JPH08124858A - 厚膜の成膜方法 - Google Patents
厚膜の成膜方法Info
- Publication number
- JPH08124858A JPH08124858A JP6264277A JP26427794A JPH08124858A JP H08124858 A JPH08124858 A JP H08124858A JP 6264277 A JP6264277 A JP 6264277A JP 26427794 A JP26427794 A JP 26427794A JP H08124858 A JPH08124858 A JP H08124858A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- thick film
- metal mask
- holder
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 メタルマスクを用いた成膜方法の工程を低減
するとともに、成膜が困難であった厚膜のパターンを得
ることを目的とする。 【構成】 基板１４上にメタルマスク１６を用いた厚膜
の成膜方法において、成膜する基板１４を保持する基板
ホルダ１３と、基板ホルダ１３と独立したマスクホルダ
１７と、マスクホルダ１７を堆積膜厚に応じて堆積方向
に移動させる可動装置１０とを有したことを特徴とした
厚膜の成膜方法。
するとともに、成膜が困難であった厚膜のパターンを得
ることを目的とする。 【構成】 基板１４上にメタルマスク１６を用いた厚膜
の成膜方法において、成膜する基板１４を保持する基板
ホルダ１３と、基板ホルダ１３と独立したマスクホルダ
１７と、マスクホルダ１７を堆積膜厚に応じて堆積方向
に移動させる可動装置１０とを有したことを特徴とした
厚膜の成膜方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜の成膜方法に関す
るものであり、例えば厚膜構造の熱電半導体の成膜に用
いることができる。
るものであり、例えば厚膜構造の熱電半導体の成膜に用
いることができる。
【０００２】
【従来の技術】一般に目的とするパターンの膜を得る方
法としては、基板の全面に成膜した後、フォトリソグラ
フィーでパターニングを行い、エッチングを行うか、予
め基板にメタルマスクを取り付けて成膜を行う。エッチ
ングを用いる方法は、薄膜の超微細なパターンを得るこ
とができ、メタルマスクを用いる方法は、エッチング工
程を必要とせず簡易に製作が可能である。後者の従来技
術としては、特開昭６３−２５８０４５号公報に開示さ
れたものが知られている。この公報に開示されたもの
は、はんだバンプの製造方法である。この方法では、は
んだ層を厚くするためにドライレジストを用いており、
はんだ蒸着部である電極部以外にドライレジストを配設
した後、メタルマスク蒸着を行ったものである。はんだ
は、ドライレジストで形成された穴の中に堆積するた
め、メタルマスクの穴の中には堆積されなくなる。成膜
する際にドライレジストを用いることにより、メタルマ
スクに堆積されるはんだを無くし、メタルマスクを除去
する際に生じる厚膜の剥離を防止を図ったものである。
法としては、基板の全面に成膜した後、フォトリソグラ
フィーでパターニングを行い、エッチングを行うか、予
め基板にメタルマスクを取り付けて成膜を行う。エッチ
ングを用いる方法は、薄膜の超微細なパターンを得るこ
とができ、メタルマスクを用いる方法は、エッチング工
程を必要とせず簡易に製作が可能である。後者の従来技
術としては、特開昭６３−２５８０４５号公報に開示さ
れたものが知られている。この公報に開示されたもの
は、はんだバンプの製造方法である。この方法では、は
んだ層を厚くするためにドライレジストを用いており、
はんだ蒸着部である電極部以外にドライレジストを配設
した後、メタルマスク蒸着を行ったものである。はんだ
は、ドライレジストで形成された穴の中に堆積するた
め、メタルマスクの穴の中には堆積されなくなる。成膜
する際にドライレジストを用いることにより、メタルマ
スクに堆積されるはんだを無くし、メタルマスクを除去
する際に生じる厚膜の剥離を防止を図ったものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前者のメ
タルマスクを用いた成膜方法の場合、堆積させる膜厚が
厚くなると成膜後にメタルマスクを除去する際に、成膜
した厚膜がメタルマスクに付着して剥離が生じてしま
う。後者のドライヤレジストを用いた成膜方法の場合、
ドライレジストを使用することによって、ドライレジス
トのパターニングと剥離の工程が必要となる。又、ドラ
イレジストのパターニングとメタルマスクの取付けには
位置合わせを行う必要がある。更に、ドライレジストの
側面に堆積したはんだがドライレジストの剥離後にバン
プのエッジにバリとして残ってしまう。これらにより、
膜厚を厚くすることは困難であった。
タルマスクを用いた成膜方法の場合、堆積させる膜厚が
厚くなると成膜後にメタルマスクを除去する際に、成膜
した厚膜がメタルマスクに付着して剥離が生じてしま
う。後者のドライヤレジストを用いた成膜方法の場合、
ドライレジストを使用することによって、ドライレジス
トのパターニングと剥離の工程が必要となる。又、ドラ
イレジストのパターニングとメタルマスクの取付けには
