするのに使用される。基板に使用する代表的な酸化
物は酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、酸化ジルコニ
ウム及び酸化マンガン、並びにかんらん石（Ｍｇ ２ｓ
ｉ０４） 、 ムル石（Ａｎ６Ｓｔ２００１３）、菫青
石（Ｍｆｌ ４ Ｍ ｇ ２ Ｓ ｉ ５０１ Ｂ ）
及び尖晶石（Ｍｇ Ａｌ２Ｏ２）及びこれ等の混合物の
如き金属ケイ素酸化物である。窒化ケイ素が結合層上に
優先的に付着するのを保証するために、結合相は約７０
重量係乃至９５重量係の酸化ケイ素を含む事が好ましく
、すべての場合に結合相のケイ素の含有量は酸化物粒子
の凝集体のケイ素の含有量よりも高い事が好ましい。ケ
イ素を含む結合相はガラスでよい。
Ｆ、実施例
第２図は本発明の一実施例の概略図で、ケイ素を含むガ
ラスで結合した酸化物粒子より成るセラミック基板２を
示している。成る酸化物、例えば酸化アルミニウムはα
粒子を放射するウランの様な不純物を含む事があるので
、α粒子放射汚染物をあまり含まない酸化物を使用する
事が好ましい。
ラスで結合した酸化物粒子より成るセラミック基板２を
示している。成る酸化物、例えば酸化アルミニウムはα
粒子を放射するウランの様な不純物を含む事があるので
、α粒子放射汚染物をあまり含まない酸化物を使用する
事が好ましい。
基板２を通って開孔４が与えられる。Ｉ１０ピン６が開
孔４を通っている。窒化ケイ素８はＩ１０ピン６を通す
前に、基板２０表面１０上に付着される。リソグラフィ
技術を使用して冶金構造体１２が窒化ケイ素８上に付着
されζ Ｉ１０ピン６と接続される。
孔４を通っている。窒化ケイ素８はＩ１０ピン６を通す
前に、基板２０表面１０上に付着される。リソグラフィ
技術を使用して冶金構造体１２が窒化ケイ素８上に付着
されζ Ｉ１０ピン６と接続される。
第１図はセラミック基板２０の構造の詳細を示した図で
ある。セラミック基板２０はガラス相２４によって結合
した酸化物の粒子２２より成る。
ある。セラミック基板２０はガラス相２４によって結合
した酸化物の粒子２２より成る。
ガラス相２４は酸化物粒子２２の接触部２６に存在する
事が好ましい。表面の接触部２８はセラミック基板２０
０表面３０上の低部をなしている。
事が好ましい。表面の接触部２８はセラミック基板２０
０表面３０上の低部をなしている。
ケイ素を含むガラスはしばしば鉛、ウラン及びトリウム
の様な不純物を含むが、ウラン及びトリウムはα粒子放
射物質である。従って表面の接触部２８は主なα粒子源
である。表面の接触部２８は酸化物粒子２２の比較的広
い露出表面と関連する。
の様な不純物を含むが、ウラン及びトリウムはα粒子放
射物質である。従って表面の接触部２８は主なα粒子源
である。表面の接触部２８は酸化物粒子２２の比較的広
い露出表面と関連する。
従って酸化物粒子がα粒子を含む場合には表面の接触部
２８は追加のα粒子源を含む事になる。窒化ケイ素３２
がセラミック基板２０上に付着される時は、窒化ケイ素
は表面の接触部２８に存在するケイ素を含むガラス相上
に優先的に付着する。
２８は追加のα粒子源を含む事になる。窒化ケイ素３２
がセラミック基板２０上に付着される時は、窒化ケイ素
は表面の接触部２８に存在するケイ素を含むガラス相上
に優先的に付着する。
基板２０はケイ素を含むガラスで結合した酸化アルミニ
ウム、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコ
ンもしくはこれ等の混合物の様な酸化金属粒子より成る
事が好ましい。ケイ素を含むガラスの２酸化ケイ素の含
有量は略７０重量係乃至９５重量％であり、ケイ素はガ
ラス相に限られるのが好ましい。ガラス相中だけにケイ
素な含ませる事によって窒化ケイ素層のガラス相上への
優先的付着を最大にする事が出来る。
ウム、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコ
ンもしくはこれ等の混合物の様な酸化金属粒子より成る
事が好ましい。ケイ素を含むガラスの２酸化ケイ素の含
有量は略７０重量係乃至９５重量％であり、ケイ素はガ
ラス相に限られるのが好ましい。ガラス相中だけにケイ
素な含ませる事によって窒化ケイ素層のガラス相上への
優先的付着を最大にする事が出来る。
さらにプラズマ増強化学蒸着を窒化ケイ素を付着するの
