JPH0238313A - 薄膜超電導体の製造方法 - Google Patents
薄膜超電導体の製造方法Info
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- JPH0238313A JPH0238313A JP63189044A JP18904488A JPH0238313A JP H0238313 A JPH0238313 A JP H0238313A JP 63189044 A JP63189044 A JP 63189044A JP 18904488 A JP18904488 A JP 18904488A JP H0238313 A JPH0238313 A JP H0238313A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 claims 2
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910014454 Ca-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000750 Niobium-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001333909 Soter Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- RTRWPDUMRZBWHZ-UHFFFAOYSA-N germanium niobium Chemical compound [Ge].[Nb] RTRWPDUMRZBWHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、１００に以上の高臨界温度が期待されるビス
マスを含む酸化物超電導体の薄膜の製造方法に関するも
のである。
マスを含む酸化物超電導体の薄膜の製造方法に関するも
のである。
従来の技術
高温超電導体として、人１５型２元系化合物として窒化
ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎ１ｇＧｅ）
などが知られていたが、これらの材料の超電導転移温度
はたかだか２４にであった。
ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎ１ｇＧｅ）
などが知られていたが、これらの材料の超電導転移温度
はたかだか２４にであった。
一方、ペロブスカイト系３元化合物は、さらに高い転移
温度が期待され、Ｂａ −Ｌａ −Ｃｕ −０系の高温
超電導体が提案された（ Ｊ 、Ｃｒ、 Ｂｅｎｄｏｒ
ｚ ａｎｄＫ Ａ Ｍｕｌｌθｒ、ツァイト シュ
リフト フエアフ、イジーク（Ｚｅｔｓｈｒｉｆｔ Ｆ
ｕｒｐｈｙｓｉｋ Ｂ ） −Ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ Ｍ
ａｔｔｅｒ ６４ 、１８９−１９３（１９８６））。
温度が期待され、Ｂａ −Ｌａ −Ｃｕ −０系の高温
超電導体が提案された（ Ｊ 、Ｃｒ、 Ｂｅｎｄｏｒ
ｚ ａｎｄＫ Ａ Ｍｕｌｌθｒ、ツァイト シュ
リフト フエアフ、イジーク（Ｚｅｔｓｈｒｉｆｔ Ｆ
ｕｒｐｈｙｓｉｋ Ｂ ） −Ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ Ｍ
ａｔｔｅｒ ６４ 、１８９−１９３（１９８６））。
さらに、Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系の材料が１００
に以上の転移温度を示すことも発見された。
に以上の転移温度を示すことも発見された。
（Ｈ，Ｍａａｄａ、Ｙ、Ｔ＆ｎａｋａ、Ｍ、Ｆｕｋｕｔ
ｏｍｉ ａｎｄＴ Ａｓａｎｏ、ジャパニーズ・ジャー
ナル・オブ・アプライドｅフィジックス（Ｊａｐａｎｅ
ｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ）Ｖｏｌ 、２７．Ｌ ２０９Ｌ２１０（
１９８８）〕 この種の材料の超電導機構の詳細は明らかではないが、
転移温度が室温以上に高くなる可能性があり、高温超電
導体として従来の２元系化合物より、より有望な特性が
期待される。
ｏｍｉ ａｎｄＴ Ａｓａｎｏ、ジャパニーズ・ジャー
ナル・オブ・アプライドｅフィジックス（Ｊａｐａｎｅ
ｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ）Ｖｏｌ 、２７．Ｌ ２０９Ｌ２１０（
１９８８）〕 この種の材料の超電導機構の詳細は明らかではないが、
転移温度が室温以上に高くなる可能性があり、高温超電
導体として従来の２元系化合物より、より有望な特性が
期待される。
発明が解決しようとする課題
しかしながらＢｉ −Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ −０系の
材料は、現在の技術では主として焼結という過程でしか