位置合わせを行う必要がある。更に、ドライレジストの
側面に堆積したはんだがドライレジストの剥離後にバン
プのエッジにバリとして残ってしまう。これらにより、
膜厚を厚くすることは困難であった。
【０００４】本発明は、厚膜の成膜時に係る工程を低減
するとともに、これまで困難であった厚膜のパターンを
得ることを課題とする。
するとともに、これまで困難であった厚膜のパターンを
得ることを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために本発明において講じた手段は、基板上にメタルマ
スクを用いた厚膜の成膜方法において、成膜する基板を
保持する基板ホルダと、基板ホルダと独立したマスクホ
ルダと、マスクホルダを堆積膜厚に応じて堆積方向に移
動させる可動装置とを有したことである。
ために本発明において講じた手段は、基板上にメタルマ
スクを用いた厚膜の成膜方法において、成膜する基板を
保持する基板ホルダと、基板ホルダと独立したマスクホ
ルダと、マスクホルダを堆積膜厚に応じて堆積方向に移
動させる可動装置とを有したことである。
【０００６】
【作用】上記した手段によれば、成膜方法は、パターン
部分に穴が形成されているメタルマスクを基板に配設し
て行う。このメタルマスクは、可動装置により基板と独
立して配設されており、メタルマスクは基板に対して垂
直方向に移動可能とされているので、基板に膜が堆積さ
れると可動装置によりメタルマスクは、垂直方向に移動
させられる。これにより、基板とメタルマスクが膜によ
り接合することが防止でき、厚膜のパターンを得ること
ができる。
部分に穴が形成されているメタルマスクを基板に配設し
て行う。このメタルマスクは、可動装置により基板と独
立して配設されており、メタルマスクは基板に対して垂
直方向に移動可能とされているので、基板に膜が堆積さ
れると可動装置によりメタルマスクは、垂直方向に移動
させられる。これにより、基板とメタルマスクが膜によ
り接合することが防止でき、厚膜のパターンを得ること
ができる。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
【０００８】図１は厚膜の成膜方法の側面図を示し、図
２は平面図を示す。図に示されるように、可動装置１０
の図示下面には、真空容器１１が配設されている。真空
容器１１を構成する上板１１ａには、上部フランジ１２
が形成され、上部フランジ１２に基板ホルダ１３が配設
されている。基板ホルダ１３には、厚膜を成膜する基板
１４が配設され基板押え１５によって固定されている。
基板１４上には、パターニングされたメタルマスク１６
がマスクホルダ１７に支持されて配設されており、マス
クホルダ１７は、上部フランジ１２を貫通して可動装置
１０に接続される可動軸１８によって図示上下方向に可
動自在に固定される。又、真空容器１１の下板１１ｂに
は、基板１４に対向して蒸着源１９が配設されている。
上部フランジ１２の周囲には、真空容器１１に蒸着源１
９からの膜が堆積しないように防着板２０が配設されて
いる。又、可動装置１０は、図示しない位置検出装置、
小型ステッピングモータ及びその駆動制御装置により構
成されいる。又、可動軸１８は、大気と真空容器１１内
を貫通しているため、真空漏れがないように図示しない
シール部材によってシールされている。
２は平面図を示す。図に示されるように、可動装置１０
の図示下面には、真空容器１１が配設されている。真空
容器１１を構成する上板１１ａには、上部フランジ１２
が形成され、上部フランジ１２に基板ホルダ１３が配設
されている。基板ホルダ１３には、厚膜を成膜する基板
１４が配設され基板押え１５によって固定されている。
基板１４上には、パターニングされたメタルマスク１６
がマスクホルダ１７に支持されて配設されており、マス
クホルダ１７は、上部フランジ１２を貫通して可動装置
１０に接続される可動軸１８によって図示上下方向に可
動自在に固定される。又、真空容器１１の下板１１ｂに
は、基板１４に対向して蒸着源１９が配設されている。
上部フランジ１２の周囲には、真空容器１１に蒸着源１
９からの膜が堆積しないように防着板２０が配設されて
いる。又、可動装置１０は、図示しない位置検出装置、
小型ステッピングモータ及びその駆動制御装置により構
成されいる。又、可動軸１８は、大気と真空容器１１内
を貫通しているため、真空漏れがないように図示しない
シール部材によってシールされている。
【０００９】次に本実施例の作用について説明する。
【００１０】基板１４に厚膜を成膜するときは、基板１
４上にメタルマスク１６を密着させた状態とする。その
後、蒸着源１９から膜が蒸着され、パターニングされた
メタルマスク１６のパターンに膜が堆積されていく。こ
のとき位置検出装置は膜の厚さを検出しており、設定膜
厚になると小型ステッピングモータにより可動軸１８が
基板１４から垂直方向（図示下方）へマスクホルダ１７
を所定量移動させる。
４上にメタルマスク１６を密着させた状態とする。その
後、蒸着源１９から膜が蒸着され、パターニングされた
メタルマスク１６のパターンに膜が堆積されていく。こ
のとき位置検出装置は膜の厚さを検出しており、設定膜
厚になると小型ステッピングモータにより可動軸１８が
基板１４から垂直方向（図示下方）へマスクホルダ１７
を所定量移動させる。
【００１１】マスクホルダ１７が移動されることによ