に使用する事が好ましい。プラズマ増強化学蒸着が好ま
しいのは付着温度が低くてセラミック基板２００表面３
０の接触部２８の優先的な充填が増強されるからである
。表面３０上に表面接触部２８に隣接する低い部分を優
先的に充填する事によって表面が平坦になる。
に使用する事が好ましい。プラズマ増強化学蒸着が好ま
しいのは付着温度が低くてセラミック基板２００表面３
０の接触部２８の優先的な充填が増強されるからである
。表面３０上に表面接触部２８に隣接する低い部分を優
先的に充填する事によって表面が平坦になる。
窒化ケイ素によって表面３０の低い部分を優先的に充填
する結果、表面上の酸化物粒子２２０部分３４は露出し
たまま残る。窒化ケイ素の平均的厚さは表面の接触部２
８に隣接する低い部分の平均の深さ以下である事が好ま
しい。それは粒子２２の領域６４が露出したまま残され
るからである。
する結果、表面上の酸化物粒子２２０部分３４は露出し
たまま残る。窒化ケイ素の平均的厚さは表面の接触部２
８に隣接する低い部分の平均の深さ以下である事が好ま
しい。それは粒子２２の領域６４が露出したまま残され
るからである。
酸化物の粒子２２の露出領域３４は窒化ケイ素の付着に
続く導電性冶金層を付着するための拠点になる。基板２
０の表面３０への窒化ケイ素の付着はこれと同時に窒化
ケイ素をケイ素基板上に付着して指標となし、ケイ素ウ
ェハ上に付着した被膜の厚さを測定する事によって行わ
れる。表面が粗（て、表面の中心線を指標として測定し
た平均の厚さが０．６２５ミクロン乃至１．２５ミクロ
ンの間にある代表的なセラミック基板の場合、ケイ素ウ
ェハ上に同時に付着される窒化ケイ素の厚さは約１乃至
４ミクロン間になげればならず、窒化ケイ素の厚さは少
なく共約１．５ミクロンある事が好ましい。
続く導電性冶金層を付着するための拠点になる。基板２
０の表面３０への窒化ケイ素の付着はこれと同時に窒化
ケイ素をケイ素基板上に付着して指標となし、ケイ素ウ
ェハ上に付着した被膜の厚さを測定する事によって行わ
れる。表面が粗（て、表面の中心線を指標として測定し
た平均の厚さが０．６２５ミクロン乃至１．２５ミクロ
ンの間にある代表的なセラミック基板の場合、ケイ素ウ
ェハ上に同時に付着される窒化ケイ素の厚さは約１乃至
４ミクロン間になげればならず、窒化ケイ素の厚さは少
なく共約１．５ミクロンある事が好ましい。
好ましい実施例では接続用冶金層の第１層としてはクロ
ムが使用され、基板には接続酸化アルミニウムが使用さ
れる。、付着したクロムは酸化クロムとなり、これは露
出酸化アルミニウム粒子と反応する。この反応によって
クロム層がセラミック基板と結合する。
ムが使用され、基板には接続酸化アルミニウムが使用さ
れる。、付着したクロムは酸化クロムとなり、これは露
出酸化アルミニウム粒子と反応する。この反応によって
クロム層がセラミック基板と結合する。
表面を平坦化する外に、窒化ケイ素はα粒子障壁として
表面接触部２８から放射するα粒子をブロックする。α
粒子障壁の厚さはα粒子放射のレベルによる。代表的な
セラミック基板の場合、約１．５乃至４ミクロンの厚さ
の窒化ケイ素層が効果的なα粒子障壁としての働きをす
る。
表面接触部２８から放射するα粒子をブロックする。α
粒子障壁の厚さはα粒子放射のレベルによる。代表的な
セラミック基板の場合、約１．５乃至４ミクロンの厚さ
の窒化ケイ素層が効果的なα粒子障壁としての働きをす
る。
セラミック基板を平坦化するのに窒化ケイ素を使用する
他の利点は窒化ケイ素層は、基板に付着した後にパター
ン化出来る点にある。マスクを窒化ケイ素上に付着して
、一部の窒化ケイ素の領域を露出状態に残して、エツチ
ングで除去し、基板を部分的に平坦にする事が出来る。
他の利点は窒化ケイ素層は、基板に付着した後にパター
ン化出来る点にある。マスクを窒化ケイ素上に付着して
、一部の窒化ケイ素の領域を露出状態に残して、エツチ
ングで除去し、基板を部分的に平坦にする事が出来る。
部分的な平坦化は機械的技術もしくは上ぐすりかげによ
っては容易に達成出来ない。さらに上ぐすり材料はしば
しばα粒子を放射する不純物を含むので、表面を上ぐす
って平坦にした場合には表面はα粒子を放射する。本発
明の窒化ケイ素はα粒子の障壁として働く。
っては容易に達成出来ない。さらに上ぐすり材料はしば
しばα粒子を放射する不純物を含むので、表面を上ぐす
って平坦にした場合には表面はα粒子を放射する。本発