形成できないため、セラミックの粉末あるいはブロック
の形状でしか得られない。一方、この種の材料を実用化
する場合、薄膜状に加工することが強く要望されている
が、従来の技術では、良好な超電導特性を有する薄膜作
製は難しいものであった。
材料は、現在の技術では主として焼結という過程でしか
形成できないため、セラミックの粉末あるいはブロック
の形状でしか得られない。一方、この種の材料を実用化
する場合、薄膜状に加工することが強く要望されている
が、従来の技術では、良好な超電導特性を有する薄膜作
製は難しいものであった。
すなわち、Ｂ１−３ｒ −Ｃａ−Ｃｕ −０系には超電
導臨界温度の異なる幾つかの相が存在することが知られ
ているが、特に１００に以上の臨界温度を持つ相を薄膜
の形態で達成するのは、非常に困難とされていた。
導臨界温度の異なる幾つかの相が存在することが知られ
ているが、特に１００に以上の臨界温度を持つ相を薄膜
の形態で達成するのは、非常に困難とされていた。
課題を解決するだめの手段
本発明の薄膜超電導体の製造方法は、５５０℃から９０
０℃の範囲に加熱した基体上に、少くともビスマスを含
む物質と、少くとも銅およびアルカリ土類を含む物質と
を、周期的に積層させて作製するというものである。
０℃の範囲に加熱した基体上に、少くともビスマスを含
む物質と、少くとも銅およびアルカリ土類を含む物質と
を、周期的に積層させて作製するというものである。
作用
異なる物質を周期的に積層させて新しい薄膜を作る方法
は金属薄膜、酸化物薄膜でいくつか試みられているが、
基体温度を高くすると層間拡散のため周期構造が消失し
てしまう事が常識であった。
は金属薄膜、酸化物薄膜でいくつか試みられているが、
基体温度を高くすると層間拡散のため周期構造が消失し
てしまう事が常識であった。
このだめ通常は周期構造を作る場合は基体の冷却を行な
うこともある。本発明者等はとのＢｉを含む酸化物超電
導体に対して、たとえば異なる２つのターゲットを用い
たスパッタリングにより基体温度と薄膜の結晶構造の関
係を詳細に調べだ。
うこともある。本発明者等はとのＢｉを含む酸化物超電
導体に対して、たとえば異なる２つのターゲットを用い
たスパッタリングにより基体温度と薄膜の結晶構造の関
係を詳細に調べだ。
このとき、１００に以上の臨界温度が得られることが判
明し、まだ結晶性も良く再現性もすぐれていた。本発明
により良質で高性能な薄膜超電導体を再現性良く得るこ
とが可能となる。
明し、まだ結晶性も良く再現性もすぐれていた。本発明
により良質で高性能な薄膜超電導体を再現性良く得るこ
とが可能となる。
実施例
まず、本発明者等の検討例を先に述べる。
すなわち、Ｂ１ターゲットと３ｒ２Ｃａ、、Ｃｕ５ ｐ
−ゲットをアルゴンと酸素混合ガス中で交互にスパッ
タリングし、種々の温度のＭｇ０（１００）基体上に周
期的に積層させた。第１図は得られた薄膜のＸ線回折パ
ターンである。基体温度が４ｏ○℃以下の際は積層周期
構造に対応するピーク（）が認められるが、４ｏ○℃〜
６５０℃と高くすると周期構造が弱くなり、他の相（×
）の出現が認められる。ところがさらに温度を高くする
と、５５０℃〜９００℃の範囲の基体温度では、意外に
も１００に以上の臨界温度を持つ相（○）が作製し得る
ことを発見した。この場合、上記温度範囲でＢｉと５ｒ
２Ｃａ２Ｃｕ３のスパッタリングレートを適宜に調整す
ると、積層周期に対応して１００に以上の相が出現する
ことが分かった。また積層を周期的ではなく同時に行な
った場合にはｓｏＫの臨界温度を持つ相しか作製出来な
かった。基体温度が特に６６０℃〜８６０℃の場合には
１００に以上の臨界温度の相の結晶性が非常に良好なも
のが作製し得ることも合わせて発見した。基体温度が９
００℃以上の際は薄膜が蒸発して堆積しなかった。６５
０℃〜８６０℃で作製した薄膜はそのままの状態でも超
電導転移を示すが、酸素中８６０℃程度で熱処理を行う
とより確実に１００に以上の臨界温度を示した。６６０
℃〜８５０℃で積層した薄膜は、特に再現性に優れてい
ることも定見した。
−ゲットをアルゴンと酸素混合ガス中で交互にスパッ
タリングし、種々の温度のＭｇ０（１００）基体上に周
期的に積層させた。第１図は得られた薄膜のＸ線回折パ
ターンである。基体温度が４ｏ○℃以下の際は積層周期
構造に対応するピーク（）が認められるが、４ｏ○℃〜
６５０℃と高くすると周期構造が弱くなり、他の相（×
）の出現が認められる。ところがさらに温度を高くする
と、５５０℃〜９００℃の範囲の基体温度では、意外に
も１００に以上の臨界温度を持つ相（○）が作製し得る
ことを発見した。この場合、上記温度範囲でＢｉと５ｒ
２Ｃａ２Ｃｕ３のスパッタリングレートを適宜に調整す
ると、積層周期に対応して１００に以上の相が出現する
ことが分かった。また積層を周期的ではなく同時に行な
った場合にはｓｏＫの臨界温度を持つ相しか作製出来な
かった。基体温度が特に６６０℃〜８６０℃の場合には
１００に以上の臨界温度の相の結晶性が非常に良好なも
のが作製し得ることも合わせて発見した。基体温度が９
