JPH01246141A - 酸化物超電導体薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体薄膜の製造方法Info
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- JPH01246141A JPH01246141A JP63070884A JP7088488A JPH01246141A JP H01246141 A JPH01246141 A JP H01246141A JP 63070884 A JP63070884 A JP 63070884A JP 7088488 A JP7088488 A JP 7088488A JP H01246141 A JPH01246141 A JP H01246141A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は酸化物超電導体薄膜の製造方法に関し、詳しく
は特定の酸化物ターゲットに励起ビームを照射してスパ
ッタリングして、基板上に液体窒素温度で作動する高温
超電導性の酸化物薄膜を効率よく製造する方法に関する
。
は特定の酸化物ターゲットに励起ビームを照射してスパ
ッタリングして、基板上に液体窒素温度で作動する高温
超電導性の酸化物薄膜を効率よく製造する方法に関する
。
［従来の技術及び発明は解決しようとする課題〕最近、
各種の酸化物よりなるセラミックス系の超電導体が多数
開発され、またスパッタリングによる薄膜状の酸化物超
電導体を製造する技術についても様々な方法が提案され
ている。
各種の酸化物よりなるセラミックス系の超電導体が多数
開発され、またスパッタリングによる薄膜状の酸化物超
電導体を製造する技術についても様々な方法が提案され
ている。
しかしながら、これらの技術では、得られる酸化物超電
導体薄膜は膜質が劣るとともに、超電導転移温度（臨界
温度）（ＴＣ）が低く、また安定性も悪く、しかも薄膜
の製造効率が悪く実用性に乏しいという重大な問題があ
る。また、高価なイツトリウムなどの希土類元素を用い
るため、経済性にも問題があった。
導体薄膜は膜質が劣るとともに、超電導転移温度（臨界
温度）（ＴＣ）が低く、また安定性も悪く、しかも薄膜
の製造効率が悪く実用性に乏しいという重大な問題があ
る。また、高価なイツトリウムなどの希土類元素を用い
るため、経済性にも問題があった。
本発明者らは、上記従来技術の問題点を克服して、超電
導転移温度（Ｔｃ）が高くて膜質が良好で、しかも安定
性の高い酸化物超電導体薄膜を、効率よく製造する方法
を開発すべく鋭意研究を重ねた。
導転移温度（Ｔｃ）が高くて膜質が良好で、しかも安定
性の高い酸化物超電導体薄膜を、効率よく製造する方法
を開発すべく鋭意研究を重ねた。
その結果、焼結体として高い超電導転移温度（Ｔｅ）を
持つことが知られるようになったビスマス、ストロンチ
ウム、カルシウム及び銅を含む酸化物、またはタリウム
、バリウム、カルシウム及び銅を含む酸化物等を原料と
して、これをターゲットに励起ビームを照射してスパッ
タリングし、基板上に薄膜を形成することによって、上
記課題を達成できることを見出した。
持つことが知られるようになったビスマス、ストロンチ
ウム、カルシウム及び銅を含む酸化物、またはタリウム
、バリウム、カルシウム及び銅を含む酸化物等を原料と
して、これをターゲットに励起ビームを照射してスパッ
タリングし、基板上に薄膜を形成することによって、上
記課題を達成できることを見出した。
本発明はかかる知見に基いて完成したものである。すな
わち本発明は、（ａ）ビスマス又はタリウム。
わち本発明は、（ａ）ビスマス又はタリウム。
（２）バリウム又はストロンチウム、（ｃ）カルシウム
及び（２）銅を含む酸化物をターゲットとして、励起ビ
ームを照射してスパッタリングし、基板状に超電導体化
された酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物超
電導体薄膜の製造方法を提供するものである。
及び（２）銅を含む酸化物をターゲットとして、励起ビ
ームを照射してスパッタリングし、基板状に超電導体化
された酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物超