明の窒化ケイ素はα粒子の障壁として働く。
第３図は基板４０中を通っている金属導体４２を有する
セラミック基板４０の概略図である。基板４０の表面４
４の表面４４’＆窒化ケイ素４６で平坦にする時は、金
属化導体４２上も窒化ケイ素４６を付着する。窒化ケイ
素４６の付着後に、プラズマ・エツチングを使用して金
属導体４２上の領域４８から窒化ケイ素を除去し、次に
接続用冶金層が付着される。
セラミック基板４０の概略図である。基板４０の表面４
４の表面４４’＆窒化ケイ素４６で平坦にする時は、金
属化導体４２上も窒化ケイ素４６を付着する。窒化ケイ
素４６の付着後に、プラズマ・エツチングを使用して金
属導体４２上の領域４８から窒化ケイ素を除去し、次に
接続用冶金層が付着される。
平坦化に窒化ケイ素を使用する事によってより滑らかな
表面が与えられ、より微細な金属線を使用する事が可能
になる。
表面が与えられ、より微細な金属線を使用する事が可能
になる。
次の例は窒化ケイ素をセラミック基板上に付着して、平
坦化する利点を示す。
坦化する利点を示す。
窒化ケイ素を、約４重量係のケイ素を含む結合相を有す
る酸化アルミニウム基板上に付着した。
る酸化アルミニウム基板上に付着した。
ガラス結合相は略９５％の２酸化ケイ素である。
基板の平均表面仕上げは８９Ｘ１０ ｃｍで平均頂上
−谷の深さは７５２Ｘ１０ αである。窒化ケイ素は
平均深さ１５２Ｘ １０−６ｃｍに付着される。これは
ケイ素ウェハ上に同時に付着される１、５ミクロンの層
に対応する。窒化ケイ素はプラズマ増強化学蒸着によっ
て付着される。付着の前に、基板は直径１５．２４ｃｒ
１１及び長さ１５０ｃｒｎの管炉中で６７５℃に予じめ
加熱した。炉の圧力は２乃至４トルに保持した。シラン
及びアンモニア気体を夫々５５０ ｃｃＺ分及び３５０
０ｃｅ／分の流量で管炉中に送込んだ。１２５ワツトの
ＲＦ電力を使用した。付着時間は略９０分である。被覆
の後の平均表面仕上げは３０×１Ｏ−６ｃｒＩＩで平均
頂上−谷の深さは３６５×１Ｏ−６ｃｒｎである。この
事は表面の粗さ特性の夫々６８係及び５５チの減少を示
している。
−谷の深さは７５２Ｘ１０ αである。窒化ケイ素は
平均深さ１５２Ｘ １０−６ｃｍに付着される。これは
ケイ素ウェハ上に同時に付着される１、５ミクロンの層
に対応する。窒化ケイ素はプラズマ増強化学蒸着によっ
て付着される。付着の前に、基板は直径１５．２４ｃｒ
１１及び長さ１５０ｃｒｎの管炉中で６７５℃に予じめ
加熱した。炉の圧力は２乃至４トルに保持した。シラン
及びアンモニア気体を夫々５５０ ｃｃＺ分及び３５０
０ｃｅ／分の流量で管炉中に送込んだ。１２５ワツトの
ＲＦ電力を使用した。付着時間は略９０分である。被覆
の後の平均表面仕上げは３０×１Ｏ−６ｃｒＩＩで平均
頂上−谷の深さは３６５×１Ｏ−６ｃｒｎである。この
事は表面の粗さ特性の夫々６８係及び５５チの減少を示
している。
金属化構造体を約４重量係のケイ素を包む結合剤を有す
る酸化アルミニウム基板上に付着した。
る酸化アルミニウム基板上に付着した。
ガラス結合相は略９５重量係の２酸化ケイ素である。基
板をクロム接着層、銅層及び第２のクロム層で被覆した
。基板は平均表面仕上げ６３．５Ｘ１０−’ｍ及び平均
頂上−谷深さは６１７刈０ｃｒ１１乃至６３０Ｘ１０
ｃｍ である。クロム、銅層及びクロムの３層金属化
構造体は夫々約８０ ｎｍ、８０００ｎｍ−及−び３０
０乃至６００ ｎｍの厚さを有する。スパッタリング室
中のペース圧力は２Ｘ１０− トルであり、アルゴン圧
は１５０ ａｃｃｍで１０ミクロンである。スパッタリ
ングに先立ち基板は２０分で３００℃に予備加熱した。
板をクロム接着層、銅層及び第２のクロム層で被覆した
。基板は平均表面仕上げ６３．５Ｘ１０−’ｍ及び平均
頂上−谷深さは６１７刈０ｃｒ１１乃至６３０Ｘ１０
ｃｍ である。クロム、銅層及びクロムの３層金属化
構造体は夫々約８０ ｎｍ、８０００ｎｍ−及−び３０
０乃至６００ ｎｍの厚さを有する。スパッタリング室
中のペース圧力は２Ｘ１０− トルであり、アルゴン圧
は１５０ ａｃｃｍで１０ミクロンである。スパッタリ
ングに先立ち基板は２０分で３００℃に予備加熱した。
クロム付着のためのターゲット電力は６００ワツトＤＣ
であり、基板のバイアスはＯｖである。
であり、基板のバイアスはＯｖである。
スパッタリング後の付着金属層の全体の厚さは、８６４