００℃以上の際は薄膜が蒸発して堆積しなかった。６５
０℃〜８６０℃で作製した薄膜はそのままの状態でも超
電導転移を示すが、酸素中８６０℃程度で熱処理を行う
とより確実に１００に以上の臨界温度を示した。６６０
℃〜８５０℃で積層した薄膜は、特に再現性に優れてい
ることも定見した。
Ｂ１を含む物質と、Ｃｕおよび［ａ族元素を含む物質と
を周期的に積層させる方法としては、いくつか考えられ
る。一般のＭＢＥ装置あるいは多元のＥＢ蒸着装置で蒸
着源の前を開閉シャッターで制御したり、気相成長法で
作製する際にガスの種類を切り換えたりすることにより
、周期的積層を達成することができる。しかしこの種の
非常に薄い層の積層には従来スパッタリング蒸着は不向
きとされていた。この理由は、成膜中のガス圧の高さに
起因する不純物の混入およびエネルギーの高い粒子によ
るダメージと考えられている。しかしながら本発明者等
は、このＢｉ系酸化物超電導体に対してスパッタリング
により異なる薄い層の積層を行なったところ、意外にも
良好な積層膜の作製が可能なことを発見した。スパッタ
中の高い酸素ガス圧およびスパッタ放電が、Ｂｉ系の１
００に以上の臨界温度を持つ相の形成に都合が良いため
ではないかと考えられる。
を周期的に積層させる方法としては、いくつか考えられ
る。一般のＭＢＥ装置あるいは多元のＥＢ蒸着装置で蒸
着源の前を開閉シャッターで制御したり、気相成長法で
作製する際にガスの種類を切り換えたりすることにより
、周期的積層を達成することができる。しかしこの種の
非常に薄い層の積層には従来スパッタリング蒸着は不向
きとされていた。この理由は、成膜中のガス圧の高さに
起因する不純物の混入およびエネルギーの高い粒子によ
るダメージと考えられている。しかしながら本発明者等
は、このＢｉ系酸化物超電導体に対してスパッタリング
により異なる薄い層の積層を行なったところ、意外にも
良好な積層膜の作製が可能なことを発見した。スパッタ
中の高い酸素ガス圧およびスパッタ放電が、Ｂｉ系の１
００に以上の臨界温度を持つ相の形成に都合が良いため
ではないかと考えられる。
スパッタ蒸着で異なる物質を積層させる方法としては、
組成分布を設けた１ケのスパッタリングターゲットの放
電位置を周期的に制御するという方法があるが、組成の
異なる複数個のターゲットのスパッタリングという方法
を用いると比較的簡単に達成することができる。この場
合、複数個のターゲットの各々のスパッタ量を周期的に
制御したり、あるいはターゲットの前にンヤノターを設
けて周期的に開閉したシして、周期的積層膜を作製する
ことができる。また基板を周期的運動させて各々のター
ゲットの上を移動させる方法でも作製が可能である。レ
ーザースパッタあるいはイオンビームスパッタを用いた
場合には、複数個のターゲットを周期運動させてビーム
の照射するターゲットを周期的に変えれば、周期的積層
膜が実現される。このように複数個のターゲットを用い
たスパッタリングにより比較的簡単にＢｌ系酸化物の周
期的積層膜が作製可能となる。
組成分布を設けた１ケのスパッタリングターゲットの放
電位置を周期的に制御するという方法があるが、組成の
異なる複数個のターゲットのスパッタリングという方法
を用いると比較的簡単に達成することができる。この場
合、複数個のターゲットの各々のスパッタ量を周期的に
制御したり、あるいはターゲットの前にンヤノターを設
けて周期的に開閉したシして、周期的積層膜を作製する
ことができる。また基板を周期的運動させて各々のター
ゲットの上を移動させる方法でも作製が可能である。レ
ーザースパッタあるいはイオンビームスパッタを用いた
場合には、複数個のターゲットを周期運動させてビーム
の照射するターゲットを周期的に変えれば、周期的積層
膜が実現される。このように複数個のターゲットを用い
たスパッタリングにより比較的簡単にＢｌ系酸化物の周
期的積層膜が作製可能となる。
以下本発明の内容をさらに深く理解されるだめに、具体
的な実施例をいくつか示す。
的な実施例をいくつか示す。
（実施例１）
Ｂｉ、 ＣａＣｕ、 ５ｒ２Ｃｕ ２個の計４個のター
ゲットを用い、第２図に示すように配置させた。すなわ
ちＭｇＯ基体２１に焦点を結ぶように各ターゲットが約
３０°傾いて設置されている。ターゲットの前方には回
転するンヤソター２２があり、その中に設けられたスリ
ット２３０回転により、Ｂ１→Ｓｒ ２ Ｃｕ −＋
ＣａＣｕ−＋ｓｒ ２ Ｃｕ →Ｂｉのサイクルでスパ
ッタ蒸着が行なわれる。基体２１をヒーター２４で約γ
ｏｏ℃に加熱し、アルゴン・酸素（５：１）混合雰囲気
３Ｐａのガス中で各ターゲットのスパッタリングを行な
った。各ターゲットのスパッタ電流を、Ｂｉ ： ３０
ｍＡ 、 ５ｒ２Ｃｕ ： Ｓｏｎ人、 ＣａＣｕ ：
２５０ｍＡとし、シャッタの回転周期を１０分間として
周期的積層を行なったところ、１００に以上の臨界温度
を持つ相を作製することが出来だ。約１０時間の蒸着に
より１０００人程鹿の薄膜が作製され、組成ばＢｉ ：
Ｓｒ ：Ｃａ ：Ｃｕ＝２：２：２：３となっていた。