電導体薄膜の製造方法を提供するものである。
本発明の方法に用いる原料としては、上述の如＜（ａ）
成分としてビスマス、タリウムのうちのいずれか一方を
用いるが、両者を併用してもよい。また、（２）成分は
バリウム、ストロンチウムのうちのいずれか一方を用い
るが、これも両者を併用することが可能である。
成分としてビスマス、タリウムのうちのいずれか一方を
用いるが、両者を併用してもよい。また、（２）成分は
バリウム、ストロンチウムのうちのいずれか一方を用い
るが、これも両者を併用することが可能である。
本発明では、上記（ａ）、 （２）、 （ｃ）及び（２
）の各成分を含む酸化物を原料として用いるが、この酸
化物において、（ａ）、 （２）、 （ｃ）及び（２）
の原子比は特に制限はなく、様々なものが使用可能であ
るが、通常は（ａ）： （２） ： （ｃ） ： （２
）＝ ０．５〜３：０．５〜３：０．５〜３：０．５〜
５、望ましくは（ａ） ： （２） ： （ｃ） ：
（２）〜０．５〜２ ：０．５〜２ ：ｏ、５〜２ ：
１〜３、特に（ａ） ： （２） ：（ｃ）：（２）
〜２ ： ２ ： ２ ： ３又は（ａ） ： （２）
： （ｃ） ： （２） −２：２：１：２のものが
最適である。また、これら酸化物は（ａ）ビスマス又は
タリウム、（２）バリウム又はストロンチウム、（ｃ）
カルシウム及び（２）銅の酸化物の混合物であってもよ
く、またこれらの複合酸化物であってもよい。
）の各成分を含む酸化物を原料として用いるが、この酸
化物において、（ａ）、 （２）、 （ｃ）及び（２）
の原子比は特に制限はなく、様々なものが使用可能であ
るが、通常は（ａ）： （２） ： （ｃ） ： （２
）＝ ０．５〜３：０．５〜３：０．５〜３：０．５〜
５、望ましくは（ａ） ： （２） ： （ｃ） ：
（２）〜０．５〜２ ：０．５〜２ ：ｏ、５〜２ ：
１〜３、特に（ａ） ： （２） ：（ｃ）：（２）
〜２ ： ２ ： ２ ： ３又は（ａ） ： （２）
： （ｃ） ： （２） −２：２：１：２のものが
最適である。また、これら酸化物は（ａ）ビスマス又は
タリウム、（２）バリウム又はストロンチウム、（ｃ）
カルシウム及び（２）銅の酸化物の混合物であってもよ
く、またこれらの複合酸化物であってもよい。
なお、原料としての酸化物が、（ａ）、 （２）、 （
ｃ）及び（２）の元素のいずれかを含まないか、あるい
は他の元素を含むものでは、得られる超電導体薄膜は超
電導転移温度（Ｔｃ）が低く、また励起ビームを照射し
てスパッタリングしても、得られる薄膜が超電導体化し
ないなどの問題がある。
ｃ）及び（２）の元素のいずれかを含まないか、あるい
は他の元素を含むものでは、得られる超電導体薄膜は超
電導転移温度（Ｔｃ）が低く、また励起ビームを照射し
てスパッタリングしても、得られる薄膜が超電導体化し
ないなどの問題がある。
本発明の方法では、このような酸化物をターゲント材料
にして、励起ビームを照射してスパッタリングすること
により、アルゴンのような不純物の混入の恐れがなくな
り、また電気的に中性絶縁種のものに対して、特に良い
結果が得られる。ここで使用できる励起ビームは、上記
酸化物ターゲットをスパッタリングするとともに、基板
上に酸化物薄膜を形成したときに酸化物を超電導体化で
きるものであれば、特に制限はない。具体的には電子ビ
ーム、イオンビーム、レーザービームなどをあげること
ができる。なかでもレーザービームを用いる場合には、
■酸化物ターゲットのもつ組成をそのまま基板に転写す
ることができる、■成膜速度が速い、■装置系が比較的
簡単であるといった特徴があり、多元系の酸化物超電導
体薄膜を形成するのに極めて有効である。
にして、励起ビームを照射してスパッタリングすること
により、アルゴンのような不純物の混入の恐れがなくな
り、また電気的に中性絶縁種のものに対して、特に良い
結果が得られる。ここで使用できる励起ビームは、上記
酸化物ターゲットをスパッタリングするとともに、基板
上に酸化物薄膜を形成したときに酸化物を超電導体化で
きるものであれば、特に制限はない。具体的には電子ビ
ーム、イオンビーム、レーザービームなどをあげること
ができる。なかでもレーザービームを用いる場合には、
■酸化物ターゲットのもつ組成をそのまま基板に転写す