Ｘ１０ ｏｎであり、表面仕上げは６１Ｘ１０−Ｃ１
１ｇ及びピーク−谷の深さは５８２Ｘ１０＝乃至６０７
×１Ｏ−６ｃｒＩＩであった。
Ｘ１０ ｏｎであり、表面仕上げは６１Ｘ１０−Ｃ１
１ｇ及びピーク−谷の深さは５８２Ｘ１０＝乃至６０７
×１Ｏ−６ｃｒＩＩであった。
実施例は窒化ケイ素をセラミック基板に付着した時の平
坦化効果を示す。参考例は金属化構造体を使用すると、
付着層を比較的厚くしてもセラミック基板を平坦にする
効果がない事を示す。
坦化効果を示す。参考例は金属化構造体を使用すると、
付着層を比較的厚くしてもセラミック基板を平坦にする
効果がない事を示す。
Ｆ９発明の効果
本発明に従い、窒化ケイ素でセラミックの表面を平坦化
する方法が与えられる。
する方法が与えられる。
第１図はガラス結合相によって酸化物粒子が結合した焼
結セラミック基板及び本発明の方法によって付着した窒
化ケイ素の分布を示した概略図である。第２図は圧縮し
焼結したセラミック基板上に窒化ケイ素及び接続用冶金
層を付着したところを示す概略図である。第３図は金属
導電性チャンネルが埋没した基板、その上の本発明に従
い付着した窒化ケイ素及び窒化ケイ素中の、エツチング
によって形成した金属導電性チャンネルを露出する開孔
を示した概略図である。 ２．２０．４０・・・・セラミック基板、４・・・・開
孔、６・・・・Ｉ１０ピン、８．３２．４６・・・・窒
化ケイ素、１０．３０．４４・・・・基板表面、１２・
・・・冶金構造体、２２・・・・酸化物、２４・・・・
ガラス相、２６・・・・酸化物粒子の接触部、２８・・
・・表面の接触部、３０・・・・基板表面、３４・・・
・酸化物の露出領域、４２・・・・金属導体、４８・・
・・金属導体の露出領域。 出願人 インターナショナル・ヒレネス・マシーンズ
・コーポレーション代理人 弁理士 山 本
仁 朗、 （外１名） 第２図
結セラミック基板及び本発明の方法によって付着した窒
化ケイ素の分布を示した概略図である。第２図は圧縮し
焼結したセラミック基板上に窒化ケイ素及び接続用冶金
層を付着したところを示す概略図である。第３図は金属
導電性チャンネルが埋没した基板、その上の本発明に従
い付着した窒化ケイ素及び窒化ケイ素中の、エツチング
によって形成した金属導電性チャンネルを露出する開孔
を示した概略図である。 ２．２０．４０・・・・セラミック基板、４・・・・開
孔、６・・・・Ｉ１０ピン、８．３２．４６・・・・窒
化ケイ素、１０．３０．４４・・・・基板表面、１２・
・・・冶金構造体、２２・・・・酸化物、２４・・・・
ガラス相、２６・・・・酸化物粒子の接触部、２８・・
・・表面の接触部、３０・・・・基板表面、３４・・・
・酸化物の露出領域、４２・・・・金属導体、４８・・
・・金属導体の露出領域。 出願人 インターナショナル・ヒレネス・マシーンズ
・コーポレーション代理人 弁理士 山 本
仁 朗、 （外１名） 第２図
Claims (1)
- ケイ素を含む結合相で結合した酸化物のセラミック基板
の主表面上に窒化ケイ素を化学蒸着によつて付着し、上
記窒化ケイ素を上記ケイ素を含む結合相上に優先的に付
着する事より成るセラミック基板の表面を平坦にする方
法。
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|---|---|---|---|
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| US06/747,598 US4659585A (en) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | Planarized ceramic substrates |
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|---|---|
| JPS61295291A true JPS61295291A (ja) | 1986-12-26 |
| JPH0513110B2 JPH0513110B2 (ja) | 1993-02-19 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0205947A1 (en) | 1986-12-30 |
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