ゲットを用い、第２図に示すように配置させた。すなわ
ちＭｇＯ基体２１に焦点を結ぶように各ターゲットが約
３０°傾いて設置されている。ターゲットの前方には回
転するンヤソター２２があり、その中に設けられたスリ
ット２３０回転により、Ｂ１→Ｓｒ ２ Ｃｕ −＋
ＣａＣｕ−＋ｓｒ ２ Ｃｕ →Ｂｉのサイクルでスパ
ッタ蒸着が行なわれる。基体２１をヒーター２４で約γ
ｏｏ℃に加熱し、アルゴン・酸素（５：１）混合雰囲気
３Ｐａのガス中で各ターゲットのスパッタリングを行な
った。各ターゲットのスパッタ電流を、Ｂｉ ： ３０
ｍＡ 、 ５ｒ２Ｃｕ ： Ｓｏｎ人、 ＣａＣｕ ：
２５０ｍＡとし、シャッタの回転周期を１０分間として
周期的積層を行なったところ、１００に以上の臨界温度
を持つ相を作製することが出来だ。約１０時間の蒸着に
より１０００人程鹿の薄膜が作製され、組成ばＢｉ ：
Ｓｒ ：Ｃａ ：Ｃｕ＝２：２：２：３となっていた。
このままの状態でもこの薄膜は１００に以上の超電導転
移を示したが、さらに酸素中で８５５℃、１時間の熱処
理を行なうと非常に再現性良（１００に以上の臨界温度
を達成することができだ。Ｂｌ系物質の１００に以上の
臨界温度を持つ相の結晶構造はまだよく解かっていない
が、金属元素がＢｉ −８ｒ −Ｃｕ −Ｃａ −Ｃｕ
−Ｃｌ −Ｃｕ −５ｒ−Ｂｉの順序で並んだ酸化物
の層から成り立っているとも言われており、本発明の製
造方法がこの構造を作るのに非常に役立っているのでは
ないかと考えられる。
移を示したが、さらに酸素中で８５５℃、１時間の熱処
理を行なうと非常に再現性良（１００に以上の臨界温度
を達成することができだ。Ｂｌ系物質の１００に以上の
臨界温度を持つ相の結晶構造はまだよく解かっていない
が、金属元素がＢｉ −８ｒ −Ｃｕ −Ｃａ −Ｃｕ
−Ｃｌ −Ｃｕ −５ｒ−Ｂｉの順序で並んだ酸化物
の層から成り立っているとも言われており、本発明の製
造方法がこの構造を作るのに非常に役立っているのでは
ないかと考えられる。
（実施例２）
Ｂｉ 、 Ｓｒ ２個、Ｃａ２個、Ｃｕ３個計日計８タ
ーゲットを第３図に示すように真空容器３１の内側周辺
に配置した。ＭｇＯ基体２１およびヒーター２４は容器
の中心３２の回りを回転できる機構となっている。この
ように基体を回転させつつスパッタ蒸着を行なうと、Ｂ
ｉ −Ｓｒ −Ｃｕ −Ｃａ −Ｃｕ −ＣａＣｕ −
Ｓｒ −Ｂ工の順序で積層構造が作製される。ア／ｌ／
コｙ・酸素（ｓ ：１）ｓ Ｐａのガス中でスパッタ
リングを行ない、各ターゲットの蒸発量を適宜に設定し
たところ、基板温度６５０℃〜８５０℃で再現性良（１
００に以上の臨界温度を持つ相が作製できた。この方法
は基体の数を円周上で増やすことができ、大量の薄膜超
電導体の炸裂に非常に有効であると考えられる。
ーゲットを第３図に示すように真空容器３１の内側周辺
に配置した。ＭｇＯ基体２１およびヒーター２４は容器
の中心３２の回りを回転できる機構となっている。この
ように基体を回転させつつスパッタ蒸着を行なうと、Ｂ
ｉ −Ｓｒ −Ｃｕ −Ｃａ −Ｃｕ −ＣａＣｕ −
Ｓｒ −Ｂ工の順序で積層構造が作製される。ア／ｌ／
コｙ・酸素（ｓ ：１）ｓ Ｐａのガス中でスパッタ
リングを行ない、各ターゲットの蒸発量を適宜に設定し
たところ、基板温度６５０℃〜８５０℃で再現性良（１
００に以上の臨界温度を持つ相が作製できた。この方法
は基体の数を円周上で増やすことができ、大量の薄膜超
電導体の炸裂に非常に有効であると考えられる。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜超電導体の製造方法は、１０
０に以上の超電導臨界温度を持つＢｌ系酸化物超電導薄
膜の再現性の良い作製方法を提供するものであり、本発
明の工業的価値は高い。
０に以上の超電導臨界温度を持つＢｌ系酸化物超電導薄
膜の再現性の良い作製方法を提供するものであり、本発
明の工業的価値は高い。
第１図は本発明の基の発見となった基体温度と薄膜のＸ
線回折パターンの関係を示す図、第２図。 第３図は本発明の実施例における薄膜の製造の概略図で
ある。 ２１・・・・・・ＭｇＯ基体、２２・・・・・・シャッ
ター、２３・・・・・・スリット、２４・・・・・・ヒ
ーター。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 ′５２ｚｆ Ｎｔ凰俸 （度） ２／ −−−１’Ｑ（片基体 ２２−−ヒーグ−
線回折パターンの関係を示す図、第２図。 第３図は本発明の実施例における薄膜の製造の概略図で
ある。 ２１・・・・・・ＭｇＯ基体、２２・・・・・・シャッ
ター、２３・・・・・・スリット、２４・・・・・・ヒ
ーター。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名図 ′５２ｚｆ Ｎｔ凰俸 （度） ２／ −−−１’Ｑ（片基体 ２２−−ヒーグ−
Claims (4)
- （１）５５０℃から９００℃の範囲に加熱した基体上に
、少くともビスマスを含む物質と、少くとも銅およびア