ることができる、■成膜速度が速い、■装置系が比較的
簡単であるといった特徴があり、多元系の酸化物超電導
体薄膜を形成するのに極めて有効である。
このようなレーザービームを用いる場合には、高出力の
レーザーが好ましく、例えばＣｏｔレーザー、ＹＡＧレ
ーザ−、エキシマ−レーザーなどが好適である。特に短
波長のパルスレーザ−であるエキシマ−レーザー（Ａｒ
Ｆエキシマ−レーザーなど）を強く集光して用いれば、
酸化物ターゲットがイオン化されやすくなり、基板に強
固に密着した酸化物薄膜が形成される。またＹＡＧレー
ザーを用いる場合には、膜表面が荒れやすい欠点を有し
ており、エキシマ−レーザーを用いることにより膜表面
の滑やかな酸化物超電導体薄膜を形成することができる
。
レーザーが好ましく、例えばＣｏｔレーザー、ＹＡＧレ
ーザ−、エキシマ−レーザーなどが好適である。特に短
波長のパルスレーザ−であるエキシマ−レーザー（Ａｒ
Ｆエキシマ−レーザーなど）を強く集光して用いれば、
酸化物ターゲットがイオン化されやすくなり、基板に強
固に密着した酸化物薄膜が形成される。またＹＡＧレー
ザーを用いる場合には、膜表面が荒れやすい欠点を有し
ており、エキシマ−レーザーを用いることにより膜表面
の滑やかな酸化物超電導体薄膜を形成することができる
。
このようなエキシマ−レーザー等を用いる場合、照射エ
ネルギー密度として１０〜２００ジユール／ ｃｉ程度
の範囲で照射することが、基板に強固に密着した酸化物
薄膜が形成する上で好ましい。
ネルギー密度として１０〜２００ジユール／ ｃｉ程度
の範囲で照射することが、基板に強固に密着した酸化物
薄膜が形成する上で好ましい。
なお、励起ビームの照射は、連続的に行ってもよいが、
パルス的に行うことが好ましい。また、スパッタリング
の雰囲気としては、減圧下とすべきであり、好ましくは
スパッターガスとして酸素ガスを１０−２〜１０−’Ｔ
ｏｒｒ、を封入する。ここで系内の圧力が高すぎるとス
パッタリングが効率よく進行しない。
パルス的に行うことが好ましい。また、スパッタリング
の雰囲気としては、減圧下とすべきであり、好ましくは
スパッターガスとして酸素ガスを１０−２〜１０−’Ｔ
ｏｒｒ、を封入する。ここで系内の圧力が高すぎるとス
パッタリングが効率よく進行しない。
さらに、酸化物ターゲットと基板との間に電圧（５００
〜２００■程度）を印加することにより、イオン化され
た酸化物の方向性を揃えることができ、−段と良質な薄
膜を形成することができる。
〜２００■程度）を印加することにより、イオン化され
た酸化物の方向性を揃えることができ、−段と良質な薄
膜を形成することができる。
そのほか、スパッタリングの際の条件としては、特に制
限はないが、例えば酸化物ターゲットの温度は、通常は
常温に設定すればよ（、また基板温度は６００〜８８０
’Ｃの範囲で設定することが好ましい。基板温度が低
すぎると得られる薄膜の結晶性が不充分なものとなり、
良質な薄膜とならないという問題が生ずる。ここで、基
板には各種材質のものが使用できるが、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）、 チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ
Ｏｉ）あるいはキュービックジルコニア（ｃｕｂｉｃ−
Ｚ ｒ Ｏｚ）などが好適である。これらの基板を用い
ると、その上に形成される薄膜との密着性が一層強固な
ものとなる。
限はないが、例えば酸化物ターゲットの温度は、通常は
常温に設定すればよ（、また基板温度は６００〜８８０
’Ｃの範囲で設定することが好ましい。基板温度が低
すぎると得られる薄膜の結晶性が不充分なものとなり、
良質な薄膜とならないという問題が生ずる。ここで、基
板には各種材質のものが使用できるが、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）、 チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ
Ｏｉ）あるいはキュービックジルコニア（ｃｕｂｉｃ−
Ｚ ｒ Ｏｚ）などが好適である。これらの基板を用い
ると、その上に形成される薄膜との密着性が一層強固な