り、堆積させた膜によってメタルマスク１６と基板１４
とが接合されることはなく成膜されていく。可動装置１
０が、この動作を繰り返し行うことで厚膜を成膜するこ
とができる。又、基板１４に成膜されるパターンの大き
さは、堆積膜厚に依存するがマイクロマシーニングの微
細加工技術（微細放電加工等）を用いることで、最小で
十μｍ程度までのスリットが可能である。
り、堆積させた膜によってメタルマスク１６と基板１４
とが接合されることはなく成膜されていく。可動装置１
０が、この動作を繰り返し行うことで厚膜を成膜するこ
とができる。又、基板１４に成膜されるパターンの大き
さは、堆積膜厚に依存するがマイクロマシーニングの微
細加工技術（微細放電加工等）を用いることで、最小で
十μｍ程度までのスリットが可能である。
【００１２】
【発明の効果】上記した厚膜の成膜方法では、メタルマ
スクは、可動装置により基板と独立して配設されてお
り、メタルマスクは基板に対して垂直方向に移動可能と
されているので、基板に膜が堆積されると可動装置によ
りメタルマスクは、垂直方向に移動させられる。これに
より、基板とメタルマスクが膜により接合することを防
止でき、且つ、膜のエッジにバリが形成されなくなる。
又、ドライレジスト等の部材を不要とすることができ位
置合わせ等の工程も省くことが可能となり、工数を低減
することができる。これにより、容易に厚膜のパターン
を得ることができる。
スクは、可動装置により基板と独立して配設されてお
り、メタルマスクは基板に対して垂直方向に移動可能と
されているので、基板に膜が堆積されると可動装置によ
りメタルマスクは、垂直方向に移動させられる。これに
より、基板とメタルマスクが膜により接合することを防
止でき、且つ、膜のエッジにバリが形成されなくなる。
又、ドライレジスト等の部材を不要とすることができ位
置合わせ等の工程も省くことが可能となり、工数を低減
することができる。これにより、容易に厚膜のパターン
を得ることができる。
【図１】本発明の実施例に係る厚膜の成膜方法を示す側
面図である。
面図である。
【図２】図１の平面図を示す。
１０・・・可動装置 １３・・・基板ホルダ １４・・・基板 １６・・・メタルマスク １７・・・マスクホルダ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にメタルマスクを用いた厚膜の成
膜方法において、成膜する基板を保持する基板ホルダ
と、前記基板ホルダと独立したマスクホルダと、前記マ
スクホルダを堆積膜厚に応じて堆積方向に移動させる可
動装置とを有したことを特徴とした厚膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264277A JPH08124858A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 厚膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6264277A JPH08124858A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 厚膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124858A true JPH08124858A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17400939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6264277A Pending JPH08124858A (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 厚膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124858A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277584A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Yamaha Corp | 熱電用基板部材、熱電モジュール及びそれらの製造方法 |
| CN104347789A (zh) * | 2013-08-05 | 2015-02-11 | 国家纳米科学中心 | 垂直型薄膜热电器件的热电臂阵列的制作方法和制作装置 |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP6264277A patent/JPH08124858A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277584A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Yamaha Corp | 熱電用基板部材、熱電モジュール及びそれらの製造方法 |
| CN104347789A (zh) * | 2013-08-05 | 2015-02-11 | 国家纳米科学中心 | 垂直型薄膜热电器件的热电臂阵列的制作方法和制作装置 |
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