ルカリ土類（IIａ族）を含む物質とを、周期的に積層さ
せて得ることを特徴とする薄膜超電導体の製造方法。 ここでアルカリ土類は、IIａ族元素のうちのすくなくと
も一種あるいは二種以上の元素を示す。 - （２）６５０℃から８５０℃の範囲に加熱した基体上に
積層させて得ることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の薄膜超電導体の製造方法。 - （３）積層物質の蒸発をスパッタリングで行なうことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜超電導体の
製造方法。 - （４）積層物質の蒸発を、少くとも２種以上の組成の複
数個のターゲットのスパッタリングで行なうことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜超電導体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189044A JPH07102974B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 薄膜超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189044A JPH07102974B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 薄膜超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238313A true JPH0238313A (ja) | 1990-02-07 |
| JPH07102974B2 JPH07102974B2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=16234352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63189044A Expired - Fee Related JPH07102974B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 薄膜超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07102974B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169375A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-13 | Toyobo Co Ltd | スパツタリング方法 |
| JPH01246141A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 |
| JPH01249606A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Hitachi Ltd | 超電導薄膜作製法 |
| JPH01275434A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Natl Res Inst For Metals | 酸化物高温超電導膜の製造法 |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP63189044A patent/JPH07102974B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169375A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-13 | Toyobo Co Ltd | スパツタリング方法 |
| JPH01246141A (ja) * | 1988-03-26 | 1989-10-02 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 |
| JPH01249606A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Hitachi Ltd | 超電導薄膜作製法 |
| JPH01275434A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Natl Res Inst For Metals | 酸化物高温超電導膜の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07102974B2 (ja) | 1995-11-08 |
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|---|---|---|---|
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