ものとなる。
なお、基板上に形成される酸化物薄膜の膜厚は、４００
０人〜１μｍの範囲になるようにスパッタリング条件を
選定することが好ましい。薄膜の膜厚があまり薄すぎる
と、得られる酸化物薄膜の超電導転移温度（Ｔｃ）があ
まり高くならず、実用上問題がある。
０人〜１μｍの範囲になるようにスパッタリング条件を
選定することが好ましい。薄膜の膜厚があまり薄すぎる
と、得られる酸化物薄膜の超電導転移温度（Ｔｃ）があ
まり高くならず、実用上問題がある。
本発明の方法で得られる超電導化された酸化物薄膜は、
（ａ）ビスマス又はタリウム、（２）バリウム又はスト
ロンチウム、（ｃ）カルシウム及び（２）銅を含む酸化
物からなるものであり、その組成割合は、特に限定され
るものではなく、超電導性を示すものであればよいが、
通常は（ａ） ： （２） ： （ｃ） ： （２）＝
０．５〜３：０．５〜３：０．５〜３：ｏ、５〜５、
望ましくは（ａ）：（２）：（ｃ）：（２）＝ ０．５
〜２ ：０．５〜２ ：０．５〜２：１〜３、特に（ａ
）：（２）：（ｃ）：（２）〜２ ： ２ ： ２ ：
３又は（ａ）：（２）：（ｃ）：（２）−２： ２ ：
ｌ ： ２のものが最適である。
（ａ）ビスマス又はタリウム、（２）バリウム又はスト
ロンチウム、（ｃ）カルシウム及び（２）銅を含む酸化
物からなるものであり、その組成割合は、特に限定され
るものではなく、超電導性を示すものであればよいが、
通常は（ａ） ： （２） ： （ｃ） ： （２）＝
０．５〜３：０．５〜３：０．５〜３：ｏ、５〜５、
望ましくは（ａ）：（２）：（ｃ）：（２）＝ ０．５
〜２ ：０．５〜２ ：０．５〜２：１〜３、特に（ａ
）：（２）：（ｃ）：（２）〜２ ： ２ ： ２ ：
３又は（ａ）：（２）：（ｃ）：（２）−２： ２ ：
ｌ ： ２のものが最適である。
次に、本発明を実施例により更に詳しく説明する。
実施例１
ビスマス（Ｂｉ）、ストロンチウム（Ｓ ｒ） 、カル
シウム（ｃａ）、銅（ｃｕ）及び酸素（０）からる酸化
物（Ｂｉ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝２ ： ２ ：
２ ： ３）ターゲット（室温）に、系内にスパッター
ガスとして、酸素ガスを１０−’Ｔｏｒｒ、封入し、Ａ
ｒＦエキシマ−レーザー（発振波長１９３ ｎｍ）を照
射エネルギー密度が２０ジユール／ ｃｒＡとなるよう
にレンズで集光し、斜め方向から照射してスパッタリン
グすることにより、酸化マグネシウムからなる基板表面
（温度６００°Ｃ）に酸化物薄膜（膜厚：１μｍ）を形
成した。
シウム（ｃａ）、銅（ｃｕ）及び酸素（０）からる酸化
物（Ｂｉ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝２ ： ２ ：
２ ： ３）ターゲット（室温）に、系内にスパッター
ガスとして、酸素ガスを１０−’Ｔｏｒｒ、封入し、Ａ
ｒＦエキシマ−レーザー（発振波長１９３ ｎｍ）を照
射エネルギー密度が２０ジユール／ ｃｒＡとなるよう
にレンズで集光し、斜め方向から照射してスパッタリン
グすることにより、酸化マグネシウムからなる基板表面
（温度６００°Ｃ）に酸化物薄膜（膜厚：１μｍ）を形
成した。
このとき、これら酸化物の中性分子が四重極質量分析計
により観測された。
により観測された。
得られた酸化物薄膜を８７０″Ｃで１分間、８６゜Ｃで
１５分間空気中で焼成した。このようにして得られた酸
化物薄膜の抵抗を測定したところ、１２０°Ｋから抵抗
の減少が観察され、１００’にで完全に抵抗が零となり
、またマイスナー効果（完全反磁性）を発現し、超電導
性を示すことが確認された。この得られた酸化物薄膜の
組成は、Ｂｉ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝２ ： ２
： ２ ： ３であった。
１５分間空気中で焼成した。このようにして得られた酸
化物薄膜の抵抗を測定したところ、１２０°Ｋから抵抗
の減少が観察され、１００’にで完全に抵抗が零となり
、またマイスナー効果（完全反磁性）を発現し、超電導
性を示すことが確認された。この得られた酸化物薄膜の
組成は、Ｂｉ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝２ ： ２
： ２ ： ３であった。
実施例２
ビスマス（Ｂｉ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウ
ム（ｃａ）、銅（ｃｕ）及び酸素（０）がらる酸化物に
おいて、その組成をＢｉ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝２
：２：１：２としたターゲットを用いた他は、実施例１
と全（同じ条件で酸化物薄膜を形成した。
ム（ｃａ）、銅（ｃｕ）及び酸素（０）がらる酸化物に
おいて、その組成をＢｉ： Ｓｒ： Ｃａ： Ｃｕ＝２
：２：１：２としたターゲットを用いた他は、実施例１
と全（同じ条件で酸化物薄膜を形成した。
このものの抵抗を測定したところ、９５°Ｋがら抵抗の
減少が観察され、８６°にで完全に抵抗が零となり、ま
たマイスナー効果（完全反磁性）を発現し、超電導性を
示すことが確認された。
減少が観察され、８６°にで完全に抵抗が零となり、ま
たマイスナー効果（完全反磁性）を発現し、超電導性を
示すことが確認された。
この得られた酸化物薄膜の組成は、Ｂｉ：Ｓｒ：Ｃａ：
Ｃｕ＝２ ： ２ ： １ ： ２であった。
Ｃｕ＝２ ： ２ ： １ ： ２であった。
実施例３
タリウム（Ｔｆ）、バリウム（Ｂ ａ） 、カルシウム
（ｃａ）、銅（ｃｕ）及び酸素（０）からなる酸化物（
Ｔｆｆｉ ： Ｂａ： Ｃａ： Ｃｕ＝２ ： ２ ：
２ ： ３）ターゲット（室温）に、系内にスパッタ
ーガスとして酸素ガスを１０−”Ｔｏｒｒ、封入し、Ａ
ｒＦＩキシマーレーザー（発振波長１９３ｎｍ）を照射
エネルギー密度が２０ジユール／ ｃ＋ｊとなるように
レンズで集光し、斜め方向から照射してスパッタリング
することにより、酸化マグネシウムからなる基板表面（
温度６００°Ｃ）に酸化物薄膜（膜厚： １ μｍ）を
形成した。
（ｃａ）、銅（ｃｕ）及び酸素（０）からなる酸化物（
Ｔｆｆｉ ： Ｂａ： Ｃａ： Ｃｕ＝２ ： ２ ：
２ ： ３）ターゲット（室温）に、系内にスパッタ
ーガスとして酸素ガスを１０−”Ｔｏｒｒ、封入し、Ａ
ｒＦＩキシマーレーザー（発振波長１９３ｎｍ）を照射
エネルギー密度が２０ジユール／ ｃ＋ｊとなるように
レンズで集光し、斜め方向から照射してスパッタリング
することにより、酸化マグネシウムからなる基板表面（
温度６００°Ｃ）に酸化物薄膜（膜厚： １ μｍ）を
形成した。
このとき、これら酸化物の中性分子が四重極質量分析計
により観測された。
により観測された。
得られた酸化物薄膜を８７０ ”Ｃで１分間、８６０゛
Ｃで１５分間空気中で焼成した。このようにして得られ
た酸化物薄膜の抵抗を測定したところ、１４０°Ｋから
抵抗の減少が観察され、１１５°にで完全に抵抗が零と
なり、またマイスナー効果（完全反磁性）を発現し、超
電導性を示すことが確認された。この得られた酸化物薄
膜の組成は、Ｔ／２ ：Ｂａ：Ｃａ： Ｃｕ＝２ ：
２ ： ２ ： ３であった。
Ｃで１５分間空気中で焼成した。このようにして得られ
た酸化物薄膜の抵抗を測定したところ、１４０°Ｋから
抵抗の減少が観察され、１１５°にで完全に抵抗が零と
なり、またマイスナー効果（完全反磁性）を発現し、超
電導性を示すことが確認された。この得られた酸化物薄
膜の組成は、Ｔ／２ ：Ｂａ：Ｃａ： Ｃｕ＝２ ：
２ ： ２ ： ３であった。
実施例４
タリウム（Ｔｆｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（
ｃａ）、銅（ｃｕ）及び酸素（０）からなる酸化物にお
いて、その組成をＴｌ ： Ｂａ： Ｃａ： Ｃｕ＝２
：２：１：２としたターゲットを用いた他は、実施例
３と全く同じ条件で酸化物薄膜を形成した。
ｃａ）、銅（ｃｕ）及び酸素（０）からなる酸化物にお
いて、その組成をＴｌ ： Ｂａ： Ｃａ： Ｃｕ＝２
：２：１：２としたターゲットを用いた他は、実施例
３と全く同じ条件で酸化物薄膜を形成した。
このものの抵抗を測定したところ、１１０°Ｋから抵抗
の減少が観察され、１０５°にで完全に抵抗が零となり
、またマイスナー効果（完全反磁性）を発現し、超電導
性を示すことが確認された。この得られた酸化物薄膜の
組成は、Ｔｌ２：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２で
あった。
の減少が観察され、１０５°にで完全に抵抗が零となり
、またマイスナー効果（完全反磁性）を発現し、超電導
性を示すことが確認された。この得られた酸化物薄膜の
組成は、Ｔｌ２：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝２：２：１：２で
あった。
実施例５
実施例１と同じ条件下で、レンズでさらに強く集光した
場合（照射エネルギー密度：１５０ジユール／ｃ＋Ｊ）
には、Ｂ ｉ”、 Ｂ ｉ”°、Ｃｕｂ”、Ｃｕｂ”
。
場合（照射エネルギー密度：１５０ジユール／ｃ＋Ｊ）
には、Ｂ ｉ”、 Ｂ ｉ”°、Ｃｕｂ”、Ｃｕｂ”
。
３ ｒｔ ＋ 、 ＣａＺ ＋、などのイオン種が観
察され、基板との密着性の強固な超電導体酸化薄膜が得
られた。
察され、基板との密着性の強固な超電導体酸化薄膜が得
られた。
（発明の効果）
以上の如く、本発明の方法によれば、膜質が良好かつ安
定した酸化物超電導薄膜を効率よく製造することができ
、しかもこの酸化物薄膜は、液体窒素温度程度の高温で
超電導性を示すものであって、その実用的価値は極めて
高い。
定した酸化物超電導薄膜を効率よく製造することができ
、しかもこの酸化物薄膜は、液体窒素温度程度の高温で
超電導性を示すものであって、その実用的価値は極めて
高い。
したがって、本発明の方法ならびにこの方法で製造され
た酸化物超電導薄膜は、電子材料分野で幅広くかつ有効
に利用される。
た酸化物超電導薄膜は、電子材料分野で幅広くかつ有効
に利用される。
Claims (2)
- （１）（ａ）ビスマス又はタリウム、（ｂ）バリウム又
はストロンチウム、（ｃ）カルシウム及び（ｄ）銅を含
む酸化物をターゲットとして、励起ビームを照射してス
パッタリングし、基板状に超電導体化された酸化物薄膜
を形成することを特徴とする酸化物超電導体薄膜の製造
方法。 - （２）酸化物超電導体薄膜が、（ａ）ビスマス又はタリ
ウム、（２）バリウム又はストロンチウム、（ｃ）カル
シウム及び（２）銅を（ａ）：（ｂ）：（ｃ）：（ｄ）
＝０．５〜３：０．５〜３：０．５〜３：０．５〜３：
０．５〜５（原子比）の割合で含むものである請求項１
記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070884A JPH01246141A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070884A JPH01246141A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246141A true JPH01246141A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13444407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070884A Pending JPH01246141A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238313A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超電導体の製造方法 |
| JPH0264013A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物超電導薄膜の製造法 |
-
1988
- 1988-03-26 JP JP63070884A patent/JPH01246141A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238313A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超電導体の製造方法 |
| JPH0264013A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物超電導薄膜の製造法 |
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